CN103779360A - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够避免显示装置出现混色、透过率下降和漏光的不良现象。该显示基板包括衬底基板和位于衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，栅线和数据线围成像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，衬底基板上还设置有彩色滤色层和黑矩阵；彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个像素单元内的像素电极在衬底基板上的垂直投影落在彩色滤色层的一个颜色区域在衬底基板上的垂直投影内；黑矩阵位于栅线、数据线和薄膜晶体管的上方，栅线、数据线和薄膜晶体管在衬底基板上的垂直投影均落在黑矩阵在衬底基板上的垂直投影内。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器的显示面板主要包括阵列基板和彩膜基板。其中，阵列基板上设置有纵横交错的栅线和数据线，栅线和数据线围成像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，彩膜基板上设置有黑矩阵和彩色滤色层，其中彩色滤色层包括红色区域、绿色区域和蓝色区域。显示面板的制作过程包括制作阵列基板、制作彩膜基板以及阵列基板和彩膜基板对盒等步骤。
发明人发现，阵列基板和彩膜基板在对盒时容易出现对位误差，使得显示装置出现显示不良现象。具体地，阵列基板上的像素电极和彩膜基板上的彩色滤色层出现对位误差，使得阵列基板上一个像素单元内的像素电极正对着彩膜基板上彩色滤色层的多个不同颜色的区域，穿过该像素电极的光线会呈现多种颜色，使得显示装置出现混色的不良现象；阵列基板上的栅线、数据线和薄膜晶体管和彩膜基板上的黑矩阵出现对位误差，黑矩阵不能将栅线、数据线和薄膜晶体管完全遮盖，使得显示装置出现透过率下降和漏光的不良现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够避免显示装置出现混色、透过率下降和漏光的不良现象。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板，采用如下技术方案：
一种显示基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线围成像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述衬底基板上还设置有彩色滤色层和黑矩阵；
所述彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个所述像素单元内的所述像素电极在所述衬底基板上的垂直投影落在所述彩色滤色层的一个所述颜色区域在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述黑矩阵位于所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的上方，所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的垂直投影均落在所述黑矩阵在所述衬底基板上的垂直投影内。
所述薄膜晶体管包括：
位于衬底基板上的有源层；
位于所述有源层上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的栅极；
位于所述栅极上的源漏极绝缘层，所述栅极绝缘层和所述源漏极绝缘层上设置有对应于源极的第一过孔和对应于漏极的第二过孔；
位于所述源漏极绝缘层上的所述源极和所述漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。
所述彩色滤色层位于所述源极和所述漏极上方；
所述衬底基板上还设置有：
位于所述彩色滤色层上的钝化层，所述彩色滤色层和所述钝化层上设置有对应于所述漏极和所述像素电极的第三过孔；
位于所述钝化层上的所述像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏极电连接；
所述黑矩阵位于所述像素电极上方。
所述衬底基板上还设置有位于所述彩色滤色层和所述钝化层之间的公共电极；
所述像素电极上设置有狭缝。
本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板，衬底基板上设置有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，本发明还将黑矩阵和彩色滤色层也同时设置在衬底基板上，进而避免彩膜基板和阵列基板之间的对位误差。其中，彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个像素单元内的像素电极在衬底基板上的垂直投影只落在彩色滤色层的一个颜色区域在衬底基板上的垂直投影内，使得穿过该像素电极的光线只能呈现一种颜色，使得应用此基板的显示装置不会出现混色的不良现象。黑矩阵位于栅线、数据线和薄膜晶体管的上方，栅线、数据线和薄膜晶体管在衬底基板上的垂直投影均落在黑矩阵在衬底基板上的垂直投影内，因此，黑矩阵可以将栅线、数据线和薄膜晶体管完全遮挡，使得应用此基板的显示装置不会出现透光率波动和漏光的不良现象。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上任一项所述的基板。
为了进一步解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，采用如下技术方案：
该显示基板的制作方法包括：
