JP2010097212A5 - 表示装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 画素部及び共通接続部を有する第１の基板と、
   第１の導電層を有する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間の導電性粒子と、を有し、
   前記画素部は、
   前記第１の基板上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の第３の導電層と、
   前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第１の絶縁層上の第３の酸化物半導体層と、
   前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層に形成された第１のコンタクトホールを介して前記第３の導電層と電気的に接続された、前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、を有し、
   前記共通接続部は、
   前記第１の基板上の第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上の第４の酸化物半導体層と、
   前記第４の酸化物半導体層上の第５の導電層と、
   前記第５の導電層上の第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層に形成された第２のコンタクトホールを介して前記第５の導電層と電気的に接続された、前記第４の絶縁層上の第６の導電層と、を有し、
   前記第６の導電層は、前記導電性粒子を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は同じ材料で形成され、
   前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第４の酸化物半導体層は同じ材料で形成され、
   前記第２の導電層、前記第３の導電層、及び前記第５の導電層は同じ材料で形成され、
   前記第２の絶縁層及び前記第４の絶縁層は同じ材料で形成され、
   前記第４の導電層及び前記第６の導電層は同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
2. 画素部及び共通接続部を有する第１の基板と、
   第１の導電層を有する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間の導電性粒子と、を有し、
   前記画素部は、
   前記第１の基板上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の第３の導電層と、
   前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第１の絶縁層上の第３の酸化物半導体層と、
   前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層に形成された第１のコンタクトホールを介して前記第３の導電層と電気的に接続された、前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、を有し、
   前記共通接続部は、
   前記第１の基板上の第５の導電層と、
   前記第５の導電層上の第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層及び前記第４の絶縁層に形成された第２のコンタクトホールを介して前記第５の導電層と電気的に接続された、前記第４の絶縁層上の第６の導電層と、を有し、
   前記第６の導電層は、前記導電性粒子を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記ゲート電極及び前記第５の導電層は同じ材料で形成され、
   前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は同じ材料で形成され、
   前記第２の絶縁層及び前記第４の絶縁層は同じ材料で形成され、
   前記第４の導電層及び前記第６の導電層は同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
3. 画素部及び共通接続部を有する第１の基板と、
   第１の導電層を有する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間の導電性粒子と、を有し、
   前記画素部は、
   前記第１の基板上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の第３の導電層と、
   前記第２導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第１の絶縁層上の第３の酸化物半導体層と、
   前記第２の導電層上、前記第３の導電層上、及び前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層に形成された第１のコンタクトホールを介して前記第３の導電層と電気的に接続された、前記第２の絶縁層上の第４の導電層と、を有し、
   前記共通接続部は、
   前記第１の基板上の第５の導電層と、
   前記第５の導電層上の第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上の第４の酸化物半導体層と、
   前記第４の酸化物半導体層上の第６の導電層と、
   前記第６の導電層上の第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層に形成された第２のコンタクトホールを介して前記第６の導電層と電気的に接続された、前記第４の絶縁層上の第７の導電層と、を有し、
   前記第７の導電層は、前記導電性粒子を介して前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記ゲート電極及び前記第５の導電層は同じ材料で形成され、
   前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は同じ材料で形成され、
   前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第４の酸化物半導体層は同じ材料で形成され、
   前記第２の導電層、前記第３の導電層、及び前記第６の導電層は同じ材料で形成され、
   前記第２の絶縁層及び前記第４の絶縁層は同じ材料で形成され、
   前記第４の導電層及び前記第７の導電層は同じ材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層、前記第２の酸化物半導体層、及び前記第３の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする表示装置。