CN106324881A - 显示装置、显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示装置、显示面板及其制备方法。该显示面板包括：阵列基板，包括多个子像素区域，每一所述子像素区域包括一个或者多个薄膜晶体管；对向基板，与所述阵列基板相对设置；色阻层，设于所述阵列基板上并位于所述阵列基板和对向基板之间，所述色阻层包括多个色阻块且每一所述色阻块均对应位于一所述子像素区域；多个第一触控电极，设于所述阵列基板上并位于所述阵列基板和对向基板之间；以及，多个第二触控电极，设于所述对向基板背离所述阵列基板的一面。本公开提供的显示面板可以降低显示面板制备成本。

Description

显示装置、显示面板及其制备方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板、该显示面板的制备方法以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
随着光学技术与半导体技术的发展，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)由于具有形体更轻薄、成本和能耗更低、反应速度更快、色纯度和亮度更优以及对比度更高等特点，已经被广泛应用于各类电子产品上。
同时，随着触控交互方式的普及，越来越来越多的平板显示装置中开始集成触控模块。举例而言，图1中示出了一种集成有触控模块的液晶显示面板，其主要包括：形成有TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列的阵列基板101、位于阵列基板101上的第一绝缘层102、数据线层103、第二绝缘层104、公共电极层105、第三绝缘层106、像素电极层107、配向膜层108以及与阵列基板101相对设置的彩膜基板110，并且在彩膜基板112上还设置有触控电极层111、黑矩阵层113以及色阻层114等。
在图1所示的液晶显示面板中，由于彩膜基板的一侧需要制作触控电极层，另一侧需要制作黑矩阵层以及色阻层，两侧膜层的制备工艺相互之间可能会有所影响，而且由于彩膜基板多为外购，使用双侧制作工艺制作彩膜基板会增加彩膜基板外购的成本。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种一种显示面板、该显示面板的制备方法以及包括该显示面板的显示装置，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种显示面板，包括：阵列基板，包括多个子像素区域，每一子像素区域包括一个或者多个薄膜晶体管；对向基板，与阵列基板相对设置；色阻层，设于阵列基板上并位于阵列基板和对向基板之间，色阻层包括多个色阻块且每一色阻块均对应位于一子像素区域；多个第一触控电极，设于阵列基板上并位于阵列基板和对向基板之间；以及，多个第二触控电极，设于对向基板背离阵列基板的一面。
在本公开的一种示例性实施例中，第一触控电极均沿第一方向延伸且沿第二方向依次排布；第二触控电极均沿第二方向延伸且多个第二触控电极沿第一方向依次排布。
在本公开的一种示例性实施例中，显示面板还包括：多个导电层，设于阵列基板面向对向基板的一面；多个绝缘层，设于相邻的两层导电层之间或者设置在阵列基板和与阵列基板相邻的导电层之间，并且绝缘层之一为色阻层。
在本公开的一种示例性实施例中，多个导电层以及多个绝缘层包括依次层叠设置的第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层、公共电极层、第三绝缘层以及像素电极层；其中，第二绝缘层为色阻层。
在本公开的一种示例性实施例中，显示面板还包括：黑矩阵，位于阵列基板上；子像素区域之间的间隙向阵列基板的正投影位于黑矩阵向阵列基板的正投影范围内。
在本公开的一种示例性实施例中，黑矩阵位于数据线层和第二绝缘层之间。
在本公开的一种示例性实施例中，显示面板还包括：隔垫物，设于阵列基板上，且隔垫物向阵列基板的正投影位于黑矩阵向阵列基板的正投影范围内。
在本公开的一种示例性实施例中，公共电极层被分割成多条彼此绝缘的公共电极；公共电极复用为第一触控电极。
在本公开的一种示例性实施例中，阵列基板还包括与数据线层中的数据线绝缘相交的多条栅极扫描线；其中，第一方向与数据线的延伸方向平行，第二方向与栅极扫描线的延伸方向平行；或者，第一方向与栅极扫描线的延伸方向平行，第二方向与数据线的延伸方向平行。
