WO2017115672A1

WO2017115672A1 - 走査アンテナおよびその製造方法

Info

Publication number: WO2017115672A1
Application number: PCT/JP2016/087645
Authority: WO
Inventors: 純平高橋; 真伸水崎; 箕浦　潔; 坂井　彰
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2015-12-28
Filing date: 2016-12-16
Publication date: 2017-07-06
Also published as: CN108432047A; US10903247B2; US20200286931A1; CN108432047B

Abstract

走査アンテナ（１０００）は、アンテナ単位Ｕが配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板（１）と、ＴＦＴと、ゲートバスラインと、ソースバスラインと、パッチ電極（１５）とを有するＴＦＴ基板（１０１）と、第２誘電体基板（５１）と、第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極（５５）と有するスロット基板（２０１）と、ＴＦＴ基板とスロット基板との間に設けられた液晶層ＬＣと、第２誘電体基板（５１）の第１主面と反対側の第２主面に誘電体層（５４）を介して対向するように配置された反射導電板（６５）とを有し、スロット電極は、パッチ電極にそれぞれ対応して配置されたスロットを有し、第２誘電体基板（５１）とスロット電極（５５）との間に、熱硬化タイプまたは光硬化タイプの接着材で形成された接着層（９２）をさらに有する。

Description

走査アンテナおよびその製造方法

　本発明は、走査アンテナに関し、特に、アンテナ単位（「素子アンテナ」ということもある。）が液晶容量を有する走査アンテナ（「液晶アレイアンテナ」ということもある。）およびその製造方法に関する。

　移動体通信や衛星放送用のアンテナは、ビームの方向を変えられる（「ビーム走査」または「ビームステアリング」と言われる。）機能を必要とする。このような機能を有するアンテナ（以下、「走査アンテナ（scanned antenna）」という。）として、アンテナ単位を備えるフェイズドアレイアンテナが知られている。しかしながら、従来のフェイズドアレイアンテナは高価であり、民生品への普及の障害となっている。特に、アンテナ単位の数が増えると、コストが著しく上昇する。

　そこで、液晶材料（ネマチック液晶、高分子分散液晶を含む）の大きな誘電異方性（複屈折率）を利用した走査アンテナが提案されている（特許文献１～４および非特許文献１）。液晶材料の誘電率は周波数分散を有するので、本明細書において、マイクロ波の周波数帯における誘電率（「マイクロ波に対する誘電率」ということもある。）を特に「誘電率Ｍ（ε_M）」と表記することにする。

　特許文献３および非特許文献１には、液晶表示装置（以下、「ＬＣＤ」という。）の技術を利用することによって低価格な走査アンテナが得られると記載されている。

特開２００７－１１６５７３号公報特開２００７－２９５０４４号公報特表２００９－５３８５６５号公報特表２０１３－５３９９４９号公報

R. A. Stevenson et al., "Rethinking Wireless Communications:Advanced Antenna Design using LCD Technology", SID 2015 DIGEST, pp.827-830. Ｍ. ANDO et al., "A Radial Line Slot Antenna for 12GHz Satellite TV Reception", IEEE Transactions of Antennas and Propagation, Vol. AP-33, No.12, pp. 1347-1353 (1985).

　上述したように、ＬＣＤ技術を適用することによって低価格な走査アンテナを実現すると言うアイデアは知られてはいるものの、ＬＣＤ技術を利用した走査アンテナの構造、その製造方法、およびその駆動方法を具体的に記載した文献はない。

　そこで、本発明は、従来のＬＣＤの製造技術を利用して量産することが可能な走査アンテナおよびその製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の実施形態による走査アンテナは、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極とを有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に、熱硬化タイプまたは光硬化タイプの接着材で形成された接着層をさらに有する。

　ある実施形態において、前記接着層は、ポリイミド樹脂を含む前記熱硬化タイプの接着材で形成されている。

　本発明の実施形態による他の走査アンテナは、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極とを有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に形成された接着層と、前記スロット電極と前記接着層との間に配置された高分子層とをさらに有する。

　ある実施形態において、前記高分子層は、ＰＥＴフィルムまたはＰＩフィルムで形成されている。

　ある実施形態において、前記高分子層の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下である。

　ある実施形態において、前記接着層は、熱硬化タイプの接着材で形成されている。前記熱硬化タイプの接着材は例えばポリイミドを含む。

　ある実施形態において、前記スロット電極は、Ｃｕ層またはＡｌ層で形成されている。

　本発明の実施形態による走査アンテナの製造方法は、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に、熱硬化タイプの接着材で形成された接着層をさらに有する、走査アンテナの製造方法であって、前記第２誘電体基板を用意する工程（ａ）と、　熱硬化タイプの接着材の層が片面に形成された金属箔を用意する工程（ｂ）と、前記第２誘電体基板に前記接着材の層が接着するように前記金属箔を貼りつける工程（ｃ）とを包含する。

　本発明の実施形態による他の走査アンテナの製造方法は、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に形成された接着層と、前記スロット電極と前記接着層との間に配置された高分子層とをさらに有する、走査アンテナの製造方法であって、前記第２誘電体基板上に前記接着層を形成する工程（ａ）と、高分子フィルムと金属箔とが積層されたラミネートフィルムを用意する工程（ｂ）と、前記接着層の上に前記ラミネートフィルムを貼りつける工程（ｃ）とを包含する。

　本発明の実施形態によるさらに他の走査アンテナの製造方法は、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に形成された接着層と、前記スロット電極と前記接着層との間に配置された高分子層とをさらに有する、走査アンテナの製造方法であって、前記第２誘電体基板を用意する工程（ａ）と、熱硬化タイプの接着材の層が片面に形成された高分子フィルムと金属箔とが積層されたラミネートフィルムを用意する工程（ｂ）と、前記第２誘電体基板に前記接着材の層が接着するように前記ラミネートフィルムを貼りつける工程（ｃ）とを包含する。

　ある実施形態において、前記金属箔は、Ｃｕ箔またはＡｌ箔である。

　ある実施形態において、上記いずれかの製造方法は、前記工程（ｃ）の前に、前記接着層を減圧環境下に置く工程をさらに包含する。

　本発明の一実施形態のＴＦＴ基板は、誘電体基板と、前記誘電体基板上に配列された複数のアンテナ単位領域を有するＴＦＴ基板であって、前記複数のアンテナ単位領域を含む送受信領域と、前記送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域とを含み、前記複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、前記誘電体基板に支持された薄膜トランジスタであって、ゲート電極と、半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置するゲート絶縁層と、前記半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆い、かつ、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極を露出する第１開口部を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層上および前記第１開口部内に形成され、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続されたパッチ電極とを備え、前記パッチ電極は金属層を含み、前記金属層の厚さは、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極および前記ドレイン電極の厚さよりも大きい。

　ある実施形態において、上記ＴＦＴ基板は、前記パッチ電極を覆う第２絶縁層をさらに備えてもよい。前記金属層の厚さは、１μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。

　ある実施形態において、上記ＴＦＴ基板は、前記送受信領域において、前記誘電体基板上に形成された抵抗膜と、前記抵抗膜に接続されたヒータ用端子とをさらに有してもよい。

　ある実施形態において、上記ＴＦＴ基板は、前記非送受信領域に配置されたトランスファー端子部をさらに備え、前記トランスファー端子部は、前記パッチ電極と同じ導電膜から形成されたパッチ接続部と、前記パッチ接続部上に延設され、前記パッチ接続部の一部を露出する第２開口部を有する前記第２絶縁層と、前記第２絶縁層上および前記第２開口部内に形成され、前記パッチ接続部と電気的に接続された上部透明電極とを有する。

　ある実施形態において、上記ＴＦＴ基板は、ゲート端子部をさらに備え、前記ゲート端子部は、前記ゲート電極と同じ導電膜から形成されたゲートバスラインと、前記ゲートバスライン上に延設された前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層と、前記上部透明電極と同じ透明導電膜から形成されたゲート端子用上部接続部とを有し、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層には、前記ゲートバスラインの一部を露出するゲート端子コンタクトホールが形成されており、前記ゲート端子用上部接続部は、前記第２絶縁層上および前記ゲート端子コンタクトホール内に配置され、前記ゲート端子コンタクトホール内で前記ゲートバスラインと接している。

　ある実施形態において、上記ＴＦＴ基板は、前記非送受信領域に配置されたトランスファー端子部をさらに備え、前記トランスファー端子部は、前記ソース電極と同じ導電膜から形成されたソース接続配線と、前記ソース接続配線上に延設され、前記ソース接続配線の一部を露出する第３開口部および前記ソース接続配線の他の一部を露出する第４開口部を有する前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層上および前記第３開口部内に形成されたパッチ接続部と、前記第１絶縁層上および前記第４開口部内に形成された上部透明電極とを有し、前記パッチ接続部は、前記ソース接続配線を介して前記上部透明電極と電気的に接続されており、前記パッチ接続部は前記パッチ電極と同じ導電膜から形成されており、前記第２絶縁層は、前記トランスファー端子部上に延設されており、前記パッチ接続部を覆い、かつ、前記上部透明電極の少なくとも一部を露出する開口を有する。

　ある実施形態において、上記ＴＦＴ基板は、前記非送受信領域に配置されたトランスファー端子部をさらに備え、前記トランスファー端子部は、前記第１絶縁層上に、前記パッチ電極と同じ導電膜から形成されたパッチ接続部と、前記パッチ接続部を覆う保護導電層とを有し、前記第２絶縁層は、前記保護導電層上に延設され、前記保護導電層の一部を露出する開口を有する。

　ある実施形態において、上記ＴＦＴ基板は、ゲート端子部をさらに備え、前記ゲート端子部は、前記ゲート電極と同じ導電膜から形成されたゲートバスラインと、前記ゲートバスライン上に延設された前記ゲート絶縁層および前記第１絶縁層と、透明導電膜から形成されたゲート端子用上部接続部とを有し、前記ゲート絶縁層および前記第１絶縁層には、前記ゲート端子用上部接続部を露出するゲート端子コンタクトホールが形成されており、前記ゲート端子用上部接続部は、前記第１絶縁層上および前記ゲート端子コンタクトホール内に配置され、前記ゲート端子コンタクトホール内で前記ゲートバスラインと接しており、前記第２絶縁層は、前記ゲート端子用上部接続部上に延設され、前記ゲート端子用上部接続部の一部を露出する開口を有する。

　本発明の一実施形態の走査アンテナは、上記のいずれかに記載のＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向するように配置されたスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記スロット基板の前記液晶層と反対側の表面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを備え、前記スロット基板は、他の誘電体基板と、前記他の誘電体基板の前記液晶層側の表面に形成されたスロット電極とを有し、前記スロット電極は複数のスロットを有し、前記複数のスロットは、前記ＴＦＴ基板の前記複数のアンテナ単位領域における前記パッチ電極に対応して配置されている。

　本発明の他の実施形態の走査アンテナは、上記のいずれかに記載のＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向するように配置されたスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記スロット基板の前記液晶層と反対側の表面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを備え、前記スロット基板は、他の誘電体基板と、前記他の誘電体基板の前記液晶層側の表面に形成されたスロット電極とを有し、前記スロット電極は複数のスロットを有し、前記複数のスロットは、前記ＴＦＴ基板の前記複数のアンテナ単位領域における前記パッチ電極に対応して配置されており、前記スロット電極は、前記ＴＦＴ基板の前記トランスファー端子部に接続されている。

　本発明の一実施形態のＴＦＴ基板の製造方法は、複数のアンテナ単位領域を含む送受信領域と、前記送受信領域以外の非送受信領域とを有し、前記複数のアンテナ単位領域のそれぞれは薄膜トランジスタおよびパッチ電極を備えるＴＦＴ基板の製造方法であって、（ａ）誘電体基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、（ｂ）前記薄膜トランジスタを覆うように第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層に前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部を露出する第１開口部を形成する工程と、（ｃ）前記第１絶縁層上および前記第１開口部内にパッチ電極用導電膜を形成し、前記パッチ電極用導電膜のパターニングにより、前記第１開口部内で前記ドレイン電極と接するパッチ電極を形成する工程と、（ｄ）前記パッチ電極を覆う第２絶縁層を形成する工程とを包含し、前記パッチ電極は金属層を含み、前記金属層の厚さは、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極の厚さよりも大きい。

　ある実施形態において、前記工程（ａ）は、誘電体基板上にゲート用導電膜を形成し、前記ゲート用導電膜のパターニングにより、複数のゲートバスラインおよび前記薄膜トランジスタのゲート電極を形成する工程（ａ１）と、前記複数のゲートバスラインおよび前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層を形成する工程（ａ２）と、前記ゲート絶縁層上に、前記薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程（ａ３）と、前記半導体層上および前記ゲート絶縁層上にソース用導電膜を形成し、前記ソース用導電膜のパターニングにより、複数のソースバスラインと、前記半導体層に接するソース電極およびドレイン電極とを形成し、薄膜トランジスタを得る工程（ａ４）とを包含する。

　ある実施形態において、前記ＴＦＴ基板は、前記非送受信領域にゲート端子部およびトランスファー端子部をさらに備え、前記工程（ｃ）は、前記パッチ電極用導電膜のパターニングにより、前記非送受信領域にパッチ接続部を形成する工程を含み、前記工程（ｄ）の後に、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を一括してエッチングする工程であって、これにより、前記第２絶縁層に前記パッチ接続部を露出する第２開口部を形成するとともに、前記ゲート絶縁層、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に前記ゲートバスラインの一部を露出するゲート端子コンタクトホールを形成する工程と、前記第２絶縁層上、前記第２開口部内、および前記ゲート端子コンタクトホール内に透明導電膜を形成し、前記透明導電膜のパターニングにより、前記第２開口部内で前記パッチ接続部に接する上部透明電極を形成してトランスファー端子部を得るとともに、前記ゲート端子コンタクトホール内で前記ゲートバスラインに接するゲート端子用上部接続部を形成してゲート端子部を得る工程とを包含する。

　ある実施形態において、前記ＴＦＴ基板は、前記非送受信領域にゲート端子部およびトランスファー端子部をさらに備え、前記工程（ａ４）は、前記ソース用導電膜のパターニングにより、前記非送受信領域にソース接続配線を形成する工程を含み、前記工程（ｂ）は、前記第１絶縁層に前記第１開口部を形成するとともに、前記ソース接続配線の一部を露出する第３開口部と、前記ソース接続配線の他の一部を露出する第４開口部と、前記ゲートバスラインの一部を露出するゲート端子コンタクトホールとを形成する工程を含み、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）との間に、透明導電膜を形成し、前記透明導電膜のパターニングにより、前記第３開口部内で前記ソース接続配線に接する上部透明電極を形成するとともに、前記ゲート端子コンタクトホール内で前記ゲートバスラインに接するゲート端子用上部接続部を形成してゲート端子部を得る工程をさらに含み、前記工程（ｃ）は、前記パッチ電極用導電膜のパターニングにより、前記第４開口部内で前記ソース接続配線と接するパッチ接続部とを形成してトランスファー端子部を得る工程をさらに含み、前記トランスファー端子部では、前記ソース接続配線を介して前記パッチ接続部と前記上部透明電極とが電気的に接続され、前記工程（ｄ）の後に、前記第２絶縁層に、前記上部透明電極の一部および前記ゲート端子用上部接続部の一部をそれぞれ露出する開口を形成する工程をさらに含む。

　ある実施形態において、前記ＴＦＴ基板は、前記非送受信領域にゲート端子部およびトランスファー端子部をさらに備え、前記工程（ｂ）は、前記第１絶縁層に前記第１開口部を形成するとともに、前記ゲートバスラインの一部を露出するゲート端子コンタクトホールを形成する工程を含み、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）との間に、透明導電膜を形成し、前記透明導電膜のパターニングにより、前記ゲート端子コンタクトホール内で前記ゲートバスラインに接するゲート端子用上部接続部を形成してゲート端子部を得る工程をさらに含み、前記工程（ｃ）は、前記パッチ電極用導電膜のパターニングにより、前記非送受信領域にパッチ接続部を形成する工程を含み、前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）との間に、前記パッチ接続部を覆う保護導電層を形成する工程をさらに含み、前記工程（ｄ）の後に、前記第２絶縁層に、前記保護導電層の一部および前記ゲート端子用上部接続部の一部をそれぞれ露出する開口を形成する工程をさらに含む。

　本発明のある実施形態による走査アンテナは、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、前記複数のパッチ電極のそれぞれは、対応するＴＦＴのドレインに接続されており、対応するＴＦＴのゲートバスラインから供給される走査信号によって選択される期間に、対応するソースバスラインからデータ信号が供給され、前記複数のパッチ電極のそれぞれに印加される電圧の極性が反転する周波数は３００Ｈｚ以上である。

　ある実施形態において、任意のフレームにおいて、前記複数のパッチ電極に印加される電圧の極性は全て同じである。

　ある実施形態において、任意のフレームにおいて、前記複数のパッチ電極に印加される電圧の極性は、隣接するゲートバスラインに接続されたパッチ電極間で互いに逆である。

　ある実施形態において、前記複数のパッチ電極のそれぞれに印加される電圧の極性が反転する周波数は５ｋＨｚ以下である。

　ある実施形態において、前記スロット電極に印加される電圧は、前記複数のパッチ電極に印加される電圧と１８０°位相がずれた振動電圧である。

　本発明の実施形態による走査アンテナの駆動方法は、複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有する走査アンテナの駆動方法であって、前記複数のパッチ電極のそれぞれに印加される電圧の極性を３００Ｈｚ以上の周波数で反転させる。

