CN106292109A - 阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示领域。包括：衬底基板；在所述衬底基板上的一侧形成有像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。本发明在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。本发明用于显示。

Description

阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(英文：Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay；简称：TFT-LCD)包括液晶面板、背光源和驱动电路板，其中，液晶面板是由阵列基板和彩膜基板配向并对盒后，中间加入液晶制作完成。
传统的TFT-LCD通常将薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)和像素电极制作在盒内，TFT的栅极线和源极线与像素电极之间会产生寄生电容，导致面板负载增加。现有技术通常采用增加像素电极与栅极线和源极线的间距或增加两道掩膜工序，在源漏极和像素氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称：ITO)层之间增加亚克力平坦化层等方式降低面板负载。
采用现有技术降低面板负载时，TFT具有较大段差，这样会影响TFT上方的膜层的形成以及影响阵列基板的配向，导致TFT-LCD的图像显示均一性和对比度较低。
发明内容
为了解决现有技术降低面板负载时，导致TFT-LCD的图像显示均一性和对比度较低的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上的一侧形成有像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；
在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。
可选的，所述衬底基板上形成有多个过孔，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。
可选的，所述过孔中形成有导电材料。
可选的，所述在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，包括：
在所述衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形包括栅极。
可选的，在形成有所述多个像素电极的衬底基板上的一侧还依次形成有第三钝化层和公共电极图形，所述公共电极图形包括多个公共电极。
可选的，在所述衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在所述衬底基板上的正投影区域包含所述任一像素电极对应的像素区域在所述衬底基板上的正投影区域。
第二方面，提供了一种显示面板，包括：第一方面任一所述的阵列基板。
可选的，所述显示面板还包括彩膜基板，以及形成在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的色阻层。
第三方面，提供了一种阵列基板的制造方法，包括：
在衬底基板上的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；
在所述衬底基板的另一侧形成多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。
可选的，在衬底基板上的一侧形成像素电极层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成多个过孔，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。
可选的，在所述衬底基板上形成多个过孔之后，所述方法还包括：
在所述过孔中形成导电材料。
可选的，所述在所述衬底基板的另一侧形成多个薄膜晶体管，包括：
在所述衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形包括栅极。
可选的，在衬底基板上形成所述多个像素电极之后，所述方法还包括：
在形成所述多个像素电极的衬底基板上的一侧依次形成第三钝化层和公共电极图形，所述公共电极图形包括多个公共电极。
可选的，在所述衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在所述衬底基板上的正投影区域包含所述任一像素电极对应的像素区域在所述衬底基板上的正投影区域。
第四方面，提供了一种显示面板的制造方法，包括：采用第三方面任一所述的阵列基板制造方法制造阵列基板。
可选的，所述显示面板还包括彩膜基板，所述方法还包括：
制造彩膜基板，所述制造彩膜基板包括：
在衬底基板上形成色阻层；
在所述彩膜基板与所述阵列基板之间形成液晶层。
第五方面，提供了一种显示装置，包括第二方面任一所述的显示面板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的方法流程图；
图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的方法流程图；
图6是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的方法流程图；
