CN103728797A - 显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置，涉及显示技术领域，能够在消除串扰现象的前提下，降低显示面板的制作成本。本发明实施例中的显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括在第一衬底基板上依次形成的多个膜层，数据线和漏极位于同一膜层，栅线、栅极和第一公共电极位于同一膜层，所述栅线、所述栅极和所述第一公共电极所在的膜层位于所述数据线和所述漏极所在的膜层与像素电极所在的膜层之间。

Description

显示面板及其制作方法和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术

液晶显示器中的显示面板用于显示画面，显示面板主要包括阵列基板和彩膜基板。其中，阵列基板由衬底基板及形成在衬底基板上的多个膜层构成。

图1为阵列基板上的数据线部分的截面图，在衬底基板10’上依次形成有公共电极11’、栅极绝缘层12’、有源层13’、数据线14’、钝化层15’和像素电极16’。其中，公共电极11’与阵列基板上的栅线、栅极位于同一膜层，即经过一次构图工艺在衬底基板10’上同时形成了公共电极11’与栅线和栅极。

在使用图1所示的阵列基板的过程中，当给数据线14’施加电压时，由于数据线14’与像素电极16’之间只隔着一层绝缘的钝化层16’，因此数据线14’会和像素电极16’之间产生“耦合”，即数据线14’的电压对像素电极16’的电压产生拉动，从而导致显示面板在显示画面时产生串扰现象。

现有技术中，可以通过公共电极11’上移的方法来消除串扰现象的方法，即使公共电极11’位于像素电极16’与数据线14’之间，从而能屏蔽掉上述的“耦合”。发明人发现，采用上述方法消除串扰现象需要增加一次构图工艺，用于在像素电极16’与数据线14’之间形成包括公共电极11’的图形，因此需要增加掩膜版的使用数量和工序，从而导致显示面板的制作成本增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种显示面板及其制作方法和显示装置，能够在消除串扰现象的前提下，降低显示面板的制作成本。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板，该采用如下技术方案：

一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括在第一衬底基板上依次形成的多个膜层，数据线和漏极位于同一膜层，栅线、栅极和第一公共电极位于同一膜层，所述栅线、所述栅极和所述第一公共电极所在的膜层位于所述数据线和所述漏极所在的膜层与像素电极所在的膜层之间。

具体地，所述在第一衬底基板上依次形成的多个膜层包括：

位于所述第一衬底基板上的第一膜层，所述第一膜层包括黑矩阵；

位于所述第一膜层上的第二膜层，所述第二膜层包括有源层，其中，所述有源层所在区域落在所述黑矩阵所在区域内；

位于所述第二膜层上的第三膜层，所述第三膜层包括所述数据线和所述漏极；

位于所述第三膜层上的第四膜层，所述第四膜层为第一绝缘层；

位于所述第四膜层上的第五膜层，所述第五膜层包括所述栅线、所述栅极和所述第一公共电极；

位于所述第五膜层上的第六膜层，所述第六膜层为第二绝缘层，其中，所述第四膜层和所述第六膜层上设置有对应于所述漏极的过孔；

位于所述设置有所述过孔的所述第六膜层上的第七膜层，所述第七膜层包括所述像素电极，所述像素电极通过所述过孔电连接所述漏极。

进一步地，所述显示面板还包括彩膜基板，所述彩膜基板包括：

第二衬底基板；

位于所述第二衬底基板上的彩色滤色层；

位于所述彩色滤色层上的第二公共电极。

此外，所述彩膜基板还包括：

透明保护层，所述透明保护层位于所述彩色滤色层和所述第二公共电极之间。

本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板具有如上所述的结构。一方面，由于栅极和第一公共电极所在的膜层位于数据线和漏极所在的膜层与像素电极所在的膜层之间，因此，第一公共电极可以屏蔽数据线与像素电极之间的“耦合”，从而可以消除显示面板中的串扰现象。另一方面，由于栅线、栅极和第一公共电极位于同一膜层，栅线、栅极和第一公共电极可以在一次构图工艺中形成，因此减少了掩膜板的使用数量，简化了显示面板的制作工序，从而降低了显示面板的制作成本。