　ある実施形態において、前記スロット電極に印加される電圧の極性を前記複数のパッチ電極に印加される電圧の極性と１８０°位相をずらして反転させる。

　本発明のある実施形態によると、従来のＬＣＤの製造技術を利用して量産することが可能な走査アンテナおよびその製造方法が提供される。

第１の実施形態の走査アンテナ１０００の一部を模式的に示す断面図である。（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、走査アンテナ１０００におけるＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１を示す模式的な平面図である。（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０１のアンテナ単位領域Ｕを模式的に示す断面図および平面図である。（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０１のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを模式的に示す断面図である。ＴＦＴ基板１０１の製造工程の一例を示す図である。スロット基板２０１におけるアンテナ単位領域Ｕおよび端子部ＩＴを模式的に示す断面図である。ＴＦＴ基板１０１およびスロット基板スロット基板２０１におけるトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、第２の実施形態におけるＴＦＴ基板１０２のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。ＴＦＴ基板１０２の製造工程の一例を示す図である。（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、第３の実施形態におけるＴＦＴ基板１０３のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。ＴＦＴ基板１０３の製造工程の一例を示す図である。ＴＦＴ基板１０３およびスロット基板２０３におけるトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。（ａ）は、ヒーター用抵抗膜６８を有するＴＦＴ基板１０４の模式的な平面図であり、（ｂ）はスロット５７およびパッチ電極１５のサイズを説明するための模式的な平面図である。（ａ）および（ｂ）は、抵抗加熱構造８０ａおよび８０ｂの模式的な構造と電流の分布を示す図である。（ａ）～（ｃ）は、抵抗加熱構造８０ｃ～８０ｅの模式的な構造と電流の分布を示す図である。本発明の実施形態による走査アンテナの１つのアンテナ単位の等価回路を示す図である。（ａ）～（ｃ）、（ｅ）～（ｇ）は、実施形態の走査アンテナの駆動に用いられる各信号の波形の例を示す図であり、（ｄ）は、ドット反転駆動を行っているＬＣＤパネルの表示信号の波形を示す図である。（ａ）～（ｅ）は、実施形態の走査アンテナの駆動に用いられる各信号の波形の他の例を示す図である。（ａ）～（ｅ）は、実施形態の走査アンテナの駆動に用いられる各信号の波形のさらに他の例を示す図である。本発明の実施形態による走査アンテナ１０００Ａの一部を模式的に示す断面図である。（ａ）～（ｃ）は、走査アンテナ１０００Ａが有するスロット基板２０１Ａの製造方法を示す模式図である。本発明の実施形態による他の走査アンテナ１０００Ｂの一部を模式的に示す断面図である。（ａ）～（ｄ）は、走査アンテナ１０００Ｂが有するスロット基板２０１Ｂの製造方法を示す模式図である。試作したスロット基板をガラス基板５１側から観察した状態を示す光学像である。試作したスロット基板をガラス基板５１側から観察した状態を示す光学像である。比較のために試作したスロット基板をガラス基板５１側から観察した状態を示す光学像を示す。（ａ）および（ｂ）は、２１６０ｍｍ（縦）×２４６０（横）のマザー基板５１Ｍを用いて、直径が７００ｍｍの送受信領域Ｒ１を有する走査アンテナ用のスロット基板２０１Ａを９枚作製する場合のラミネートフィルム５５ＬＭの配置を示す模式図である。（ａ）および（ｂ）は、２１６０ｍｍ（縦）×２４６０（横）のマザー基板５１Ｍを用いて、直径が８００ｍｍの送受信領域Ｒ１を有する走査アンテナ用のスロット基板２０１Ａを６枚作製する場合のラミネートフィルム５５ＬＭの配置を示す模式図である。（ａ）は、従来のＬＣＤ９００の構造を示す模式図であり、（ｂ）はＬＣＤパネル９００ａの模式的な断面図である。

　以下、図面を参照して、本発明の実施形態による走査アンテナおよびその製造方法を説明する。以下の説明においては、まず、公知のＴＦＴ型ＬＣＤ（以下、「ＴＦＴ－ＬＣＤ」という。）の構造および製造方法を説明する。ただし、ＬＣＤの技術分野で周知の事項については説明を省略することがある。ＴＦＴ－ＬＣＤの基本的な技術については、例えば、Liquid Crystals, Applications and Uses, Vol. １－３（Editor: Birenda Bahadur, Publisher: World Scientific Pub Co Inc）などを参照されたい。参考のために、上記の文献の開示内容の全てを本明細書に援用する。

　図２９（ａ）および（ｂ）を参照して、典型的な透過型のＴＦＴ－ＬＣＤ（以下、単に「ＬＣＤ」という。）９００の構造および動作を説明する。ここでは、液晶層の厚さ方向に電圧を印加する縦電界モード（例えば、ＴＮモードや垂直配向モード）のＬＣＤ９００を例示する。ＬＣＤの液晶容量に印加される電圧のフレーム周波数（典型的には極性反転周波数の２倍）は例えば４倍速駆動でも２４０Ｈｚであり、ＬＣＤの液晶容量の誘電体層としての液晶層の誘電率εは、マイクロ波（例えば、衛星放送やＫｕバンド（１２～１８ＧＨｚ）、Ｋバンド（１８～２６ＧＨｚ）、Ｋａバンド（２６～４０ＧＨｚ））に対する誘電率Ｍ（ε_M）と異なる。

　図２９（ａ）に模式的に示すように、透過型のＬＣＤ９００は、液晶表示パネル９００ａと、制御回路ＣＮＴＬと、バックライト（不図示）と、電源回路（不図示）などを備えている。液晶表示パネル９００ａは、液晶表示セルＬＣＣと、ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤを含む駆動回路とを含む。駆動回路は、例えば、液晶表示セルＬＣＣのＴＦＴ基板９１０に実装されてもよいし、駆動回路の一部または全部は、ＴＦＴ基板９１０に一体化（モノリシック化）されてもよい。

　図２９（ｂ）に、ＬＣＤ９００が有する液晶表示パネル（以下、「ＬＣＤパネル」という。）９００ａの模式的に断面図を示す。ＬＣＤパネル９００ａは、ＴＦＴ基板９１０と、対向基板９２０と、これらの間に設けられた液晶層９３０とを有している。ＴＦＴ基板９１０および対向基板９２０は、いずれもガラス基板などの透明基板９１１、９２１を有している。透明基板９１１、９２１としては、ガラス基板の他、プラスチック基板が用いられることもある。プラスチック基板は、例えば、透明な樹脂（例えばポリエステル）とガラス繊維（例えば不織布）で形成される。

　ＬＣＤパネル９００ａの表示領域ＤＲは、マトリクス状に配列された画素Ｐによって構成されている。表示領域ＤＲの周辺には表示に寄与しない額縁領域ＦＲが形成されている。液晶材料は表示領域ＤＲを包囲するように形成されたシール部（不図示）によって表示領域ＤＲ内に封止されている。シール部は、例えば、紫外線硬化性樹脂とスペーサ（例えば樹脂ビーズ）とを含むシール材を硬化させることによって形成され、ＴＦＴ基板９１０と対向基板９２０とを互いに接着、固定する。シール材中のスペーサは、ＴＦＴ基板９１０と対向基板９２０との間隙、すなわち液晶層９３０の厚さを一定に制御する。液晶層９３０の厚さの面内ばらつきを抑制するために、表示領域ＤＲ内の遮光される部分（例えば配線上）に、柱状スペーサが紫外線硬化性樹脂を用いて形成される。近年、液晶テレビやスマートフォン用のＬＣＤパネルに見られるように、表示に寄与しない額縁領域ＦＲの幅は非常に狭くなっている。

　ＴＦＴ基板９１０では、透明基板９１１上に、ＴＦＴ９１２、ゲートバスライン（走査線）ＧＬ、ソースバスライン（表示信号線）ＳＬ、画素電極９１４、補助容量電極（不図示）、ＣＳバスライン（補助容量線）（不図示）が形成されている。ＣＳバスラインはゲートバスラインと平行に設けられる。あるいは、次段のゲートバスラインをＣＳバスラインとして用いることもある（ＣＳオンゲート構造）。

　画素電極９１４は、液晶の配向を制御する配向膜（例えばポリイミド膜）に覆われている。配向膜は、液晶層９３０と接するように設けられる。ＴＦＴ基板９１０はバックライト側（観察者とは反対側）に配置されることが多い。

　対向基板９２０は、液晶層９３０の観察者側に配置されることが多い。対向基板９２０は、透明基板９２１上に、カラーフィルタ層（不図示）と、対向電極９２４と、配向膜（不図示）とを有している。対向電極９２４は、表示領域ＤＲを構成する複数の画素Ｐに共通に設けられるので、共通電極とも呼ばれる。カラーフィルタ層は、画素Ｐ毎に設けられるカラーフィルタ（例えば、赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ）と、表示に不要な光を遮光するためのブラックマトリクス（遮光層）とを含む。ブラックマトリクスは、例えば、表示領域ＤＲ内の画素Ｐの間、および額縁領域ＦＲを遮光するように配置される。

　ＴＦＴ基板９１０の画素電極９１４と、対向基板９２０の対向電極９２４と、これらの間の液晶層９３０が、液晶容量Ｃｌｃを構成する。個々の液晶容量が画素に対応する。液晶容量Ｃｌｃに印加された電圧を保持するために（いわゆる電圧保持率を高くするために）、液晶容量Ｃｌｃと電気的に並列に接続された補助容量ＣＳが形成されている。補助容量ＣＳは、典型的には、画素電極９１４と同電位とされる電極と、無機絶縁層（例えばゲート絶縁層（ＳｉＯ₂層））と、ＣＳバスラインに接続された補助容量電極とで構成される。ＣＳバスラインからは、典型的には、対向電極９２４と同じ共通電圧が供給される。

　液晶容量Ｃｌｃに印加された電圧（実効電圧）が低下する要因としては、（１）液晶容量Ｃｌｃの容量値Ｃ_Clcと、抵抗値Ｒとの積であるＣＲ時定数に基づくもの、（２）液晶材料中に含まれるイオン性不純物に起因する界面分極、および／または、液晶分子の配向分極などがある。これらのうち、液晶容量ＣｌｃのＣＲ時定数による寄与が大きく、液晶容量Ｃｌｃに電気的に並列に接続された補助容量ＣＳを設けることによって、ＣＲ時定数を大きくすることができる。なお、液晶容量Ｃｌｃの誘電体層である液晶層９３０の体積抵抗率は、汎用されているネマチック液晶材料の場合、１０¹²Ω・ｃｍのオーダを超えている。

　画素電極９１４に供給される表示信号は、ゲートバスラインＧＬにゲートドライバＧＤから供給される走査信号によって選択されたＴＦＴ９１２がオン状態となったときに、そのＴＦＴ９１２に接続されているソースバスラインＳＬに供給されている表示信号である。したがって、あるゲートバスラインＧＬに接続されているＴＦＴ９１２が同時にオン状態となり、その時に、その行の画素ＰのそれぞれのＴＦＴ９１２に接続されているソースバスラインＳＬから対応する表示信号が供給される。この動作を、１行目（例えば表示面の最上行）からｍ行目（例えば表示面の最下行）まで順次に行うことによって、ｍ行の画素行で構成された表示領域ＤＲに１枚の画像（フレーム）が書き込まれ、表示される。画素Ｐがｍ行ｎ列にマトリクス状に配列されているとすると、ソースバスラインＳＬは各画素列に対応して少なくとも１本、合計で少なくともｎ本設けられる。

　このような走査は線順次走査と呼ばれ、１つの画素行が選択されて、次の行が選択されるまでの時間は水平走査期間（１Ｈ）と呼ばれ、ある行が選択され、再びその行が選択されるまでの時間は垂直走査期間（１Ｖ）またはフレームと呼ばれる。なお、一般に、１Ｖ（または１フレーム）は、ｍ本の画素行を全て選択する期間ｍ・Ｈに、ブランキング期間を加えたものとなる。

　例えば、入力映像信号がＮＴＳＣ信号の場合、従来のＬＣＤパネルの１Ｖ（＝１フレーム）は、１／６０ｓｅｃ（１６．７ｍｓｅｃ）であった。ＮＴＳＣ信号はインターレス信号であり、フレーム周波数は３０Ｈｚで、フィールド周波数は６０Ｈｚであるが、ＬＣＤパネルにおいては各フィールドで全ての画素に表示信号を供給する必要があるので、１Ｖ＝（１／６０）ｓｅｃで駆動する（６０Ｈｚ駆動）。なお、近年では、動画表示特性を改善するために、２倍速駆動（１２０Ｈｚ駆動、１Ｖ＝（１／１２０）ｓｅｃ）で駆動されるＬＣＤパネルや、３Ｄ表示のために４倍速（２４０Ｈｚ駆動、１Ｖ＝（１／２４０）ｓｅｃ）で駆動されるＬＣＤパネルもある。

　液晶層９３０に直流電圧が印加されると実効電圧が低下し、画素Ｐの輝度が低下する。この実効電圧の低下には、上記の界面分極および／または配向分極の寄与があるので、補助容量ＣＳを設けても完全に防止することは難しい。例えば、ある中間階調に対応する表示信号を全ての画素にフレーム毎に書き込むと、フレーム毎に輝度が変動し、フリッカーとして観察される。また、液晶層９３０に長時間にわたって直流電圧が印加されると液晶材料の電気分解が起こることがある。また、不純物イオンが片側の電極に偏析し、液晶層に実効的な電圧が印加されなくなり、液晶分子が動かなくなることもある。これらを防止するために、ＬＣＤパネル９００ａはいわゆる、交流駆動される。典型的には、表示信号の極性を１フレーム毎（１垂直走査期間毎）に反転する、フレーム反転駆動が行われる。例えば、従来のＬＣＤパネルでは、１／６０ｓｅｃ毎に極性反転が行われている（極性反転の周期は３０Ｈｚ）。

　また、１フレーム内においても印加される電圧の極性の異なる画素を均一に分布させるために、ドット反転駆動またはライン反転駆動などが行われている。これは、正極性と負極性とで、液晶層に印加される実効電圧の大きさを完全に一致させることが難しいからである。例えば、液晶材料の体積抵抗率が１０¹²Ω・ｃｍのオーダ超であれば、１／６０ｓｅｃ毎に、ドット反転またはライン反転駆動を行えば、フリッカーはほとんど視認されない。

　ＬＣＤパネル９００ａにおける走査信号および表示信号は、制御回路ＣＮＴＬからゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤに供給される信号に基づいて、ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤがゲートバスラインＧＬおよびソースバスラインＳＬにそれぞれ供給される。例えば、ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤは、それぞれ、ＴＦＴ基板９１０に設けられた対応する端子に接続されている。ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤは、例えば、ドライバＩＣとしてＴＦＴ基板９１０の額縁領域ＦＲに実装されることもあるし、ＴＦＴ基板９１０の額縁領域ＦＲにモノリシックに形成されることもある。

　対向基板９２０の対向電極９２４は、トランスファー（転移）と呼ばれる導電部（不図示）を介して、ＴＦＴ基板９１０の端子（不図示）に電気的に接続される。トランスファーは、例えば、シール部と重なるように、あるいは、シール部の一部に導電性を付与することによって形成される。額縁領域ＦＲを狭くするためである。対向電極９２４には、制御回路ＣＮＴＬから、直接または間接的に共通電圧が供給される。典型的には、共通電圧は、上述したように、ＣＳバスラインにも供給される。

　［走査アンテナの基本構造］
　液晶材料の大きな誘電率Ｍ（ε_M）の異方性（複屈折率）を利用したアンテナ単位を用いた走査アンテナは、ＬＣＤパネルの画素に対応付けられるアンテナ単位の各液晶層に印加する電圧を制御し、各アンテナ単位の液晶層の実効的な誘電率Ｍ（ε_M）を変化させることによって、静電容量の異なるアンテナ単位で２次元的なパターンを形成する（ＬＣＤによる画像の表示に対応する。）。アンテナから出射される、または、アンテナによって受信される電磁波（例えば、マイクロ波）には、各アンテナ単位の静電容量に応じた位相差が与えられ、静電容量の異なるアンテナ単位によって形成された２次元的なパターンに応じて、特定の方向に強い指向性を有することになる（ビーム走査）。例えば、アンテナから出射される電磁波は、入力電磁波が各アンテナ単位に入射し、各アンテナ単位で散乱された結果得られる球面波を、各アンテナ単位によって与えられる位相差を考慮して積分することによって得られる。各アンテナ単位が、「フェイズシフター：phase shifter」として機能していると考えることもできる。液晶材料を用いた走査アンテナの基本的な構造および動作原理については、特許文献１～４および非特許文献１、２を参照されたい。非特許文献２は、らせん状のスロットが配列された走査アンテナの基本的な構造を開示している。参考のために、特許文献１～４および非特許文献１、２の開示内容の全てを本明細書に援用する。

　なお、本発明の実施形態による走査アンテナにおけるアンテナ単位はＬＣＤパネルの画素に類似してはいるものの、ＬＣＤパネルの画素の構造とは異なっているし、複数のアンテナ単位の配列もＬＣＤパネルにおける画素の配列とは異なっている。後に詳細に説明する第１の実施形態の走査アンテナ１０００を示す図１を参照して、本発明の実施形態による走査アンテナの基本構造を説明する。走査アンテナ１０００は、スロットが同心円状に配列されたラジアルインラインスロットアンテナであるが、本発明の実施形態による走査アンテナはこれに限られず、例えば、スロットの配列は、公知の種々の配列であってよい。

　図１は、本実施形態の走査アンテナ１０００の一部を模式的に示す断面図であり、同心円状に配列されたスロットの中心近傍に設けられた給電ピン７２（図２（ｂ）参照）から半径方向に沿った断面の一部を模式的に示す。

　走査アンテナ１０００は、ＴＦＴ基板１０１と、スロット基板２０１と、これらの間に配置された液晶層ＬＣと、スロット基板２０１と、空気層５４を介して対向するように配置された反射導電板６５とを備えている。走査アンテナ１０００は、ＴＦＴ基板１０１側からマイクロ波を送受信する。

　ＴＦＴ基板１０１は、ガラス基板などの誘電体基板１と、誘電体基板１上に形成された複数のパッチ電極１５と、複数のＴＦＴ１０とを有している。各パッチ電極１５は、対応するＴＦＴ１０に接続されている。各ＴＦＴ１０は、ゲートバスラインとソースバスラインとに接続されている。

　スロット基板２０１は、ガラス基板などの誘電体基板５１と、誘電体基板５１の液晶層ＬＣ側に形成されたスロット電極５５とを有している。スロット電極５５は複数のスロット５７を有している。

　スロット基板２０１と、空気層５４を介して対向するように反射導電板６５が配置されている。空気層５４に代えて、マイクロ波に対する誘電率Ｍが小さい誘電体（例えば、ＰＴＦＥなどのフッ素樹脂）で形成された層を用いることができる。スロット電極５５と反射導電板６５と、これらの間の誘電体基板５１および空気層５４とが導波路３０１として機能する。

　パッチ電極１５と、スロット５７を含むスロット電極５５の部分と、これらの間の液晶層ＬＣとがアンテナ単位Ｕを構成する。各アンテナ単位Ｕにおいて、１つのパッチ電極１５が１つのスロット５７を含むスロット電極５５の部分と液晶層ＬＣとを介して対向しており、液晶容量を構成している。パッチ電極１５とスロット電極５５とが液晶層ＬＣを介して対向する構造は、図２９に示したＬＣＤパネル９００ａの画素電極９１４と対向電極９２４とが液晶層９３０を介して対向する構造と似ている。すなわち、走査アンテナ１０００のアンテナ単位Ｕと、ＬＣＤパネル９００ａにおける画素Ｐとは似た構成を有している。また、アンテナ単位は、液晶容量と電気的に並列に接続された補助容量（図１３（ａ）、図１６参照）を有している点でもＬＣＤパネル９００ａにおける画素Ｐと似た構成を有している。しかしながら、走査アンテナ１０００は、ＬＣＤパネル９００ａと多くの相違点を有している。

　まず、走査アンテナ１０００の誘電体基板１、５１に求められる性能は、ＬＣＤパネルの基板に求められる性能と異なる。

　一般にＬＣＤパネルには、可視光に透明な基板が用いられ、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板が用いられる。反射型のＬＣＤパネルにおいては、背面側の基板には透明性が必要ないので、半導体基板が用いられることもある。これに対し、アンテナ用の誘電体基板１、５１としては、マイクロ波に対する誘電損失（マイクロ波に対する誘電正接をｔａｎδ_Mと表すことにする。）が小さいことが好ましい。誘電体基板１、５１のｔａｎδ_Mは、概ね０．０３以下であることが好ましく、０．０１以下がさらに好ましい。具体的には、ガラス基板またはプラスチック基板を用いることができる。ガラス基板はプラスチック基板よりも寸法安定性、耐熱性に優れ、ＴＦＴ、配線、電極等の回路要素をＬＣＤ技術を用いて形成するのに適している。例えば、導波路を形成する材料が空気とガラスである場合、ガラスの方が上記誘電損失が大きいため、ガラスがより薄い方が導波ロスを減らすことができるとの観点から、好ましくは４００μｍ以下であり、３００μｍ以下がさらに好ましい。下限は特になく、製造プロセスにおいて、割れることなくハンドリングできればよい。