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的方法流程图。
其中，附图标记为：1、衬底基板；2、像素电极层；3、TFT；31、源漏极金属图形；311、漏极；312、源极；32、有源层图形；33、第一钝化层图形；34、栅极；35、第二钝化层；36、欧姆接触层；4、过孔；5、第三钝化层；6、公共电极图形；7、彩膜基板；71、色阻层；72、光阻材料层；8、液晶层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图1所示，该阵列基板包括：
衬底基板1。
在衬底基板1上的一侧形成有像素电极层2，该像素电极层2包括多个像素电极。
在衬底基板1的另一侧形成有多个TFT3，每个TFT3的漏极311与一个像素电极电连接。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，能够有效地提高了图像显示的均一性和对比度。
其中，衬底基板1为玻璃、硅片、石英以及塑料等具有一定坚固性的导光的且非金属材料制成的基板，通常为透明基板，该衬底基板1的材料优选为玻璃。
进一步的，如图2所示，该衬底基板1上形成有多个过孔4，该多个过孔4可以通过刻蚀或者激光打孔技术形成，该多个过孔4可以实现衬底基板1的一侧与另一侧的电连接，例如，每个TFT3的漏极311与一个像素电极通过一个过孔4电连接，栅线或者其他信号线可以与衬底基板1的一侧的控制电路连接。
实际应用中，在衬底基板1上形成的多个过孔4中可以形成有导电材料，通过该导电材料可以实现衬底基板1一侧与另一侧电路的导通。并且，用导电材料填充过孔4的方法有利于在形成其他膜层时，减小其他膜层之间的段差。
可选的，如图2所示，在形成有多个像素电极的衬底基板1上的一侧还依次形成有第三钝化层5和公共电极图形6，公共电极图形6包括多个公共电极。
在衬底基板1上另一侧形成的多个TFT3中，每个TFT3包括：在衬底基板1上依次形成源漏极金属图形31、有源层图形32、第一钝化层图形33、栅极金属图形和第二钝化层35，其中，源漏极金属图形31包括源极312和漏极311，栅极金属图形包括栅极34。
在衬底基板1上另一侧形成的多个TFT3的方式，使得像素电极所在的衬底基板1一侧没有金属信号线干扰，以此缩小位于衬底基板1一侧上的像素电极之间的间距，相应地能够增加像素电极的面积，使得开口率增大，以达到提升TFT-LCD的透过率的目的。并且，将TFT3制作在衬底基板1的另一侧，相对于现有技术，该结构中栅极34外层的第二钝化层35上无开孔，能够避免环境对金属线的腐蚀，可以提高阵列基板工作的可靠性。
可选地，在形成有源漏极金属图形31的衬底基板1上还可以形成有欧姆接触层36。欧姆接触层36位于源漏极金属图形31和有源层图形32之间，该欧姆接触层36用于减小源漏极金属图形31与有源层图形32之间的接触电阻。
需要说明的是，在该衬底基板1的另一侧还形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，围成的每个像素区域分别对应一个像素电极，且任一像素电极在衬底基板1上的正投影区域包含任一像素电极对应的像素区域在衬底基板1上的正投影区域。这样一来，本发明实施例提供的阵列基板的像素电极在衬底基板1上的正投影区域的外边缘与围成像素电极对应的像素区域的栅极线和源极线在衬底基板1上的投影区域的内边缘重叠，以此将非像素区域覆盖起来，起到遮光作用，即利用栅极线和源极线遮挡像素电极边缘的畸形电场区域，也就是起到了黑矩阵的作用。因此，相应的彩膜基板就无需设置黑矩阵，从而减少了黑矩阵的制造过程，简化了彩膜基板的制造工艺，并且还可以降低生产成本。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，可以有效减小栅极线与源极线之间的寄生电容，降低信号线负载，最终起到降低面板负载的作用。并且，由于TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。同时，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，使得在的衬底基板一侧的像素电极不受到金属信号线的干扰，相对于现有技术，缩小了像素电极之间的间距，相应地提高了TFT-LCD的透过率；并且，本发明实施例提供的阵列基板其栅极外层的第二钝化层上无开孔，相对于现有技术能够避免环境对金属线的腐蚀，可以提高阵列基板工作的可靠性。
本发明实施例还提供了一种显示面板，其包括本发明实施例提供的任一阵列基板。显示面板可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件的显示面板。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，由于TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，该显示面板可以包括本发明实施例提供的阵列基板，该阵列基板可以如图1或图2所示。进一步的，如图3所示，显示面板还可以包括彩膜基板7，以及形成在彩膜基板7与阵列基板之间的液晶层8。
优选地，彩膜基板7包括衬底基板1和形成在衬底基板1上的色阻层71。该色阻层71可以包括彩色滤光片，彩色滤光片一般包括红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。其中，红色滤光片仅允许红光通过，绿色滤光片仅允许绿光通过，蓝色滤光片仅允许蓝光通过。
