JP2010141308A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１の導電層を有し、
   前記第１の導電層の上方に第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方にｎ型の導電型を有する第１及び第２の層を有し、
   前記第１の層の上方に第１の電極を有し、
   前記第２の層の上方に第２の電極を有し、
   前記第１の電極の上方にｎ型の導電型を有する第３の層を有し、
   前記第２の電極の上方にｎ型の導電型を有する第４の層を有し、
   前記第３の層と前記第４の層の間の前記第１の絶縁層の上方、前記第３の層の上方、及び前記第４の層の上方に第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第１の酸化物半導体層の上方に第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層の上方に第２の導電層を有し、
   前記第１の導電層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２の導電層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１の導電層を有し、
   前記第１の導電層の上方に第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方にｎ型の導電型を有する第１及び第２の層を有し、
   前記第１の層の上方に第１の電極を有し、
   前記第２の層の上方に第２の電極を有し、
   前記第１の電極の上方にｎ型の導電型を有する第３の層を有し、
   前記第２の電極の上方にｎ型の導電型を有する第４の層を有し、
   前記第３の層と前記第４の層の間の前記第１の絶縁層の上方、前記第３の層の上方、及び前記第４の層の上方に第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第１の酸化物半導体層の上方に第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層の上方に第２の導電層を有し、
   前記第１の導電層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２の導電層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、
   第３の導電層を有し、
   前記第３の導電層の上方に前記第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方にｎ型の導電型を有する第５及び第６の層を有し、
   前記第５の層の上方に第３の電極を有し、
   前記第６の層の上方に第４の電極を有し、
   前記第３の電極の上方にｎ型の導電型を有する第７の層を有し、
   前記第４の電極の上方にｎ型の導電型を有する第８の層を有し、
   前記第７の層と前記第８の層の間の前記第１の絶縁層の上方、前記第７の層の上方、及び前記第８の層の上方に第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第３の導電層は、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第１のトランジスタは駆動回路部に設けられ、
   前記第２のトランジスタは画素部に設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１の導電層を有し、
   前記第１の導電層の上方に第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方にｎ型の導電型を有する第１及び第２の層を有し、
   前記第１の層の上方に第１の電極を有し、
   前記第２の層の上方に第２の電極を有し、
   前記第１の電極の上方にｎ型の導電型を有する第３の層を有し、
   前記第２の電極の上方にｎ型の導電型を有する第４の層を有し、
   前記第３の層と前記第４の層の間の前記第１の絶縁層の上方、前記第３の層の上方、及び前記第４の層の上方に第１の酸化物半導体層を有し、
   前記第１の酸化物半導体層の上方に第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層の上方に第２の導電層を有し、
   前記第１の導電層は、前記第１酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２の導電層は、前記第１酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、
   第３の導電層を有し、
   前記第３の導電層の上方に前記第１の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層の上方にｎ型の導電型を有する第５及び第６の層を有し、
   前記第５の層の上方に第３の電極を有し、
   前記第６の層の上方に第４の電極を有し、
   前記第３の電極の上方にｎ型の導電型を有する第７の層を有し、
   前記第４の電極の上方にｎ型の導電型を有する第８の層を有し、
   前記第７の層と前記第８の層の間の前記第１の絶縁層の上方、前記第７の層の上方、及び前記第８の層の上方に第２の酸化物半導体層を有し、
   前記第３の導電層は、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタの一方は、エンハンスメント型トランジスタとして機能させることができ、
   前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタの他方は、デプレッション型トランジスタとして機能させることができることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２の導電層は、透光性を有する導電材料を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１の導電層の幅は、前記第２の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第２の導電層の幅は、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層には、同じ電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記第１の導電層と前記第２の導電層には、異なる電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体層は、前記第１の電極の側面及び前記第２の電極の側面に接し、前記第１の電極の上面及び前記第２の電極の上面には接しないことを特徴とする半導体装置。