CN103325792A - 一种阵列基板及制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可降低栅极与漏极之间的寄生电容，从而降低阵列基板的功耗，进而提高画面显示品质；该阵列基板包括：设置在衬底基板上图案化了的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极，还包括设置在所述栅金属层与所述像素电极之间的有机透明绝缘层。用于显示装置的制造。

Description

一种阵列基板及制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法、显示装置。
背景技术
随着TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)显示技术的不断发展，画面质量越来越受到重视。
由于目前液晶显示器显示时，主要靠设置在阵列基板上的TFT的开关对像素电极充电，从而实现液晶偏转。在其他类型的显示面板，如电致发光显示面板中，也需要TFT阵列基板驱动像素进行显示。然而，由于TFT的栅极和漏极之间存在寄生电容Cgd，使得在TFT开关关闭瞬间，该寄生电容Cgd会将像素电压拉低，从而导致阵列基板的功耗增加，使得画面质量也受到影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，可降低栅极与漏极之间的寄生电容，从而降低阵列基板的功耗，提高画面显示品质。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的图案化了的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层、以及像素电极;进一步还包括：设置在所述栅金属层与所述像素电极之间的有机透明绝缘层。
可选的，所述有机透明绝缘层设置于所述源漏金属层与所述像素电极之间；所述像素电极通过设置在漏极上方的过孔与所述漏极连接，其中所述源漏金属层包括所述漏极。
可选的，所述阵列基板还包括钝化层以及公共电极，所述像素电极和所述公共电极分设于所述钝化层的两侧；所述像素电极通过设置在所述漏极上方的过孔与所述漏极连接。
进一步可选的，所述像素电极设置于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述公共电极设置于所述钝化层的出光方向一侧；或者，所述公共电极设置于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述像素电极设置于所述钝化层的出光方向一侧。
可选的，所述阵列基板还包括：刻蚀阻挡层；其中，所述半导体有源层为氧化物半导体有源层。
可选的，所述有机透明绝缘层的厚度为
Figure BDA00003238249100021
一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成图案化的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极；进一步还包括：在所述栅金属层与所述像素电极之间形成有机透明绝缘层。
可选的，所述在所述栅金属层与所述像素电极之间形成有机透明绝缘层包括：在所述源漏金属层与所述像素电极之间形成所述有机透明绝缘层；所述像素电极通过形成于漏极上方的过孔与所述漏极相连，其中所述源漏金属层包括所述漏极。
可选的，所述方法还包括：在基板上形成钝化层以及公共电极，所述像素电极和所述公共电极分别形成于所述钝化层两侧；其中，所述像素电极通过形成于所述漏极上方的过孔与所述漏极连接。
进一步可选的，所述像素电极形成于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述公共电极形成于所述钝化层的出光方向一侧；或者，所述公共电极形成于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述像素电极形成于所述钝化层的出光方向一侧。
可选的，所述方法还包括：在基板上形成刻蚀阻挡层；其中，所述半导体有源层为氧化物半导体有源层。
可选的，所述有机透明绝缘层的厚度为
Figure BDA00003238249100022
本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，该阵列基板包括设置在衬底基板上的图案化了的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极、还包括设置在所述栅金属层与所述像素电极之间的有机透明绝缘层；由于在栅金属层与所述像素电极层之间增加了有机透明绝缘层，使得栅极与像素电极之间的距离也相应的增加了，又由于像素电极与所述漏极相连，因而可实现降低栅极与漏极之间的寄生电容Cgd的目的，从而可降低阵列基板的功耗，进而提高画面显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图2～图8为本发明实施例一提供的一种制备阵列基板的过程示意图；
图9为本发明实施例二提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图10～图11为本发明实施例二提供的一种制备阵列基板的过程示意图；
图12为本发明实施例三提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图13～图15为本发明实施例三提供的另一种阵列基板的制备方法的流程示意图。
