CN103268876B - 静电释放保护电路、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置领域，特别涉及静电释放保护电路、显示面板和显示装置。本发明实施例静电释放保护电路包括至少一个静电保护元件，其包括：位于衬底基板上的底栅电极，位于底栅电极上的第一绝缘层，位于第一绝缘层上且与底栅电极的位置对应的有源层，位于有源层上的第二绝缘层，位于第二绝缘层上且与有源层的位置对应的顶栅电极，位于顶栅电极上的第三绝缘层，及位于第三绝缘层上且分别位于顶栅电极两侧的第一电极和第二电极；其中底栅电极、顶栅电极与第一电极电连接，并与电源线或显示面板的显示区域的电路连接，第二电极与显示区域的电路或电源线电连接。本发明实施例静电释放保护电路增加了静电的释放路径，从而提高了自身的防静电能力。

Description

静电释放保护电路、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置领域，特别涉及一种静电释放保护电路及具有该静电释放保护电路的显示面板和显示装置。

背景技术

液晶显示装置(LCD，LiquidCrystalDisplay)具有功耗低、辐射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示装置、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，低温多晶硅液晶显示装置(LTPSLCD，LowTemperaturePolySiliconLiquidCrystalDisplay)是液晶显示装置中的主流产品。

液晶显示装置中的显示面板包括：TFT阵列基板、彩膜(ColorFilter，CF)基板以及位于TFT阵列基板与CF基板之间的液晶，其中，TFT阵列基板包括由多条栅线(Gateline)及多条数据线(Dataline)围设而成的多个像素单元；每个像素单元中的像素电极通过与其连接的一个TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)开关进行控制，从而显示图像。其中，显示面板中的像素单元所在的区域定义为显示区域，除显示区域之外的其他区域为非显示区域。

由于液晶显示装置容易受到静电释放(ElectrostaticDischarge，ESD)的影响，若不及时释放栅线和/或数据线上的高压静电，会对液晶显示装置的显示效果产生影响。因此，在液晶显示装置的显示面板的非显示区域设置包括多个用于释放栅线或数据线上产生的静电电压的ESD保护元件的ESD保护电路。其中，ESD保护元件一般为由TFT构成，该TFT的源电极(或漏电极)与栅线(或数据线)连接，该TFT的漏电极(或源电极)和栅极都与电源信号线连接。当栅线(或数据线)与电源信号线的电压差大于该TFT的开启电压时，该TFT导通，并将栅线(或数据线)的静电电压释放到电源信号线上，以达到释放静电电压的目的。

但是，现有ESD保护电路存在以下缺陷：

1、当液晶显示装置的背光源照射到ESD保护元件的TFT沟道后，产生光生载流子，形成的漏电流会对液晶显示装置的显示质量产生影响，如产生亮线；

2、对于一条与ESD保护元件连接的栅线或数据线来说，由于其静电释放通道只有一条，因此，现有的ESD保护电路的防静电能力较低；

3、由于外部附着的静电或其他外部电场的存在，对ESD保护元件中各TFT的阈值电压(thresholdvoltage)造成影响，从而影响液晶显示装置的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供了一种静电释放保护电路及具有该静电释放保护电路的显示面板和显示装置，用于解决现有ESD保护电路存在的防静电能力较低、易对液晶显示装置的显示质量产生影响等问题。

本发明实施例提供的第一种静电释放保护电路，位于显示面板的非显示区域，包括至少一个静电保护元件，所述静电保护元件包括：

位于所述显示面板的衬底基板上的底栅电极，位于所述底栅电极上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层上且与所述底栅电极的位置对应的有源层，位于所述有源层上的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层上且与所述有源层的位置对应的顶栅电极，位于所述顶栅电极上的第三绝缘层，及位于所述第三绝缘层上且分别位于所述顶栅电极两侧的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第一过孔与所述有源层物理连接；所述第二电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第二过孔与所述有源层物理连接；所述底栅电极、所述顶栅电极与所述第一电极电连接，并与电源线或所述显示面板的显示区域的电路电连接，所述第二电极与所述显示面板的显示区域的电路或电源线电连接；