本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括以上任一项所述的显示面板。

为了进一步解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法采用如下技术方案：

一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：

在基板上形成第一金属层，经过一次构图工艺形成包括数据线和漏极的图形；

在所述基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二金属层，经过一次构图工艺形成包括栅线、栅极和第一公共电极的图形；

在所述基板上，形成第二绝缘层；

在形成的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，经过一次构图工艺形成对应于所述漏极的过孔；

在所述基板上，形成一层透明导电层，经过一次构图工艺形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔电连接所述漏极，以形成阵列基板。

进一步地，所述显示面板的制作方法还包括：

在第一衬底基板上，形成一层遮光层，经过一次构图工艺形成包括黑矩阵的图形；

在所述第一衬底基板上，形成半导体薄膜，经过一次构图工艺形成包括有源层的图形，以形成所述基板，其中，所述有源层所在区域落在所述黑矩阵所在区域内。

此外，所述显示面板的制作方法还包括：

在第二衬底基板上形成彩色滤色层；

形成第二公共电极，以形成彩膜基板。

进一步地，在形成第二公共电极前还包括：

在所述彩色滤色层上，形成透明保护层。

本发明实施例提供了一种如上所述的显示面板的制作方法，其中先形成了包括数据线和漏极的图形，然后形成包括栅线、栅极和第一公共电极的图形，最后形成包括像素电极的图形，使得形成的显示面板上的栅线、栅极和第一公共电极所在的膜层位于数据线和漏极所在的膜层与像素电极所在的膜层之间，从而第一公共电极可以屏蔽数据线和像素电极之间的“耦合”，进而消除串扰现象。另外，栅线、栅极和第一公共电极在一次构图工艺中形成，因此减少了掩膜板的使用数量，简化了显示面板的制作工序，从而降低了显示面板的制作成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的阵列基板上的数据线部分的截面示意图；

图2为本发明实施例中的第一种阵列基板的平面示意图；

图3为本发明实施例中的图2所示的阵列基板沿A-A’方向的截面示意图；

图4为本发明实施例中的图2所示的阵列基板沿B-B’方向的截面示意图；

图5为本发明实施例中的彩膜基板的结构示意图；

图6为本发明实施例中的显示面板的结构示意图；

图7为本发明实施例中的显示面板的制作方法流程图；

图8为本发明实施例中的图7中步骤S701中的基板的制作方法流程图；

图9为本发明实施例中的第二种阵列基板的结构示意图；

图10为本发明实施例中的彩膜基板的制作方法流程图。

附图标记说明：

1—阵列基板；       10—第一衬底基板； 11—黑矩阵；

12—有源层；        131—数据线；      132—漏极；

14—第一绝缘层；    151—栅线；        152—栅极；

153—第一公共电极； 16—第二绝缘层；   17—像素电极；

18—过孔；          20—第二衬底基板； 21—彩色滤色层；

22—透明保护层；    23—第二公共电极； 3—液晶分子层；

31—液晶分子；      4—隔垫物；        10’—衬底基板；

11’—公共电极；    12’—栅极绝缘层； 13’—有源层；

14’—数据线；      15’—钝化层；     16’—像素电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板能够在消除串扰现象的前提下，降低显示面板的制作成本。下面结合附图对本发明实施例提供的显示面板进行详细的描述。

该显示面板包括阵列基板，如图2、图3和图4所示，阵列基板包括在第一衬底基板10上依次形成的多个膜层，其中，数据线131和漏极132位于同一膜层，栅线151、栅极152和第一公共电极153位于同一膜层，栅线151、栅极152和第一公共电极153所在的膜层位于数据线131和漏极132所在的膜层与像素电极所在的膜层之间。

具体地，如图2、图3和图4所示，在第一衬底基板10上依次形成的多个膜层包括：

位于第一衬底基板10上的第一膜层，第一膜层包括黑矩阵11。其中，黑矩阵11的材料可以为无环感旋光性树脂、聚亚胺非感旋光树脂或者上述树脂的组合，也可以为铬氧化物、钼氧化物或者上述氧化物的组合。此外，黑矩阵11的厚度可以为

