CN104966721A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术的阵列基板制备工艺复杂、以及薄膜晶体管的栅电极和源漏电极之间寄生电容较大，导致功耗较高的问题。所述阵列基板，包括依次形成于衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏极金属层、公共电极层、钝化层和像素电极层，刻蚀阻挡层和源漏极金属层之间设置有机绝缘层；栅极金属层包括栅电极、交叉设置的栅线和数据线，栅电极位于有源层下方，数据线被栅线分隔成多段；源漏极金属层包括源电极、漏电极和多条第一连接线，源电极和漏电极位于有源层上方并分别通过不同位置的第一过孔与有源层连接，每一条数据线的多段通过多条第一连接线连接为一整体。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示装置市场占据了主导地位。

阵列基板是TFT-LCD的重要组成部分之一。阵列基板和彩膜基板之间设置液晶层，通过对设置于阵列基板上公共电极和像素电极施加电压，即可改变液晶分子的排列从而控制光的透过，在每个像素上设置不同的电压并配合均匀的背光源，即可实现不同灰阶的显示，经过彩膜基板上的红、绿、蓝三种颜色的色阻形成不同光强的组合，即可显示出特定的彩色画面。

阵列基板包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列，每一个TFT均包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，目前较多的采用氧化物半导体形成TFT的有源层，以制备氧化物TFT。但由于氧化物半导体容易在刻蚀源漏极金属层时被刻蚀液腐蚀，因此普遍采用增加刻蚀阻挡层的方法来保护氧化物半导体，但该方法增加了工艺复杂性和成本，且由于工艺原因会导致栅电极与源漏极之间具有较大的交叠面积而使得寄生电容增加，导致功耗增加。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术的阵列基板制备工艺复杂、以及阵列基板上薄膜晶体管的栅电极和源漏电极之间寄生电容较大，导致功耗较高的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板，依次形成于所述衬底基板之上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏极金属层、公共电极层、钝化层和像素电极层，所述刻蚀阻挡层和所述源漏极金属层之间设置有机绝缘层；

所述栅极金属层包括栅电极、交叉设置的栅线和数据线，所述栅电极位于所述有源层下方，所述数据线被所述栅线分隔成多段；

所述源漏极金属层包括源电极、漏电极和多条第一连接线，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方并分别通过不同位置的第一过孔与所述有源层连接，每一条所述数据线的多段通过多条所述第一连接线连接为一整体。

本发明实施例中，通过使所述数据线形成于所述栅极金属层，所述数据线为所述栅线分隔开的间断结构，所述数据线的各段由位于所述源漏极金属层的所述第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使所述源漏极金属层设置于所述有机绝缘层之上，所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

优选的，所述第一连接线的第一端和第二端分别经过不同位置的第二过孔与被所述栅线分隔开的所述数据线的不同段连接。本实施例中，所述第一连接线的两端分别经过不同位置的第二过孔，因此可以跨过所述栅线，从而使所述栅线两侧的所述数据线的不同段连接在一起。

优选的，所述公共电极层包括公共电极、以及分别形成于所述第一连接线、所述源电极和所述漏电极之上的辅助电极。本实施例中，所述辅助电极分别与下方的所述第一连接线、所述源电极和所述漏电极并联，可以减小所述第一连接线、所述源电极和所述漏电极的电阻。

优选的，所述栅极金属层还包括公共电极线，所述源漏极金属层还包括连接矩阵和连接电极，所述连接矩阵形成于所述栅线和所述数据线上方并与所述第一连接线彼此绝缘；

所述连接电极通过第三过孔与所述公共电极线连接，所述公共电极覆盖所述连接电极和所述连接矩阵。本实施例中，通过设置所述连接矩阵，使各所述公共电极连接在一起，并减小所述公共电极的电阻。

优选的，所述像素电极层包括像素电极，所述像素电极通过第四过孔与所述漏电极连接。

优选的，所述像素电极为栅状结构。本实施例中，栅状的所述像素电极可以减少与所述公共电极之间的寄生电容。

优选的，所述有机绝缘层的材料为苯丙环丁烯或丙烯树脂。本实施例中，以苯丙环丁烯或丙烯树脂制备所述有机绝缘层，能够减小所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的寄生电容。