若所述第一电极是源电极，则所述第二电极为漏电极；若所述第一电极是漏电极，则所述第二电极为源电极。

本发明实施例提供的第二种静电释放保护电路，位于显示面板的非显示区域，包括至少一个静电保护元件，所述静电保护元件还包括：

位于所述显示面板的衬底基板上且互不接触的第一底栅电极和第二底栅电极；

位于所述第一底栅电极和所述第二底栅电极上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上且分别与所述第一底栅电极和所述第二底栅电极的位置对应且互不接触的第一有源层和第二有源层；

位于所述第一有源层和所述第二有源层上的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层上且分别与所述第一有源层和所述第二有源层的位置对应的第一顶栅电极和第二顶栅电极，其中，所述第一顶栅电极与所述第二顶栅电极互不接触；

位于所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极上的第三绝缘层；及

位于所述第三绝缘层上且分别位于所述第一顶栅电极两侧的第一电极和第二电极，及分别位于所述第二顶栅电极两侧的第三电极和第四电极；其中，所述第一电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第一过孔与所述第一有源层物理连接；所述第二电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第二过孔与所述第一有源层物理连接；所述第三电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第四过孔与所述第二有源层物理连接；所述第四电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第五过孔与所述第二有源层物理连接；所述第一底栅电极、所述第一顶栅电极与所述第一电极电连接，并与第一电源线或所述显示面板的显示区域的电路电连接；所述第二电极与所述显示面板的显示区域的电路或所述第一电源线电连接；所述第二底栅电极、所述第二顶栅电极与所述第三电极电连接，并与第二电源线或所述显示面板的显示区域的电路电连接，所述第四电极与所述显示面板的显示区域的电路或所述第二电源线电连接；

若所述第一电极是源电极，则所述第二电极为漏电极；若所述第一电极是漏电极，则所述第二电极为源电极；若所述第三电极是源电极，则所述第四电极为漏电极；若所述第三电极是漏电极，则所述第四电极为源电极。

本发明实施例提供的一种显示面板，其非显示区域包括：静电释放保护电路；

其中，所述静电释放保护电路为：如上述第一种静电释放保护电路，或上述第二种静电释放保护电路。

本发明实施例提供的一种显示装置，包括上述的显示面板。

本发明实施例静电释放保护电路中包含的至少一个静电保护元件由两个并联连接的顶栅型TFT和底栅型TFT组成，由于底栅电极、顶栅电极及第一电极均与电源线电连接，第二电极与显示面板的显示区域的电路电连接，在显示区域的电路的静电电压大于该顶栅TFT及底栅TFT的开启电压后，该静电电压能够分别通过顶栅型TFT和底栅型TFT释放至与其连接的电源线，增加了静电的释放路径，从而提高了静电释放的速度，有效避免了由于静电释放速度过慢引起的TFT元件烧毁、电弧放电现象等；同时，提高了ESD保护电路的防静电能力；

再者，由于本发明实施例的静电保护元件的底栅电极能够遮挡从背光源发出的光线，从而进一步降低了漏电流的大小；又由于本发明实施例的静电保护元件的底栅电极与电源线连接，能够起到静电屏蔽作用，从而防止静电保护元件的阈值电压受到外界信号干扰而影响液晶显示装置的显示效果；

再者，本发明提供的静电保护元件在制备方法上可与现有制备工艺兼容，不会增加新的工艺步骤，简单易于实现。

附图说明

图1为本发明实施例的第一种静电保护电路中包含的静电保护元件的剖面结构示意图；

图2为本发明实施例的第一种静电保护电路中包含的静电保护元件的等效电路示意图；

图3为本发明实施例的第二种静电保护电路中包含的静电保护元件的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例的第二种静电保护电路中包含的静电保护元件的等效电路示意图；

图5为本发明实施例的第三种静电保护电路中包含的静电保护元件的等效电路示意图；

图6为本发明实施例的第四种静电保护电路中包含的静电保护元件的等效电路示意图。

具体实施方式

本发明实施例静电释放保护电路的静电保护元件通过相互并联的且共用有源层和源极、漏极的底栅型TFT和顶栅型TFT，增加了静电的释放路径，提高了静电释放的速度，提高了ESD保护电路的防静电能力。