　電極に用いられる導電材料も異なる。ＬＣＤパネルの画素電極や対向電極には透明導電膜としてＩＴＯ膜が用いられることが多い。しかしながら、ＩＴＯはマイクロ波に対するｔａｎδ_Mが大きく、アンテナにおける導電層として用いることができない。スロット電極５５は、反射導電板６５とともに導波路３０１の壁として機能する。したがって、導波路３０１の壁におけるマイクロ波の透過を抑制するためには、導波路３０１の壁の厚さ、すなわち、金属層（Ｃｕ層またはＡｌ層）の厚さは大きいことが好ましい。金属層の厚さが表皮深さの３倍であれば、電磁波は１／２０（－２６ｄＢ）に減衰され、5倍であれば１／１５０（－４３ｄＢ）程度に減衰されることが知られている。したがって、金属層の厚さが表皮深さの５倍であれば、電磁波の透過率を１％に低減することができる。例えば、１０ＧＨｚのマイクロ波に対しては、厚さが３．３μｍ以上のＣｕ層、および厚さが４．０μｍ以上のＡｌ層を用いると、マイクロ波を１／１５０まで低減することができる。また、３０ＧＨｚのマイクロ波に対しては、厚さが１．９μｍ以上のＣｕ層、および厚さが２．３μｍ以上のＡｌ層を用いると、マイクロ波を１／１５０まで低減することができる。このように、スロット電極５５は、比較的厚いＣｕ層またはＡｌ層で形成することが好ましい。Ｃｕ層またはＡｌ層の厚さに上限は特になく、成膜時間やコストを考慮して、適宜設定され得る。Ｃｕ層を用いると、Ａｌ層を用いるよりも薄くできるという利点が得られる。比較的厚いＣｕ層またはＡｌ層の形成は、ＬＣＤの製造プロセスで用いられる薄膜堆積法だけでなく、Ｃｕ箔またはＡｌ箔を基板に貼り付ける等、他の方法を採用することもできる。金属層の厚さは、例えば、２μｍ以上３０μｍ以下である。薄膜堆積法を用いて形成する場合、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましい。なお、反射導電板６５は、例えば、厚さが数ｍｍのアルミニウム板、銅板などを用いることができる。

　パッチ電極１５は、スロット付近の自由電子の振動がパッチ電極内の自由電子の振動へと誘起された際に熱に変わるロスを避けるために、シート抵抗が低い方が好ましいが、スロット電極５５のように導波路３０１を構成する訳ではないので、スロット電極５５よりも厚さが小さいＣｕ層またはＡｌ層を用いることができる。量産性の観点からはＣｕ層よりもＡｌ層を用いることが好ましく、Ａｌ層の厚さは例えば１μｍ～２μｍが好ましい。

　また、アンテナ単位Ｕの配列ピッチは、画素ピッチと大きく異なる。例えば、１２ＧＨｚ（Ｋｕ　ｂａｎｄ）のマイクロ波用のアンテナを考えると、波長λは、例えば２５ｍｍである。そうすると、特許文献４に記載されているように、アンテナ単位Ｕのピッチはλ／４以下および／またはλ／５以下であるので、６．２５ｍｍ以下および／または５ｍｍ以下ということになる。これはＬＣＤパネルの画素のピッチと比べて１０倍以上大きい。したがって、アンテナ単位Ｕの長さおよび幅もＬＣＤパネルの画素長さおよび幅よりも約１０倍大きいことになる。

　もちろん、アンテナ単位Ｕの配列はＬＣＤパネルにおける画素の配列と異なり得る。ここでは、同心円状に配列した例（例えば、特開２００２－２１７６４０号公報参照）を示すが、これに限られず、例えば、非特許文献２に記載されているように、らせん状に配列されてもよい。さらに、特許文献４に記載されているようにマトリクス状に配列してもよい。

　走査アンテナ１０００の液晶層ＬＣの液晶材料に求められる特性は、ＬＣＤパネルの液晶材料に求められる特性と異なる。ＬＣＤパネルは画素の液晶層の屈折率変化によって、可視光（波長３８０ｎｍ～８３０ｎｍ）の偏光に位相差を与えることによって、偏光状態を変化させる（例えば、直線偏光の偏光軸方向を回転させる、または、円偏光の円偏光度を変化させる）ことによって、表示を行う。これに対して実施形態による走査アンテナ１０００は、アンテナ単位Ｕが有する液晶容量の静電容量値を変化させることによって、各パッチ電極から励振（再輻射）されるマイクロ波の位相を変化させる。したがって、液晶層は、マイクロ波に対する誘電率Ｍ（ε_M）の異方性（Δε_M）が大きいことが好ましく、ｔａｎδ_Mは小さいことが好ましい。例えば、M. Wittek et al., SID 2015 DIGESTpp.824-826に記載のΔε_Mが４以上で、ｔａｎδ_Mが０．０２以下（いずれも１９Ｇｚの値）を好適に用いることができる。この他、九鬼、高分子５５巻８月号pp.599-602(2006)に記載のΔε_Mが０．４以上、ｔａｎδ_Mが０．０４以下の液晶材料を用いることができる。

　一般に液晶材料の誘電率は周波数分散を有するが、マイクロ波に対する誘電異方性Δε_Mは、可視光に対する屈折率異方性Δｎと正の相関がある。したがって、マイクロ波に対するアンテナ単位用の液晶材料は、可視光に対する屈折率異方性Δｎが大きい材料が好ましいと言える。ＬＣＤ用の液晶材料の屈折率異方性Δｎは５５０ｎｍの光に対する屈折率異方性で評価される。ここでも５５０ｎｍの光に対するΔｎ（複屈折率）を指標に用いると、Δｎが０．３以上、好ましくは０．４以上のネマチック液晶が、マイクロ波に対するアンテナ単位用に用いられる。Δｎに特に上限はない。ただし、Δｎが大きい液晶材料は極性が強い傾向にあるので、信頼性を低下させる恐れがある。信頼性の観点からは、Δｎは０．４以下であることが好ましい。液晶層の厚さは、例えば、１μｍ～５００μｍである。

　以下、本発明の実施形態による走査アンテナの構造および製造方法をより詳細に説明する。

　（第１の実施形態）
　まず、図１および図２を参照する。図１は詳述した様に走査アンテナ１０００の中心付近の模式的な部分断面図であり、図２（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、走査アンテナ１０００におけるＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１を示す模式的な平面図である。

　走査アンテナ１０００は２次元に配列された複数のアンテナ単位Ｕを有しており、ここで例示する走査アンテナ１０００では、複数のアンテナ単位が同心円状に配列されている。以下の説明においては、アンテナ単位Ｕに対応するＴＦＴ基板１０１の領域およびスロット基板２０１の領域を「アンテナ単位領域」と呼び、アンテナ単位と同じ参照符号Ｕを付すことにする。また、図２（ａ）および（ｂ）に示す様に、ＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１において、２次元的に配列された複数のアンテナ単位領域によって画定される領域を「送受信領域Ｒ１」と呼び、送受信領域Ｒ１以外の領域を「非送受信領域Ｒ２」と呼ぶ。非送受信領域Ｒ２には、端子部、駆動回路などが設けられる。

　図２（ａ）は、走査アンテナ１０００におけるＴＦＴ基板１０１を示す模式的な平面図である。

　図示する例では、ＴＦＴ基板１０１の法線方向から見たとき、送受信領域Ｒ１はドーナツ状である。非送受信領域Ｒ２は、送受信領域Ｒ１の中心部に位置する第１非送受信領域Ｒ２ａと、送受信領域Ｒ１の周縁部に位置する第２非送受信領域Ｒ２ｂとを含む。送受信領域Ｒ１の外径は、例えば２００ｍｍ～１５００ｍｍで、通信量などに応じて設定される。

　ＴＦＴ基板１０１の送受信領域Ｒ１には、誘電体基板１に支持された複数のゲートバスラインＧＬおよび複数のソースバスラインＳＬが設けられ、これらの配線によってアンテナ単位領域Ｕが規定されている。アンテナ単位領域Ｕは、送受信領域Ｒ１において、例えば同心円状に配列されている。アンテナ単位領域Ｕのそれぞれは、ＴＦＴと、ＴＦＴに電気的に接続されたパッチ電極とを含んでいる。ＴＦＴのソース電極はソースバスラインＳＬに、ゲート電極はゲートバスラインＧＬにそれぞれ電気的に接続されている。また、ドレイン電極は、パッチ電極と電気的に接続されている。

　非送受信領域Ｒ２（Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ）には、送受信領域Ｒ１を包囲するようにシール領域Ｒｓが配置されている。シール領域Ｒｓにはシール材（不図示）が付与されている。シール材は、ＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１を互いに接着させるとともに、これらの基板１０１、２０１の間に液晶を封入する。

　非送受信領域Ｒ２のうちシール領域Ｒｓの外側には、ゲート端子部ＧＴ、ゲートドライバＧＤ、ソース端子部ＳＴおよびソースドライバＳＤが設けられている。ゲートバスラインＧＬのそれぞれはゲート端子部ＧＴを介してゲートドライバＧＤに接続されている。ソースバスラインＳＬのそれぞれはソース端子部ＳＴを介してソースドライバＳＤに接続されている。なお、この例では、ソースドライバＳＤおよびゲートドライバＧＤは誘電体基板１上に形成されているが、これらのドライバの一方または両方は他の誘電体基板上に設けられていてもよい。

　非送受信領域Ｒ２には、また、複数のトランスファー端子部ＰＴが設けられている。トランスファー端子部ＰＴは、スロット基板２０１のスロット電極５５（図２（ｂ））と電気的に接続される。本明細書では、トランスファー端子部ＰＴとスロット電極５５との接続部を「トランスファー部」と称する。図示するように、トランスファー端子部ＰＴ（トランスファー部）は、シール領域Ｒｓ内に配置されてもよい。この場合、シール材として導電性粒子を含有する樹脂を用いてもよい。これにより、ＴＦＴ基板１０１とスロット基板２０１との間に液晶を封入させるとともに、トランスファー端子部ＰＴとスロット基板２０１のスロット電極５５との電気的な接続を確保できる。この例では、第１非送受信領域Ｒ２ａおよび第２非送受信領域Ｒ２ｂの両方にトランスファー端子部ＰＴが配置されているが、いずれか一方のみに配置されていてもよい。

　なお、トランスファー端子部ＰＴ（トランスファー部）は、シール領域Ｒｓ内に配置されていなくてもよい。例えば非送受信領域Ｒ２のうちシール領域Ｒｓの外側に配置されていてもよい。

　図２（ｂ）は、走査アンテナ１０００におけるスロット基板２０１を例示する模式的な平面図であり、スロット基板２０１の液晶層ＬＣ側の表面を示している。

　スロット基板２０１では、誘電体基板５１上に、送受信領域Ｒ１および非送受信領域Ｒ２に亘ってスロット電極５５が形成されている。

　スロット基板２０１の送受信領域Ｒ１では、スロット電極５５には複数のスロット５７が配置されている。スロット５７は、ＴＦＴ基板１０１におけるアンテナ単位領域Ｕに対応して配置されている。図示する例では、複数のスロット５７は、ラジアルインラインスロットアンテナを構成するように、互いに概ね直交する方向に延びる一対のスロット５７が同心円状に配列されている。互いに概ね直交するスロットを有するので、走査アンテナ１０００は、円偏波を送受信することができる。

　非送受信領域Ｒ２には、複数の、スロット電極５５の端子部ＩＴが設けられている。端子部ＩＴは、ＴＦＴ基板１０１のトランスファー端子部ＰＴ（図２（ａ））と電気的に接続される。この例では、端子部ＩＴは、シール領域Ｒｓ内に配置されており、導電性粒子を含有するシール材によって対応するトランスファー端子部ＰＴと電気的に接続される。

　また、第１非送受信領域Ｒ２ａにおいて、スロット基板２０１の裏面側に給電ピン７２が配置されている。給電ピン７２によって、スロット電極５５、反射導電板６５および誘電体基板５１で構成された導波路３０１にマイクロ波が挿入される。給電ピン７２は給電装置７０に接続されている。給電は、スロット５７が配列された同心円の中心から行う。給電の方式は、直結給電方式および電磁結合方式のいずれであってもよく、公知の給電構造を採用することができる。

　以下、図面を参照して、走査アンテナ１０００の各構成要素をより詳しく説明する。

　＜ＴＦＴ基板１０１の構造＞
　・アンテナ単位領域Ｕ
　図３（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０１のアンテナ単位領域Ｕを模式的に示す断面図および平面図である。

　アンテナ単位領域Ｕのそれぞれは、誘電体基板（不図示）と、誘電体基板に支持されたＴＦＴ１０と、ＴＦＴ１０を覆う第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成され、ＴＦＴ１０に電気的に接続されたパッチ電極１５と、パッチ電極１５を覆う第２絶縁層１７とを備える。ＴＦＴ１０は、例えば、ゲートバスラインＧＬおよびソースバスラインＳＬの交点近傍に配置されている。

　ＴＦＴ１０は、ゲート電極３、島状の半導体層５、ゲート電極３と半導体層５との間に配置されたゲート絶縁層４、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄを備える。ＴＦＴ１０の構造は特に限定しない。この例では、ＴＦＴ１０は、ボトムゲート構造を有するチャネルエッチ型のＴＦＴである。

　ゲート電極３は、ゲートバスラインＧＬに電気的に接続されており、ゲートバスラインＧＬから走査信号を供給される。ソース電極７Ｓは、ソースバスラインＳＬに電気的に接続されており、ソースバスラインＳＬからデータ信号を供給される。ゲート電極３およびゲートバスラインＧＬは同じ導電膜（ゲート用導電膜）から形成されていてもよい。ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７ＤおよびソースバスラインＳＬは同じ導電膜（ソース用導電膜）から形成されていてもよい。ゲート用導電膜およびソース用導電膜は、例えば金属膜である。本明細書では、ゲート用導電膜を用いて形成された層（レイヤー）を「ゲートメタル層」、ソース用導電膜を用いて形成された層を「ソースメタル層」と呼ぶことがある。

　半導体層５は、ゲート絶縁層４を介してゲート電極３と重なるように配置されている。図示する例では、半導体層５上に、ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄが形成されている。ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄは、それぞれ、半導体層５のうちチャネルが形成される領域（チャネル領域）の両側に配置されている。半導体層５は真性アモルファスシリコン（ｉ－ａ－Ｓｉ）層であり、ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄはｎ⁺型アモルファスシリコン（ｎ⁺－ａ－Ｓｉ）層であってもよい。

　ソース電極７Ｓは、ソースコンタクト層６Ｓに接するように設けられ、ソースコンタクト層６Ｓを介して半導体層５に接続されている。ドレイン電極７Ｄは、ドレインコンタクト層６Ｄに接するように設けられ、ドレインコンタクト層６Ｄを介して半導体層５に接続されている。

　第１絶縁層１１は、ＴＦＴ１０のドレイン電極７Ｄに達するコンタクトホールＣＨ１を有している。

　パッチ電極１５は、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１内に設けられており、コンタクトホールＣＨ１内で、ドレイン電極７Ｄと接している。パッチ電極１５は、金属層を含む。パッチ電極１５は、金属層のみから形成された金属電極であってもよい。パッチ電極１５の材料は、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄと同じであってもよい。ただし、パッチ電極１５における金属層の厚さ（パッチ電極１５が金属電極の場合にはパッチ電極１５の厚さ）は、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄの厚さよりも大きくなるように設定される。パッチ電極１５の金属層の好適な厚さは、前述したように表皮効果によって決まり、送信または受信しようとする電磁波の周波数、金属層の材料などによって変わる。パッチ電極１５における金属層の厚さは、例えば１μm以上に設定される。

　ゲートバスラインＧＬと同じ導電膜を用いて、ＣＳバスラインＣＬが設けられていてもよい。ＣＳバスラインＣＬは、ゲート絶縁層４を介してドレイン電極（またはドレイン電極の延長部分）７Ｄと重なるように配置され、ゲート絶縁層４を誘電体層とする補助容量ＣＳを構成してもよい。

　ゲートバスラインＧＬよりも誘電体基板側に、アライメントマーク（例えば金属層）２１と、アライメントマーク２１を覆う下地絶縁膜２とが形成されていてもよい。アライメントマーク２１は、１枚のガラス基板から例えばｍ枚のＴＦＴ基板を作製する場合において、フォトマスク枚がｎ枚（ｎ＜ｍ）であると、各露光工程を複数回に分けて行う必要が生じる。このようにフォトマスクの枚数（ｎ枚）が１枚のガラス基板１から作製されるＴＦＴ基板１０１の枚数（ｍ枚）よりも少ないとき、フォトマスクのアライメントに用いられる。アライメントマーク２１は省略され得る。

　本実施形態では、ソースメタル層とは異なる層内にパッチ電極１５を形成する。これにより、次のようなメリットが得られる。

　ソースメタル層は、通常金属膜を用いて形成されることから、ソースメタル層内にパッチ電極を形成することも考えられる（参考例のＴＦＴ基板）。しかしながら、パッチ電極は、電磁波を反射するために、比較的厚い（例えば２μｍ程度以上）金属膜を用いて形成される。このため、参考例のＴＦＴ基板では、そのような厚い金属膜からソースバスラインＳＬなども形成することになり、配線を形成する際のパターニングの制御性が低くなるという問題がある。これに対し、本実施形態では、ソースメタル層とは別個にパッチ電極１５を形成するので、ソースメタル層の厚さとパッチ電極１５の厚さとを独立して制御できる。したがって、ソースメタル層を形成する際の制御性を確保しつつ、所望の厚さのパッチ電極１５を形成できる。

　本実施形態では、パッチ電極１５の厚さを、ソースメタル層の厚さとは別個に、高い自由度で設定できる。なお、パッチ電極１５のサイズは、ソースバスラインＳＬ等ほど厳密に制御される必要がないので、パッチ電極１５を厚くすることによって線幅シフト（設計値とのずれ）が大きくなっても構わない。

　パッチ電極１５は、主層としてＣｕ層またはＡｌ層を含んでもよい。主層の厚さは、所望の電磁波捕集効率が得られるように設定される。本願発明者が検討したところ、電磁波捕集効率は電気抵抗値に依存しており、Ｃｕ層の方がＡｌ層よりもパッチ電極１５の厚さを小さくできる可能性がある。

　・ゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴ
　図４（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、ゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを模式的に示す断面図である。

　ゲート端子部ＧＴは、誘電体基板上に形成されたゲートバスラインＧＬ、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層、およびゲート端子用上部接続部１９ｇを備えている。ゲート端子用上部接続部１９ｇは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ２内で、ゲートバスラインＧＬと接している。この例では、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層は、誘電体基板側からゲート絶縁層４、第１絶縁層１１および第２絶縁層１７を含む。ゲート端子用上部接続部１９ｇは、例えば、第２絶縁層１７上に設けられた透明導電膜から形成された透明電極である。

　ソース端子部ＳＴは、誘電体基板上（ここではゲート絶縁層４上）に形成されたソースバスラインＳＬ、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層、およびソース端子用上部接続部１９ｓを備えている。ソース端子用上部接続部１９ｓは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ３内で、ソースバスラインＳＬと接している。この例では、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層は、第１絶縁層１１および第２絶縁層１７を含む。ソース端子用上部接続部１９ｓは、例えば、第２絶縁層１７上に設けられた透明導電膜から形成された透明電極である。

