JP2010123935A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に位置する凹部を有し、
   前記第１の導電層の端部と、前記第２の導電層の端部と、前記酸化物半導体層の前記凹部の端部とは、同じ工程で形成された傾斜を有する領域を有し、
   前記絶縁層は、前記凹部及び前記傾斜を有する領域に接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に位置する凹部を有し、
   前記第１の導電層の端部と、前記第２の導電層の端部と、前記酸化物半導体層の前記凹部の端部とは、同じ工程で形成された傾斜を有する領域を有し、
   前記絶縁層は、前記凹部及び前記傾斜を有する領域に接する領域を有し、
   前記第１の導電層の端部の傾斜を有する領域と、前記酸化物半導体層の前記凹部の端部の傾斜を有する領域とは、異なる傾斜角を有していることを特徴とする半導体装置。
3. ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
   前記酸化物半導体層と、前記第１の導電層との間に、第１のｎ型領域を有し、
   前記酸化物半導体層と、前記第２の導電層との間に、第２のｎ型領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、前記第１のｎ型領域と前記第２のｎ型領域との間に位置する凹部を有し、
   前記第１の導電層の端部と、前記第２の導電層の端部と、前記第１のｎ型領域の端部と、前記第２のｎ型領域の端部とは、同じ工程で形成された傾斜を有する領域を有することを特徴とする半導体装置。