通常，可以称该相互并联的且共用有源层和源极、漏极的底栅型TFT和顶栅型TFT构成的结构为双栅TFT。

下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。

参见图1所示，本发明实施例提供的第一种静电释放保护电路，该静电释放保护电路位于显示面板的非显示区域，包括至少一个静电保护元件，该静电保护元件具体包括：

位于显示面板的衬底基板10上的底栅电极11；

位于底栅电极11上的第一绝缘层12；

位于第一绝缘层12上且与底栅电极11的位置对应的有源层13；

位于有源层13上的第二绝缘层14；

位于第二绝缘层14上且与有源层13的位置对应的顶栅电极15；

位于顶栅电极15上的第三绝缘层16；以及

位于第三绝缘层16上且分别位于顶栅电极15两侧的第一电极17和第二电极18。

优选的，本实施例中，底栅电极11、顶栅电极15、第一电极17、第二电极18可以为钼Mo、铝Al、铌Nb及锑Ti等金属中的一种或由至少两种金属形成的合金；其中，底栅电极11、顶栅电极15、第一电极17及第二电极18可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。

进一步，底栅电极11采用遮盖金属材料，如钼(Mo)、铝(Al)等金属材料，从而能够遮挡来自背光源的光线。

底栅电极11至少覆盖于有源层13中与顶栅电极15对应的区域(即TFT沟道区域)S1和有源层13中的低掺杂区S2，使背光源的光线不能照射到该TFT沟道区域S1及低掺杂区S2。

需要说明的是，有源层13中除了TFT沟道区域及低掺杂区外，其余区域均为高掺杂区(即欧姆接触区)。

由于底栅电极采用能够遮光的导电材料，从而能够遮挡来自背光源的光线照射在TFT沟道区域S1及低掺杂区S2，减小了由于光照产生的光生载流子，进而降低了漏电流的大小。

优选的，本实施例中，第一绝缘层12、第二绝缘层14、第三绝缘层16可以为氮化硅SiNx、氧化硅SiO2等绝缘材料；其中，第一绝缘层12、第二绝缘层14、第三绝缘层16可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。

优选的，本实施例中，有源层13包括顶栅电极15对应的区域(即TFT沟道区域)S1、低掺杂区S2和欧姆接触区(即有源层13中的高掺杂区)，有源层13为非晶硅或多晶硅材料，欧姆接触区的掺杂的杂质类型与有源层其他区域的掺杂的杂质类型相同，但掺杂浓度更高，以降低有源层与第一电极17和/或第二电极18之间的接触电阻。

进一步，根据有源层13中的掺杂层中掺杂的杂质不同，有源层又分为P型半导体和N型半导体。

本实施例中，第一电极17与第二电极18分别为源电极与漏电极；

具体的，若第一电极17是源电极，则第二电极18即为漏电极；若第一电极17是漏电极，则第二电极18即为源电极。

进一步，本实施例中，第一电极17通过贯穿于第二绝缘层14及第三绝缘层16的第一过孔与有源层13物理连接；第二电极18通过贯穿于第二绝缘层14及第三绝缘层16的第二过孔与有源层13物理连接，且第一电极17通过贯穿于第一绝缘层12、第二绝缘层14及第三绝缘层16的第三过孔与底栅电极11物理连接。

参见图2所示，本实施例中，底栅电极11、顶栅电极15与第一电极17电连接，第一电极17与电源线a或与显示面板的显示区域的电路b电连接，相应的，第二电极18与显示面板的显示区域的电路b或与电源线a电连接；

显示面板的显示区域中的电路b可以为栅线(即扫描线)、数据线或公共电极线等导电线路，只要该电路与本发明实施例的静电保护电路的静电保护元件连接，当该电路上产生的静电大于静电保护元件的开启电压后，就能通过该静电保护元件将产生的静电释放至与该静电保护元件连接的电源线上，以起到显示区域的电路的作用。

