JP2010123932A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に位置する凹部を有し、
   前記第１の導電層の端部と、前記第２の導電層の端部と、前記酸化物半導体層の前記凹部の端部とは、同じ工程で形成された傾斜を有する領域を有し、
   前記絶縁層は、前記凹部及び前記傾斜を有する領域に接する領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を含むことを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に位置する凹部を有し、
   前記第１の導電層の端部と、前記第２の導電層の端部と、前記酸化物半導体層の前記凹部の端部とは、同じ工程で形成された傾斜を有する領域を有し、
   前記絶縁層は、前記凹部及び前記傾斜を有する領域に接する領域を有し、
   前記第１の導電層の端部の傾斜を有する領域と、前記酸化物半導体層の前記凹部の端部の傾斜を有する領域とは、異なる傾斜角を有しており、
   前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を含むことを特徴とする半導体装置。