本发明实施例有益效果如下：通过使所述数据线形成于所述栅极金属层，所述数据线为所述栅线分隔开的间断结构，所述数据线的各段由位于所述源漏极金属层的所述第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使所述源漏极金属层设置于所述有机绝缘层之上，所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括如上实施例提供的所述阵列基板。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上实施例提供的所述显示面板。

本发明实施例有益效果如下：通过使所述数据线形成于所述栅极金属层，所述数据线为所述栅线分隔开的间断结构，所述数据线的各段由位于所述源漏极金属层的所述第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使所述源漏极金属层设置于所述有机绝缘层之上，所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

本发明实施例还一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成第一金属薄膜，利用第一掩膜板使所述第一金属薄膜形成包括栅电极、栅线、数据线和公共电极线的栅极金属层，所述数据线与所述栅线交叉且被所述栅线分隔成多段；

在所述栅极金属层之上形成栅极绝缘层和氧化物半导体薄膜，利用第二掩膜板使所述氧化物半层体薄膜形成位于所述栅电极上方的有源层；

在所述有源层之上依次形成刻蚀阻挡层和有机绝缘层薄膜，利用第三掩膜板使所述有机绝缘层薄膜形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的上半部的有机绝缘层；

利用所述有机绝缘层作为掩膜，通过构图工艺使所述刻蚀阻挡层形成所述第一过孔的下半部，以及使所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层形成所述第二过孔和所述第三过孔的下半部，不同位置的所述第一过孔分别与所述有源层的一端对应，所述第二过孔与所述数据线的一端的位置对应，所述第三过孔与所述公共电极线位置对应；

在所述有机绝缘层之上形成第二金属薄膜，利用第四掩膜板使所述第二金属薄膜形成包括源电极、漏电极、第一连接线、连接矩阵和连接电极的源漏极金属层，所述连接矩阵形成于所述栅线和所述数据线上方并与所述第一连接线彼此绝缘，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方并分别通过不同位置的所述第一过孔与所述有源层连接，所述第一连接线的第一端和第二端分别经过不同位置的所述第二过孔与被所述栅线分隔开的所述数据线的不同段连接，所述连接电极通过所述第三过孔与所述公共电极线连接；

在所述源漏极金属层之上形成公共电极薄膜，利用第五掩膜板使所述公共电极薄膜形成包括公共电极、以及分别形成于所述第一连接线、所述源电极和所述漏电极之上的辅助电极的公共电极层，所述公共电极覆盖所述连接电极和所述连接矩阵；

在所述公共电极层之上形成钝化层薄膜，利用第六掩膜板使所述钝化层薄膜形成包括第四过孔的钝化层，所述第四过孔与所述漏电极位置对应；

在所述钝化层之上形成像素电极薄膜，利用第七掩膜板使所述像素电极薄膜形成包括像素电极的像素电极层，所述像素电极通过所述第四过孔与所述漏电极连接。

本发明实施例有益效果如下：通过使所述数据线形成于所述栅极金属层，所述数据线为所述栅线分隔开的间断结构，所述数据线的各段由位于所述源漏极金属层的所述第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使所述源漏极金属层设置于所述有机绝缘层之上，所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

附图说明

图1为本发明实施例提供的所述阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本发明实施例提供的阵列基板的栅线和数据线的局部俯视示意图；

图3为在图2的AB处的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；

图5为本发明实施例提供的制备完成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层和刻蚀阻挡层的阵列基板的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的制备完成有机绝缘层的阵列基板的剖面结构示意图；

图7为图6所示的阵列基板以有机绝缘层作为掩膜并进行构图工艺后的剖面结构示意图；

图8为本发明实施例提供的制备完成源漏极金属层的阵列基板的剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的制备完成公共电极层的阵列基板的剖面结构示意图；

图10为本发明实施例提供的制备完成钝化层的阵列基板的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

实施一

参见图1，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板1，依次形成于衬底基板1之上的栅极金属层、栅极绝缘层3、有源层4、刻蚀阻挡层51、源漏极金属层、公共电极层、钝化层8和像素电极层，刻蚀阻挡层51和源漏极金属层之间设置有机绝缘层52；

栅极金属层包括栅电极21、交叉设置的栅线22和数据线23，栅电极21位于有源层4下方，数据线23被栅线22分隔成多段。如图2所示的栅线22和未连接在一起的数据线23的俯视示意图，图3示出了在图2的AB处的剖面结构示意图，可以清楚的示出数据线23被栅线22分隔成多段。