在本公开的一种示例性实施例中，其中：显示面板为液晶显示面板，对向基板为彩膜基板。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种显示面板制备方法，包括：形成包括多个薄膜晶体管的阵列基板的工序，阵列基板具有多个子像素区域，每一子像素区域包括一个或者多个薄膜晶体管；在阵列基板上形成色阻层的工序，色阻层包括多个色阻块且每一色阻块均对应位于一子像素区域；在阵列基板上形成多个第一触控电极的工序；形成与阵列基板相对设置的对向基板的工序；以及，在对向基板背离阵列基板的一面形成多个第二触控电极的工序。
在本公开的一种示例性实施例中，其中：在形成阵列基板的工序和形成色阻层的工序之间还包括依次形成第一绝缘层以及数据线层的工序；在形成第一触控电极的工序和形成对向基板的工序之间还包括依次形成第三绝缘层以及像素电极层的工序。
在本公开的一种示例性实施例中，其中，形成色阻层包括：在数据线层上形成第一基色的色阻层，并通过构图工艺形成多个第一基色的色阻块；在数据线层上形成第二基色的色阻层，并通过构图工艺形成多个第二基色的色阻块；在数据线层上形成第三基色的色阻层，并通过构图工艺形成多个第三基色的色阻块。
在本公开的一种示例性实施例中，显示面板制备方法还包括：形成黑矩阵的工序，子像素区域之间的间隙向阵列基板的正投影位于黑矩阵向阵列基板的正投影范围内。
在本公开的一种示例性实施例中，形成黑矩阵的工序包括：在数据线层上方形成黑矩阵，并且色阻层形成于黑矩阵上方。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括根据上述任意一项的显示面板。
本公开一种示例性实施例中的技术方案中，通过将色阻层制作于阵列基板上，使得对向基板上仅需要于玻璃基板的一侧制作触控电极，因此降低了对向基板的制备工艺复杂度。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性示出一种现有显示面板的结构图。
图2示意性示出本公开示例性实施例中一种显示面板的结构图。
图3示意性示出本公开示例性实施例中显示面板制备方法的流程图。
图4A-图4J为本公开示例性实施例中显示面板制备过程中各工艺步骤状态的示意图。
图5为本公开示例性实施例中一种显示装置的示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
本公开示例性实施例首先提供了一种显示面板。参考图2中所示，为本示例实施例中显示面板的结构图。其中，显示面板200可以包括阵列基板201、对向基板211、色阻层205、第一触控电极206以及第二触控电极212。其中，阵列基板201包括多个子像素区域，每一子像素区域包括一个或者多个薄膜晶体管，对向基板211与阵列基板201相对设置。色阻层205设于阵列基板201上并位于阵列基板201和对向基板211之间，色阻层205包括多个色阻块且每一色阻块均对应位于一子像素区域。多个第一触控电极206设于阵列基板201上并位于阵列基板201和对向基板211之间，多个第二触控电极212设于对向基板211背离阵列基板201的一面。由于对向基板211通常为外购，本示例实施方式中将色阻层205设置于阵列基板201上之后，对向基板211上仅需要于玻璃基板的一侧制作第二触控电极212，降低了工艺复杂度，减少了外购成本。下面以液晶显示面板为例，对本示例实施方式中的显示面板进行更详细的说明：
本示例实施方式的阵列基板201为可以包括衬底基板以及以及具有栅极扫描线和栅极的栅金属层、栅绝缘层、有源层以及在有源层上形成的具有源极以及漏极的源漏金属层等膜层。其中，栅金属层可以采用Nd、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的任一种或者其中至少两种金属的合金构成，具有栅极和栅极扫描线的图案；栅绝缘层可以采用SiNx、SiO2、Al2O3，AlN或树脂构成，且具有过孔；有源层可以采用半导体a-Si构成，且有源层在源极以及漏极之间形成有沟道；源漏金属层可以采用Nd、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的任一种或者其中至少两种金属的合金构成，且具有源极和漏极的图案。其中，由栅极扫描线和数据线划分出的多个子像素区域，并且每个子像素中的上述膜层可以形成一个或者多个薄膜晶体管。