本实施例中，若有源层13为P型半导体，则第一电极17与电源线a电连接，第二电极18与电路b电连接；

若有源层13为N型半导体，则第一电极17与电路b电连接，第二电极18与电源线a电连接；其中，电源线a上施加的电压为高电位(如5V～10V)。

需要说明的是，底栅电极11、顶栅电极15、第一电极17与电路b或电源线a只要实现电学上的连接即可，其实际的物理连接可以根据实际需求灵活设计。比如，第一电极17与电源线a电连接，若电源线a与第一电极17位于同一层，顶栅电极15可以通过一贯穿第三绝缘层的过孔与第一电极17物理连接，同时电源线a与第一电极17在同一层物理连接；顶栅电极15还可以通过一贯穿第三绝缘层的过孔与电源线a物理连接；

若电源线a与底栅电极11位于同一层，顶栅电极15可以通过一贯穿第一绝缘层、第二绝缘层的过孔与电源线a物理连接；顶栅电极15还可以通过一贯穿第三绝缘层的过孔与第一电极17物理连接，同时电源线a与底栅电极11在同一层物理连接。

另外，第二电极18与显示面板的显示区域的电路b或与电源线a只要实现电学上的连接即可，其实际的物理连接可以根据实际需求灵活设计。

从图2可以看出，顶栅型TFT提供一条放电路径(L1)，底栅型TFT提供了另一条放电路径(L2)；这样就大大加强了该静电保护电路的放电能力。

参见图3所示，本发明实施例提供的第二种静电释放保护电路，其位于显示面板的非显示区域，包括至少一个静电保护元件，静电保护元件还包括：

位于显示面板的衬底基板10上且互不接触的第一底栅电极11A和第二底栅电极11B；

位于第一底栅电极11A和第二底栅电极11B上的第一绝缘层12；

位于第一绝缘层12上且分别与第一底栅电极11A和第二底栅电极11B的位置对应且互不接触的第一有源层13A和第二有源层13B；

位于第一有源层13A和第二有源层13B上的第二绝缘层14；

位于第二绝缘层14上且分别与第一有源层13A和第二有源层13B的位置对应的第一顶栅电极15A和第二顶栅电极15B，其中，第一顶栅电极15A与第二顶栅电极15B互不接触；

位于第一顶栅电极15A和第二顶栅电极15B上的第三绝缘层16；及

位于第三绝缘层16上且分别位于第一顶栅电极15A两侧的第一电极17和第二电极18，及分别位于第二顶栅电极15B两侧的第三电极19和第四电极20；

优选的，本实施例中，第一底栅电极11A、第二底栅电极11B、第一顶栅电极15A、第二顶栅电极15B、第一电极17、第二电极18、第三电极19及第四电极20可以为钼Mo、铝Al、铌Nb及锑Ti等金属中的一种或由至少两种金属形成的合金；其中，第一底栅电极11A、第二底栅电极11B、第一顶栅电极15A、第二顶栅电极15B、第一电极17、第二电极18、第三电极19及第四电极20可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。

进一步，第一底栅电极11A采用遮盖金属材料，如钼(Mo)、铝(Al)等金属材料；第二底栅电极11B采用遮盖金属材料，如钼(Mo)、铝(Al)等金属材料，从而能够遮挡来自背光源的光线；

本实施例中，第一底栅电极11A至少覆盖于第一有源层13A中与第一顶栅电极15A对应的区域(即第一TFT沟道区域)及第一有源层13A中的低掺杂区；

由于第一底栅电极11A采用能够遮光的导电材料，从而能够遮挡来自背光源的光线照射在第一TFT沟道区域以及第一有源层13A中的低掺杂区，减小了由于光照产生的光生载流子，进而降低了漏电流的大小。

本实施例中，第二底栅电极11B至少覆盖于第二有源层13B中与第二顶栅电极15B对应的区域(即第二TFT沟道区域)及第二有源层13B中的低掺杂区；

由于第二底栅电极11B采用能够遮光的导电材料，从而能够遮挡来自背光源的光线照射在第二TFT沟道区域及第二有源层13B中的低掺杂区，减小了由于光照产生的光生载流子，进而降低了漏电流的大小。

优选的，第一绝缘层12、第二绝缘层14、第三绝缘层16可以为氮化硅SiNx、氧化硅SiO2等绝缘材料；其中，第一绝缘层12、第二绝缘层14、第三绝缘层16可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。