　トランスファー端子部ＰＴは、第１絶縁層１１上に形成されたパッチ接続部１５ｐと、パッチ接続部１５ｐを覆う第２絶縁層１７と、トランスファー端子用上部接続部１９ｐとを有している。トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、第２絶縁層１７に形成されたコンタクトホールＣＨ４内で、パッチ接続部１５ｐと接している。パッチ接続部１５ｐは、パッチ電極１５と同じ導電膜から形成されている。トランスファー端子用上部接続部（上部透明電極ともいう。）１９ｐは、例えば、第２絶縁層１７上に設けられた透明導電膜から形成された透明電極である。本実施形態では、各端子部の上部接続部１９ｇ、１９ｓおよび１９ｐは、同じ透明導電膜から形成されている。

　本実施形態では、第２絶縁層１７を形成した後のエッチング工程により、各端子部のコンタクトホールＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４を同時に形成することができるという利点がある。詳細な製造プロセスは後述する。

　＜ＴＦＴ基板１０１の製造方法＞
　ＴＦＴ基板１０１は、例えば以下の方法で製造され得る。図５は、ＴＦＴ基板１０１の製造工程を例示する図である。

　まず、誘電体基板上に、金属膜（例えばＴｉ膜）を形成し、これをパターニングすることにより、アライメントマーク２１を形成する。誘電体基板としては、例えばガラス基板、耐熱性を有するプラスチック基板（樹脂基板）などを用いることができる。次いで、アライメントマーク２１を覆うように、下地絶縁膜２を形成する。下地絶縁膜２として、例えばＳｉＯ₂膜を用いる。

　続いて、下地絶縁膜２上に、ゲート電極３およびゲートバスラインＧＬを含むゲートメタル層を形成する。

　ゲート電極３は、ゲートバスラインＧＬと一体的に形成され得る。ここでは、誘電体基板上に、スパッタ法などによって、図示しないゲート用導電膜（厚さ：例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を形成する。次いで、ゲート用導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極３およびゲートバスラインＧＬを得る。ゲート用導電膜の材料は特に限定しない。アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を含む膜を適宜用いることができる。ここでは、ゲート用導電膜として、ＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば２００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成する。

　次いで、ゲートメタル層を覆うようにゲート絶縁層４を形成する。ゲート絶縁層４は、ＣＶＤ法等によって形成され得る。ゲート絶縁層４としては、酸化珪素（ＳｉＯ₂）層、窒化珪素（ＳｉＮｘ）層、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）層、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）層等を適宜用いることができる。ゲート絶縁層４は積層構造を有していてもよい。ここでは、ゲート絶縁層４として、ＳｉＮｘ層（厚さ：例えば４１０ｎｍ）を形成する。

　次いで、ゲート絶縁層４上に半導体層５およびコンタクト層を形成する。ここでは、真性アモルファスシリコン膜（厚さ：例えば１２５ｎｍ）およびｎ⁺型アモルファスシリコン膜（厚さ：例えば６５ｎｍ）をこの順で形成し、パターニングすることにより、島状の半導体層５およびコンタクト層を得る。半導体層５に用いる半導体膜はアモルファスシリコン膜に限定されない。例えば、半導体層５として酸化物半導体層を形成してもよい。この場合には、半導体層５とソース・ドレイン電極との間にコンタクト層を設けなくてもよい。

　次いで、ゲート絶縁層４上およびコンタクト層上にソース用導電膜（厚さ：例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を形成し、これをパターニングすることによって、ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７ＤおよびソースバスラインＳＬを含むソースメタル層を形成する。このとき、コンタクト層もエッチングされ、互いに分離されたソースコンタクト層６Ｓとドレインコンタクト層６Ｄとが形成される。

　ソース用導電膜の材料は特に限定しない。アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を含む膜を適宜用いることができる。ここでは、ソース用導電膜として、ＭｏＮ（厚さ：例えば３０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば２００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成する。

　ここでは、例えば、スパッタ法でソース用導電膜を形成し、ウェットエッチングによりソース用導電膜のパターニング（ソース・ドレイン分離）を行う。この後、例えばドライエッチングにより、コンタクト層のうち、半導体層５のチャネル領域となる領域上に位置する部分を除去してギャップ部を形成し、ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄとに分離する。このとき、ギャップ部において、半導体層５の表面近傍もエッチングされる（オーバーエッチング）。

　なお、例えばソース用導電膜としてＴｉ膜およびＡｌ膜をこの順で積層した積層膜を用いる場合には、例えばリン酸酢酸硝酸水溶液を用いて、ウェットエッチングでＡｌ膜のパターニングを行った後、ドライエッチングでＴｉ膜およびコンタクト層（ｎ⁺型アモルファスシリコン層）６を同時にパターニングしてもよい。あるいは、ソース用導電膜およびコンタクト層を一括してエッチングすることも可能である。ただし、ソース用導電膜またはその下層とコンタクト層６とを同時にエッチングする場合には、基板全体における半導体層５のエッチング量（ギャップ部の掘れ量）の分布の制御が困難となる場合がある。これに対し、上述したように、ソース・ドレイン分離とギャップ部の形成と別個のエッチング工程で行うと、ギャップ部のエッチング量をより容易に制御できる。

　次に、ＴＦＴ１０を覆うように第１絶縁層１１を形成する。この例では、第１絶縁層１１は、半導体層５のチャネル領域と接するように配置される。また、公知のフォトリソグラフィにより、第１絶縁層１１に、ドレイン電極７Ｄに達するコンタクトホールＣＨ１を形成する。

　第１絶縁層１１は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ₂）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等の無機絶縁層であってもよい。ここでは、第１絶縁層１１として、例えばＣＶＤ法により、厚さが例えば３３０ｎｍのＳｉＮｘ層を形成する。

　次いで、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１内にパッチ用導電膜を形成し、これをパターニングする。これにより、送受信領域Ｒ１にパッチ電極１５を形成し、非送受信領域Ｒ２にパッチ接続部１５ｐを形成する。パッチ電極１５は、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接する。なお、本明細書では、パッチ用導電膜から形成された、パッチ電極１５、パッチ接続部１５ｐを含む層を「パッチメタル層」と呼ぶことがある。

　パッチ用導電膜の材料として、ゲート用導電膜またはソース用導電膜と同様の材料が用いられ得る。ただし、パッチ用導電膜は、ゲート用導電膜およびソース用導電膜よりも厚くなるように設定される。これにより、電磁波の透過率を低く抑えること、パッチ電極のシート抵抗を低減させることで、パッチ電極内の自由電子の振動が熱に変わるロスを低減させることが可能になる。パッチ用導電膜の好適な厚さは、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下である。これよりも薄いと、電磁波の透過率が３０％程度となり、シート抵抗が０．０３Ω／ｓｑ以上となり、ロスが大きくなるという問題が生じる可能性があり、厚いとスロットのパターニング性が悪化するという問題が生じる可能性がある。

　ここでは、パッチ用導電膜として、ＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば１０００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ）を形成する。なお、代わりに、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜およびＴｉ膜をこの順で積層した積層膜（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ）、あるいは、Ｔｉ膜およびＣｕ膜をこの順で積層した積層膜（Ｃｕ／Ｔｉ）を用いてもよい。

　次いで、パッチ電極１５および第１絶縁層１１上に第２絶縁層（厚さ：例えば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下）１７を形成する。第２絶縁層１７としては、特に限定されず、例えば酸化珪素（ＳｉＯ₂）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等を適宜用いることができる。ここでは、第２絶縁層１７として、例えば厚さ２００ｎｍのＳｉＮｘ層を形成する。

　この後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、無機絶縁膜（第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４）を一括してエッチングする。エッチングでは、パッチ電極１５、ソースバスラインＳＬおよびゲートバスラインＧＬはエッチストップとして機能する。これにより、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４に、ゲートバスラインＧＬに達するコンタクトホールＣＨ２が形成され、第２絶縁層１７および第１絶縁層１１に、ソースバスラインＳＬに達するコンタクトホールＣＨ３が形成される。また、第２絶縁層１７に、パッチ接続部１５ｐに達するコンタクトホールＣＨ４が形成される。

　この例では、無機絶縁膜を一括してエッチングするため、得られたコンタクトホールＣＨ２の側壁では、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４の側面が整合し、コンタクトホールＣＨ３の側壁では、第２絶縁層１７および第１絶縁層１１の側壁が整合する。なお、本明細書において、コンタクトホール内において、異なる２以上の層の「側面が整合する」とは、これらの層におけるコンタクトホール内に露出した側面が、垂直方向に面一である場合のみでなく、連続してテーパー形状などの傾斜面を構成する場合をも含む。このような構成は、例えば、同一のマスクを用いてこれらの層をエッチングする、あるいは、一方の層をマスクとして他方の層のエッチングを行うこと等によって得られる。

　次に、第２絶縁層１７上、およびコンタクトホールＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４内に、例えばスパッタ法により透明導電膜（厚さ：５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下）を形成する。透明導電膜として、例えばＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）膜、ＩＺＯ膜、ＺｎＯ膜（酸化亜鉛膜）などを用いることができる。ここでは、透明導電膜として、厚さが例えば１００ｎｍのＩＴＯ膜を用いる。

　次いで、透明導電膜をパターニングすることにより、ゲート端子用上部接続部１９ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓおよびトランスファー端子用上部接続部１９ｐを形成する。ゲート端子用上部接続部１９ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓおよびトランスファー端子用上部接続部１９ｐは、各端子部で露出した電極または配線を保護するために用いられる。このようにして、ゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴが得られる。

　＜スロット基板２０１の構造＞
　次いで、スロット基板２０１の構造をより具体的に説明する。

　図６は、スロット基板２０１におけるアンテナ単位領域Ｕおよび端子部ＩＴを模式的に示す断面図である。

　スロット基板２０１は、表面および裏面を有する誘電体基板５１と、誘電体基板５１の表面に形成された第３絶縁層５２と、第３絶縁層５２上に形成されたスロット電極５５と、スロット電極５５を覆う第４絶縁層５８とを備える。反射導電板６５が誘電体基板５１の裏面に誘電体層（空気層）５４を介して対向するように配置されている。スロット電極５５および反射導電板６５は導波路３０１の壁として機能する。

　送受信領域Ｒ１において、スロット電極５５には複数のスロット５７が形成されている。スロット５７はスロット電極５５を貫通する開口である。この例では、各アンテナ単位領域Ｕに１個のスロット５７が配置されている。

　第４絶縁層５８は、スロット電極５５上およびスロット５７内に形成されている。第４絶縁層５８の材料は、第３絶縁層５２の材料と同じであってもよい。第４絶縁層５８でスロット電極５５を覆うことにより、スロット電極５５と液晶層ＬＣとが直接接触しないので、信頼性を高めることができる。スロット電極５５がＣｕ層で形成されていると、Ｃｕが液晶層ＬＣに溶出することがある。また、スロット電極５５を薄膜堆積技術を用いてＡｌ層で形成すると、Ａｌ層にボイドが含まれることがある。第４絶縁層５８は、Ａｌ層のボイドに液晶材料が侵入するのを防止することができる。なお、Ａｌ層をアルミ箔を接着材により誘電体基板５１に貼り付け、これをパターニングすることによってスロット電極５５を作製すれば、ボイドの問題を回避できる。

　スロット電極５５は、Ｃｕ層、Ａｌ層などの主層５５Ｍを含む。スロット電極５５は、主層５５Ｍと、それを挟むように配置された上層５５Ｕおよび下層５５Ｌとを含む積層構造を有していてもよい。主層５５Ｍの厚さは、材料に応じて表皮効果を考慮して設定され、例えば２μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。主層５５Ｍの厚さは、典型的には上層５５Ｕおよび下層５５Ｌの厚さよりも大きい。

　図示する例では、主層５５ＭはＣｕ層、上層５５Ｕおよび下層５５ＬはＴｉ層である。主層５５Ｍと第３絶縁層５２との間に下層５５Ｌを配置することにより、スロット電極５５と第３絶縁層５２との密着性を向上できる。また、上層５５Ｕを設けることにより、主層５５Ｍ（例えばＣｕ層）の腐食を抑制できる。

　反射導電板６５は、導波路３０１の壁を構成するので、表皮深さの３倍以上、好ましくは５倍以上の厚さを有することが好ましい。反射導電板６５は、例えば、削り出しによって作製された厚さが数ｍｍのアルミニウム板、銅板などを用いることができる。

　非送受信領域Ｒ２には、端子部ＩＴが設けられている。端子部ＩＴは、スロット電極５５と、スロット電極５５を覆う第４絶縁層５８と、上部接続部６０とを備える。第４絶縁層５８は、スロット電極５５に達する開口を有している。上部接続部６０は、開口内でスロット電極５５に接している。本実施形態では、端子部ＩＴは、シール領域Ｒｓ内に配置され、導電性粒子を含有するシール樹脂によって、ＴＦＴ基板におけるトランスファー端子部と接続される（トランスファー部）。

・トランスファー部
　図７は、ＴＦＴ基板１０１のトランスファー端子部ＰＴと、スロット基板２０１の端子部ＩＴとを接続するトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。図７では、図１～図４と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。

　トランスファー部では、端子部ＩＴの上部接続部６０は、ＴＦＴ基板１０１におけるトランスファー端子部ＰＴのトランスファー端子用上部接続部１９ｐと電気的に接続される。本実施形態では、上部接続部６０とトランスファー端子用上部接続部１９ｐとを、導電性ビーズ７１を含む樹脂（シール樹脂）７３（「シール部７３」ということもある。）を介して接続する。

　上部接続部６０、１９ｐは、いずれも、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜などの透明導電層であり、その表面に酸化膜が形成される場合がある。酸化膜が形成されると、透明導電層同士の電気的な接続が確保できず、コンタクト抵抗が高くなる可能性がある。これに対し、本実施形態では、導電性ビーズ（例えばＡｕビーズ）７１を含む樹脂を介して、これらの透明導電層を接着させるので、表面酸化膜が形成されていても、導電性ビーズが表面酸化膜を突き破る（貫通する）ことにより、コンタクト抵抗の増大を抑えることが可能である。導電性ビーズ７１は、表面酸化膜だけでなく、透明導電層である上部接続部６０、１９ｐをも貫通し、パッチ接続部１５ｐおよびスロット電極５５に直接接していてもよい。

　トランスファー部は、走査アンテナ１０００の中心部および周縁部（すなわち、走査アンテナ１０００の法線方向から見たとき、ドーナツ状の送受信領域Ｒ１の内側および外側）の両方に配置されていてもよいし、いずれか一方のみに配置されていてもよい。トランスファー部は、液晶を封入するシール領域Ｒｓ内に配置されていてもよいし、シール領域Ｒｓの外側（液晶層と反対側）に配置されていてもよい。

　＜スロット基板２０１の製造方法＞
　スロット基板２０１は、例えば以下の方法で製造され得る。

　まず、誘電体基板上に第３絶縁層（厚さ：例えば２００ｎｍ）５２を形成する。誘電体基板としては、ガラス基板、樹脂基板などの、電磁波に対する透過率の高い（誘電率ε_Mおよび誘電損失ｔａｎδ_Mが小さい）基板を用いることができる。誘電体基板は電磁波の減衰を抑制するために薄い方が好ましい。例えば、ガラス基板の表面に後述するプロセスでスロット電極５５などの構成要素を形成した後、ガラス基板を裏面側から薄板化してもよい。これにより、ガラス基板の厚さを例えば５００μｍ以下に低減できる。

　誘電体基板として樹脂基板を用いる場合、ＴＦＴ等の構成要素を直接、樹脂基板上に形成してもよいし、転写法を用いて樹脂基板上に形成してもよい。転写法によると、例えば、ガラス基板上に樹脂膜（例えばポリイミド膜）を形成し、樹脂膜上に後述するプロセスで構成要素を形成した後、構成要素が形成された樹脂膜とガラス基板とを分離させる。一般に、ガラスよりも樹脂の方が誘電率ε_Mおよび誘電損失ｔａｎδ_Mが小さい。樹脂基板の厚さは、例えば、３μｍ～３００μｍである。樹脂材料としては、ポリイミドの他、例えば、液晶高分子を用いることもできる。

　第３絶縁層５２としては、特に限定しないが、例えば酸化珪素（ＳｉＯ₂）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等を適宜用いることができる。

　次いで、第３絶縁層５２の上に金属膜を形成し、これをパターニングすることによって、複数のスロット５７を有するスロット電極５５を得る。金属膜としては、厚さが２μｍ～５μｍのＣｕ膜（またはＡｌ膜）を用いてもよい。ここでは、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜およびＴｉ膜をこの順で積層した積層膜を用いる。

　この後、スロット電極５５上およびスロット５７内に第４絶縁層（厚さ：例えば１００ｎｍ）５８を形成する。第４絶縁層５８の材料は、第３絶縁層の材料と同じであってもよい。この後、非送受信領域Ｒ２において、第４絶縁層５８に、スロット電極５５に達する開口部を形成する。

　次いで、第４絶縁層５８上および第４絶縁層５８の開口部内に透明導電膜を形成し、これをパターニングすることにより、開口部内でスロット電極５５と接する上部接続部６０を形成する。これにより、端子部ＩＴを得る。

　＜ＴＦＴ１０の材料および構造＞
　本実施形態では、各画素に配置されるスイッチング素子として、半導体層５を活性層とするＴＦＴが用いられる。半導体層５はアモルファスシリコン層に限定されず、ポリシリコン層、酸化物半導体層であってもよい。

　酸化物半導体層を用いる場合、酸化物半導体層に含まれる酸化物半導体は、アモルファス酸化物半導体であってもよいし、結晶質部分を有する結晶質酸化物半導体であってもよい。結晶質酸化物半導体としては、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質酸化物半導体などが挙げられる。

　酸化物半導体層は、２層以上の積層構造を有していてもよい。酸化物半導体層が積層構造を有する場合には、酸化物半導体層は、非晶質酸化物半導体層と結晶質酸化物半導体層とを含んでいてもよい。あるいは、結晶構造の異なる複数の結晶質酸化物半導体層を含んでいてもよい。また、複数の非晶質酸化物半導体層を含んでいてもよい。酸化物半導体層が上層と下層とを含む２層構造を有する場合、上層に含まれる酸化物半導体のエネルギーギャップは、下層に含まれる酸化物半導体のエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。ただし、これらの層のエネルギーギャップの差が比較的小さい場合には、下層の酸化物半導体のエネルギーギャップが上層の酸化物半導体のエネルギーギャップよりも大きくてもよい。

　非晶質酸化物半導体および上記の各結晶質酸化物半導体の材料、構造、成膜方法、積層構造を有する酸化物半導体層の構成などは、例えば特開２０１４－００７３９９号公報に記載されている。参考のために、特開２０１４－００７３９９号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

　酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち少なくとも１種の金属元素を含んでもよい。本実施形態では、酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体（例えば酸化インジウムガリウム亜鉛）を含む。ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。このような酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含む酸化物半導体膜から形成され得る。なお、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体等、酸化物半導体を含む活性層を有するチャネルエッチ型のＴＦＴを、「ＣＥ－ＯＳ－ＴＦＴ」と呼ぶことがある。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体が好ましい。