附图标记：
10-衬底基板；11a-栅极，11b-栅线引线；12-栅绝缘层；13-（氧化物）半导体有源层；14-刻蚀阻挡层，14a-第一过孔，14b-第二过孔，14c-第三过孔；15a-源极，15b-漏极，15c-金属图案，15d-数据线，15e-数据线引线；16-有机透明绝缘层，16a-第四过孔；17-像素电极；18-钝化层，18a-第五过孔；19-公共电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，该方法包括：在衬底基板上形成图案化的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极；进一步还包括：设置在所述栅金属层与所述像素电极之间形成有机透明绝缘层。
其中，在本发明实施例中，所述源漏金属层包括源极和漏极。
所述有机透明绝缘层的材料可以为一种光刻胶（PR）材料，这里所述有机透明绝缘层的材料优选为高透过率有机透明绝缘材料，这样可以避免所述有机透明绝缘层影响显示面板的透过率。
所述有机透明绝缘层的厚度优选为
Figure BDA00003238249100041
根据平行板电容C的公式，即
Figure BDA00003238249100042
其中ε为介电系数，S为平行板的面积，d为平行板的间距。由公式可知，电容大小与平行板的重叠面积成正比，与介质的介电系数成正比，与平行板的间距成反比。由此可知，当本发明实施例在栅金属层与所述像素电极之间形成有机透明绝缘层时，增加了栅极与像素电极之间的距离，又由于像素电极与所述漏极相连，因而可实现降低栅极与漏极之间的寄生电容Cgd的目的，进而可降低阵列基板功耗，提高画面显示品质。
考虑到当所述有机透明绝缘层形成在所述源漏金属层下方时，即，先形成所述有机透明绝缘层再形成所述源漏金属层时，由于工艺的限制，可能会对源漏金属层图案的形成造成影响，因此，优选的，在所述源漏金属层与所述像素电极之间形成所述有机透明绝缘层；所述像素电极通过形成于漏极上方的过孔与所述漏极相连。
此处需要说明的是，所述像素电极通过形成于漏极上方的过孔与所述漏极相连是指，在本发明实施例中先形成包括漏极的源漏金属层，再形成位于源漏金属层上的其他层，然后形成像素电极，对于位于源漏金属层上的其他层需形成露出所述漏极的过孔，以使后形成的像素电极通过露出所述漏极的过孔与所述漏极相连。
氧化物半导体由于其具有电子迁移率高、均一性好等特点，已被广泛应用于液晶显示领域，因此优选的，当所述半导体有源层为氧化物半导体有源层时，所述方法还包括：在基板上形成刻蚀阻挡层。
其中，所述氧化物半导体有源层的材料可以为：ZnO、或InZnO、或ZnSnO、或GaInZnO、或ZrInZnO等。
由于氧化物半导体有源层，其材料暴露在外容易与空气中的氧气或水反应从而导致薄膜晶体管特性发生变化，因此，本发明实施例优选的为，在所述氧化物半导体有源层上方形成刻蚀阻挡层，用于避免在后续工艺中刻蚀氧化物半导体有源层上的金属层时对氧化物半导体有源层造成影响，也可避免氧化物半导体有源层暴露在外与空气中的氧气或水反应进而导致薄膜晶体管特性的变化。
此处需要说明的是，在本发明所有实施例中出现的上方，例如在所述氧化物半导体有源层上方形成刻蚀阻挡层，具体是指，先形成所述氧化物半导体有源层，再形成所述刻蚀阻挡层，其余情况依次类推，不再详述。
下面将提供一具体实施例，以详细描述上述的阵列基板的制作过程。
实施例一，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，如图1所示，该方法包括如下步骤：
S101、在衬底基板10上制作金属薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图2所示的栅金属层；其中所述栅金属层包括栅极11a、栅线（图中未标出）、以及栅线引线11b。
具体的，可以使用磁控溅射方法，在基板10上制备一层厚度在
Figure BDA00003238249100051
的金属薄膜。金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成包括栅极11a、栅线（图中为标出）、以及栅线引线11b的栅金属层。
此处需要说明的是，“薄膜”是指将某一种材料在基板上利用沉积或其他工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”；若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。
其中，构图工艺通常包括：在薄膜上涂光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再利用显影液将需要去除的光刻胶去除掉，再刻蚀掉未覆盖光刻胶的薄膜部分，最后将剩下的光刻胶剥离。
S102、在完成步骤S101的基板上制作绝缘薄膜，形成如图3所示的栅绝缘层12。
具体的，可以利用化学汽相沉积法在基板上连续沉积厚度为
Figure BDA00003238249100061
的绝缘薄膜，绝缘薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
S103、在完成步骤S102的基板上制作氧化物半导体薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图4所示的氧化物半导体有源层13。
具体的，可以利用化学汽相沉积法在基板上沉积厚度为
Figure BDA00003238249100062
