JP2010135770A5 - 半導体装置の作製方法及び半導体装置 - Google Patents
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- 基板上方に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上方に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上方に、第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上方に、第２の酸化物半導体層を形成し、
酢酸、硝酸、及び燐酸を用いたウェットエッチングにより、前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層のエッチングを行い、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上方に、第２の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１において、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上方の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の、ゲート電極と、
前記ゲート電極上方の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方の、第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方の、第３の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第３の酸化物半導体層上方の、第３の絶縁層と、を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第１の酸化物半導体層の少なくとも一部と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項３において、
前記第１の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項３又は４において、
前記第１の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、又は窒化酸化アルミニウムを有し、
前記第２の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、又は窒化酸化アルミニウムを有し、
前記第３の絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、又は窒化酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
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