优选的，本实施例中，第一有源层13A包括第一TFT沟道区域S1A、第一有源层13A的低掺杂区S2A和欧姆接触区(即第一有源层13A中的高掺杂区，也就是第一有源层13A中除第一TFT沟道区域S1A和低掺杂区S2A之外的其他区域)，第一有源层13A为非晶硅或多晶硅材料，欧姆接触区的掺杂的杂质类型与有源层其他区域的掺杂的杂质类型相同，但掺杂浓度更高，以降低第一有源层13A与第一电极17和/或第二电极18之间的接触电阻；

进一步，根据第一有源层13A中的掺杂层中掺杂的杂质不同，第一有源层13A又分为P型半导体和N型半导体。

优选的，本实施例中，第二有源层13B包括第二TFT沟道区域S1B、第二有源层13B的低掺杂区S2B和欧姆接触区(即第二有源层13B中的高掺杂区，也就是第二有源层13B中除第二TFT沟道区域S1B和低掺杂区S2B之外的其他区域)，第二有源层13B为非晶硅或多晶硅材料，欧姆接触区为半导体掺杂层，通常欧姆接触区的掺杂的杂质类型与有源层的掺杂的杂质类型相同，但掺杂浓度更高，以降低第二有源层13B与第三电极19和/或第四电极20之间的接触电阻；

进一步，根据第二有源层13B中的掺杂层中掺杂的杂质不同，第二有源层13B又分为P型半导体和N型半导体。

本实施例中，第一电极17与第二电极18分别为源电极与漏电极；第三电极19与第四电极20分别为源电极与漏电极。

进一步，本实施例中，第一电极17通过贯穿于第二绝缘层14及第三绝缘层16的第一过孔与第一有源层13A物理连接；第二电极18通过贯穿于第二绝缘层14及第三绝缘层16的第二过孔与第一有源层13A物理连接，且第一电极17通过贯穿于第一绝缘层12、第二绝缘层14及第三绝缘层16的第三过孔与第一底栅电极11A物理连接；

第三电极19通过贯穿于第二绝缘层14及第三绝缘层16的第四过孔与第二有源层13B物理连接；第四电极20通过贯穿于第二绝缘层14及第三绝缘层16的第五过孔与第二有源层13B物理连接，且第三电极通过贯穿于第一绝缘层12、第二绝缘层14及第三绝缘层16的第六过孔与第二底栅电极11B物理连接。

参见图4所示，本实施例中，第一底栅电极11A、第一顶栅电极15A与第一电极17电连接，第二底栅电极11B、第二顶栅电极15B与第三电极19电连接；

第一电极17与第一电源线a1或电路b电连接，第二电极18与电路b或第一电源线a1电连接；第三电极19与第二电源线a2或电路b电连接，第四电极20与电路b或第二电源线a2电连接；

本实施例中，若第一有源层13A为P型半导体，第一电极17与第一电源线a1电连接，第二电极18与电路b电连接；若第一有源层13A为N型半导体，第一电极17与电路b电连接，第二电极18与第一电源线a1电连接；其中，第一电源线a1上施加的电压为高电位(如5V～10V)。

本实施例中，若第二有源层13B为P型半导体，第三电极19与电路b电连接，第四电极20与第二电源线a2电连接；若第二有源层13B为N型半导体，第三电极19与第二电源线a2电连接，第四电极20与电路b电连接；其中，第二电源线a2上施加的电压为低电位(如-5V～0V)。

需要说明的是，第一底栅电极11A、第一顶栅电极15A与第一电极17与电路b或电源线a只要实现电学上的连接即可，其实际的物理连接可以根据实际需求灵活设计。第二底栅电极11B、第二顶栅电极15B与第三电极19与电路b或电源线a只要实现电学上的连接即可，其实际的物理连接可以根据实际需求灵活设计。具体物理连接方式不在赘述。

优选的，本发明实施例中的静电保护元件的第一有源层13A为P型半导体，第二有源层13B为N型半导体，参见图4所示；

进一步，静电保护元件中第二电极与第四电极采用电连接并连接至同一显示面板的显示区域的电路b。

从图4可以看出，左边串联的P型顶栅型TFT和N型顶栅型TFT提供一条放电路径(L3)；右边串联的P型底栅型TFT和N型底栅型TFT提供了另一条放电路径(L4)；这样就大大加强了该静电保护电路的放电能力。