源漏极金属层包括源电极62、漏电极63和多条第一连接线61，源电极62和漏电极63位于有源层4上方并分别通过不同位置的第一过孔11(如图7所示)与有源层4连接，每一条数据线23的多段通过多条第一连接线61连接为一整体。

本实施例中，通过使数据线23形成于栅极金属层，数据线23为栅线22分隔开的间断结构，数据线23的各段由位于源漏极金属层的第一连接线61进行连接，从而在制备过程中仅采用七个掩膜板即可以，相比现有技术需要采用九个掩膜板，可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使源漏极金属层设置于有机绝缘层52之上，源电极62和漏电极63与栅电极21之间的寄生电容减小，降低了功耗。

本发明实施例中，第一连接线61的第一端和第二端分别经过不同位置的第二过孔12与被栅线22分隔开的数据线23的不同段连接，从而使得第一连接线61跨过栅线22，实现数据线23各段的连接，同时又与栅线22彼此绝缘。

优选的，公共电极层包括公共电极71、以及分别形成于第一连接线61、源电极62和漏电极63之上的辅助电极72。本实施例中，辅助电极72分别与下方的第一连接线61、源电极62和漏电极63并联，可以减小第一连接线61、源电极62和漏电极63的电阻。

优选的，栅极金属层还包括公共电极线24，源漏极金属层还包括连接矩阵64和连接电极65，连接矩阵64形成于栅线22和数据线23上方并与第一连接线61彼此绝缘；连接电极65通过第三过孔13(如图7所示)与公共电极线24连接，公共电极71覆盖连接电极65和连接矩阵64。本实施例中，连接矩阵64可以视为公共电极71的一部分，其是规划出类似栅线22和数据线23交叉的结构，以使各公共电极71连接并减少公共电极71的电阻，连接矩阵64通常会被彩膜基板上的黑矩阵所遮挡，在此不再赘述。

优选的，像素电极层包括像素电极9，像素电极9通过第四过孔14(如图10所示)与漏电极63连接。

优选的，像素电极9为栅状结构。本实施例中，栅状的像素电极9可以减少与公共电极71之间的寄生电容。

优选的，有机绝缘层52的材料为苯丙环丁烯或丙烯树脂。本实施例中，以苯丙环丁烯或丙烯树脂制备有机绝缘层52，能够减小源电极62和漏电极63与栅电极21之间的寄生电容。

本发明实施例有益效果如下：通过使数据线23形成于栅极金属层，数据线23为栅线22分隔开的间断结构，数据线23的各段由位于源漏极金属层的第一连接线61进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使源漏极金属层设置于有机绝缘层52之上，源电极62和漏电极63与栅电极21之间的寄生电容减小，降低了功耗。

实施二

本发明实施例还提供一种显示面板，包括如上实施例提供的阵列基板。本发明实施例中，所采用的实施例一所提供的阵列基板，通过使数据线形成于栅极金属层，数据线为栅线分隔开的间断结构，数据线的各段由位于源漏极金属层的第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使源漏极金属层设置于有机绝缘层之上，源电极和漏电极与栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

实施三

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上实施例提供的显示面板。

本发明实施例有益效果如下：所采用的实施例一所提供的阵列基板，通过使数据线形成于栅极金属层，数据线为栅线分隔开的间断结构，数据线的各段由位于源漏极金属层的第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使源漏极金属层设置于有机绝缘层之上，源电极和漏电极与栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

实施四

参见图4，本发明实施例还一种阵列基板的制备方法，包括：

401，在衬底基板上形成第一金属薄膜，利用第一掩膜板使第一金属薄膜形成包括栅电极、栅线、数据线和公共电极线的栅极金属层，数据线与栅线交叉且被栅线分隔成多段。

402，在栅极金属层之上形成栅极绝缘层和氧化物半导体薄膜，利用第二掩膜板使氧化物半层体薄膜形成位于栅电极上方的有源层。

403，在有源层之上依次形成刻蚀阻挡层和有机绝缘层薄膜，利用第三掩膜板使有机绝缘层薄膜形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的上半部的有机绝缘层。