的氧化物半导体薄膜，通常氧化物半导体有源层的材料可以采用ZnO、或InZnO、或ZnSnO、或GaInZnO、或ZrInZnO等。然后，用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成所述氧化物半导体有源层13。
S104、在完成步骤S103的基板上制作无机薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图5所示的刻蚀阻挡层14。
其中，所述刻蚀阻挡层包括露出所述氧化物半导体有源层13的第一过孔14a和第二过孔14b，以及露出所述栅线引线11b的第三过孔14c。
具体的，可以在基板上沉积厚度为的无机薄膜，该无机薄膜的材料例如可以为SiOx。然后，用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成刻蚀阻挡层14。
这样，可以避免在后续工艺中刻蚀氧化物半导体有源层上的金属层时对氧化物半导体有源层造成影响，也可避免氧化物半导体有源层暴露在外与空气中的氧气或水反应进而导致薄膜晶体管特性发生变化。
此处，由于在所述栅线引线11b上方还形成有栅绝缘层12，且第三过孔14c露出栅线引线11b，因此，这里在刻蚀出第三过孔14c的同时也将栅绝缘层12刻蚀出露出栅线引线11b的过孔。
S105、在完成步骤S104的基板上制作金属薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图6所示的源漏金属层。
其中，所述源漏金属层包括：通过所述第一过孔14a与所述氧化物半导体有源层13接触的源极15a，通过所述第二过孔14b与所述氧化物半导体有源层13接触的漏极15b，通过所述第三过孔14c与所述栅线引线11b电连接的金属图案15c，以及数据线15d，数据线引线15e。
具体的，可以使用磁控溅射方法，在基板上制备一层厚度在
Figure BDA00003238249100071
的金属薄膜。然后，用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板上形成所述源漏金属层。
S106、在完成步骤S105的基板上制作有机透明绝缘薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图7所示的有机透明绝缘层16；其中所述有机透明绝缘层16包括露出所述漏极15b的第四过孔16a。
此外，所述有机透明绝缘层16还包括露出所述金属图案15c和所述数据线引线15e的过孔。
具体的，可以在基板上沉积一层厚度在
Figure BDA00003238249100072
的有机透明绝缘薄膜，然后，用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板上形成所述有机透明绝缘层16。
S107、在完成步骤S106的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图8所示的像素电极17；其中所述像素电极17通过所述第四过孔16a与所述漏极15b相连。
具体的，可以使用化学汽相沉积法，在基板上沉积一层厚度在
Figure BDA00003238249100073
至
Figure BDA00003238249100074
之间的透明导电薄膜，通常所述透明导电薄膜的材料可以采用ITO（Indium Tin Oxides，铟锡氧化物）或IZO（Indium ZincOxide，铟锌氧化物）。然后，用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成所述像素电极17。
需要说明的是，本发明实施例一仅是其中一种阵列基板的制备方法，本发明实施例并不限于此，也可以是阵列基板的其他的制备方法，例如还可以包括顶栅型阵列基板的制备方法，不管是哪种制备方法，在本发明实施例中，只需在所述源漏金属层与所述第一电极层之间形成所述有机透明绝缘层即可。
在本发明实施例中，由于在源漏金属层与所述像素电极之间增加了有机透明绝缘层，使得栅极与像素电极之间的距离也相应的增加了，由电容的公式可知，这样便可降低栅极与像素电极之间的寄生电容，又由于像素电极与所述漏极相连，因而可实现降低栅极与漏极之间的寄生电容Cgd的目的，进而降低了阵列基板的功耗，提高了画面显示品质。
本发明实施例提供的阵列基板适用于高级超维场转换技术型液晶显示装置的生产。其中，高级超维场转换技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。
因此，优选的，所述方法还包括：在基板上形成钝化层以及公共电极，所述像素电极和所述公共电极分别形成于所述钝化层两侧；其中，所述像素电极通过形成于所述漏极上方的过孔与所述漏极连接。
进一步可选的，所述像素电极形成于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述公共电极形成于所述钝化层的出光方向一侧；或者，所述公共电极形成于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述像素电极形成于所述钝化层的出光方向一侧。
下面将提供两个具体实施例，以详细描述上述的适用于高级超维场转换技术型液晶显示装置的阵列基板的制作过程。
实施例二，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，如图9所示，在上述实施例一的步骤S101-S107的基础上，所述方法还包括如下步骤：