需要说明的是，显示面板的显示区域中的电路b可以为栅线(即扫描线)、数据线或公共电极线等导电线路，只要该电路与本发明实施例的静电保护电路的静电保护元件电连接，当该电路上产生的静电大于静电保护元件的开启电压后，就能通过该静电保护元件将产生的静电释放至与该静电保护元件连接的电源线上，以起到显示区域的电路的作用。

当然，本发明实施例第二种静电释放保护电路中第一有源层和第二有源层可以都是P型掺杂半导体，参见图5所示；第一有源层和第二有源层也可以都是N型掺杂半导体，参见图6所示，其同样能达到相同的效果，此处不再一一说明。

本发明实施例提供的一种显示面板，包括显示区域与非显示区域，非显示区域中包括：静电释放保护电路；

其中，静电释放保护电路为：本发明实施例的第一种静电释放保护电路、第二种静电释放保护电路、第三种静电释放保护电路或第四种静电释放保护电路。

优选的，显示面板的显示区域的每一条栅线与静电释放保护电路中的一个静电保护元件一一对应连接，以起到保护栅线的作用；和/或

显示面板的显示区域的每一条数据线与静电释放保护电路中的一个静电保护元件一一对应连接，以起到保护数据线的作用；和/或

显示面板的显示区域的每一条公共电极线与静电释放保护电路中的一个静电保护元件一一对应连接，以起到保护公共电极线的作用。

本发明实施例提供的一种显示装置，包括上述的显示面板。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

本发明实施例静电释放保护电路中包含的至少一个静电保护元件由两个并联连接的顶栅型TFT和底栅型TFT组成，由于底栅电极、顶栅电极及第一电极均与电源线连接，第二电极与显示面板的显示区域的电路连接，在显示区域的电路的静电电压大于该顶栅TFT及底栅TFT的开启电压后，该静电电压能够分别通过顶栅型TFT和底栅型TFT释放至与其连接的电源线，增加了静电的释放路径，从而提高了静电释放的速度，有效避免了由于静电释放速度过慢引起的TFT元件烧毁、电弧放电现象等；同时，提高了ESD保护电路的防静电能力较低；

另外，由于本发明实施例的静电保护元件的底栅电极能够遮挡从背光源发出的光线，从而进一步降低了漏电流的大小；又由于本发明实施例的静电保护元件的底栅电极与电源线连接，能够起到静电屏蔽作用，从而防止静电保护元件的阈值电压受到外界信号干扰而影响液晶显示装置的显示效果。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种静电释放保护电路，其特征在于，所述静电释放保护电路位于显示面板的非显示区域，包括至少一个静电保护元件，所述静电保护元件包括：

位于所述显示面板的衬底基板上的底栅电极，位于所述底栅电极上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层上且与所述底栅电极的位置对应的有源层，位于所述有源层上的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层上且与所述有源层的位置对应的顶栅电极，位于所述顶栅电极上的第三绝缘层，及位于所述第三绝缘层上且分别位于所述顶栅电极两侧的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第一过孔与所述有源层物理连接；所述第二电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第二过孔与所述有源层物理连接；所述底栅电极、所述顶栅电极与所述第一电极电连接，并与电源线或所述显示面板的显示区域的电路电连接，所述第二电极与所述显示面板的显示区域的电路或电源线电连接；

若所述第一电极是源电极，则所述第二电极为漏电极；若所述第一电极是漏电极，则所述第二电极为源电极。

2.如权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述有源层为P型半导体，所述第一电极与电源线电连接，所述第二电极与所述显示面板的显示区域的电路电连接；

或者所述有源层为N型半导体，所述第一电极与所述显示面板的显示区域的电路电连接，所述第二电极与所述电源线电连接。

3.如权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述底栅电极采用能够遮光的导电材料。

4.如权利要求2所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述底栅电极至少覆盖于所述有源层中与所述顶栅电极对应的区域以及所述有源层中的低掺杂区。

