JP2013179122A5 - - Google Patents
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
Claims (7)
- 不揮発性半導体メモリーであって、
シリコン基板と、
第１のシリコン酸化膜と、
第２のシリコン酸化膜と、
第３のシリコン酸化膜と、
第１のシリコン窒化膜と、
第２のシリコン窒化膜と、を含み、
前記第１のシリコン酸化膜は、前記シリコン基板上に積層され、
前記第１のシリコン窒化膜は、前記第１のシリコン酸化膜上に積層され、
前記第２のシリコン酸化膜は、前記第１のシリコン窒化膜上に積層され、
前記第３のシリコン酸化膜の厚さは、前記第１のシリコン酸化膜の厚さよりも薄く、
前記第２のシリコン窒化膜は、第１の部分が前記第１のシリコン窒化膜に接すると共に
第２の部分が前記第３のシリコン酸化膜を介して前記シリコン基板に接していることを特
徴とする不揮発性半導体メモリー。 - 更に、前記シリコン基板内にシリサイド領域を含み、
前記シリサイド領域は、前記第２のシリコン窒化膜の第２の部分に接することを特徴す
る請求項１に記載の不揮発性半導体メモリー。 - 更に、前記第２のシリコン酸化膜上に第１の電極を有し、
前記第２のシリコン窒化膜の第３の部分が前記第１の電極に接していることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の不揮発性半導体メモリー。 - 前記第３のシリコン酸化膜は、厚さが２２Å以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の不揮発性半導体メモリー。
- 前記第２のシリコン窒化膜は、厚さが４５Å以上であることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか一項に記載の不揮発性半導体メモリー。 - 不揮発性半導体メモリーの製造方法であって、
シリコン基板上に、第１のシリコン酸化膜を成膜する第１の工程と、
前記第１のシリコン酸化膜上に、第１のシリコン窒化膜を成膜する第２の工程と、
前記第１のシリコン窒化膜上に、第２のシリコン酸化膜を成膜する第３の工程と、
前記第１のシリコン酸化膜、前記第１のシリコン窒化膜及び第２のシリコン酸化膜を所
定の形状にパターニングする第４の工程と、
前記第４の工程の後に第２のシリコン窒化膜を成膜する第５の工程と、を含み、
前記第４の工程において、前記第１のシリコン窒化膜及び前記シリコン基板が露出され、
前記第４の工程と前記第５の工程の間の第６の工程において、前記シリコン基板が露出
された領域に第３のシリコン酸化膜が形成され、
前記第５の工程において、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜とが
接することを特徴とする不揮発性半導体メモリーの製造方法。 - 不揮発性半導体メモリーの製造方法であって、
シリコン基板上に、第１のシリコン酸化膜を成膜する第１の工程と、
前記第１のシリコン酸化膜上に、第１のシリコン窒化膜を成膜する第２の工程と、
前記第１のシリコン窒化膜上に、第２のシリコン酸化膜を成膜する第３の工程と、
前記第１のシリコン酸化膜、前記第１のシリコン窒化膜及び第２のシリコン酸化膜を所
定の形状にパターニングする第４の工程と、
前記第４の工程の後に第２のシリコン窒化膜を成膜する第５の工程と、を含み、
前記第４の工程において、前記第１のシリコン窒化膜が露出され、前記第１のシリコン
酸化膜をエッチングすることで前記第１のシリコン酸化膜より膜厚が薄い第３のシリコン
酸化膜が形成され、
前記第５の工程において、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜とが
接することを特徴とする不揮発性半導体メモリーの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012041221A JP5998521B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 不揮発性半導体メモリー及び不揮発性半導体メモリーの製造方法 |
| KR1020147026353A KR101618160B1 (ko) | 2012-02-28 | 2013-02-22 | 불휘발성 반도체 메모리 및 불휘발성 반도체 메모리의 제조 방법 |
| PCT/JP2013/001031 WO2013128864A1 (ja) | 2012-02-28 | 2013-02-22 | 不揮発性半導体メモリー及び不揮発性半導体メモリーの製造方法 |
| US14/377,278 US9461138B2 (en) | 2012-02-28 | 2013-02-22 | Non-volatile semiconductor memory with nitride sidewall contacting nitride layer of ONO gate stack and methods for producing the same |
| CN201380010880.4A CN104137239B (zh) | 2012-02-28 | 2013-02-22 | 非易失性半导体存储器以及非易失性半导体存储器的制造方法 |
| TW102106457A TWI609480B (zh) | 2012-02-28 | 2013-02-23 | Non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012041221A JP5998521B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 不揮発性半導体メモリー及び不揮発性半導体メモリーの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013179122A JP2013179122A (ja) | 2013-09-09 |
| JP2013179122A5 true JP2013179122A5 (ja) | 2015-04-02 |
| JP5998521B2 JP5998521B2 (ja) | 2016-09-28 |
Family
ID=49082077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012041221A Active JP5998521B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 不揮発性半導体メモリー及び不揮発性半導体メモリーの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9461138B2 (ja) |
| JP (1) | JP5998521B2 (ja) |
| KR (1) | KR101618160B1 (ja) |
| CN (1) | CN104137239B (ja) |
| TW (1) | TWI609480B (ja) |
| WO (1) | WO2013128864A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6880595B2 (ja) | 2016-08-10 | 2021-06-02 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US10777566B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-09-15 | Macronix International Co., Ltd. | 3D array arranged for memory and in-memory sum-of-products operations |
| US10957392B2 (en) | 2018-01-17 | 2021-03-23 | Macronix International Co., Ltd. | 2D and 3D sum-of-products array for neuromorphic computing system |
| US10719296B2 (en) | 2018-01-17 | 2020-07-21 | Macronix International Co., Ltd. | Sum-of-products accelerator array |
| US20190244662A1 (en) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | Macronix International Co., Ltd. | Sum-of-products array for neuromorphic computing system |
| JP6976190B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2021-12-08 | キオクシア株式会社 | 記憶装置 |
| US10635398B2 (en) | 2018-03-15 | 2020-04-28 | Macronix International Co., Ltd. | Voltage sensing type of matrix multiplication method for neuromorphic computing system |
| US11138497B2 (en) | 2018-07-17 | 2021-10-05 | Macronix International Co., Ltd | In-memory computing devices for neural networks |
| US11636325B2 (en) | 2018-10-24 | 2023-04-25 | Macronix International Co., Ltd. | In-memory data pooling for machine learning |
| US10672469B1 (en) | 2018-11-30 | 2020-06-02 | Macronix International Co., Ltd. | In-memory convolution for machine learning |