位于第一膜层11上的第二膜层，第二膜层包括有源层12，其中，有源层12所在区域落在黑矩阵11所在区域内。示例性地，有源层12包括厚度为

的半导体层和厚度为的掺杂半导体层。

需要说明的是，由于上述阵列基板包括的第一衬底基板10通常为透光性好的玻璃基板或者石英基板，为了避免背光源发射出的光线照射到有源层12上，使有源层12产生光生载流子，从而使阵列基板无法正常使用，在本发明实施例中将黑矩阵11设置在阵列基板上，使有源层12所在区域落在黑矩阵11所在区域内，黑矩阵11可以将背光源发射出的光线全部遮挡，从而避免有源层12在背光源的光线的照射下产生光生载流子，确保阵列基板可以正常使用。

位于第二膜层上的第三膜层，第三膜层包括数据线131和漏极132。其中数据线131和漏极132的厚度可以为

此外，数据线131和漏极132的材质可以为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金。需要补充的是，在本发明实施例中，阵列基板上未设置源极，使用数据线131直接作为源极，但并不局限于使用数据线131直接作为源极，也可以在阵列基板上设置源极。

位于第三膜层上的第四膜层，第四膜层为第一绝缘层14。示例性地，第一绝缘层14的厚度可以为

第一绝缘层14的材质可以为氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

位于第四膜层上的第五膜层，第五膜层包括栅线151、栅极152和第一公共电极153。其中，栅线151、栅极152和第一公共电极153可以使用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金制成，也可以由多层金属薄膜组成。栅线151、栅极152和第一公共电极153的厚度可以为

位于第五膜层上的第六膜层，第六膜层为第二绝缘层16，其中，第四膜层和第六膜层上设置有对应于漏极的过孔18。第二绝缘层16的厚度可选为

通常，第二绝缘层16的材质可以为氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

位于设置有过孔18的第六膜层上的第七膜层，第七膜层包括像素电极17，像素电极17通过过孔18电连接漏极132。其中，像素电极17的厚度可以为

像素电极的材质一般为氧化铟锡，氧化铟锌，氧化铝锌等透明导电物。

进一步地，本发明实施例提供的显示面板还包括彩膜基板，如图5所示，该彩膜基板包括：

第二衬底基板20，第二衬底基板20优选为透光性好的玻璃基板或者石英基板。

位于第二衬底基板20上的彩色滤色层21，其中彩色滤色层21优选厚度为1μm～3μm的具有滤光作用的树脂材料。具体地，彩色滤色层21包括红色区域、绿色区域和蓝色区域，红色区域选用可以透过红光的树脂材料，绿色区域选用可以透过绿光的树脂材料，蓝色区域选用可以透过蓝光的树脂材料。

位于彩色滤色层21上的第二公共电极23，第二公共电极23的厚度可以为

，第二公共电极23的材质一般为氧化铟锡，氧化铟锌，氧化铝锌等透明导电物。

进一步地，以上所述的彩膜基板还可以包括透明保护层22，从而可以更好地保护彩色滤色层21以及改善彩色滤色层21的表面平坦程度。其中，透明保护层22位于彩色滤色层21和第二公共电极23之间。一般地，透明保护层22的材料优选为环氧树脂系和亚克力树脂系高分子材料。

此外，如图6所示，显示面板还包括位于阵列基板1和彩膜基板2之间的液晶分子层3，液晶分子层3中的液晶分子31可以在阵列基板1上的像素电极17和彩膜基板2上的第二公共电极23之间的电场的作用下发生偏转，从而决定背光源发射出的光线是否可以通过液晶分子层3。

进一步地，为了使阵列基板1和彩膜基板2对盒后，阵列基板1和彩膜基板2之间的盒厚稳定，从而具有更好的显示效果，如图6所示，本发明实施例提供的显示面板还包括隔垫物4，隔垫物4优选为柱状隔垫物，隔垫物4的材质可以为聚亚胺非感旋光树脂等。另外，隔垫物4可以位于阵列基板1上，也可以位于彩膜基板2上，在本发明实施例中优选将隔垫物4设置于形成了第二公共电极23的彩膜基板2上。