在本实施例中，于阵列基板201上设置有色阻层205。色阻层205位于阵列基板201和对向基板211之间，又称彩膜层。色阻层205包括多个由绝缘材料制成的色阻块，其中每一色阻块均对应位于一阵列基板201上的子像素区域。一般而言，液晶显示装置多采用红、绿、蓝三基色的混色方案，即像素区域包括红(R)绿(G)蓝(B)三个子像素，当然实际应用时，并不限于此，还包括红绿蓝白(RGBW)，红绿蓝黄(RGBY)等混色方案。本实施例的显示面板可以采用红、绿、蓝三基色的混色方案。色阻层205包括的多个色阻块可以为单基色色阻块，即均由某一种基色的色阻层形成，例如红色色阻块、绿色色阻块和蓝色色阻块。在本示例示例实施例中，通过将色阻层205设置于阵列基板201上，简化了对向基板211的制作工艺，降低了对向基板211的外购成本。
于阵列基板201之上，还设置有多个第一触控电极206。第一触控电极206位于阵列基板201和对向基板211之间，例如可以是沿一第一方向延伸且沿一第二方向依次排布的条形电极，可以作为触控驱动电极用于在显示面板工作在触控阶段时提供触控驱动电压，且该触控驱动电极可以对应多个像素列宽。第二触控电极212设置于与阵列基板201相对设置的对向基板211上。举例而言，对向基板211具有面向阵列基板201的一面和背离阵列基板201的一面。在对向基板211背离阵列基板201的一面，设置有多个沿第二方向延伸且沿第一方向依次排布的条形的第二触控电极212。当显示面板工作在触控阶段时，第二触控电极212可以作为触控感应电极用于在显示面板工作在触控阶段时提供触控感应信号，第一触控电极206提供的触控驱动电压与第二触控电极212提供的触控感应电压形成多个触控检测点，使得显示面板可以进行触控。其中，第一触控电极206与第二触控电极212均为透明电极，制作材料优选为ITO或IZO等透明导电材料。
继续参考图2中所示，本示例实施方式中，显示面板于阵列基板201面向对向基板211的一面还设置有多个导电层以及多个设置于相邻的两层导电层之间或者设置在阵列基板201和与阵列基板201相邻的导电层之间的绝缘层。如图2所示，导电层与绝缘层按层叠结构交替设置，从下至上可以依次为第一绝缘层202、数据线层203、第二绝缘层207、公共电极层206、第三绝缘层207以及像素电极层208。其中，第一绝缘层202、第二绝缘层以及第三绝缘层207例如均为透明绝缘层，可以采用SiNx、SiO2、Bl2O3，BlN或树脂构成，用以隔离各导电层。为了各导电层的电路或电极之间的连接，第一绝缘层202、第二绝缘层205以及第三绝缘层207可以包括一个或多个过孔。此外，本示例实施方式中，是将色阻层205复用为第二绝缘层，从而减少了一层绝缘层的使用，进行可以简化显示面板的结构，更加有利于显示面板的轻薄化；而且，由于减少了一次绝缘层构图工艺，因此还可以降低制备工艺的复杂度，降低显示面板的制作成本。在图2中，是色阻层205复用为第二绝缘层，但本领域技术人员容易理解的是，在本公开的其他示例性实施例中，色阻层205也可以复用为其他绝缘层，上述导电层以及绝缘层的类型以及数量也可以根据实际需求而有所变化，这些同样属于本公开的保护范围。
继续参考图2中所示，在设置于阵列基板201上的第一绝缘层202上，形成有一数据线层203。数据线层203包括多条平行且相互隔离的金属数据线，这些数据线均沿上述第一方向延伸，沿上述第二方向依次排布，即多条数据线可以与上述第一触控电极206平行。数据线层203中的多条数据线用于提供显示面板工作在显示阶段时的数据电压信号，需要与栅极扫描线层配合工作。在上述描述中，第一方向D1与数据线的延伸方向平行，第二方向D2与栅极扫描线的延伸方向平行。但在本公开的其他实施例中，也可以为第一方向D1与栅极扫描线的延伸方向平行，第二方向D2与数据线的延伸方向平行。
在设置于数据线层203的第二绝缘层(即色阻层205)之上，设置有一公共电极层206。公共电极层206为透明导电层，采用ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等材料制作，用于在显示面板工作在显示阶段时提供公共电压信号。该公共电压信号可以与像素电极层208提供的像素电压信号相配合，控制液晶分子偏转实现透光或遮光效果，使得该显示面板可以进行显示。在本实施例中，公共电极层206可以被分割成多条彼此绝缘的公共电极，并被复用为第一触控电极206。通过公共电极与第一触控电极206的复用，简化了显示面板的结构，提高了电极利用效率，而且减少了显示面板中的走线密度，有利于提升透过率。此外，由于公共电极层206在采用透明导电材料时阻抗较大，为了减小阻抗，本示例实施方式中还可以在公共电极层206上设置有一由金属材料制成的辅助导电层206’。辅助导电层206’的图形可以有多种设计，例如可以使辅助导电层206’图形位于公共电极线上方非透光区域(后叙黑矩阵区域)对应位置。辅助导电层206’的设置可以降低公共电极线上的电阻及因此导致的信号延迟以及畸变。