可选的，在衬底基板1上还可以包括黑矩阵，其制作在彩膜基板7上时，能够将非像素区域覆盖起来，从而起到防止光泄漏、提高液晶显示对比度，保证了图像显示质量的作用。但是，本发明实施例提供的阵列基板可以利用像素电极对应的像素区域的栅极线和源极线代替黑矩阵，起到遮光的作用。因此，该彩膜基板7上可以不包括黑矩阵，以此减少在彩膜基板7上制造黑矩阵的过程，能够简化彩膜基板7的制造工艺，并且还可以在一定程度上降低生产成本。
可选的，该彩膜基板7还可以包括形成在色组层71上的上层覆盖(英文：OverCover；简称：OC)层，也可以不包括该层，本发明实施例对其不做具体限定。
可选的，该彩膜基板7还可以包括形成在色组层71上的光阻材料(英文：PhotoSpacer；简称：PS)层72。该光阻材料层72也可称为支撑柱。在彩膜基板7与阵列基板对盒成形后，该光阻材料层72位于彩膜基板7与阵列基板之间。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在阵列基板的衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。并且，彩膜基板上可以不设置黑矩阵，减少相应的工艺，简化制造流程。同时，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，使得在的衬底基板一侧的像素电极不受到金属信号线的干扰，相对于现有技术，缩小了像素电极之间的间距，相应地提高了TFT-LCD的透过率；并且，本发明实施例提供的阵列基板其栅极外层的第二钝化层上无开孔，相对于现有技术能够避免环境对金属线的腐蚀，可以提高阵列基板工作的可靠性。
本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，如图4所示，该方法包括：
步骤101、在衬底基板上的一侧形成像素电极层，像素电极层包括多个像素电极。
步骤102、在衬底基板的另一侧形成多个TFT，每个TFT的漏极与一个像素电极电连接。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过将像素电极层和多个TFT分别制造在衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。
图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板的制造方法可以应用于制造本发明实施例提供的阵列基板。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤201、在衬底基板上形成多个过孔，每个TFT的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。
衬底基板可以为透明基板。该衬底基板的制作材料可以为玻璃、硅片、石英以及塑料等具有一定坚固性的导光的且非金属材料，该制作材料优选为玻璃。
在衬底基板上形成过孔的方式可以为激光打孔或者通过一次构图工艺形成过孔，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。其中，刻蚀方式可以为湿刻、干刻和反应离子刻蚀(英文：Reactive Ion Etching；简称：RIE)等。
该多个过孔的形成可以实现衬底基板的一侧与另一侧的电连接，例如，每个TFT的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接，栅线或者其他信号线可以与衬底基板的一侧的控制电路连接。
步骤202、在过孔中形成导电材料。
在过孔中形成导电材料的方法可以为电镀、物理气相沉积(英文：Physical VaporDeposition；简称：PVD)和化学气相沉积(英文：Chemical Vapor Deposition；简称：CVD)等。导电材料可以为金属、导电半导体或者导电塑料等。
使用导电材料填充过孔的方式，有利于在形成有过孔的衬底基板上形成其他膜层时减小其他膜层之间的段差。
可选的，在过孔中形成导电材料之后，可以通过化学机械研磨抛光等方法去除凸出的导电材料，以使得衬底基板表面平整。
步骤203、在衬底基板上的一侧形成像素电极层，像素电极层包括多个像素电极。
示例的，在形成有过孔的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成透明导电层，该透明导电层的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌，也可以采用其他金属或者金属氧化物。然后对该透明导电层通过一次构图工艺形成像素电极层，该像素电极层包括多个像素电极。制成像素电极的一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
该像素电极与TFT的漏极通过基板上的过孔电连接。
步骤204、在形成多个像素电极的衬底基板上的一侧依次形成第三钝化层和公共电极图形，公共电极图形包括多个公共电极。
在形成多个像素电极的衬底基板上的一侧通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成第三钝化层，其中，第三钝化层可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，对应的反应气体可以为甲硅烷(SiH4)、氨气(NH3)、氮气(N2)的混合气体或二氯硅烷(SiH2Cl2)、NH3、N2的混合气体。