本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板具有如上所述的结构。一方面，由于栅极和第一公共电极所在的膜层位于数据线和漏极所在的膜层与像素电极所在的膜层之间，因此，第一公共电极可以屏蔽数据线与像素电极之间的“耦合”，从而可以消除显示面板中的串扰现象。另一方面，由于栅线、栅极和第一公共电极位于同一膜层，栅线、栅极和第一公共电极可以在一次构图工艺中形成，因此减少了掩膜板的使用数量，简化了显示面板的制作工序，从而降低了显示面板的制作成本。

此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上所述的显示面板。具体地，所述显示装置可以包括：液晶面板、电子纸、有机发光二极管面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

实施例二

为了制备具有如上结构的显示面板，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，如图7所示，该显示面板的制作方法包括如下步骤：

步骤S701、在基板上形成第一金属层，经过一次构图工艺形成包括数据线和漏极的图形。

首先，通过溅射或者热蒸发等方法在基板上形成第一金属层，通常，第一金属层选用如Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金沉积而成，第一金属层的厚度为

然后，在第一金属层上涂覆光刻胶，使用具有包括数据线131和漏极132图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的第一金属层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，在基板上形成包括数据线131和漏极132的图形。需要补充的是，在本发明实施例中，使用数据线131直接作为源极，但并不局限于使用数据线131直接作为源极，也可以在阵列基板1上设置源极，此时只需要使用于遮盖涂覆有光刻胶的第一金属层的掩膜板上还包括源极的图案即可。

步骤S702、在完成上述步骤的基板上形成第一绝缘层。

通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法，在完成上述步骤的基板上形成第一绝缘层14。示例性地，第一绝缘层14的厚度可以为

，第一绝缘层14可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物制成，制备上述材质的第一绝缘层14时使用反应气体可以为SiH₄、NH₃、N₂的混合气体或SiH₂Cl₂、NH₃、N₂的混合气体。

步骤S703、在第一绝缘层上形成第二金属层，经过一次构图工艺形成包括栅线、栅极和第一公共电极的图形。

首先，通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法在第一绝缘层14上形成第二金属层。通常，第二金属层可以为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金，也可以为多层金属薄膜组成的结构。第二金属层的厚度可以为

然后，在第二金属层上涂覆光刻胶，使用具有包括栅线151、栅极152和第一公共电极153的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的第二金属层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成包括栅线151、栅极152和第一公共电极153的图形。

步骤S704、在完成上述步骤的基板上，形成第二绝缘层。

通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法，在完成上述步骤的基板上形成第二绝缘层16。可选地，第二绝缘层16的厚度可选为

通常，第二绝缘层16的材质可以为氧化物、氮化物或者氧氮化合物，制备上述材质的第二绝缘层16时使用反应气体可以为SiH₄、NH₃、N₂的混合气体或SiH₂Cl₂、NH₃、N₂的混合气体。

步骤S705、在形成的第一绝缘层和第二绝缘层上，经过一次构图工艺形成对应于漏极的过孔。

在第二绝缘层16上涂覆光刻胶，使用具有过孔18的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的第二绝缘层16，然后经过曝光、显影、刻蚀等工艺后，掩膜板上过孔18的图形处对应的第一绝缘层14和第二绝缘层均被刻蚀掉，从而使第一绝缘层14和第二绝缘层16上形成对应于漏极132的过孔18。

步骤S706、在完成上述步骤的基板上，形成一层透明导电层，经过一次构图工艺形成像素电极，像素电极通过过孔电连接漏极，以形成阵列基板。

首先，通过溅射或者热蒸发等方法，在完成上述步骤的基板上形成一层透明导电层。其中，透明导电层的厚度可以为

透明导电层的材质一般为氧化铟锡，氧化铟锌，氧化铝锌等透明导电物。

然后，在透明导电层上涂覆光刻胶，使用具有像素电极17的图案的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的透明导电层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成像素电极17，从而形成阵列基板1。

进一步地，在步骤S701：在基板上形成第一金属层，经过一次构图工艺形成包括数据线和漏极的图形，之前还包括用以形成所述基板的步骤，具体可以包括如图8所示的以下步骤：