与公共电极层206相隔一第三绝缘层207设置的像素电极层208可以包括多个梳状的像素电极。在本实施例中，像素电极与公共电极(即第一触控电极206)可以平行设置，用于在显示面板工作在显示阶段时与公共电极之间产生横向电场，通过该横向电场可以控制液晶分子的偏转，进而控制显示面板进行显示。
继续参考图2中所示，显示面板200还可以包括黑矩阵204。在本实施例中，黑矩阵204位于数据线层203和第二绝缘层(即色阻层205)之间。黑矩阵204具有遮光功能，可以用于遮挡阵列基板201上的各子像素区域中的电路与走线。具体而言，子像素区域之间的间隙向阵列基板201的正投影位于黑矩阵向阵列基板201的正投影范围内，即黑矩阵的遮光范围包括薄膜晶体管的对应区域、数据线对应区域、栅线对应区域和阵列基板201周边需要遮光的区域。
此外，继续将参考图2中所示，本示例实施方式中的显示面板还可以包括配向膜层209以及设于像素电极层208上的多个隔垫物210。配向膜层209可以于阵列基板201面向对向基板211的一侧以及对向基板211面向阵列基板201的一侧相对设置，通常由添加了聚丙烯酸的聚酰亚胺液晶取向剂等构成，用于提供位于两个基板之间的液晶分子的初始化配向定位。隔垫物210可以包括具有多个，用于支撑在阵列基板201与对向基板211之间以产生一平行间隙，该间隙可以用于液晶或其他发光材料的填充。其中，各隔垫物210向阵列基板201的正投影位于黑矩阵向阵列基板201的正投影范围内，即各隔垫物210均被黑矩阵遮挡，避免显示于显示区域之内。
如上所述的实施方式仅以显示面板为液晶显示面板为例，此时上述的对向基板211可以为液晶显示面板中的彩膜基板。
本公开示例性实施例还提供一种显示面板制备方法。参考图3，显示面板的制备可以包括阵列基板201制备工序301、色阻层205制备工序302、第一触控电极206制备工序303以及第二触控电极212制备工序304等工序。图4A-图4J为本公开示例性实施例中显示面板制备过程中各工序步骤状态的示意图。其中：
阵列基板201制备工序301可以包括：首先，将透明基板充分清洗后在其清洁干净的表面上通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)等方法形成半导体膜或隔离膜，再通过磁控溅射沉积镀膜等方法形成一金属膜作为栅金属膜层，并通过第一次构图工艺形成栅电极、栅极扫描线以及公共电极线的图形。其次，在经过第一次构图工艺的基板上利用PECVD依次沉积SiNx栅绝缘层和a-Si有源层，并经过第二次构图工艺形成半导体有源层的图形。最后，在经过第二次构图工艺的基板上通过磁控溅射沉积等方式沉积源漏金属层，并通过第三次构图工艺使源漏金属层形成源电极和漏电极的图形。
上述的构图工艺可以包括涂胶曝光\显影\刻蚀\剥离等步骤，即通过对膜层涂覆光刻胶，并运用掩膜工艺对光刻胶进行曝光从而使光刻胶产生光化学反应，将掩膜上的图形转移到光刻胶上，再通过刻蚀的方法将产生光化学反应的光刻胶和该光刻胶遮盖的膜层部分刻蚀掉，最后去除光刻胶，使膜层形成设计所需要的图形。通过上述制备工序，阵列基板201上可以形成包括一个或多个薄膜晶体管的的多个子像素区域。图4A为经过步骤301后的显示面板状态。
在形成阵列基板201后，可以在阵列基板201上依次形成第一绝缘层202与数据线层203。参考图4B，可以通过PECVD等方式在阵列基板201的源漏金属层上沉积一透明绝缘层作为第一绝缘层202后，通过磁控溅射等方式沉积一金属层作为数据线层203，利用上述涂胶曝光\显影\刻蚀\剥离等构图工艺步骤使上述金属层形成平行隔离的多条金属数据线。
在形成数据线层203后，还可以形成黑矩阵层204。参考图4C，形成黑矩阵的具体工艺可以为：在数据线层203上旋涂或刮涂一层黑矩阵用光刻胶，采用刻画有图形的掩膜板对基板进行曝光，然后，对曝光后的基板进行显影，得到黑矩阵的图形。其中，所述黑矩阵图形的厚度例如可以为1-5μm，黑矩阵图形向阵列基板201的的正投影覆盖子像素区域之间的间隙向阵列基板201的正投影。