　なお、結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体の結晶構造は、例えば、上述した特開２０１４－００７３９９号公報、特開２０１２－１３４４７５号公報、特開２０１４－２０９７２７号公報などに開示されている。参考のために、特開２０１２－１３４４７５号公報および特開２０１４－２０９７２７号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ２０倍超）および低いリーク電流（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ１００分の１未満）を有しているので、駆動ＴＦＴ（例えば、非送受信領域に設けられる駆動回路に含まれるＴＦＴ）および各アンテナ単位領域に設けられるＴＦＴとして好適に用いられる。

　酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の代わりに、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＩｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（例えばＩｎ₂Ｏ₃－ＳｎＯ₂－ＺｎＯ；ＩｎＳｎＺｎＯ）を含んでもよい。Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）およびＺｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。あるいは、酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ａｌ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドミウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ系半導体、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｈｆ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

　図３に示す例では、ＴＦＴ１０は、ボトムゲート構造を有するチャネルエッチ型のＴＦＴである。「チャネルエッチ型のＴＦＴ」では、チャネル領域上にエッチストップ層が形成されておらず、ソースおよびドレイン電極のチャネル側の端部下面は、半導体層の上面と接するように配置されている。チャネルエッチ型のＴＦＴは、例えば半導体層上にソース・ドレイン電極用の導電膜を形成し、ソース・ドレイン分離を行うことによって形成される。ソース・ドレイン分離工程において、チャネル領域の表面部分がエッチングされる場合がある。

　なお、ＴＦＴ１０は、チャネル領域上にエッチストップ層が形成されたエッチストップ型ＴＦＴであってもよい。エッチストップ型ＴＦＴでは、ソースおよびドレイン電極のチャネル側の端部下面は、例えばエッチストップ層上に位置する。エッチストップ型のＴＦＴは、例えば半導体層のうちチャネル領域となる部分を覆うエッチストップ層を形成した後、半導体層およびエッチストップ層上にソース・ドレイン電極用の導電膜を形成し、ソース・ドレイン分離を行うことによって形成される。

　また、ＴＦＴ１０は、ソースおよびドレイン電極が半導体層の上面と接するトップコンタクト構造を有するが、ソースおよびドレイン電極は半導体層の下面と接するように配置されていてもよい（ボトムコンタクト構造）。さらに、ＴＦＴ１０は、半導体層の誘電体基板側にゲート電極を有するボトムゲート構造であってもよいし、半導体層の上方にゲート電極を有するトップゲート構造であってもよい。

　（第２の実施形態）
　図面を参照しながら、第２の実施形態の走査アンテナを説明する。本実施形態の走査アンテナにおけるＴＦＴ基板は、各端子部の上部接続部となる透明導電層が、ＴＦＴ基板における第１絶縁層と第２絶縁層との間に設けられている点で、図２に示すＴＦＴ基板１０１と異なる。

　図８（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、本実施形態におけるＴＦＴ基板１０２のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。図４と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。なお、アンテナ単位領域Ｕの断面構造は前述の実施形態（図３）と同様であるので図示および説明を省略する。

　本実施形態におけるゲート端子部ＧＴは、誘電体基板上に形成されたゲートバスラインＧＬ、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層、およびゲート端子用上部接続部１９ｇを備えている。ゲート端子用上部接続部１９ｇは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ２内で、ゲートバスラインＧＬと接している。この例では、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層は、ゲート絶縁層４および第１絶縁層１１を含む。ゲート端子用上部接続部１９ｇおよび第１絶縁層１１上には第２絶縁層１７が形成されている。第２絶縁層１７は、ゲート端子用上部接続部１９ｇの一部を露出する開口部１８ｇを有している。この例では、第２絶縁層１７の開口部１８ｇは、コンタクトホールＣＨ２全体を露出するように配置されていてもよい。

　ソース端子部ＳＴは、誘電体基板上（ここではゲート絶縁層４上）に形成されたソースバスラインＳＬ、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層、およびソース端子用上部接続部１９ｓを備えている。ソース端子用上部接続部１９ｓは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ３内で、ソースバスラインＳＬと接している。この例では、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層は、第１絶縁層１１のみを含む。第２絶縁層１７は、ソース端子用上部接続部１９ｓおよび第１絶縁層１１上に延設されている。第２絶縁層１７は、ソース端子用上部接続部１９ｓの一部を露出する開口部１８ｓを有している。第２絶縁層１７の開口部１８ｓは、コンタクトホールＣＨ３全体を露出するように配置されていてもよい。

　トランスファー端子部ＰＴは、ソースバスラインＳＬと同じ導電膜（ソース用導電膜）から形成されたソース接続配線７ｐと、ソース接続配線７ｐ上に延設された第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成されたトランスファー端子用上部接続部１９ｐおよびパッチ接続部１５ｐとを有している。

　第１絶縁層１１には、ソース接続配線７ｐを露出するコンタクトホールＣＨ５およびＣＨ６が設けられている。トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ５内に配置され、コンタクトホールＣＨ５内で、ソース接続配線７ｐと接している。パッチ接続部１５ｐは、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ６内に配置され、コンタクトホールＣＨ６内でソース接続配線７ｐと接している。トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、透明導電膜から形成された透明電極である。パッチ接続部１５ｐは、パッチ電極１５と同じ導電膜から形成されている。なお、各端子部の上部接続部１９ｇ、１９ｓおよび１９ｐは、同じ透明導電膜から形成されていてもよい。

　第２絶縁層１７は、トランスファー端子用上部接続部１９ｐ、パッチ接続部１５ｐおよび第１絶縁層１１上に延設されている。第２絶縁層１７は、トランスファー端子用上部接続部１９ｐの一部を露出する開口部１８ｐを有している。この例では、第２絶縁層１７の開口部１８ｐは、コンタクトホールＣＨ５全体を露出するように配置されている。一方、パッチ接続部１５ｐは、第２絶縁層１７で覆われている。

　このように、本実施形態では、ソースメタル層に形成されたソース接続配線７ｐによって、トランスファー端子部ＰＴのトランスファー端子用上部接続部１９ｐと、パッチ接続部１５ｐとを電気的に接続している。図示していないが、前述の実施形態と同様に、トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、スロット基板２０１におけるスロット電極と、導電性粒子を含有するシール樹脂によって接続される。

　前述した実施形態では、第２絶縁層１７の形成後に、深さが異なるコンタクトホールＣＨ１～ＣＨ４を一括して形成する。例えばゲート端子部ＧＴ上では、比較的厚い絶縁層（ゲート絶縁層４、第１絶縁層１１および第２絶縁層１７）をエッチングするのに対し、トランスファー端子部ＰＴでは、第２絶縁層１７のみをエッチングする。このため、浅いコンタクトホールの下地となる導電膜（例えばパッチ電極用導電膜）がエッチング時に大きなダメージを受ける可能性がある。

　これに対し、本実施形態では、第２絶縁層１７を形成する前にコンタクトホールＣＨ１～３、ＣＨ５、ＣＨ６を形成する。これらのコンタクトホールは第１絶縁層１１のみ、または第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４の積層膜に形成されるので、前述の実施形態よりも、一括形成されるコンタクトホールの深さの差を低減できる。したがって、コンタクトホールの下地となる導電膜へのダメージを低減できる。特に、パッチ電極用導電膜にＡｌ膜を用いる場合には、ＩＴＯ膜とＡｌ膜とを直接接触させると良好なコンタクトが得られないことから、Ａｌ膜の上層にＭｏＮ層などのキャップ層を形成することがある。このような場合に、エッチングの際のダメージを考慮してキャップ層の厚さを大きくする必要がないので有利である。

　＜ＴＦＴ基板１０２の製造方法＞
　ＴＦＴ基板１０２は、例えば次のような方法で製造される。図９は、ＴＦＴ基板１０２の製造工程を例示する図である。なお、以下では、各層の材料、厚さ、形成方法などが、前述したＴＦＴ基板１０１と同様である場合には説明を省略する。

　まず、ＴＦＴ基板１０２と同様の方法で、誘電体基板上に、アライメントマーク、下地絶縁層、ゲートメタル層、ゲート絶縁層、半導体層、コンタクト層およびソースメタル層を形成し、ＴＦＴを得る。ソースメタル層を形成する工程では、ソース用導電膜から、ソースおよびドレイン電極、ソースバスラインに加えて、ソース接続配線７ｐも形成する。

　次に、ソースメタル層を覆うように第１絶縁層１１を形成する。この後、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４を一括してエッチングし、コンタクトホールＣＨ１～３、ＣＨ５、ＣＨ６を形成する。エッチングでは、ソースバスラインＳＬおよびゲートバスラインＧＬはエッチストップとして機能する。これにより、送受信領域Ｒ１において、第１絶縁層１１に、ＴＦＴのドレイン電極に達するコンタクトホールＣＨ１が形成される。また、非送受信領域Ｒ２において、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４に、ゲートバスラインＧＬに達するコンタクトホールＣＨ２、第１絶縁層１１に、ソースバスラインＳＬに達するコンタクトホールＣＨ３およびソース接続配線７ｐに達するコンタクトホールＣＨ５、ＣＨ６が形成される。コンタクトホールＣＨ５をシール領域Ｒｓに配置し、コンタクトホールＣＨ６をシール領域Ｒｓの外側に配置してもよい。あるいは、両方ともシール領域Ｒｓの外部に配置してもよい。

　次いで、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１～３、ＣＨ５、ＣＨ６に透明導電膜を形成し、これをパターニングする。これにより、コンタクトホールＣＨ２内でゲートバスラインＧＬと接するゲート端子用上部接続部１９ｇ、コンタクトホールＣＨ３内でソースバスラインＳＬと接するソース端子用上部接続部１９ｓ、およびコンタクトホールＣＨ５内でソース接続配線７ｐと接するトランスファー端子用上部接続部１９ｐを形成する。

　次に、第１絶縁層１１上、ゲート端子用上部接続部１９ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓ、トランスファー端子用上部接続部１９ｐ上、およびコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ６内に、パッチ電極用導電膜を形成し、パターニングを行う。これにより、送受信領域Ｒ１に、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接するパッチ電極１５、非送受信領域Ｒ２に、コンタクトホールＣＨ６内でソース接続配線７ｐと接するパッチ接続部１５ｐを形成する。パッチ電極用導電膜のパターニングは、ウェットエッチングによって行ってもよい。ここでは、透明導電膜（ＩＴＯなど）とパッチ電極用導電膜（例えばＡｌ膜）とのエッチング選択比を大きくできるエッチャントを用いる。これにより、パッチ電極用導電膜のパターニングの際に、透明導電膜をエッチストップとして機能させることができる。ソースバスラインＳＬ、ゲートバスラインＧＬおよびソース接続配線７ｐのうちコンタクトホールＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ５で露出された部分は、エッチストップ（透明導電膜）で覆われているため、エッチングされない。

　続いて、第２絶縁層１７を形成する。この後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、第２絶縁層１７のパターニングを行う。これにより、第２絶縁層１７に、ゲート端子用上部接続部１９ｇを露出する開口部１８ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓを露出する開口部１８ｓおよびトランスファー端子用上部接続部１９ｐを露出する開口部１８ｐを設ける。このようにして、ＴＦＴ基板１０２を得る。

　（第３の実施形態）
　図面を参照しながら、第３の実施形態の走査アンテナを説明する。本実施形態の走査アンテナにおけるＴＦＴ基板は、透明導電膜からなる上部接続部をトランスファー端子部に設けない点で、図８に示すＴＦＴ基板１０２と異なる。

　図１０（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、本実施形態におけるＴＦＴ基板１０３のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。図８と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。なお、アンテナ単位領域Ｕの構造は前述の実施形態（図３）と同様であるので図示および説明を省略する。

　ゲート端子部ＧＴおよびソース端子部ＳＴの構造は、図８に示すＴＦＴ基板１０２のゲート端子部およびソース端子部の構造と同様である。

　トランスファー端子部ＰＴは、第１絶縁層１１上に形成されたパッチ接続部１５ｐと、パッチ接続部１５ｐ上に積み重ねられた保護導電層２３とを有している。第２絶縁層１７は、保護導電層２３上に延設され、保護導電層２３の一部を露出する開口部１８ｐを有している。一方、パッチ電極１５は、第２絶縁層１７で覆われている。

　＜ＴＦＴ基板１０３の製造方法＞
　ＴＦＴ基板１０３は、例えば次のような方法で製造される。図１１は、ＴＦＴ基板１０３の製造工程を例示する図である。なお、以下では、各層の材料、厚さ、形成方法などが、前述したＴＦＴ基板１０１と同様である場合には説明を省略する。

　まず、ＴＦＴ基板１０１と同様の方法で、誘電体基板上に、アライメントマーク、下地絶縁層、ゲートメタル層、ゲート絶縁層、半導体層、コンタクト層およびソースメタル層を形成し、ＴＦＴを得る。

　次に、ソースメタル層を覆うように第１絶縁層１１を形成する。この後、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４を一括してエッチングし、コンタクトホールＣＨ１～３を形成する。エッチングでは、ソースバスラインＳＬおよびゲートバスラインＧＬはエッチストップとして機能する。これにより、第１絶縁層１１に、ＴＦＴのドレイン電極に達するコンタクトホールＣＨ１が形成されるとともに、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４に、ゲートバスラインＧＬに達するコンタクトホールＣＨ２が形成され、第１絶縁層１１に、ソースバスラインＳＬに達するコンタクトホールＣＨ３が形成される。トランスファー端子部が形成される領域にはコンタクトホールを形成しない。

　次いで、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３内に透明導電膜を形成し、これをパターニングする。これにより、コンタクトホールＣＨ２内でゲートバスラインＧＬと接するゲート端子用上部接続部１９ｇ、およびコンタクトホールＣＨ３内でソースバスラインＳＬと接するソース端子用上部接続部１９ｓを形成する。トランスファー端子部が形成される領域では、透明導電膜は除去される。

　次に、第１絶縁層１１上、ゲート端子用上部接続部１９ｇおよびソース端子用上部接続部１９ｓ上、およびコンタクトホールＣＨ１内にパッチ電極用導電膜を形成し、パターニングを行う。これにより、送受信領域Ｒ１に、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接するパッチ電極１５を形成し、非送受信領域Ｒ２に、パッチ接続部１５ｐを形成する。前述の実施形態と同様に、パッチ電極用導電膜のパターニングには、透明導電膜（ＩＴＯなど）とパッチ電極用導電膜とのエッチング選択比を確保できるエッチャントを用いる。

　続いて、パッチ接続部１５ｐ上に保護導電層２３を形成する。保護導電層２３として、Ｔｉ層、ＩＴＯ層およびＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）層など（厚さ：例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いることができる。ここでは、保護導電層２３として、Ｔｉ層（厚さ：例えば５０ｎｍ）を用いる。なお、保護導電層をパッチ電極１５の上に形成してもよい。

　次いで、第２絶縁層１７を形成する。この後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、第２絶縁層１７のパターニングを行う。これにより、第２絶縁層１７に、ゲート端子用上部接続部１９ｇを露出する開口部１８ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓを露出する開口部１８ｓ、および保護導電層２３を露出する開口部１８ｐを設ける。このようにして、ＴＦＴ基板１０３を得る。

　＜スロット基板２０３の構造＞
　図１２は、本実施形態における、ＴＦＴ基板１０３のトランスファー端子部ＰＴと、スロット基板２０３の端子部ＩＴとを接続するトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。図１２では、前述の実施形態と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。

　まず、本実施形態におけるスロット基板２０３を説明する。スロット基板２０３は、誘電体基板５１と、誘電体基板５１の表面に形成された第３絶縁層５２と、第３絶縁層５２上に形成されたスロット電極５５と、スロット電極５５を覆う第４絶縁層５８とを備える。反射導電板６５が誘電体基板５１の裏面に誘電体層（空気層）５４を介して対向するように配置されている。スロット電極５５および反射導電板６５は導波路３０１の壁として機能する。

　スロット電極５５は、Ｃｕ層またはＡｌ層を主層５５Ｍとする積層構造を有している。送受信領域Ｒ１において、スロット電極５５には複数のスロット５７が形成されている。送受信領域Ｒ１におけるスロット電極５５の構造は、図６を参照しながら前述したスロット基板２０１の構造と同じである。

　非送受信領域Ｒ２には、端子部ＩＴが設けられている。端子部ＩＴでは、第４絶縁層５８に、スロット電極５５の表面を露出する開口が設けられている。スロット電極５５の露出した領域がコンタクト面５５ｃとなる。このように、本実施形態では、スロット電極５５のコンタクト面５５ｃは、第４絶縁層５８で覆われていない。

　トランスファー部では、ＴＦＴ基板１０３におけるパッチ接続部１５ｐを覆う保護導電層２３と、スロット基板２０３におけるスロット電極５５のコンタクト面５５ｃとを、導電性ビーズ７１を含む樹脂（シール樹脂）を介して接続する。

　本実施形態におけるトランスファー部は、前述の実施形態と同様に、走査アンテナの中心部および周縁部の両方に配置されていてもよいし、いずれか一方のみに配置されていてもよい。また、シール領域Ｒｓ内に配置されていてもよいし、シール領域Ｒｓの外側（液晶層と反対側）に配置されていてもよい。

　本実施形態では、トランスファー端子部ＰＴおよび端子部ＩＴのコンタクト面に透明導電膜を設けない。このため、保護導電層２３と、スロット基板２０３のスロット電極５５とを、導電性粒子を含有するシール樹脂を介して接続させることができる。

　また、本実施形態では、第１の実施形態（図３及び図４）と比べて、一括形成されるコンタクトホールの深さの差が小さいので、コンタクトホールの下地となる導電膜へのダメージを低減できる。

　＜スロット基板２０３の製造方法＞
　スロット基板２０３は、次のようにして製造される。各層の材料、厚さおよび形成方法は、スロット基板２０１と同様であるので、説明を省略する。

　まず、スロット基板２０１と同様の方法で、誘電体基板上に、第３絶縁層５２およびスロット電極５５を形成し、スロット電極５５に複数のスロット５７を形成する。次いで、スロット電極５５上およびスロット内に第４絶縁層５８を形成する。この後、スロット電極５５のコンタクト面となる領域を露出するように、第４絶縁層５８に開口部１８ｐを設ける。このようにして、スロット基板２０３が製造される。

　＜内部ヒーター構造＞
　上述したように、アンテナのアンテナ単位に用いられる液晶材料の誘電異方性Δε_Mは大きいことが好ましい。しかしながら、誘電異方性Δε_Mが大きい液晶材料（ネマチック液晶）の粘度は大きく、応答速度が遅いという問題がある。特に、温度が低下すると、粘度は上昇する。移動体（例えば、船舶、航空機、自動車）に搭載された走査アンテナの環境温度は変動する。したがって、液晶材料の温度をある程度以上、例えば３０℃以上、あるいは４５℃以上に調整できることが好ましい。設定温度は、ネマチック液晶材料の粘度が概ね１０ｃＰ（センチポアズ）以下となるように設定することが好ましい。

　本発明の実施形態の走査アンテナは、上記の構造に加えて、内部ヒーター構造を有することが好ましい。内部ヒーターとしては、ジュール熱を利用する抵抗加熱方式のヒーターが好ましい。ヒーター用の抵抗膜の材料としては、特に限定されないが、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなど比較的比抵抗の高い導電材料を用いることができる。また、抵抗値の調整のために、細線やメッシュで抵抗膜を形成してもよい。求められる発熱量に応じて、抵抗値を設定すればよい。