步骤S801、在第一衬底基板上，形成一层遮光层，经过一次构图工艺形成包括黑矩阵的图形。

首先，通过涂覆等方法，在第一衬底基板10上形成一层遮光层，遮光层的材料可以为无环感旋光性树脂、聚亚胺非感旋光树脂或者上述树脂的组合，也可以为铬氧化物、钼氧化物或者上述氧化物的组合。此外，遮光层的厚度可以为

然后，在遮光层上涂覆光刻胶，使用具有包括黑矩阵11图案的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的遮光层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成包括黑矩阵11的图形。

步骤S802、在完成上述步骤的第一衬底基板上，形成半导体薄膜，经过一次构图工艺形成包括有源层的图形，以形成所述基板，其中，有源层所在区域落在黑矩阵所在区域内。

首先，通过等离子体化学气相沉积等方法，在完成上述步骤的第一衬底基板10上形成半导体薄膜，示例性地，半导体薄膜可以为包括厚度为的半导体层和厚度为

的掺杂半导体层的双层结构。

然后，在半导体薄膜上涂覆光刻胶，使用具有包括有源层12的图案的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的半导体薄膜，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成包括有源层12的图形，进而形成步骤S701中所述的基板。

需要说明的是，步骤S802中形成的有源层12所在区域落在步骤S801中形成的黑矩阵11所在区域内，其主要原因在于，第一衬底基板10通常为透光性好的玻璃基板或者石英基板，为了避免背光源发射出的光线照射到有源层12上，使有源层12产生光生载流子，从而使阵列基板无法正常使用，本发明实施例中将黑矩阵11设置在阵列基板上，使有源层12所在区域落在黑矩阵11所在区域内，黑矩阵11可以将背光源发射出的光线全部遮挡，从而避免有源层12在背光源的光线的照射下产生光生载流子，确保阵列基板可以正常使用。

此外，还需要补充的是，阵列基板的制作过程中，可以如本发明实施例所述的先形成半导体薄膜，经过一次构图工艺形成有源层12，再形成第一金属层，经过一次构图工艺形成数据线131和漏极132；也可以先形成半导体薄膜和第一金属层，然后在第一金属层上涂覆光刻胶，使用一个半透掩膜板遮盖，经过第一次曝光、第一次显影、第一次刻蚀后，形成数据线131和漏极132，然后经过第二次曝光、第二次显影、第二次刻蚀后，形成有源层12，此时，形成的阵列基板的结构如图9所示，其中整条数据线131的下方均设置有有源层12。

进一步地，由于显示面板还包括如图5所示的彩膜基板，因此显示面板的制作方法还包括图10所示的用以形成彩膜基板的以下步骤：

步骤S901、在第二衬底基板上形成彩色滤色层。

由于彩色滤色层21包括红色区域、绿色区域和蓝色区域，因此，彩色滤色层21上不同颜色的区域的制作需要分别进行。

示例性地，先制作红色区域，其具体制作过程如下：

首先，通过涂覆等方法，在第二衬底基板20上涂覆一层可以透过红光的树脂材料，厚度可以为1μm～3μm。

然后，使用具有红色区域的图案的掩膜板遮盖上述树脂材料，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成彩色滤色层21的红色区域。类似地，依次形成彩色滤色层21的绿色区域和蓝色区域。

需要说明的是，在本发明实施例中，先形成红色区域，再形成绿色区域，最后形成蓝色区域，但红色区域、绿色区域和蓝色区域的形成顺序并不局限于此，本领域技术人员可以根据实际情况进行调整，本发明实施例对此不进行限定。

步骤S902、形成第二公共电极，以形成彩膜基板。

通过溅射或者热蒸发等方法，形成第二公共电极23，从而形成彩膜基板2。示例性地，第二公共电极23的厚度可以为

第二公共电极23的材质一般为氧化铟锡，氧化铟锌，氧化铝锌等透明导电物。

为了更好地保护彩色滤色层21以及改善彩色滤色层21的表面平坦程度，在形成第二公共电极23之前，还可以通过沉积、涂覆等方式在彩色滤色层21上形成透明保护层22，然后在透明保护层22上形成第二公共电极23，以形成彩膜基板2。一般地，透明保护层22的材料优选为环氧树脂系和亚克力树脂系高分子材料。

