JP2017076768A5 - 酸化物の作製方法 - Google Patents

Claims (8)

1. 成膜室と、前記成膜室内に配置された一対のターゲットと、基板と、前記一対のターゲット間の空間を磁場空間とするためのマグネットと、を用いるスパッタリング法による酸化物の作製方法であって、
   前記ターゲットはインジウムと、亜鉛と、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、酸素と、を有し、
   前記一対のターゲット間に前記基板を配置し、
   前記成膜室に、酸素または／および希ガスを有するスパッタガスを供給し
   前記成膜室内の圧力を０．００５Ｐａ以上０．０９Ｐａ以下に調圧し、
   前記一対のターゲットにスパッタ電力を供給してプラズマを生成して、前記プラズマ中のイオンを用いて前記一対のターゲットをスパッタし、
   前記スパッタにより前記一対のターゲットから叩き出された粒子を、前記基板上に堆積させて成膜することを特徴とする酸化物の作製方法。
2. 成膜室と、前記成膜室内に配置された一対のターゲットと、基板と、前記一対のターゲット間の空間を磁場空間とするためのマグネットと、を用いるスパッタリング法による酸化物の作製方法であって、
   前記ターゲットはインジウムと、亜鉛と、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、酸素と、を有し、
   前記一対のターゲット間の空間の側方に前記基板を配置し、
   前記成膜室に、酸素または／および希ガスを有するスパッタガスを供給し
   前記成膜室内の圧力を０．００５Ｐａ以上０．０９Ｐａ以下に調圧し、
   前記一対のターゲットにスパッタ電力を供給してプラズマを生成して、前記プラズマ中のイオンを用いて前記一対のターゲットをスパッタし、
   前記スパッタにより前記一対のターゲットから叩き出された粒子を、前記基板上に堆積させて成膜することを特徴とする酸化物の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記基板は、前記プラズマにおける陽光柱の領域に設置されることを特徴とする酸化物の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記一対のターゲットの一方から前記基板までの水平距離をＬ１とし、
   前記一対のターゲットの他方から前記基板までの水平距離をＬ２とし、
   前記Ｌ１および前記Ｌ２は、それぞれ１０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   成膜時の前記基板の温度は、１０℃以上１００℃未満であることを特徴とする酸化物の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   成膜時の前記基板の温度は、１００℃以上５００℃以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   非晶質構造を有する表面上に形成されることを特徴とする酸化物の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記酸化物は、前記基板の法線方向における格子面間隔が０．２７ｎｍ以上０．２８ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。