404，利用有机绝缘层作为掩膜，通过构图工艺使刻蚀阻挡层形成第一过孔的下半部，以及使刻蚀阻挡层和栅极绝缘层形成第二过孔和第三过孔的下半部，不同位置的第一过孔分别与有源层的一端对应，第二过孔与数据线的一端的位置对应，第三过孔与公共电极线位置对应。

405，在有机绝缘层之上形成第二金属薄膜，利用第四掩膜板使第二金属薄膜形成包括源电极、漏电极、第一连接线、连接矩阵和连接电极的源漏极金属层，连接矩阵形成于栅线和数据线上方并与第一连接线彼此绝缘，源电极和漏电极位于有源层上方并分别通过不同位置的第一过孔与有源层连接，第一连接线的第一端和第二端分别经过不同位置的第二过孔与被栅线分隔开的数据线的不同段连接，连接电极通过第三过孔与公共电极线连接。

406，在源漏极金属层之上形成公共电极薄膜，利用第五掩膜板使公共电极薄膜形成包括公共电极、以及分别形成于第一连接线、源电极和漏电极之上的辅助电极的公共电极层，公共电极覆盖连接电极和连接矩阵。

407，在公共电极层之上形成钝化层薄膜，利用第六掩膜板使钝化层薄膜形成包括第四过孔的钝化层，第四过孔与漏电极位置对应。

408，在钝化层之上形成像素电极薄膜，利用第七掩膜板使像素电极薄膜形成包括像素电极的像素电极层，像素电极通过第四过孔与漏电极连接。

本实施例中，通过使数据线形成于栅极金属层，数据线为栅线分隔开的间断结构，数据线的各段由位于源漏极金属层的第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，例如本实施例中采用七块掩膜板进行掩膜，因此简化了制备工艺并降低成本；同时，使源漏极金属层设置于有机绝缘层之上，源电极和漏电极与栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

为了更清楚的描述该制备方法，结合图5-10进行详细说明如下：

在衬底基板1上形成第一金属薄膜，利用第一掩膜板使第一金属薄膜形成包括栅电极21、栅线22、数据线23和公共电极线24的栅极金属层，数据线23与栅线22交叉且被栅线22分隔成多段；在栅极金属层之上形成栅极绝缘层3和氧化物半导体薄膜，利用第二掩膜板使氧化物半层体薄膜形成位于栅电极21上方的有源层4；在有源层4之上依次形成刻蚀阻挡层51，得到如图5所示完成部分制程的阵列基板。

在图5所示的的阵列基板的基础之上，在刻蚀阻挡层51上形成有机绝缘层52薄膜，利用第三掩膜板使有机绝缘层52薄膜形成包括第一过孔11(如图7所示)、第二过孔12(如图7所示)和第三过孔13(如图7所示)的上半部的有机绝缘层52，如图6所示。

再利用有机绝缘层52作为掩膜，对图6所示的完成部分制程的阵列基板进行后续制备工艺：通过构图工艺使刻蚀阻挡层51形成第一过孔11的下半部，以及使刻蚀阻挡层51和栅极绝缘层3形成第二过孔12和第三过孔13的下半部，不同位置的第一过孔11分别与有源层4的一端对应，第二过孔12与数据线23的一端的位置对应，第三过孔13与公共电极线24位置对应，如图7所示。

在图7所示的完成部分制程的阵列基板的有机绝缘层52之上形成第二金属薄膜，利用第四掩膜板使第二金属薄膜形成包括源电极62、漏电极63、第一连接线61、连接矩阵64和连接电极65的源漏极金属层，连接矩阵64形成于栅线22和数据线23上方并与第一连接线61彼此绝缘，源电极62和漏电极63位于有源层4上方并分别通过不同位置的第一过孔11与有源层4连接，第一连接线61的第一端和第二端分别经过不同位置的第二过孔12与被栅线22分隔开的数据线23的不同段连接，连接电极65通过第三过孔13与公共电极线24连接，如图8所示。

在源漏极金属层之上形成公共电极71薄膜，利用第五掩膜板使公共电极71薄膜形成包括公共电极71、以及分别形成于第一连接线61、源电极62和漏电极63之上的辅助电极72的公共电极层，公共电极71覆盖连接电极65和连接矩阵64，如图9所示。