S201、在完成上述步骤S107的基板上制作钝化层薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图10所示的钝化层18。
其中，所述钝化层包括露出所述金属图案15c和所述数据线引线15e的过孔。
具体的，可以在整个基板上涂覆一层厚度在
Figure BDA00003238249100091
到
Figure BDA00003238249100092
的钝化层薄膜，所述钝化层薄膜的材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。然后用掩膜板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板上形成所述钝化层18。
S202、在完成步骤S201的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图11所示的公共电极19。
此外，在形成所述公共电极19时，还形成与所述金属图案15c和所述数据线引线15e连接的保留图案。
此处，由于有机透明绝缘层16的存在，可以提高公共电极的布线密度，而避免公共电极与数据线之间产生寄生电容。
在本发明实施例中，一方面，高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点；另一方面，由于在源漏金属层与所述像素电极之间增加了有机透明绝缘层，可实现降低栅极与漏极之间的寄生电容Cgd的目的，进而降低了阵列基板的功耗，提高了画面显示品质。
实施例三，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，如图12所示，该方法包括上述实施例一的步骤S101-S106的基础上，所述方法还包括如下步骤：
S301、在完成上述步骤S106的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图13所示的公共电极19。
S302、在完成步骤S301的基板上制作钝化层薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图14所示的钝化层18；其中所述钝化层18包括露出所述漏极15b的第五过孔18a。
此外，所述钝化层18还包括露出所述金属图案15c和所述数据线引线15e的过孔。
S303、在完成步骤S302的基板上制作透明导电薄膜，通过一次构图工艺处理形成如图15所示的像素电极17，所述像素电极17通过所述第四过孔16a和所述第五过孔18a与所述漏极15b连接。
此外，在形成所述像素电极17的同时，还形成与所述第一电极17同层的保留图案，该保留图案通过露出所述金属图案15c和所述数据线引线15e的过孔与所述金属图案和所述数据线引线电连接。
通过上述的描述可知，本发明实施例三提供的阵列基板的制备方法与实施例二的不同在于，像素电极和公共电极的形成顺序上。由此可知，不管是先形成像素电极还是先形成公共电极，只要在像素电极层和源漏金属层之间形成有机透明绝缘层，便可降低栅极与漏极之间的寄生电容Cgd，从而可降低阵列基板的功耗，进而提高了画面显示品质。
本发明实施例提供了一种阵列基板，参考图8、图11和图15所示，该阵列基板包括：设置在衬底基板上的图案化了的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极17；进一步还包括：设置在所述栅金属层与所述像素电极之间的有机透明绝缘层16。
其中，所述栅金属层包括栅极11a，还包括栅线、栅线引线11b等；所述源漏金属层包括源极15a和漏极15b，还包括数据线15d、数据线引线15e等。
所述有机透明绝缘层的材料可以为一种光刻胶（PR）材料，这里所述有机透明绝缘层的材料优选为高透过率有机透明绝缘材料，这样可以避免所述有机透明绝缘层影响显示面板的透过率。
所述有机透明绝缘层的厚度优选为
Figure BDA00003238249100101
根据平行板电容C的公式，即
Figure BDA00003238249100102
其中ε为介电系数，S为平行板的面积，d为平行板的间距。由公式可知，电容大小与平行板的重叠面积成正比，与介质的介电系数成正比，与平行板的间距成反比。由此可知，当本发明实施例在栅金属层与所述像素电极之间设置有机透明绝缘层时，增加了栅极与像素电极之间的距离，又由于像素电极与所述漏极相连，因而可实现降低栅极与漏极之间的寄生电容Cgd的目的，进而可降低阵列基板功耗，提高画面显示品质。
考虑到当所述有机透明绝缘层16形成在所述源漏金属层下方时，即，先形成所述有机透明绝缘层再形成所述源漏金属层时，由于工艺的限制，可能会对源漏金属层图案的形成造成影响，因此，优选的，所述有机透明绝缘层16设置于所述源漏金属层与所述像素电极17之间；所述像素电极17通过设置在漏极15b上方的过孔与所述漏极15b连接。
氧化物半导体由于其具有电子迁移率高、均一性好等特点，已被广泛应用于液晶显示领域，因此优选的，如图8、图11和图15所示，当所述半导体有源层13为氧化物半导体有源层时，所述阵列基板还包括：设置在所述半导体有源层上方的刻蚀阻挡层14。
其中，所述氧化物半导体有源层的材料可以为：ZnO、或InZnO、或ZnSnO、或GaInZnO、或ZrInZnO等。
由于氧化物半导体有源层13，其材料暴露在外容易与空气中的氧气或水反应从而导致薄膜晶体管特性发生变化，因此，本发明实施例优选的为，在所述氧化物半导体有源层13上方形成刻蚀阻挡层14，用于避免在后续工艺中刻蚀氧化物半导体有源层上的金属层时对氧化物半导体有源层造成影响，也可避免氧化物半导体有源层暴露在外与空气中的氧气或水反应进而导致薄膜晶体管特性的变化。