　例えば、直径が３４０ｍｍの円の面積（約９０、０００ｍｍ²）を１００Ｖ交流（６０Ｈｚ）で、抵抗膜の発熱温度を３０℃にするためには、抵抗膜の抵抗値を１３９Ω、電流を０．７Ａで、電力密度を８００Ｗ／ｍ²とすればよい。同じ面積を１００Ｖ交流（６０Ｈｚ）で、抵抗膜の発熱温度を４５℃にするためには、抵抗膜の抵抗値を８２Ω、電流を１．２Ａで、電力密度を１３５０Ｗ／ｍ²とすればよい。

　ヒーター用の抵抗膜は、走査アンテナの動作に影響を及ぼさない限りどこに設けてもよいが、液晶材料を効率的に加熱するためには、液晶層の近くに設けることが好ましい。例えば、図１３（ａ）に示すＴＦＴ基板１０４に示す様に、誘電体基板１のほぼ全面に抵抗膜６８を形成してもよい。図１３（ａ）は、ヒーター用抵抗膜６８を有するＴＦＴ基板１０４の模式的な平面図である。抵抗膜６８は、例えば、図３に示した下地絶縁膜２で覆われる。下地絶縁膜２は、十分な絶縁耐圧を有するように形成される。

　抵抗膜６８は、開口部６８ａ、６８ｂおよび６８ｃを有することが好ましい。ＴＦＴ基板１０４とスロット基板とが貼り合せられたとき、パッチ電極１５と対向するようにスロット５７が位置する。このときに、スロット５７のエッジから距離ｄの周囲には抵抗膜６８が存在しないよう開口部６８ａを配置する。ｄは例えば０．５ｍｍである。また、補助容量ＣＳの下部にも開口部６８ｂを配置し、ＴＦＴの下部にも開口部６８ｃを配置することが好ましい。

　なお、アンテナ単位Ｕのサイズは、例えば４ｍｍ×４ｍｍである。また、図１３（ｂ）に示すように、例えば、スロット５７の幅ｓ２は０．５ｍｍ、スロット５７の長さｓ１は３．３ｍｍ、スロット５７の幅方向のパッチ電極１５の幅ｐ２は０．７ｍｍ、スロットの長さ方向のパッチ電極１５の幅ｐ１は０．５ｍｍである。なお、アンテナ単位Ｕ、スロット５７およびパッチ電極１５のサイズ、形状、配置関係などは図１３（ａ）および（ｂ）に示す例に限定されない。

　ヒーター用抵抗膜６８からの電界の影響をさらに低減するために、シールド導電層を形成してもよい。シールド導電層は、例えば、下地絶縁膜２の上に誘電体基板１のほぼ全面に形成される。シールド導電層には、抵抗膜６８のように開口部６８ａ、６８ｂを設ける必要はないが、開口部６８ｃを設けることが好ましい。シールド導電層は、例えば、アルミニウム層で形成され、接地電位とされる。

　また、液晶層を均一に加熱できるように、抵抗膜の抵抗値に分布を持たせることが好ましい。液晶層の温度分布は、最高温度－最低温度（温度むら）が、例えば１５℃以下となることが好ましい。温度むらが１５℃を超えると、位相差変調が面内でばらつき、良好なビーム形成ができなくなるという不具合が発生することがある。また、液晶層の温度がＴｎｉ点（例えば１２５℃）に近づくと、Δε_Mが小さくなるので好ましくない。

　図１４（ａ）、（ｂ）および図１５（ａ）～（ｃ）を参照して、抵抗膜における抵抗値の分布を説明する。図１４（ａ）、（ｂ）および図１５（ａ）～（ｃ）に、抵抗加熱構造８０ａ～８０ｅの模式的な構造と電流の分布を示す。抵抗加熱構造は、抵抗膜と、ヒーター用端子とを備えている。

　図１４（ａ）に示す抵抗加熱構造８０ａは、第１端子８２ａと第２端子８４ａとこれらに接続された抵抗膜８６ａとを有している。第１端子８２ａは、円の中心に配置され、第２端子８４ａは円周の全体に沿って配置されている。ここで円は、送受信領域Ｒ１に対応する。第１端子８２ａと第２端子８４ａとの間に直流電圧を供給すると、例えば、第１端子８２ａから第２端子８４ａに放射状に電流ＩＡが流れる。したがって、抵抗膜８６ａは面内の抵抗値は一定であっても、均一に発熱することができる。もちろん、電流の流れる向きは、第２端子８４ａから第１端子８２ａに向かう方向でもよい。

　図１４（ｂ）に抵抗加熱構造８０ｂは、第１端子８２ｂと第２端子８４ｂとこれらに接続された抵抗膜８６ｂとを有している。第１端子８２ｂおよび第２端子８４ｂは円周に沿って互いに隣接して配置されている。抵抗膜８６ｂにおける第１端子８２ｂと第２端子８４ｂとの間を流れる電流ＩＡによって発生する単位面積当たりの発熱量が一定になるように、抵抗膜８６ｂの抵抗値は面内分布を有している。抵抗膜８６ｂの抵抗値の面内分布は、例えば、抵抗膜８６を細線で構成する場合、細線の太さや、細線の密度で調整すればよい。

　図１５（ａ）に示す抵抗加熱構造８０ｃは、第１端子８２ｃと第２端子８４ｃとこれらに接続された抵抗膜８６ｃとを有している。第１端子８２ｃは、円の上側半分の円周に沿って配置されており、第２端子８４ｃは円の下側半分の円周に沿って配置されている。抵抗膜８６ｃを例えば第１端子８２ｃと第２端子８４ｃとの間を上下に延びる細線で構成する場合、電流ＩＡによる単位面請あたりの発熱量が面内で一定になるように、例えば、中央付近の細線の太さや密度が高くなるように調整されている。

　図１５（ｂ）に示す抵抗加熱構造８０ｄは、第１端子８２ｄと第２端子８４ｄとこれらに接続された抵抗膜８６ｄとを有している。第１端子８２ｄと第２端子８４ｄとは、それぞれ円の直径に沿って上下方向、左右方向に延びるように設けられている。図では簡略化しているが、第１端子８２ｄと第２端子８４ｄとは互いに絶縁されている。

　また、図１５（ｃ）に示す抵抗加熱構造８０ｅは、第１端子８２ｅと第２端子８４ｅとこれらに接続された抵抗膜８６ｅとを有している。抵抗加熱構造８０ｅは、抵抗加熱構造８０ｄと異なり、第１端子８２ｅおよび第２端子８４ｅのいずれも円の中心から上下左右の４つの方向に延びる４つの部分を有している。互いに９０度を成す第１端子８２ｅの部分と第２端子８４ｅの部分とは、電流ＩＡが、時計回りに流れるように配置されている。

　抵抗加熱構造８０ｄおよび抵抗加熱構造８０ｅのいずれにおいても、単位面積当たりの発熱量が面内で均一になるように、円周に近いほど電流ＩＡが多くなるように、例えば、円周に近い側の細線を太く、密度が高くなるように調整されている。

　このような内部ヒーター構造は、例えば、走査アンテナの温度を検出して、予め設定された温度を下回ったときに自動的に動作するようにしてもよい。もちろん、使用者の操作に呼応して動作するようにしてもよい。

　＜駆動方法＞
　本発明の実施形態による走査アンテナが有するアンテナ単位のアレイは、ＬＣＤパネルと類似した構造を有しているので、ＬＣＤパネルと同様に線順次駆動を行う。しかしながら、従来のＬＣＤパネルの駆動方法を適用すると、以下の問題が発生する恐れがある。図１６に示す、走査アンテナの１つのアンテナ単位の等価回路図を参照しつつ、走査アンテナに発生し得る問題点を説明する。

　まず、上述したように、マイクロ波領域の誘電異方性Δε_M（可視光に対する複屈折Δｎ）が大きい液晶材料の比抵抗は低いので、ＬＣＤパネルの駆動方法をそのまま適用すると、液晶層に印加される電圧を十分に保持できない。そうすると、液晶層に印加される実効電圧が低下し、液晶容量の静電容量値が目標値に到達しない。

　このように液晶層に印加された電圧が所定の値からずれると、アンテナのゲインが最大となる方向が所望する方向からずれることになる。そうすると、例えば、通信衛星を正確に追尾できないことになる。これを防止するために、液晶容量Ｃｌｃと電気的に並列に補助容量ＣＳを設け、補助容量ＣＳの容量値Ｃ－Ｃｃｓを十分に大きくする。補助容量ＣＳの容量値Ｃ－Ｃｃｓは、液晶容量Ｃｌｃの電圧保持率が９０％以上となるように適宜設定することが好ましい。

　また、比抵抗が低い液晶材料を用いると、界面分極および／または配向分極による電圧低下も起こる。これらの分極による電圧低下を防止するために、電圧降下分を見込んだ十分に高い電圧を印加することが考えられる。しかしながら、比抵抗が低い液晶層に高い電圧を印加すると、動的散乱効果（ＤＳ効果）が起こる恐れがある。ＤＳ効果は、液晶層中のイオン性不純物の対流に起因し、液晶層の誘電率ε_Mは平均値（（ε_M∥+２ε_M⊥）／３）に近づく。また、液晶層の誘電率ε_Mを多段階（多階調）で制御するためには、常に十分に高い電圧を印加することもできない。

　上記のＤＳ効果および／または分極による電圧降下を抑制するためには、液晶層に印加する電圧の極性反転周期を十分に短くすればよい。よく知られているように、印加電圧の極性反転周期を短くするとＤＳ効果が起こるしきい値電圧が高くなる。したがって、液晶層に印加する電圧（絶対値）の最大値が、ＤＳ効果が起こるしきい値電圧未満となるように、極性反転周波数を決めればよい。極性反転周波数が３００Ｈｚ以上であれば、例えば比抵抗が1×10¹⁰Ω・ｃｍ、誘電異方性Δε（＠１ｋＨｚ）が－０．６程度の液晶層に絶対値が１０Ｖの電圧を印加しても、良好な動作を確保することができる。また、極性反転周波数（典型的にはフレーム周波数の２倍と同じ）が３００Ｈｚ以上であれば、上記の分極に起因する電圧降下も抑制される。極性反転周期の上限は、消費電力などの観点から約５ｋＨｚ以下であることが好ましい。

　上述したように液晶材料の粘度は温度に依存するので、液晶層の温度は適宜制御されることが好ましい。ここで述べた液晶材料の物性および駆動条件は、液晶層の動作温度における値である。逆に言うと、上記の条件で駆動できるように、液晶層の温度を制御することが好ましい。

　図１７（ａ）～（ｇ）を参照して、走査アンテナの駆動に用いられる信号の波形の例を説明する。なお、図１７（ｄ）に、比較のために、ＬＣＤパネルのソースバスラインに供給される表示信号Ｖｓ（ＬＣＤ）の波形を示している。

　図１７（ａ）はゲートバスラインＧ－Ｌ１に供給される走査信号Ｖｇの波形、図１７（ｂ）はゲートバスラインＧ－Ｌ２に供給される走査信号Ｖｇの波形、図１７（ｃ）はゲートバスラインＧ－Ｌ３に供給される走査信号Ｖｇの波形を示し、図１７（ｅ）はソースバスラインに供給されるデータ信号Ｖｄａの波形を示し、図１７（ｆ）はスロット基板のスロット電極（スロット電極）に供給されるスロット電圧Ｖｉｄｃの波形を示し、図１７（ｇ）はアンテナ単位の液晶層に印加される電圧の波形を示す。

　図１７（ａ）～（ｃ）に示す様に、ゲートバスラインに供給される走査信号Ｖｇの電圧が、順次、ローレベル（ＶｇＬ）からハイレベル（ＶｇＨ）に切替わる。ＶｇＬおよびＶｇＨは、ＴＦＴの特性に応じて適宜設定され得る。例えば、ＶｇＬ＝－５Ｖ～０Ｖ、Ｖｇｈ＝＋２０Ｖである。また、ＶｇＬ＝－２０Ｖ、Ｖｇｈ＝＋２０Ｖとしてもよい。あるゲートバスラインの走査信号Ｖｇの電圧がローレベル（ＶｇＬ）からハイレベル（ＶｇＨ）に切替わる時刻から、その次のゲートバスラインの電圧がＶｇＬからＶｇＨに切替わる時刻までの期間を１水平走査期間（１H）ということにする。また、各ゲートバスラインの電圧がハイレベル（ＶｇＨ）になっている期間を選択期間ＰＳという。この選択期間ＰＳにおいて、各ゲートバスラインに接続されたＴＦＴがオン状態となり、ソースバスラインに供給されているデータ信号Ｖｄａのその時の電圧が、対応するパッチ電極に供給される。データ信号Ｖｄａは例えば－１５Ｖ～＋１５Ｖ（絶対値が１５Ｖ）であり、例えば、１２階調、好ましくは１６階調に対応する絶対値の異なるデータ信号Ｖｄａを用いる。

　ここでは、全てのアンテナ単位にある中間電圧を印加している場合を例示する。すなわち、データ信号Ｖｄａの電圧は、全てのアンテナ単位（ｍ本のゲートバスラインに接続されているとする。）に対して一定であるとする。これはＬＣＤパネルにおいて全面である中間調を表示している場合に対応する。このとき、ＬＣＤパネルでは、ドット反転駆動が行われる。すなわち、各フレームにおいて、互いに隣接する画素(ドット）の極性が互いに逆になるように、表示信号電圧が供給される。

　図１７（ｄ）はドット反転駆動を行っているＬＣＤパネルの表示信号の波形を示している。図１７（ｄ）に示したように、１Ｈ毎にＶｓ（ＬＣＤ）の極性が反転している。この波形を有するＶｓ（ＬＣＤ）が供給されているソースバスラインに隣接するソースバスラインに供給されるＶｓ（ＬＣＤ）の極性は、図１７（ｄ）に示すＶｓ（ＬＣＤ）の極性と逆になっている。また、全ての画素に供給される表示信号の極性は、フレーム毎に反転する。ＬＣＤパネルでは、正極性と負極性とで、液晶層に印加される実効電圧の大きさを完全に一致させることが難しく、かつ、実効電圧の差が輝度の差となり、フリッカーとして観察される。このフリッカーを観察され難くするために、各フレームにおいて極性の異なる電圧が印加される画素（ドット）を空間的に分散させている。典型的には、ドット反転駆動を行うことによって、極性が異なる画素（ドット）を市松模様に配列させる。

　これに対して、走査アンテナにおいては、フリッカー自体は問題とならない。すなわち、液晶容量の静電容量値が所望の値でありさえすればよく、各フレームにおける極性の空間的な分布は問題とならない。したがって、低消費電力等の観点から、ソースバスラインから供給されるデータ信号Ｖｄａの極性反転の回数を少なくする、すなわち、極性反転の周期を長くすることが好ましい。例えば、図１７（ｅ）に示す様に、極性反転の周期を１０Ｈ（５Ｈ毎に極性反転）にすればよい。もちろん、各ソースバスラインに接続されているアンテナ単位の数（典型的には、ゲートバスラインの本数に等しい。）をｍ個とすると、データ信号Ｖｄａの極性反転の周期を２ｍ・Ｈ（ｍ・Ｈ毎に極性反転）としてもよい。データ信号Ｖｄａの極性反転の周期は、２フレーム（１フレーム毎に極性反転）と等しくてもよい。

　また、全てのソースバスラインから供給するデータ信号Ｖｄａの極性を同じにしてもよい。したがって、例えば、あるフレームでは、全てのソースバスラインから正極性のデータ信号Ｖｄａを供給し、次にフレームでは、全てのソースバスラインから負極性のデータ信号Ｖｄａを供給してもよい。

　あるいは、互いに隣接するソースバスラインから供給するデータ信号Ｖｄａの極性を互いに逆極性にしてもよい。例えば、あるフレームでは、奇数列のソースバスラインからは正極性のデータ信号Ｖｄａを供給し、偶数列のソースバスラインからは負極性のデータ信号Ｖｄａを供給する。そして、次のフレームでは、奇数列のソースバスラインからは負極性のデータ信号Ｖｄａを供給し、偶数列のソースバスラインからは正極性のデータ信号Ｖｄａを供給する。このような駆動方法は、ＬＣＤパネルでは、ソースライン反転駆動と呼ばれる。隣接するソースバスラインから供給するデータ信号Ｖｄａを逆極性にすると、フレーム間で供給するデータ信号Ｖｄａの極性を反転させる前に、隣接するソースバスラインを互いに接続する（ショートさせる）ことによって、液晶容量に充電された電荷を隣接する列間でキャンセルさせることができる。したがって、各フレームにおいてソースバスラインから供給する電荷の量を少なくできるという利点が得られる。

　スロット電極の電圧Ｖｉｄｃは図１７（ｆ）に示す様に、例えば、ＤＣ電圧であり、典型的にはグランド電位である。アンテナ単位の容量（液晶容量および補助容量）の容量値は、ＬＣＤパネルの画素容量の容量値よりも大きい（例えば、２０型程度のＬＣＤパネルと比較して約３０倍）ので、ＴＦＴの寄生容量に起因する引込電圧の影響がなく、スロット電極の電圧Ｖｉｄｃをグランド電位として、データ信号Ｖｄａをグランド電位を基準に正負対称な電圧としても、パッチ電極に供給される電圧は正負対称な電圧となる。ＬＣＤパネルにおいては、ＴＦＴの引込電圧を考慮して、対向電極の電圧（共通電圧）を調整することによって、画素電極に正負対称な電圧が印加されるようにしているが、走査アンテナのスロット電圧についてはその必要がなく、グランド電位であってよい。また、図１７に図示しないが、ＣＳバスラインには、スロット電圧Ｖｉｄｃと同じ電圧が供給される。

　アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧は、スロット電極の電圧Ｖｉｄｃ（図１７（ｆ））に対するパッチ電極の電圧（すなわち、図１７（ｅ）に示したデータ信号Ｖｄａの電圧）なので、スロット電圧Ｖｉｄｃがグランド電位のとき、図１７（ｇ）に示す様に、図１７（ｅ）に示したデータ信号Ｖｄａの波形と一致する。

　走査アンテナの駆動に用いられる信号の波形は、上記の例に限られない。例えば、図１８および図１９を参照して以下に説明するように、スロット電極の電圧として振動波形を有するＶｉａｃを用いてもよい。

　例えば、図１８（ａ）～（ｅ）に例示する様な信号を用いることができる。図１８では、ゲートバスラインに供給される走査信号Ｖｇの波形を省略しているが、ここでも、図１７（ａ）～（ｃ）を参照して説明した走査信号Ｖｇを用いる。

　図１８（ａ）に示す様に、図１７（ｅ）に示したのと同様に、データ信号Ｖｄａの波形が１０Ｈ周期（５Ｈ毎）で極性反転している場合を例示する。ここでは、データ信号Ｖｄａとして、振幅が最大値｜Ｖｄａ_max｜の場合を示す。上述したように、データ信号Ｖｄａの波形は、２フレーム周期（１フレーム毎）で極性反転させてもよい。