进一步地，在形成第三钝化层的衬底基板上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成公共电极膜层，然后对公共电极膜层通过一次构图工艺形成公共电极图形，公共电极的制作材料可以使用钨、钛、钼、铝、钕、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，也可使用上述几种材料组合。该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。其中，该公共电极图形包括多个公共电极。
步骤205、在衬底基板的另一侧形成多个TFT，每个TFT的漏极与一个像素电极电连接。
每个TFT的漏极通过衬底基板上的过孔中沉积的导电材料与一个像素电极电连接。
经过上述步骤201至204后，可以将衬底基板翻转，使衬底基板的另一侧朝上，在衬底基板的另一侧形成多个TFT，包括在衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，源漏极金属图形包括源极和漏极，栅极金属图形包括栅极。如图6所示，其具体步骤如下：
步骤2051、在衬底基板的另一侧形成源漏极金属图形。
该源漏极金属图形，可以包括源极和漏极。在衬底基板的另一侧通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种沉积源漏极金属膜层，该源漏极金属膜层可以使用铬、钨、钛、铊、钼、铝、铜等金属或其合金生成。然后对该源漏极金属膜层通过一次构图工艺形成源漏极金属图形，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
该源漏极金属图形还包括数据线。该数据线也称源/漏金属线，当该数据线与源极连接时，该数据线称为源极线；当该数据线与漏极连接时，该数据线称为漏极金属线。
步骤2052、在衬底基板的另一侧形成有源层图形。
在形成有源漏极金属图形的衬底基板的另一侧形成有源层图形，该有源层图形可以为非晶硅薄膜，对应的反应气体可以是SiH4、N2等气体的混合气体。
可选地，在形成有源漏极金属图形的衬底基板的另一侧还可以形成欧姆接触层，该欧姆接触层位于源漏极金属图形和有源层图形之间，实际应用中，该欧姆接触层和有源层图形可以通过一次构图工艺形成，该欧姆接触层可以采用n+非晶硅(英文：n+a-Si)形成。示例地，可以采用沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种在形成有非晶硅薄膜的衬底基板上沉积一层具有一定厚度的n+a-Si层，然后在该n+a-Si层上形成有源层，对该n+a-Si层和有源层通过一次构图工艺形成欧姆接触层和有源层图形，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
源极和漏极可以分别与该有源层连接。
步骤2053、在衬底基板的另一侧形成第一钝化层图形。
在形成有有源层的衬底基板的一侧，使用等离子体加强化学气相沉积等方法在基板上沉积第一钝化层膜层，该第一钝化层膜层可以采用氧化物、氮化物、氮氧化合物。对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。然后对该第一钝化层膜层通过一次构图工艺形成第一钝化层图形，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
该第一钝化层图形可以为栅绝缘层。
步骤2054、在衬底基板的另一侧形成栅极金属图形。
该栅极金属图形包括栅极。
在形成有第一钝化层图形的衬底基板的一侧，通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种在基板上沉积栅极金属层，该金属层的制作材料可以使用钨、钛、钼、铝、钕、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属，也可使用上述几种材料组合。然后，通过第一次构图工艺形成栅极金属图形，该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
该栅极金属图形还可以包括：栅极线。
步骤2055、在衬底基板的另一侧形成第二钝化层。
该第二钝化层可以选用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。
将TFT制造在衬底基板的另一侧，使得在的衬底基板一侧的像素电极不受到金属信号线干扰，可以缩小位于衬底基板一侧上的像素电极之间的间距，相应地能够增加像素电极的面积，使得开口率增大，以达到提升TFT-LCD的透过率的目的。并且，将TFT制作在衬底基板的另一侧，相对于现有技术，该结构中栅极外层的钝化层上无开孔，能够避免环境对金属线的腐蚀，可以提高阵列基板工作的可靠性。
在以上方法实施例中，在衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在衬底基板上的正投影区域包含任一像素电极对应的像素区域在衬底基板上的正投影区域。
像素电极在衬底基板上的正投影区域的外边缘与围成像素电极对应的像素区域的栅极线和源极线在衬底基板上的投影区域的内边缘重叠，可以对像素电极的边缘进行遮挡，起到了遮光的作用。相应的，彩膜基板则无需设置黑矩阵。因此，减少了黑矩阵的制造过程，简化了彩膜基板的制造工艺。