本发明实施例提供的阵列基板可适用于高级超维场转换技术型显示装置，从而使得该显示装置具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。
因此，优选的，如图11和图15所示，所述阵列基板还包括：钝化层18以及公共电极19，所述像素电极17和所述公共电极19分设于所述钝化层18的两侧；所述像素电极17通过设置在所述漏极15b上方的过孔与所述漏极15b连接。
进一步可选的，如图11所示，所述像素电极17设置于所述钝化层18与所述有机透明绝缘层16之间，所述公共电极19设置于所述钝化层18的出光方向一侧；或者，如图15所示，所述公共电极19设置于所述钝化层18与所述有机透明绝缘层16之间，所述像素电极17设置于所述钝化层的出光方向一侧。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：设置在衬底基板上的图案化了的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极，还包括设置在所述栅金属层与所述像素电极之间的有机透明绝缘层；由于在源漏金属层与所述像素电极层之间增加了有机透明绝缘层，使得栅极与像素电极之间的距离也相应的增加了，又由于像素电极与所述漏极相连，因而可实现降低栅极与漏极之间的寄生电容Cgd的目的，从而可降低阵列基板的功耗，进而提高画面显示品质。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板，其中，所述阵列基板可以是上述的任一种的阵列基板。所述显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相机、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的图案化了的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极；其特征在于，还包括：设置在所述栅金属层与所述像素电极之间的有机透明绝缘层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机透明绝缘层设置于所述源漏金属层与所述像素电极之间；
所述像素电极通过设置在漏极上方的过孔与所述漏极连接，其中所述源漏金属层包括所述漏极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层以及公共电极，所述像素电极和所述公共电极分设于所述钝化层的两侧；
所述像素电极通过设置在所述漏极上方的过孔与所述漏极连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极设置于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述公共电极设置于所述钝化层的出光方向一侧；或者，
所述公共电极设置于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述像素电极设置于所述钝化层的出光方向一侧。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括刻蚀阻挡层；其中，所述半导体有源层为氧化物半导体有源层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机透明绝缘层的厚度为
Figure FDA00003238249000011
7.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成图案化的栅金属层、半导体有源层、源漏金属层以及像素电极；其特征在于，还包括：在所述栅金属层与所述像素电极之间形成有机透明绝缘层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述栅金属层与所述像素电极之间形成有机透明绝缘层包括：在所述源漏金属层与所述像素电极之间形成所述有机透明绝缘层；所述像素电极通过形成于漏极上方的过孔与所述漏极相连，其中所述源漏金属层包括所述漏极。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在基板上形成钝化层以及公共电极，所述像素电极和所述公共电极分别形成于所述钝化层两侧；其中，所述像素电极通过形成于所述漏极上方的过孔与所述漏极连接。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述像素电极形成于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述公共电极形成于所述钝化层的出光方向一侧；或者，
所述公共电极形成于所述钝化层与所述有机透明绝缘层之间，所述像素电极形成于所述钝化层的出光方向一侧。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在基板上形成刻蚀阻挡层；其中，所述半导体有源层为氧化物半导体有源层。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述有机透明绝缘层的厚度为
Figure FDA00003238249000021
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