　ここで、スロット電極の電圧Ｖｉａｃは、図１８（ｃ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）と極性が逆で、振動の周期は同じ、振動電圧とする。スロット電極の電圧Ｖｉａｃの振幅は、データ信号Ｖｄａの振幅の最大値｜Ｖｄａ_max｜と等しい。すなわち、スロット電圧Ｖｉａｃは、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）と極性反転の周期は同じで、極性が逆（位相が１８０°異なる）で、－Ｖｄａ_maxと＋Ｖｄａ_maxとの間を振動する電圧とする。

　アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃは、スロット電極の電圧Ｖｉａｃ（図１８（ｃ））に対するパッチ電極の電圧（すなわち、図１８（ａ）に示したデータ信号Ｖｄａ（ＯＮ）の電圧）なので、データ信号Ｖｄａの振幅が±Ｖｄａ_maxで振動しているとき、液晶容量に印加される電圧は、図１８（ｄ）に示す様に、Ｖｄａ_maxの２倍の振幅で振動する波形となる。したがって、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃの最大振幅を±Ｖｄａ_maxとするために必要なデータ信号Ｖｄａの最大振幅は、±Ｖｄａ_max／２となる。

　このようなスロット電圧Ｖｉａｃを用いることによって、データ信号Ｖｄａの最大振幅を半分にできるので、データ信号Ｖｄａを出力するドライバ回路として、例えば、耐圧が２０Ｖ以下の汎用のドライバＩＣを用いることができるという利点が得られる。

　なお、図１８（ｅ）に示す様に、アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＦＦ）をゼロとするとために、図１８（ｂ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＦＦ）をスロット電圧Ｖｉａｃと同じ波形にすればよい。

　例えば、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃの最大振幅を±１５Ｖとする場合を考える。スロット電圧として、図１７（ｆ）に示したＶｉｄｃを用い、Ｖｉｄｃ＝０Ｖとすると、図１７（ｅ）に示したＶｄａの最大振幅は、±１５Ｖとなる。これに対して、スロット電圧として、図１８（ｃ）に示したＶｉａｃを用い、Ｖｉａｃの最大振幅を±７．５Ｖとすると、図１８（ａ）に示したＶｄａ（ＯＮ）の最大振幅は、±７．５Ｖとなる。

　液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃを０Ｖとする場合、図１７（ｅ）に示したＶｄａを０Ｖとすればよく、図１８（ｂ）に示したＶｄａ（ＯＦＦ）の最大振幅は±７．５Ｖとすればよい。

　図１８（ｃ）に示したＶｉａｃを用いる場合は、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃの振幅は、Ｖｄａの振幅とは異なるので、適宜変換する必要がある。

　図１９（ａ）～（ｅ）に例示する様な信号を用いることもできる。図１９（ａ）～（ｅ）に示す信号は、図１８（ａ）～（ｅ）に示した信号と同様に、スロット電極の電圧Ｖｉａｃを図１９（ｃ）に示す様に、スロット電極の電圧Ｖｉａｃを図１９（ｃ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）と振動の位相が１８０°ずれた振動電圧とする。ただし、図１９（ａ）～（ｃ）にそれぞれ示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）、Ｖｄａ（ＯＦＦ）およびスロット電圧Ｖｉａｃをいずれも０Ｖと正の電圧との間で振動する電圧としている。スロット電極の電圧Ｖｉａｃの振幅は、データ信号Ｖｄａの振幅の最大値｜Ｖｄａ_max｜と等しい。

　このような信号を用いると、駆動回路は正の電圧だけを出力すればよく、低コスト化に寄与する。このように０Ｖと正の電圧との間で振動する電圧を用いても、図１９（ｄ）に示すように、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＮ）は、極性反転する。図１９（ｄ）に示す電圧波形において、＋（正）は、パッチ電極の電圧がスロット電圧よりも高いことを示し、－（負）は、パッチ電極の電圧がスロット電圧よりも低いことを示している。すなわち、液晶層に印加される電界の向き（極性）は、他の例と同様に反転している。液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＮ）の振幅はＶｄａ_maxである。

　なお、図１９（ｅ）に示す様に、アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＦＦ）をゼロとするとために、図１９（ｂ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＦＦ）をスロット電圧Ｖｉａｃと同じ波形にすればよい。

　図１８および図１９を参照して説明したスロット電極の電圧Ｖｉａｃを振動させる（反転させる）駆動方法は、ＬＣＤパネルの駆動方法でいうと、対向電圧を反転させる駆動方法に対応する（「コモン反転駆動」といわれることがある。）。ＬＣＤパネルでは、フリッカーを十分に抑制できないことから、コモン反転駆動は採用されていない。これに対し、走査アンテナでは、フリッカーは問題とならないので、スロット電圧を反転させることができる。振動（反転）は、例えば、フレーム毎に行われる（図１８および図１９における５Ｈを１Ｖ（垂直走査期間またはフレーム）とする）。

　上記の説明では、スロット電極の電圧Ｖｉａｃは１つの電圧が印加される例、すなわち、全てのパッチ電極に対して共通のスロット電極が設けられている例を説明したが、スロット電極を、パッチ電極の１行、または、２以上の行に対応して分割してもよい。ここで、行とは、１つのゲートバスラインにＴＦＴを介して接続されたパッチ電極の集合を指す。このようにスロット電極を複数の行部分に分割すれば、スロット電極の各部分の電圧の極性を互いに独立にできる。例えば、任意のフレームにおいて、パッチ電極に印加される電圧の極性を、隣接するゲートバスラインに接続されたパッチ電極間で互いに逆にできる。このように、パッチ電極の１行毎に極性を反転させる行反転（１Ｈ反転）だけでなく、２以上の行毎に極性を反転させるｍ行反転（ｍＨ反転）を行うことができる。もちろん、行反転とフレーム反転とは組合せられる。

　駆動の単純さの観点からは、任意のフレームにおいて、パッチ電極に印加される電圧の極性を全て同じにし、フレーム毎に極性が反転する駆動が好ましい。

　＜アンテナ単位の配列、ゲートバスライン、ソースバスラインの接続の例＞
　本発明の実施形態の走査アンテナにおいて、アンテナ単位は例えば、同心円状に配列される。

　例えば、ｍ個の同心円に配列されている場合、ゲートバスラインは例えば、各円に対して１本ずつ設けられ、合計ｍ本のゲートバスラインが設けられる。送受信領域Ｒ１の外径を、例えば８００ｍｍとすると、ｍは例えば、２００である。最も内側のゲートバスラインを１番目とすると、１番目のゲートバスラインには、ｎ個（例えば３０個）のアンテナ単位が接続され、ｍ番目のゲートバスラインにはｎｘ個（例えば６２０個）のアンテナ単位が接続されている。

　このような配列では、各ゲートバスラインに接続されているアンテナ単位の数が異なる。また、最も外側の円を構成するｎｘ個のアンテナ単位に接続されているｎｘ本のソースバスラインには、ｍ個のアンテナ単位が接続されているが、内側の円を構成するアンテナ単位に接続されているソースバスラインに接続されているアンテナ単位の数はｍよりも小さくなる。

　このように、走査アンテナにおけるアンテナ単位の配列は、ＬＣＤパネルにおける画素（ドット）の配列とは異なり、ゲートバスラインおよび／またはソースバスラインによって、接続されているアンテナ単位の数が異なる。したがって、全てのアンテナ単位の容量（液晶容量＋補助容量）を同じにすると、ゲートバスラインおよび／またはソースバスラインによって、接続されている電気的な負荷が異なることになる。そうすると、アンテナ単位への電圧の書き込みにばらつきが生じるという問題がある。

　そこで、これを防止するために、例えば、補助容量の容量値を調整することによって、あるいは、ゲートバスラインおよび／またはソースバスラインに接続するアンテナ単位の数を調整することによって、各ゲートバスラインおよび各ソースバスラインに接続されている電気的な負荷を略同一にすることが好ましい。

　本発明の実施形態による走査アンテナは、必要に応じて、例えばプラスチック製の筺体に収容される。筺体にはマイクロ波の送受信に影響を与えない誘電率εＭが小さい材料を用いることが好ましい。また、筺体の送受信領域Ｒ１に対応する部分には貫通孔を設けてもよい。さらに、液晶材料が光に曝されないように、遮光構造を設けてもよい。遮光構造は、例えば、ＴＦＴ基板１０１の誘電体基板１および／またはスロット基板２０１の誘電体基板５１の側面から誘電体基板１および／または５１内を伝播し、液晶層に入射する光を遮光するように設ける。誘電異方性Δε_Mが大きな液晶材料は、光劣化しやすいものがあり、紫外線だけでなく、可視光の中でも短波長の青色光も遮光することが好ましい。遮光構造は、例えば、黒色の粘着テープなどの遮光性のテープを用いることによって、必要な個所に容易に形成できる。

　次に、図２０～図２６を参照して、本発明の他の実施形態による走査アンテナの製造方法の例を説明する。以下で例示する実施形態による走査アンテナは、スロット電極を形成する比較的厚い（厚さは、例えば、２μｍ以上３０μｍ以下）Ｃｕ層またはＡｌ層をＣｕ箔またはＡｌ箔を用いて作製される。Ｃｕ箔およびＡｌ箔をまとめて金属箔ということがある。

　図２０に、本発明の実施形態による走査アンテナ１０００Ａの一部の模式的な断面図を示す。図２０は、図１と同様に、同心円状に配列されたスロットの中心近傍に設けられた給電ピン７２（図２（ｂ）参照）から半径方向に沿った断面の一部を模式的に示す。図２０～図２３において、先に示した構成要素と同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。

　走査アンテナ１０００Ａは、スロット電極５５がＣｕ箔またはＡｌ箔を用いて形成されており、スロット基板２０１Ａが誘電体基板５１とスロット電極５５との間に接着層９２を有している点において、図１に示した走査アンテナ１０００と異なっている。走査アンテナ１０００Ａは、Ｃｕ箔またはＡｌ箔を用いて形成されたスロット電極５５を有しているので、走査アンテナ１０００よりも量産性に優れている。

　走査アンテナ１０００Ａが有するスロット基板２０１Ａの製造方法を図２１（ａ）～（ｃ）を参照して説明する。スロット基板２０１Ａの製造工程を除けば、例えば、上述したスロット基板２０１と同様の製造方法でスロット基板２０１Ａを製造することができる。以下では、誘電体基板５１としてガラス基板５１を用いる例を説明する。

　まず、図２１（ａ）に示す様に、ガラス基板５１の表面に接着層９２を形成する。ガラス基板５１の表面に予め無機絶縁層（例えば、図６の第３絶縁層５２）を形成してもよい。接着層９２は、公知の種々の方法で形成され得る。例えば、液状の接着材を塗布してもよいし、接着フィルムを貼ってもよい。量産性の観点からは、接着フィルムを用いることが好ましい。接着フィルムは、接着層の両側に保護フィルムが貼られた状態で販売されている。種々の接着材を用いた接着フィルムが入手できる。保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリフェニルスルホン、および、ポリイミド、ポリアミド等のスーパーエンジニアリングプラスチックのフィルムが用いられる。また、これらは必要に応じて離型処理等が施されており、容易に接着層から剥離できる。

　接着フィルムを用いる場合、例えば、一方の保護フィルムを剥がした後、露出された接着層９２をガラス基板５１に向け、他方の保護フィルムの上から加熱（例えば、５０℃～１５０℃）されたローラで順次押し当てる。このとき、ガラス基板５１を加熱していてもよい。加熱温度は、接着層９２の材料等に応じて適宜設定される。

　次に、図２１（ｂ）に示すように、接着層９２の上にＣｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆを貼り付ける。例えば、接着フィルムを用いる場合には、上記の工程に続いて、他方の保護フィルムを剥がした後、Ｃｕ箔５５ｆ（またはＡｌ箔）を接着層９２に向け、加熱されたローラで順次押し当てる。

　この後、図２１（ｃ）に示す様に、Ｃｕ箔５５ｆ（またはＡｌ箔）上に、フォトリソグラフィプロセスで、スロット５７に対応する位置に開口部９３ａを有するレジスト層９３を形成する。レジスト層９３をエッチングマスクとして、Ｃｕ箔５５ｆ（またはＡｌ箔）をエッチングすることによって、スロット５７を有するスロット電極５５が得られる。フォトリソグラフィプロセスに代えて、打ち抜き等によって機械的にスロット５７を形成してもよい。

　この後、スロット電極５５の全面を覆うように配向膜が形成され、スロット基板２０１Ａが得られる。

　ここでは、接着層９２をガラス基板５１に貼り付けた後で、金属箔（Ｃｕ箔またはＡｌ箔）５５ｆを貼り付ける例を説明したが、これに限れられず、接着層９２を金属箔５５ｆに貼り付けた後、ガラス基板５１に貼り付けてもよい。例えば、熱硬化タイプの接着材の層が片面に形成された金属箔５５ｆを用意し、ガラス基板５１に接着材の層が接着するように金属箔５５ｆを貼りつける。接着材の層が片面に形成された金属箔５５ｆは、種々のフィルムメーカから入手することが可能で、量産性を向上させることができる。このような形態で用いられる接着材は、後述する熱硬化タイプの接着材が好ましい。

　図２０から理解されるように、接着層９２はスロット５７内で液晶層ＬＣに近接する。図２０では図示を省略しているが、接着層９２は、絶縁層（例えば、図６の第４絶縁層５８）で覆われ、さらに、配向膜で覆われてはいるものの、液晶層ＬＣに近接する。したがって、接着層９２は、不純物を溶出し難く、耐熱性、化学的安定性に優れた材料で形成されることが好ましい。また、例えば、Ｃｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆを貼り付ける工程などにおけるハンドリングで破壊しない、十分な強度を有することが好ましい。

　接着層９２を形成する材料（接着材）は、加熱することによって硬化または固化する接着材（粘着材は含まない）が好ましく、例えば、熱架橋タイプ、熱重合タイプおよびホットメルトタイプを用いることができる。熱架橋タイプと熱重合タイプとを併せて熱硬化タイプということにする。

　熱架橋タイプの接着材としては、例えば、エポキシ系化合物（例えばエポキシ樹脂）とアミン系化合物の組合せ、エポキシ系化合物とヒドラジド系化合物の組み合わせ、エポキシ系化合物とアルコール系化合物（例えばフェノール樹脂を含む）の組み合わせ、エポキシ系化合物とカルボン酸系化合物（例えば酸無水物を含む）の組み合わせ、イソシアネート系化合物とアミン系化合物の組み合わせ、イソシアネート系化合物とヒドラジド系化合物の組み合わせ、イソシアネート系化合物とアルコール系化合物の組み合わせ（例えばウレタン樹脂を含む）、イソシアネートとカルボン酸系化合物の組み合わせが挙げられる。また、カチオン重合タイプ接着材としては、例えば、エポキシ系化合物とカチオン重合開始剤の組み合わせ（代表的なカチオン重合開始剤、芳香族スルホニウム塩）を挙げられる。ラジカル重合タイプ接着材としては、例えば、各種アクリル、メタクリル、ウレタン変性アクリル（メタクリル）樹脂等のビニル基を含むモノマーおよび／またはオリゴマーとラジカル重合開始剤の組み合わせ（代表的なラジカル重合開始剤：アゾ系化合物（例えば、AIBN（アゾビスイソブチロニトリル））、開環重合タイプ接着材としては、例えば、エチレンオキシド系化合物、エチレンイミン系化合物、シロキサン系化合物を挙げられる。この他、マレイミド樹脂、マレイミド樹脂とアミンの組合せ、マレイミドとメタリル化合物の組合せ、ビスマレイミド－トリアジン樹脂およびポリフェニレンエーテル樹脂を用いることができる。また、ポリイミドも好適に用いることができる。なお、「ポリイミド」は、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含む意味で用いる。ポリイミドは、例えば、エポキシ系化合物またはイソシアネート系化合物と組み合わせて用いられる。

　耐熱性、化学的安定性、機械特性の観点から、熱硬化性タイプの接着材を用いることが好ましい。特に、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を含む接着材が好ましく、機械特性（特に機械強度）および吸湿性の観点から、ポリイミド樹脂を含む接着材が好ましい。ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂とを混合して用いることもできる。また、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂に熱可塑性樹脂および／またはエラストマを混合してもよい。さらに、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂として、ゴム変性したものを混合してもよい。熱可塑性樹脂またはエラストマを混合することによって、柔軟性や靱性（タフネス）を向上させることができる。ゴム変性したものを用いても同様の効果を得ることができる。

　熱硬化タイプの接着材は、さらに、無機充填材（無機フィラ）を含有してもよい。無機充填材を混合することによって、機械特性（特に機械強度）を向上させることができる。無機充填材としては、公知のものを広く利用することができ、天然鉱物を原料とするものや合成されたものを利用することができる。無機充填材の主な成分は、無機酸化物、無機水酸化物、無機窒化物、炭酸塩を例示することができる。例えば、シリカ（非晶質または結晶質）、酸化マグネシウム、アルミナ、酸化亜鉛、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化けい素を挙げることができる。この他、炭酸マグネシウム、ほう酸アルミウイスカ、炭化ケイ素、窒化ホウ素なども用いることができる。無機充填材を構成する個々の粒子の形状に特に制限はなく、接着材の粘度等を考慮して適宜調整され得る。例えば、繊維状（短繊維やウィスカ）の粒子は粘度を上昇させやすく、球状や球状に近い不定形（粉砕品）の粒子は粘度の上昇が比較的小さい。

　なお、接着層９２も導波路３０１の一部を構成するので、マイクロ波に対する誘電率および誘電損失が小さい材料を用いることが好ましい。無機充填材としては酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が好ましい。

　熱硬化タイプの接着材は、ガラス基板５１に貼り付ける前に、またはガラス基板５１に貼り付けた後、Ｃｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆを貼り付ける前に、半硬化状態（いわゆるＢステージ）としてもよい。接着材を半硬化状態した接着フィルムも販売されている。

　また、熱硬化タイプの接着材は、ガラス基板５１に貼り付ける前に、および／またはガラス基板５１に貼り付けた後、Ｃｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆを貼り付ける前に、減圧環境下におくことによって、低分子成分および／または溶剤を除去することが好ましい。減圧環境は、例えば、０．５Ｔｏｒｒ（約６６．５Ｐａ）以下が好ましく、０．１Ｔｏｒｒ（約１３．３Ｐａ）以下がより好ましい。減圧環境に置く時間は、例えば、５分～１時間である。このとき、加熱してもよい。加熱温度は、接着材にも依存するが、例えば、１００℃～１５０℃であり、加熱時間は、例えば、５分～１時間である。

　ホットメルトタイプの接着材は、熱可塑性樹脂を主成分とし、加熱により溶融し、冷却により固化する。ホットメルトタイプは、溶剤を含まないという特徴がある。ポリオレフィン系（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン）、ポリアミド系、エチレン酢酸ビニル系が例示される。また、反応性を有するウレタン系のホットメルト接着材も販売されている。接着性および耐久性の観点からは、反応性のウレタン系が好ましい。なお、反応性のウレタン系ホットメルト接着材は若干の溶剤および／または低分子成分を含むことがある。

　また、光硬化タイプを用いることができる。光硬化性と熱硬化性とを併せ持つ接着材を用いることもできる。

　光硬化タイプは、紫外線または可視光によって、架橋反応および／または重合反応を起こし、硬化する。光硬化タイプには、例えば、ラジカル重合タイプとカチオン重合タイプがある。ラジカル重合タイプとしては、アクリル樹脂（エポキシ変性アクリル樹脂、ウレタン変性アクリル樹脂、シリコーン変性アクリル樹脂）と光重合開始剤との組み合わせが代表的である。紫外光用ラジカル重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン型およびベンゾフェノン型が挙げられる。可視光用ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンジル型およびチオキサントン型を挙げることができる。カチオン重合タイプとしては、エポキシ系化合物と光カチオン重合開始剤との組合せが代表的である。光カチオン重合開始剤は、例えば、ヨードニウム塩系化合物を挙げることができる。