步骤302，于制作黑矩阵后，可以在黑矩阵层204上形成色阻层205。参考图4D，色阻层205包括多个色阻块且每一色阻块均对应位于一子像素区域。对于通常的R、G、B三基色混色方案，本步骤一般共需要三次掩膜工艺，用以分别形成三种单基色色阻层205。首先，在黑矩阵层204上通过PECVD等方式沉积形成第一基色的色阻层205，并通过构图工艺形成多个第一基色的色阻块；其次，在黑矩阵层204上通过PECVD等方式沉积形成第二基色的色阻层205，并通过构图工艺形成多个第二基色的色阻块；最后，在黑矩阵层204上通过PECVD等方式沉积形成第三基色的色阻层205，并通过构图工艺形成多个第三基色的色阻块。上述的第一基色、第二基色以及第三基色可以分别为红色(R)、绿色(G)与蓝色(B)基色，且本实施例不限制前者与后者的对应顺序。
步骤303，形成色阻层205后，可以在色阻层205之上形成公共电极层206。由上述描述可知，公共电极层206复用为第一触控电极206层，包括多个彼此绝缘平行的第一触控电极206。参考图4E，制作公共电极层206时，可以首先利用磁控溅射沉积等方式一透明导电层，具体地，透明导电层可以采用ITO或IZO。然后，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，使用曝光\显影\刻蚀\剥离等构图工艺步骤形成多个彼此绝缘平行的第一触控电极206。最后，参考图4E，通过磁控溅射等方式沉积一金属辅助导电层206’，并利用构图工艺形成分布于黑矩阵投影下的用于降低公共电极层206电阻的多个辅助导电电极。
由于公共电极层206需要与阵列基板201中的公共电极线相连接，上述步骤还包括以色阻层205为隔离保护层，对第一绝缘层202和栅绝缘层进行干刻，在公共电极与公共电极线连接的位置形成贯穿第一绝缘层202及栅绝缘层的过孔，以通过透明导电材料(第一绝缘层202及栅绝缘层)将公共电极线引出。
于形成公共电极层206(第一触控电极206层)后，本示例实施方式中还可以于上述辅助导电层206’上通过PECVD等方式沉积一透明的第三绝缘层207，所用材料可以与上述第一绝缘层202相同。参考图4G与图4F，在第三绝缘层207的平面上，通过磁控溅射等方式沉积一金属层作为像素电极层208，并通过构图工艺形成多个与第一触控电极206平行的像素电极。
参考图4I，本示例性实施例中，可以将上述隔垫物210形成于阵列基板201上。通过将隔垫物210固定在像素电极层208上黑矩阵投影区域下，可以为显示面板的发光材料填充提供一定间隙。上述支撑柱的固定方式可以为卡座、粘合或本领域公知的其他方式，本示例实施例对此不做限制。
步骤304，阵列基板201一侧的工序完成后，需要制作与阵列基板201相对设置的对向基板211，以及位于对向基板211靠近阵列基板201一侧的配向膜层209。参考图4J，首先，可以将透明基板充分清洗后在其清洁干净的表面上通过磁控溅射等方式沉积一透明导电层，举例而言，透明导电层可以采用ITO或IZO等才开。然后，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，使用曝光\显影\刻蚀\剥离等构图工艺步骤形成多个彼此绝缘平行的第二触控电极212。
综上所述，由于本公开中的技术方案通过将色阻层制作于阵列基板上，使得对向基板上仅需要于玻璃基板的一侧制作触控电极，因此降低了对向基板的制备工艺复杂度，减少了对向基板的外购成本。而且，将色阻层复用为绝缘层，从而减少了一层绝缘层的使用，进行可以简化显示面板的结构，更加有利于显示面板的轻薄化；同时，由于减少了一次绝缘层构图工艺，因此还可以降低制备工艺的复杂度，降低显示面板的制作成本。
进一步的，本公开还提供一种显示装置，包括根据上述工艺制成的的显示面板。图5示出了本示例实施例提供的一种显示装置的示意图。如图5所示，显示装置500可以为具有触控功能的手机，并且该显示装置500中显示面板的结构和功能与上述实施例相同，这里不再赘述。本领域技术人员可以理解的是，上述显示装置还可以为具有触控功能的液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、可穿戴式智能设备等任何具有显示功能的产品或部件，这里不再一一列举。由于该显示装置包括本示例实施方式中所提供的显示面板，因此至少具备本示例实施方式中所提供的显示面板的全部优点，本示例实施方式中对此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括多个子像素区域，每一所述子像素区域包括一个或者多个薄膜晶体管；
对向基板，与所述阵列基板相对设置；
色阻层，设于所述阵列基板上并位于所述阵列基板和对向基板之间，所述色阻层包括多个色阻块且每一所述色阻块均对应位于一所述子像素区域；
多个第一触控电极，设于所述阵列基板上并位于所述阵列基板和对向基板之间；以及，