进一步地，为了使阵列基板和彩膜基板对盒后，阵列基板和彩膜基板之间的盒厚稳定，从而具有更好的显示效果，如图6所示，本发明实施例提供的显示面板还包括隔垫物4，因此，本发明实施例提供的显示面板的制作方法还包括隔垫物4的制作，并优选在彩膜基板2上制作柱状隔垫物，具体制作过程如下：首先，通过涂覆等方法，在彩膜基板2上形成一层隔垫物层，通常隔垫物层的材质为聚亚胺非感旋光树脂等；然后，使用具有柱状隔垫物图案的掩膜板遮盖隔垫物层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，在彩膜基板2上形成柱状隔垫物。

最后，在阵列基板1或形成了柱状隔垫物的彩膜基板2上涂布一圈封框胶，使用液晶滴下装置在封框胶围成的区域内滴下适量的液晶分子31，在真空环境中进行对盒工艺，将两块基板相互贴合，使封框胶固定成型，最终形成了如图6所示的包括阵列基板1、彩膜基板2、液晶分子层3和隔垫物4的显示面板。

本发明实施例提供了一种如上所述的显示面板的制作方法，其中先形成了包括数据线和漏极的图形，然后形成包括栅线、栅极和第一公共电极的图形，最后形成包括像素电极的图形，使得形成的显示面板上的栅线、栅极和第一公共电极所在的膜层位于数据线和漏极所在的膜层与像素电极所在的膜层之间，从而第一公共电极可以屏蔽数据线和像素电极之间的“耦合”，进而消除串扰现象。另外，栅线、栅极和第一公共电极在一次构图工艺中形成，因此减少了掩膜板的使用数量，简化了显示面板的制作工序，从而降低了显示面板的制作成本。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括在第一衬底基板上依次形成的多个膜层，其特征在于，

数据线和漏极位于同一膜层，栅线、栅极和第一公共电极位于同一膜层，所述栅线、所述栅极和所述第一公共电极所在的膜层位于所述数据线和所述漏极所在的膜层与像素电极所在的膜层之间。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述在第一衬底基板上依次形成的多个膜层包括：

位于所述第一衬底基板上的第一膜层，所述第一膜层包括黑矩阵；

位于所述第一膜层上的第二膜层，所述第二膜层包括有源层，其中，所述有源层所在区域落在所述黑矩阵所在区域内；

位于所述第二膜层上的第三膜层，所述第三膜层包括所述数据线和所述漏极；

位于所述第三膜层上的第四膜层，所述第四膜层为第一绝缘层；

位于所述第四膜层上的第五膜层，所述第五膜层包括所述栅线、所述栅极和所述第一公共电极；

位于所述第五膜层上的第六膜层，所述第六膜层为第二绝缘层，其中，所述第四膜层和所述第六膜层上设置有对应于所述漏极的过孔；

位于所述设置有所述过孔的所述第六膜层上的第七膜层，所述第七膜层包括所述像素电极，所述像素电极通过所述过孔电连接所述漏极。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括彩膜基板，所述彩膜基板包括：

第二衬底基板；

位于所述第二衬底基板上的彩色滤色层；

位于所述彩色滤色层上的第二公共电极。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括：

透明保护层，所述透明保护层位于所述彩色滤色层和所述第二公共电极之间。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的显示面板。

6.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成第一金属层，经过一次构图工艺形成包括数据线和漏极的图形；

在所述基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二金属层，经过一次构图工艺形成包括栅线、栅极和第一公共电极的图形；

在所述基板上，形成第二绝缘层；

在形成的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，经过一次构图工艺形成对应于所述漏极的过孔；

在所述基板上，形成一层透明导电层，经过一次构图工艺形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔电连接所述漏极，以形成阵列基板。

7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，

还包括：

在第一衬底基板上，形成一层遮光层，经过一次构图工艺形成包括黑矩阵的图形；

在所述第一衬底基板上，形成半导体薄膜，经过一次构图工艺形成包括有源层的图形，以形成所述基板，其中，所述有源层所在区域落在所述黑矩阵所在区域内。

8.根据权利要求6或7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：

在第二衬底基板上形成彩色滤色层；

形成第二公共电极，以形成彩膜基板。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，

在形成第二公共电极前还包括：

在所述彩色滤色层上，形成透明保护层。

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