需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，例如，步骤203～204可以与步骤205互换顺序。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过将像素电极层和多个TFT分别制造在衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。并且，通过将像素电极层和多个TFT分别制造在衬底基板的两侧，使得在的衬底基板一侧的像素电极不受到金属信号线的干扰，相对于现有技术，缩小了像素电极之间的间距，相应地提高了TFT-LCD的透过率；并且，本发明实施例提供的阵列基板其栅极外层的第二钝化层上无开孔，相对于现有技术能够避免环境对金属线的腐蚀，可以提高阵列基板工作的可靠性。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法可以应用于制造本发明实施例提供的显示面板，该方法包括：采用本发明实施例提供的阵列基板制造方法制造阵列基板。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，通过将像素电极层和多个TFT分别设置在衬底基板的两侧，TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。
可选的，该显示面板还可以包括彩膜基板，如图7所示，本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法包括：
步骤301、在衬底基板上形成多个过孔，每个TFT的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。
步骤302、在过孔中形成导电材料。
步骤303、在衬底基板上的一侧形成像素电极层，像素电极层包括多个像素电极。
步骤304、在形成多个像素电极的衬底基板上的一侧依次形成第三钝化层和公共电极图形，公共电极图形包括多个公共电极。
步骤305、在衬底基板的另一侧形成多个TFT，每个TFT的漏极与一个像素电极电连接。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的方法的步骤301～步骤305的具体过程，可以参考前述阵列基板制造方法实施例中的步骤201～205对应过程，在此不再赘述。
步骤306、制造彩膜基板。
显示面板还可以包括彩膜基板，制造彩膜基板包括：在衬底基板上形成色阻层。该色阻层可以为彩色滤光片，彩色滤光片一般包括红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片。该色阻层可以在彩膜基板上通过一次构图工艺制作而成。该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
色阻层的具体制造方法可以为：
采用沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种在基板上沉积透明导电薄膜层，该透明导电薄膜层可以采用氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌，也可以采用其他金属或者金属氧化物。然后，沉积一层红色光刻胶薄膜，采用普通掩模板对红色光刻胶进行曝光、使红色光刻胶形成完全曝光区和非曝光区，非曝光区对应透明导电薄膜层上带有红色滤光层预设位置，完全曝光区对应除非曝光区之外的区域，显影处理后，完全曝光区的红色光刻胶被完全去除，非曝光区域的红色光刻胶全部保留，烘烤处理后形成红色滤光层。
在基板上，沉积绿色光刻胶薄膜，通过曝光、显影、烘烤处理，形成绿色滤光层。该步骤除光刻胶为绿色外，其他过程与上述红色滤光层构图工艺相同，这里不再赘述。
在基板上，沉积蓝色光刻胶薄膜，通过曝光、显影、烘烤处理，形成蓝色滤光层，该步骤除光刻胶为蓝色外，其他过程与上述红色滤光层构图工艺相同，这里不再赘述。
可选的，还可以在该衬底基板上形成黑矩阵，其制作在彩膜基板上时，能够将非像素区域覆盖起来，从而起到防止光泄漏、提高液晶显示对比度，保证了图像显示量的作用。但是，本发明实施例制造的阵列基板可以利用像素电极对应的像素区域的栅极线和源极线代替黑矩阵，起到遮光的作用。因此，在该彩膜基板上可以不制造黑矩阵，因此，减少了黑矩阵的制造过程，能够简化彩膜基板的制造工艺，并且还可以在一定程度上降低生产成本。
可选的，还可以在该彩膜基板的色组层上制造OC层，也可以不制造该层，本发明实施例对其不做具体限定。
步骤307、在彩膜基板与阵列基板之间形成液晶层。
显示面板还可以包括形成在彩膜基板与阵列基板之间的液晶层。其制造方法为：在完成了本发明实施例中步骤301～步骤305的阵列基板制作过程之后，可以采用喷墨打印的方式在阵列形成有像素电极的一侧基板上形成配向层，然后将彩膜基板与形成有配向层的阵列基板进行对盒，并在对盒后的阵列基板与彩膜基板之间滴注液晶，使得阵列基板与彩膜基板之间的液晶能够在配向层的作用下有序的排列，然后再完成贴偏光片、切割、绑定和背光组装等工序之后就可以制成显示面板。
在阵列基板与彩膜基板对盒成形后，形成在衬底基板上的公共电极和像素电极用于形成电容，使位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶能够在公共电极电压和像素电极电压的作用下产生偏转。
可选的，还可以在该彩膜基板的色组层上制造PS层。该PS层也可称为支撑柱。在彩膜基板与阵列基板对盒成形后，该PS层位于彩膜基板与阵列基板之间。