多个第二触控电极，设于所述对向基板背离所述阵列基板的一面。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一触控电极均沿第一方向延伸且沿第二方向依次排布；所述第二触控电极均沿所述第二方向延伸且所述多个第二触控电极沿所述第一方向依次排布。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
多个导电层，设于所述阵列基板面向所述对向基板的一面；
多个绝缘层，设于相邻的两层所述导电层之间或者设置在所述阵列基板和与所述阵列基板相邻的导电层之间，并且所述绝缘层之一为所述色阻层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述多个导电层以及多个绝缘层包括依次层叠设置的第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层、公共电极层、第三绝缘层以及像素电极层；其中，所述第二绝缘层为所述色阻层。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
黑矩阵，位于所述阵列基板上；所述子像素区域之间的间隙向所述阵列基板的正投影位于所述黑矩阵向所述阵列基板的正投影范围内。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵位于所述数据线层和所述第二绝缘层之间。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
隔垫物，设于所述阵列基板上，且所述隔垫物向所述阵列基板的正投影位于所述黑矩阵向所述阵列基板的正投影范围内。
8.根据权利要求4～7任意一所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极层被分割成多条彼此绝缘的公共电极；所述公共电极复用为所述第一触控电极。
9.根据权利要求4～7任意一项任意一所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述数据线层中的数据线绝缘相交的多条栅极扫描线；其中，所述第一方向与所述数据线的延伸方向平行，所述第二方向与所述栅极扫描线的延伸方向平行；或者，所述第一方向与所述栅极扫描线的延伸方向平行，所述第二方向与所述数据线的延伸方向平行。
10.根据权利要求1～7任意一所述的显示面板，其特征在于，其中：
所述显示面板为液晶显示面板，所述对向基板为彩膜基板。
11.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
形成包括多个薄膜晶体管的阵列基板的工序，所述阵列基板具有多个子像素区域，每一所述子像素区域包括一个或者多个所述薄膜晶体管；
在所述阵列基板上形成色阻层的工序，所述色阻层包括多个色阻块且每一所述色阻块均对应位于一所述子像素区域；
在所述阵列基板上形成多个第一触控电极的工序；
形成与所述阵列基板相对设置的对向基板的工序；以及，
在所述对向基板背离所述阵列基板的一面形成多个第二触控电极的工序。
12.根据权利要求11所述的显示面板制备方法，其特征在于，其中：
在形成所述阵列基板的工序和形成所述色阻层的工序之间还包括依次形成第一绝缘层以及数据线层的工序；
在形成所述第一触控电极的工序和形成所述对向基板的工序之间还包括依次形成第三绝缘层以及像素电极层的工序。
13.根据权利要求12所述的显示面板制备方法，其特征在于，其中，形成所述色阻层包括：
在所述数据线层上形成第一基色的色阻层，并通过构图工艺形成多个第一基色的所述色阻块；
在所述数据线层上形成第二基色的色阻层，并通过构图工艺形成多个第二基色的所述色阻块；
在所述数据线层上形成第三基色的色阻层，并通过构图工艺形成多个第三基色的所述色阻块。
14.根据权利要求13所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述显示面板制备方法还包括：
形成黑矩阵的工序，所述子像素区域之间的间隙向所述阵列基板的正投影位于所述黑矩阵向所述阵列基板的正投影范围内。
15.根据权利要求14所述的显示面板制备方法，其特征在于，其中，形成黑矩阵的工序包括：
在所述数据线层上方形成所述黑矩阵，并且所述色阻层形成于所述黑矩阵上方。
16.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求1～10任意一所述的显示面板。
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