　図２２に、本発明の実施形態による他の走査アンテナ１０００Ｂの一部の模式的な断面図を示す。図２２は、図１と同様に、同心円状に配列されたスロットの中心近傍に設けられた給電ピン７２（図２（ｂ）参照）から半径方向に沿った断面の一部を模式的に示す。

　走査アンテナ１０００Ｂは、先の走査アンテナ１０００Ａと同様に、スロット電極５５がＣｕ箔またはＡｌ箔を用いて形成されており、スロット基板２０１Ｂが誘電体基板５１とスロット電極５５との間に接着層９２を有している。走査アンテナ１０００Ｂは、スロット基板２０１Ｂがスロット電極５５と接着層９２との間に高分子層９４を有する点において、走査アンテナ１０００Ａと異なっている。走査アンテナ１０００Ｂは、走査アンテナ１０００Ａと同様に、Ｃｕ箔またはＡｌ箔を用いて形成されたスロット電極５５を有しているので、図１に示した走査アンテナ１０００よりも量産性に優れている。さらに、スロット基板２０１Ｂは、スロット電極５５と接着層９２との間に高分子層９４を有するので、スロット基板２０１Ｂの製造過程におけるＣｕ箔またはＡｌ箔の破損を低減することができる。

　走査アンテナ１０００Ｂが有するスロット基板２０１Ｂの製造方法を図２３（ａ）～（ｅ）を参照して説明する。スロット基板２０１Ｂの製造工程を除けば、例えば、上述したスロット基板２０１と同様の製造方法でスロット基板２０１Ｂを製造することができる。以下では、誘電体基板５１としてガラス基板５１を用いる例を説明する。

　まず、図２３（ａ）に示す様に、ガラス基板５１の表面に接着層９２を形成する。この工程は、図２１（ａ）を参照して説明した工程と同じであってよい。ガラス基板５１の表面に予め無機絶縁層（例えば、図６の第３絶縁層５２）を形成してもよい。

　例えば、接着フィルムを用いる場合、例えば、一方の保護フィルムを剥がした後、露出された接着層９２をガラス基板５１に向け、他方の保護フィルムの上から加熱（例えば、５０℃～１５０℃）されたローラで順次押し当てる。このとき、ガラス基板５１を加熱していてもよい。加熱温度は、接着層９２の材料等に応じて適宜設定される。

　図２３（ｂ）に示す様に、高分子フィルム９４とＣｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆとが積層されたラミネートフィルム５５ＬＭを用意する。ここでは、高分子フィルム９４とＣｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆとが直接接合されたラミネートフィルム５５ＬＭを例示しているが、高分子フィルム９４とＣｕ箔５５ｆとを接着材で貼り合せたラミネートフィルムを使用することができる。このようなラミネートフィルム５５ＬＭは、種々のメーカから販売されており、高分子フィルム９４の種類、厚さ、および、Ｃｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆの厚さ等、種々に設定できる。

　次に、図２３（ｃ）に示すように、接着層９２の上にラミネートフィルム５５ＬＭを貼り付ける。例えば、接着フィルムを用いる場合には、上記の工程に続いて、他方の保護フィルムを剥がした後、ラミネートフィルム５５ＬＭの高分子フィルム９４を接着層９２に向け、加熱されたローラで順次押し当てる。スロット基板２０１Ｂの一部となった高分子フィルム９４は高分子層９４と呼ぶことにする。

　この後、図２３（ｄ）に示す様に、ラミネートフィルム５５ＬＭのＣｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆ上に、フォトリソグラフィプロセスで、スロット５７に対応する位置に開口部９３ａを有するレジスト層９３を形成する。レジスト層９３をエッチングマスクとして、Ｃｕ箔５５ｆ（またはＡｌ箔）をエッチングすることによって、スロット５７を有するスロット電極５５が得られる。フォトリソグラフィプロセスに代えて、打ち抜き等によって機械的にスロット５７を形成してもよい。

　この後、スロット電極５５の全面を覆うように配向膜が形成され、スロット基板２０１Ｂが得られる。

　ここでは、接着層９２をガラス基板５１に貼り付けた後で、ラミネートフィルム５５ＬＭを貼り付ける例を説明したが、これに限れられず、接着層９２をラミネートフィルム５５ＬＭに貼り付けた後、ガラス基板５１に貼り付けてもよい。例えば、接着材の層が片面に形成された高分子フィルムと金属箔とが積層されたラミネートフィルム５５ＬＭを用意し、ガラス基板５１に接着材の層が接着するようにラミネートフィルム５５ＬＭを貼りつける。接着材の層が片面に形成された高分子フィルムと金属箔とが積層されたラミネートフィルム５５ＬＭは、種々のフィルムメーカから入手することが可能で、量産性を向上させることができる。このような形態で用いられる接着材は、熱硬化タイプの接着材が好ましい。

　図２２から理解されるように、高分子層９４がスロット５７内で液晶層ＬＣに近接する。したがって、高分子層９４には、スロット基板２０１Ａの接着層９２と同様に、不純物を溶出し難く、耐熱性、化学的安定性に優れた材料で形成されることが好ましい。高分子層９４は、上述したように高分子フィルム９４として既に形成されたものを利用するので、溶剤は含んでいない。また低分子成分も少ない。したがって、適切な高分子フィルム９４の材料を選択すれば、スロット基板２０１Ｂはスロット基板２０１Ａよりも信頼性に優れる。また、高分子フィルム９４として、可撓性や靱性に優れた材料を選択すれば、ラミネートフィルム５５ＬＭを貼り付ける工程などにおいて、Ｃｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆが破壊されることを効果的に防止できる。さらに、スロット５７を打ち抜き等によって機械的に形成する際に、Ｃｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆが破壊されることを効果的に防止できる。

　このような特性を有する高分子フィルム９４として、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリフェニルスルホン、および、ポリイミド、ポリアミド等のスーパーエンジニアリングプラスチック、さらにはこれらをブレンドおよび／または変性したポリマーのフィルムが用いられる。高分子フィルム９４の厚さは、例えば、５μｍ以上２００μｍ以下である。高分子フィルム９４も導波路３０１の一部を構成するので、マイクロ波に対する誘電率および誘電損失が小さい材料を用いることが好ましい。

　以下に、実験例の一部を説明する。上記の製造方法に従って、スロット基板２０１Ｂを試作した。用いた材料は以下のとおりである。

　ガラス基板５１：旭硝子社製ＡＮ１００、厚さ０．７ｍｍ、大きさ１２７ｍｍ×１２７ｍｍ
　ラミネートフィルム５５ＬＭ（Ａｌ箔５５ｆ／ＰＥＴフィルム９４）：Ａｌ箔５５ｆの厚さ９μｍ、ＰＥＴフィルム９４の厚さ１００μｍ
　接着フィルム：熱硬化タイプ（エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂に無機フィラー含有）で厚さ２０μｍ

　（実験１）
　接着フィルムとして、熱硬化タイプ（エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂に無機フィラー含有）で厚さが２０μｍのもの（株式会社巴川製紙所製のＳＪ４１）を用いた。

　まず、ガラス基板５１に、１１０℃に保ったローラを用いて、圧力をかけながら、片方の保護フィルムを剥がした接着フィルムを貼り付けた。

　その後、残りの保護フィルムを剥がした接着フィルムに、１１０℃に保ったローラを用いて、圧力をかけながら、ラミネートフィルム５５ＬＭを貼り付けた。

　図２４に、スロットを形成する前の状態で、大気圧下１３０℃で１０分間加熱したスロット基板を、ガラス基板５１側から観察した状態を示す光学像を示す。図２４からわかるように、ガラス基板５１と接着層９２との間、および接着層９２とＰＥＴフィルム９４との間に気泡の噛み込みがなく、Ａｌ箔５５ｆが均一に平坦に貼り付けられている。ローラを加熱せずに貼り付けると、気泡を噛み込み、噛み込んだ気泡が高温下で膨張することによりＡｌ箔５５ｆが波打つ状態が観察された。このように、加熱したローラを用いて貼り付けることによって、接着フィルムが柔らかくなり、ガラス基板と密着しやすくなり、貼り合わせ時の気泡の噛み込みが抑えられる。

　また、この接着フィルムは、溶剤または低分子成分の含有量が非常に少なく、図２４に示す様に、平坦性の高いＡｌ層を形成することができた。

　（実験２）
　接着フィルムとして、反応性のウレタン系ホットメルト接着材で厚さが２０μｍのもの（パナック株式会社製のＨＭ３０）を用いた。この接着フィルムを用いると、実験１の接着フィルムを用いた場合よりも、得られたＡｌ層の平坦性が劣っていた。そこで、実験２で用いた接着フィルムが、実験１で用いた接着フィルムよりも溶剤または低分子成分の含有量が多いのではないかと考え、下記の２つの試料を作製した。

　ガラス基板５１に接着フィルムを貼り付ける前に、片方の保護フィルムを剥がした状態で０．１Ｔｏｒｒの減圧環境下（室温）に３０分間置いた。その後、１１０℃に保ったローラを用いて、圧力をかけながら、ガラス基板５１に接着フィルムを貼り付けた。その後、残りの保護フィルムを剥がした状態で、再び、０．１Ｔｏｒｒの減圧環境下（室温）に３０分間置いた。続いて、接着フィルムに、１１０℃に保ったローラを用いて、圧力をかけながら、ラミネートフィルム５５ＬＭを貼り付けた。

　図２５に、スロットを形成する前の状態で、大気圧下１３０℃で１０分間加熱したスロット基板を、ガラス基板５１側から観察した状態を示す光学像を示す。

　比較のために、上記の工程の内、減圧環境に置く工程を省略した試料を作製した。図２６に、スロットを形成する前の状態で、大気圧下１３０℃で１０分間加熱したスロット基板を、ガラス基板５１側から観察した状態を示す光学像を示す。

　図２５と図２６を比較するとわかるように、減圧工程を経た試料（図２５）の方が、減圧工程を経ていない試料（図２６）に比べて、Ａｌ層の平坦性が若干改善している。これは、接着フィルムに含まれている溶剤または低分子成分が減圧工程によって除去されたためと考えられる。したがって、溶剤や低分子成分を含む接着材を用いる場合には、減圧環境に置くなどして、これらを除去することが好ましい。

　しかしながら、図２５と図２４とを比較すると、図２４のＡｌ層の方が平坦性に優れている。これは、接着層の材料の耐熱性や吸湿性によるところが大きいと考えられる。すなわち、接着層の材料は、熱硬化タイプの方がホットメルトタイプよりも優れていると考えられる。なお、図２５の左下の白く光っている部分は映り込んだ照明光である。

　ここでは、スロット基板２０１Ｂの製造方法について実験例を説明したが、ラミネートフィルム５５ＬＭに代えて、Ａｌ箔５５ｆを用いてスロット基板２０１Ａを試作した結果も、上記と同様であった。

　次に、図２７および図２８を参照して、マザー基板５１Ｍを用いてスロット基板２０１Ｂを製造する場合の好ましい形態を説明する。

　図２７（ａ）および（ｂ）は、２１６０ｍｍ（縦）×２４６０（横）のマザー基板５１Ｍを用いて、直径が７００ｍｍの送受信領域Ｒ１（図２参照）を有する走査アンテナ用のスロット基板２０１Ａを９枚作製する場合のラミネートフィルム５５ＬＭの配置を示す。

　この場合、マザー基板５１Ｍの長手方向を３分割し、それぞれに対応するように、３枚のラミネートフィルム５５ＬＭを貼り付ける。端子領域は、送受信領域Ｒ１間に配置するように設計すればよい。なお、３枚のラミネートフィルム５５ＬＭをマザー基板５１Ｍに貼り付ける前に、図２７（ｂ）に示す様に、ラミネートフィルム５５ＬＭに切れ目９４Ｃを入れておくことが好ましい。切れ目９４Ｃは、少なくとも高分子フィルム９４に形成しておくことが好ましい。

　図２８（ａ）および（ｂ）は、２１６０ｍｍ（縦）×２４６０（横）のマザー基板５１Ｍを用いて、直径が８００ｍｍの送受信領域Ｒ１（図２参照）を有する走査アンテナ用のスロット基板２０１Ａを６枚作製する場合のラミネートフィルム５５ＬＭの配置を示す。

　この場合、マザー基板５１Ｍの短手方向を２分割し、それぞれに対応するように、２枚のラミネートフィルム５５ＬＭを貼り付ける。端子領域は、余裕のある位置に配置するように設計すればよい。なお、２枚のラミネートフィルム５５ＬＭをマザー基板５１Ｍに貼り付ける前に、図２８（ｂ）に示す様に、ラミネートフィルム５５ＬＭに切れ目９４Ｃを入れておくことが好ましい。切れ目９４Ｃは、少なくとも高分子フィルム９４に形成しておくことが好ましい。

　ラミネートフィルム５５ＬＭを用いるとハンドリング性が向上する等の利点が得られるが、Ｃｕ箔（またはＡｌ箔）５５ｆを用いる場合も上記同様に、マザー基板５１Ｍを用いてスロット基板２０１Ａを製造することができる。

　本発明による実施形態は、例えば、移動体（例えば、船舶、航空機、自動車）に搭載される衛星通信や衛星放送用の走査アンテナおよびその製造方法に用いられる。

１　　　　：誘電体基板
２　　　　：下地絶縁膜
３　　　　：ゲート電極
４　　　　：ゲート絶縁層
５　　　　：半導体層
６Ｄ　　　：ドレインコンタクト層
６Ｓ　　　：ソースコンタクト層
７Ｄ　　　：ドレイン電極
７Ｓ　　　：ソース電極
７ｐ　　　：ソース接続配線
１１　　　：第１絶縁層
１５　　　：パッチ電極
１５ｐ　　：パッチ接続部
１７　　　：第２絶縁層
１８ｇ、１８ｓ、１８ｐ　　：開口部
１９ｇ　　：ゲート端子用上部接続部
１９ｐ　　：トランスファー端子用上部接続部
１９ｓ　　：ソース端子用上部接続部
２１　　　：アライメントマーク
２３　　　：保護導電層
５１　　　：誘電体基板
５１Ｍ　　：マザー基板
５２　　　：第３絶縁層
５４　　　：誘電体層（空気層）
５５　　　：スロット電極
５５Ｌ　　：下層
５５Ｍ　　：主層
５５Ｕ　　：上層
５５ｃ　　：コンタクト面
５５ＬＭ　：ラミネートフィルム
５７　　　：スロット
５８　　　：第４絶縁層
６０　　　：上部接続部
６５　　　：反射導電板
６８　　　：ヒーター用抵抗膜
７０　　　：給電装置
７１　　　：導電性ビーズ
７２　　　：給電ピン
７３　　　：シール部
９２　　　：接着層
９３　　　：レジスト層
９３ａ　　：開口部
９４　　　：高分子フィルム（高分子層）
９４Ｃ　　：切れ目
１０１、１０２、１０３　　：ＴＦＴ基板
２０１、２０３　　：スロット基板
１０００　：走査アンテナ
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５、ＣＨ６　　：コンタクトホール
ＧＤ　　　：ゲートドライバ
ＧＬ　　　：ゲートバスライン
ＧＴ　　　：ゲート端子部
ＳＤ　　　：ソースドライバ
ＳＬ　　　：ソースバスライン
ＳＴ　　　：ソース端子部
ＰＴ　　　：トランスファー端子部
ＩＴ　　　：端子部
ＬＣ　　　：液晶層
Ｒ１　　　：送受信領域
Ｒ２　　　：非送受信領域
Ｒｓ　　　：シール領域
Ｕ　　　　：アンテナ単位、アンテナ単位領域

Claims

　複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、
　第１誘電体基板と、
　前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、
　第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、
　前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、
　前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、
　前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に、熱硬化タイプまたは光硬化タイプの接着材で形成された接着層をさらに有する、走査アンテナ。
　前記接着層は、ポリイミド樹脂を含む前記熱硬化タイプの接着材で形成されている、請求項１に記載の走査アンテナ。
　複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、
　第１誘電体基板と、
　前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、
　第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、
　前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、
　前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、
　前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に形成された接着層と、前記スロット電極と前記接着層との間に配置された高分子層とをさらに有する、走査アンテナ。
　前記高分子層は、ＰＥＴフィルムまたはＰＩフィルムで形成されている、請求項３に記載の走査アンテナ。
　前記高分子層の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下である、請求項３または４に記載の走査アンテナ。
　前記接着層は、熱硬化タイプの接着材で形成されている、請求項３から５のいずれかに記載の走査アンテナ。
　前記スロット電極は、Ｃｕ層またはＡｌ層で形成されている、請求項１から６のいずれかに記載の走査アンテナ。
　複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に、熱硬化タイプの接着材で形成された接着層をさらに有する、走査アンテナの製造方法であって、
　前記第２誘電体基板を用意する工程（ａ）と、
　熱硬化タイプの接着材の層が片面に形成された金属箔を用意する工程（ｂ）と、
　前記第２誘電体基板に前記接着材の層が接着するように前記金属箔を貼りつける工程（ｃ）と
を包含する、走査アンテナの製造方法。
　複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、
　前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に形成された接着層と、前記スロット電極と前記接着層との間に配置された高分子層とをさらに有する、走査アンテナの製造方法であって、
　前記第２誘電体基板上に前記接着層を形成する工程（ａ）と、
　高分子フィルムと金属箔とが積層されたラミネートフィルムを用意する工程（ｂ）と、
　前記接着層の上に前記ラミネートフィルムを貼りつける工程（ｃ）と
を包含する、走査アンテナの製造方法。
　複数のアンテナ単位が配列された走査アンテナであって、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板に支持された複数のＴＦＴと、複数のゲートバスラインと、複数のソースバスラインと、複数のパッチ電極とを有するＴＦＴ基板と、第２誘電体基板と、前記第２誘電体基板の第１主面上に形成されたスロット電極と有するスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記第２誘電体基板の前記第１主面と反対側の第２主面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを有し、前記スロット電極は、前記複数のパッチ電極に対応して配置された複数のスロットを有し、
　前記スロット基板は、前記第２誘電体基板と前記スロット電極との間に形成された接着層と、前記スロット電極と前記接着層との間に配置された高分子層とをさらに有する、走査アンテナの製造方法であって、
　前記第２誘電体基板を用意する工程（ａ）と、
　熱硬化タイプの接着材の層が片面に形成された高分子フィルムと金属箔とが積層されたラミネートフィルムを用意する工程（ｂ）と、
　前記第２誘電体基板に前記接着材の層が接着するように前記ラミネートフィルムを貼りつける工程（ｃ）と
を包含する、走査アンテナの製造方法。
　前記金属箔は、Ｃｕ箔またはＡｌ箔である、請求項８から１０のいずれかに記載の走査アンテナの製造方法。
　前記工程（ｃ）の前に、前記接着層を減圧環境下に置く工程をさらに包含する、請求項８から１１のいずれかに記載の走査アンテナの製造方法。