可选的，该彩膜基板的制造过程还可以包括在色组层上形成PS层。该PS层通过一次构图工艺制成具有一定图形的PS层，即支撑柱，在彩膜基板与阵列基板对盒成形后，该具有一定图形的PS层位于彩膜基板与阵列基板之间，用于支撑阵列基板和彩膜基板不塌陷。该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，例如，步骤301～305可以与步骤306～307互换顺序。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，通过将像素电极层和多个TFT分别制造在阵列基板的衬底基板的两侧，由于TFT的段差不影响像素电极层所在侧的膜层的形成和阵列基板的配向，因此在降低面板负载的基础上，有效地提高了图像显示的均一性和对比度。并且，彩膜基板上可以不设置黑矩阵，减少相应的工艺，简化制造流程。并且，通过将像素电极层和多个TFT分别制造在衬底基板的两侧，使得在的衬底基板一侧的像素电极不受到金属信号线干扰，相对于现有技术，缩小了像素电极之间的间距，相应地提高了TFT-LCD的透过率；并且，本发明实施例提供的阵列基板上栅极外层的第二钝化层上无开孔，相对于现有技术能够避免环境对金属线的腐蚀，可以提高阵列基板工作的可靠性。
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括本发明实施例提供的任一的显示面板。显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上的一侧形成有像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；
在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述衬底基板上形成有多个过孔，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述过孔中形成有导电材料。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述在所述衬底基板的另一侧形成有多个薄膜晶体管，包括：
在所述衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形包括栅极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
在形成有所述多个像素电极的衬底基板上的一侧还依次形成有第三钝化层和公共电极图形，所述公共电极图形包括多个公共电极。
6.根据权利要求1至5任一所述的阵列基板，其特征在于，在所述衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在所述衬底基板上的正投影区域包含所述任一像素电极对应的像素区域在所述衬底基板上的正投影区域。
7.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1至6任一所述的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括彩膜基板，以及形成在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板包括衬底基板和形成在所述衬底基板上的色阻层。
9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括多个像素电极；
在所述衬底基板的另一侧形成多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极电连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在衬底基板上的一侧形成像素电极层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成多个过孔，每个所述薄膜晶体管的漏极与一个像素电极通过一个过孔电连接。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成多个过孔之后，所述方法还包括：
在所述过孔中形成导电材料。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的另一侧形成多个薄膜晶体管，包括：
在所述衬底基板的另一侧依次形成源漏极金属图形、有源层图形、第一钝化层图形、栅极金属图形和第二钝化层，其中，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形包括栅极。
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成所述多个像素电极之后，所述方法还包括：
在形成所述多个像素电极的衬底基板上的一侧依次形成第三钝化层和公共电极图形，所述公共电极图形包括多个公共电极。
14.根据权利要求9至13任一所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板的另一侧形成有交错排布的多条栅极线和多条源极线，相邻的两条栅极线和相邻的两条源极线围成一个像素区域，每个像素区域对应一个像素电极，且任一像素电极在所述衬底基板上的正投影区域包含所述任一像素电极对应的像素区域在所述衬底基板上的正投影区域。
15.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：采用权利要求9至14任一所述的阵列基板制造方法制造阵列基板。
16.根据权利要求15所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述显示面板还包括彩膜基板，所述方法还包括：
制造彩膜基板，所述制造彩膜基板包括：
在衬底基板上形成色阻层；
在所述彩膜基板与所述阵列基板之间形成液晶层。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的显示面板。
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