在公共电极层之上形成钝化层8薄膜，利用第六掩膜板使钝化层8薄膜形成包括第四过孔14的钝化层8，第四过孔14与漏电极63位置对应，如图10所示。

在钝化层8之上形成像素电极9薄膜，利用第七掩膜板使像素电极9薄膜形成包括像素电极9的像素电极层，像素电极9通过第四过孔14与漏电极63连接，得到如图1所示的阵列基板。

本发明实施例有益效果如下：通过使数据线形成于栅极金属层，数据线为栅线分隔开的间断结构，数据线的各段由位于源漏极金属层的第一连接线进行连接，从而在制备过程中可以减小掩膜次数，简化制备工艺并降低成本；同时，使源漏极金属层设置于有机绝缘层之上，源电极和漏电极与栅电极之间的寄生电容减小，降低了功耗。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，依次形成于所述衬底基板之上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏极金属层、公共电极层、钝化层和像素电极层，所述刻蚀阻挡层和所述源漏极金属层之间设置有机绝缘层；

所述栅极金属层包括栅电极、交叉设置的栅线和数据线，所述栅电极位于所述有源层下方，所述数据线被所述栅线分隔成多段；

所述源漏极金属层包括源电极、漏电极和多条第一连接线，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方并分别通过不同位置的第一过孔与所述有源层连接，每一条所述数据线的多段通过多条所述第一连接线连接为一整体。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接线的第一端和第二端分别经过不同位置的第二过孔与被所述栅线分隔开的所述数据线的不同段连接。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层包括公共电极、以及分别形成于所述第一连接线、所述源电极和所述漏电极之上的辅助电极。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极金属层还包括公共电极线，所述源漏极金属层还包括连接矩阵和连接电极，所述连接矩阵形成于所述栅线和所述数据线上方并与所述第一连接线彼此绝缘；

所述连接电极通过第三过孔与所述公共电极线连接，所述公共电极覆盖所述连接电极和所述连接矩阵。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层包括像素电极，所述像素电极通过第四过孔与所述漏电极连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为栅状结构。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机绝缘层的材料为苯丙环丁烯或丙烯树脂。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一金属薄膜，利用第一掩膜板使所述第一金属薄膜形成包括栅电极、栅线、数据线和公共电极线的栅极金属层，所述数据线与所述栅线交叉且被所述栅线分隔成多段；

在所述栅极金属层之上形成栅极绝缘层和氧化物半导体薄膜，利用第二掩膜板使所述氧化物半层体薄膜形成位于所述栅电极上方的有源层；

在所述有源层之上依次形成刻蚀阻挡层和有机绝缘层薄膜，利用第三掩膜板使所述有机绝缘层薄膜形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的上半部的有机绝缘层；

利用所述有机绝缘层作为掩膜，通过构图工艺使所述刻蚀阻挡层形成所述第一过孔的下半部，以及使所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层形成所述第二过孔和所述第三过孔的下半部，不同位置的所述第一过孔分别与所述有源层的一端对应，所述第二过孔与所述数据线的一端的位置对应，所述第三过孔与所述公共电极线位置对应；

在所述有机绝缘层之上形成第二金属薄膜，利用第四掩膜板使所述第二金属薄膜形成包括源电极、漏电极、第一连接线、连接矩阵和连接电极的源漏极金属层，所述连接矩阵形成于所述栅线和所述数据线上方并与所述第一连接线彼此绝缘，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层上方并分别通过不同位置的所述第一过孔与所述有源层连接，所述第一连接线的第一端和第二端分别经过不同位置的所述第二过孔与被所述栅线分隔开的所述数据线的不同段连接，所述连接电极通过所述第三过孔与所述公共电极线连接；

在所述源漏极金属层之上形成公共电极薄膜，利用第五掩膜板使所述公共电极薄膜形成包括公共电极、以及分别形成于所述第一连接线、所述源电极和所述漏电极之上的辅助电极的公共电极层，所述公共电极覆盖所述连接电极和所述连接矩阵；

在所述公共电极层之上形成钝化层薄膜，利用第六掩膜板使所述钝化层薄膜形成包括第四过孔的钝化层，所述第四过孔与所述漏电极位置对应；

在所述钝化层之上形成像素电极薄膜，利用第七掩膜板使所述像素电极薄膜形成包括像素电极的像素电极层，所述像素电极通过所述第四过孔与所述漏电极连接。