JP2014209574A5 - 酸化物半導体膜 - Google Patents

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  1. ４００ｎｍ乃至８００ｎｍの波長範囲において、ＣＰＭ法で観測される光吸収を有し、
    前記光吸収において、バンドテイルによる光吸収を除くことにより得られる欠陥準位の吸収係数が５×１０ −２ ／ｃｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
  2. ４００ｎｍ乃至８００ｎｍの波長範囲において、ＣＰＭ法で観測される光吸収を有し、
    前記光吸収において、バンドテイルによる光吸収を除くことにより得られる欠陥準位の吸収係数が５×１０ −２ ／ｃｍ以下であり、
    ｃ軸配向している結晶部を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であることを特徴とする酸化物半導体膜。
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