| US11562229B2 (en) | 2018-11-30 | 2023-01-24 | Macronix International Co., Ltd. | Convolution accelerator using in-memory computation |
| US11934480B2 (en) | 2018-12-18 | 2024-03-19 | Macronix International Co., Ltd. | NAND block architecture for in-memory multiply-and-accumulate operations |
| US11119674B2 (en) | 2019-02-19 | 2021-09-14 | Macronix International Co., Ltd. | Memory devices and methods for operating the same |
| US10783963B1 (en) | 2019-03-08 | 2020-09-22 | Macronix International Co., Ltd. | In-memory computation device with inter-page and intra-page data circuits |
| US11132176B2 (en) | 2019-03-20 | 2021-09-28 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile computing method in flash memory |
| US10910393B2 (en) | 2019-04-25 | 2021-02-02 | Macronix International Co., Ltd. | 3D NOR memory having vertical source and drain structures |
| JP2021061450A (ja) * | 2021-01-20 | 2021-04-15 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US11737274B2 (en) | 2021-02-08 | 2023-08-22 | Macronix International Co., Ltd. | Curved channel 3D memory device |
| US11916011B2 (en) | 2021-04-14 | 2024-02-27 | Macronix International Co., Ltd. | 3D virtual ground memory and manufacturing methods for same |
| US11710519B2 (en) | 2021-07-06 | 2023-07-25 | Macronix International Co., Ltd. | High density memory with reference memory using grouped cells and corresponding operations |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07226502A (ja) | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Sony Corp | Ｍｏｓトランジスタ及びその製造方法 |
| JP3240999B2 (ja) | 1998-08-04 | 2001-12-25 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| US6573132B1 (en) | 1999-03-25 | 2003-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device having contacts self-aligned with a gate electrode thereof |
| JP3482171B2 (ja) | 1999-03-25 | 2003-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4730999B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2011-07-20 | スパンション エルエルシー | 不揮発性メモリの製造方法 |
| JP3961211B2 (ja) | 2000-10-31 | 2007-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002222876A (ja) | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶素子及びその製造方法 |
| JP3641596B2 (ja) | 2001-05-09 | 2005-04-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| US6555865B2 (en) | 2001-07-10 | 2003-04-29 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device with a multi-layer sidewall spacer structure and method for manufacturing the same |
| JP2003264247A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JP3987418B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2007-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| KR100463184B1 (ko) | 2003-01-30 | 2004-12-23 | 아남반도체 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 제조 방법 |
| KR100546692B1 (ko) * | 2004-05-03 | 2006-01-26 | 동부아남반도체 주식회사 | 플래시 메모리 소자의 제조 방법 |
| JP2006032541A (ja) | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| KR100642898B1 (ko) | 2004-07-21 | 2006-11-03 | 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. | 반도체 장치의 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP4890435B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2012-03-07 | スパンション エルエルシー | 不揮発性メモリ及びその制御方法 |
| US7405441B2 (en) * | 2005-03-11 | 2008-07-29 | Infineon Technology Ag | Semiconductor memory |
| JP4783044B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-09-28 | 株式会社Ｇｅｎｕｓｉｏｎ | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2007005699A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JP2008218727A (ja) | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2009071325A (ja) * | 2008-11-25 | 2009-04-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US8471328B2 (en) * | 2010-07-26 | 2013-06-25 | United Microelectronics Corp. | Non-volatile memory and manufacturing method thereof |
| US8629025B2 (en) * | 2012-02-23 | 2014-01-14 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
-
2012
- 2012-02-28 JP JP2012041221A patent/JP5998521B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-22 KR KR1020147026353A patent/KR101618160B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-22 WO PCT/JP2013/001031 patent/WO2013128864A1/ja active Application Filing
- 2013-02-22 US US14/377,278 patent/US9461138B2/en active Active
- 2013-02-22 CN CN201380010880.4A patent/CN104137239B/zh active Active
- 2013-02-23 TW TW102106457A patent/TWI609480B/zh active
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