5.如权利要求1所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一电极通过贯穿于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第三过孔与所述底栅电极物理连接。

6.一种静电释放保护电路，其特征在于，所述静电释放保护电路位于显示面板的非显示区域，包括至少一个静电保护元件，所述静电保护元件包括：

位于所述显示面板的衬底基板上且互不接触的第一底栅电极和第二底栅电极；

位于所述第一底栅电极和所述第二底栅电极上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上且分别与所述第一底栅电极和所述第二底栅电极的位置对应且互不接触的第一有源层和第二有源层；

位于所述第一有源层和所述第二有源层上的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层上且分别与所述第一有源层和所述第二有源层的位置对应的第一顶栅电极和第二顶栅电极，其中，所述第一顶栅电极与所述第二顶栅电极互不接触；

位于所述第一顶栅电极和所述第二顶栅电极上的第三绝缘层；及

位于所述第三绝缘层上且分别位于所述第一顶栅电极两侧的第一电极和第二电极，及分别位于所述第二顶栅电极两侧的第三电极和第四电极；其中，所述第一电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第一过孔与所述第一有源层物理连接；所述第二电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第二过孔与所述第一有源层物理连接；所述第三电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第四过孔与所述第二有源层物理连接；所述第四电极通过贯穿于所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第五过孔与所述第二有源层物理连接；所述第一底栅电极、所述第一顶栅电极与所述第一电极电连接，并与第一电源线或所述显示面板的显示区域的电路电连接；所述第二电极与所述显示面板的显示区域的电路或所述第一电源线电连接；所述第二底栅电极、所述第二顶栅电极与所述第三电极电连接，并与第二电源线或所述显示面板的显示区域的电路电连接，所述第四电极与所述显示面板的显示区域的电路或所述第二电源线电连接；

若所述第一电极是源电极，则所述第二电极为漏电极；若所述第一电极是漏电极，则所述第二电极为源电极；若所述第三电极是源电极，则所述第四电极为漏电极；若所述第三电极是漏电极，则所述第四电极为源电极。

7.如权利要求6所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一有源层为P型半导体，所述第一电极与所述第一电源线电连接，所述第二电极与所述显示面板的显示区域的电路电连接；

或者所述第一有源层为N型半导体，所述第一电极与所述显示面板的显示区域的电路电连接，所述第二电极与所述第一电源线电连接。

8.如权利要求6所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第二有源层为P型半导体，所述第三电极与所述显示面板的显示区域的电路电连接，所述第四电极与所述第二电源线电连接；

或者所述第二有源层为N型半导体，所述第三电极与所述第二电源线电连接，所述第四电极与所述显示面板的显示区域的电路电连接。

9.如权利要求6所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一底栅电极和所述第二底栅电极均采用能够遮光的导电材料。

10.如权利要求9所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一底栅电极至少覆盖于所述第一有源层中与所述第一顶栅电极对应的区域以及所述第一有源层中的低掺杂区；

所述第二底栅电极至少覆盖于所述第二有源层中与所述第二顶栅电极对应的区域以及所述第二有源层中的低掺杂区。

11.如权利要求6所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一电极通过贯穿于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第三过孔与所述第一底栅电极物理连接；

所述第三电极通过贯穿于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述第三绝缘层的第六过孔与所述第二底栅电极物理连接。

12.如权利要求6～11任一所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第一有源层为P型半导体，且所述第二有源层为N型半导体。

13.如权利要求12所述的静电释放保护电路，其特征在于，所述第二电极与所述第四电极电连接并连接至同一所述显示面板的显示区域的电路。

14.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板的非显示区域包括：静电释放保护电路；

其中，所述静电释放保护电路为：如权利要求1～5任一所述的静电释放保护电路，或如权利要求6～13任一所述的静电释放保护电路。

15.如权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的显示区域的每一条栅线与所述静电释放保护电路中的一个静电保护元件一一对应连接；和/或

所述显示面板的显示区域的每一条数据线与所述静电释放保护电路中的一个静电保护元件一一对应连接；和/或

所述显示面板的显示区域的每一条公共电极线与所述静电释放保护电路中的一个静电保护元件一一对应连接。

16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求14或15所述的显示面板。