在衬底基板上形成包括纵横交错的栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的图形，所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述栅线和所述数据线围成的像素单元内；
所述方法还包括在所述衬底基板上形成彩色滤色层和黑矩阵的图形；
所述彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个所述像素单元内的所述像素电极在所述衬底基板上的垂直投影落在所述彩色滤色层的一个所述颜色区域在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述黑矩阵位于所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的上方，所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的垂直投影均落在所述黑矩阵在所述衬底基板上的垂直投影内。
具体地，所述在衬底基板上形成包括纵横交错的栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的图形，所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述栅线和所述数据线围成的像素单元内，包括：
在所述衬底基板上，形成一层半导体层，通过构图工艺形成包括有源层的图形；
在形成了所述有源层的图形的所述衬底基板上，形成一层栅极绝缘层；
在形成了所述栅极绝缘层的所述衬底基板上，形成一层栅极金属层，通过构图工艺形成包括所述栅线和栅极的图形；
在形成了所述栅线和所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成一层源漏极绝缘层，通过构图工艺使所述栅极绝缘层和所述源漏极绝缘层上形成对应于源极的第一过孔和对应于漏极的第二过孔的图形；
在形成了所述源漏极绝缘层的所述衬底基板上，形成一层源漏极金属层，通过构图工艺形成包括所述数据线、所述源极和所述漏极的图形，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接，以形成所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形；
在形成了所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形的所述衬底基板上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括所述像素电极的图形。
进一步地，所述在所述衬底基板上形成彩色滤色层的图形，包括：
在形成了所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形的所述衬底基板上形成所述彩色滤色层的图形，所述彩色滤色层的图形包括至少一个颜色区域；
所述显示基板的制作方法还包括：
在形成了所述彩色滤色层的图形的所述衬底基板上，形成一层钝化层，通过构图工艺使所述钝化层和所述彩色滤色层的图形上形成对应于所述漏极和所述像素电极的第三过孔的图形；
所述在形成了所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形的所述衬底基板上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括所述像素电极的图形，包括：
在形成了所述钝化层的所述衬底基板上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形；
所述在所述衬底基板上形成黑矩阵的图形，包括：
在形成了所述像素电极的图形的所述衬底基板上，形成所述黑矩阵的图形。
进一步地，在所述在形成了所述彩色滤色层的图形的所述衬底基板上，形成一层钝化层，通过构图工艺使所述钝化层和所述彩色滤色层上形成对应于所述漏极和所述像素电极的第三过孔的图形之前，还包括：
在形成了所述彩色滤色层的图形的所述衬底基板上，形成公共电极的图形。
本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，将栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、黑矩阵和彩色滤色层同时制作在一个衬底基板上，进而避免彩膜基板和阵列基板之间的对位误差。其中，形成的彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个像素单元内的像素电极在衬底基板上的垂直投影只落在彩色滤色层的一个颜色区域在衬底基板上的垂直投影内，使得穿过该像素电极的光线只能呈现一种颜色，使得应用此方法制作的显示基板的显示装置不会出现混色的不良现象。形成的黑矩阵位于栅线、数据线和薄膜晶体管的上方，栅线、数据线和薄膜晶体管在衬底基板上的垂直投影均落在黑矩阵在衬底基板上的垂直投影内，因此，形成的黑矩阵可以将栅线、数据线和薄膜晶体管完全遮挡，使得应用此方法制作的显示基板的显示装置不会出现透光率波动和漏光的不良现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示基板中栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的结构示意图；
图2为图1所示的显示基板中黑矩阵和彩色滤色层的示意图；
图3为图1所示的显示基板沿A-A’方向的截面图一；
图4为本发明实施例提供的另一种显示基板的截面图；
图5为本发明实施例提供的显示基板的制作方法流程图；
图6为图5所示的制作方法中步骤S501的具体流程图。
附图标记说明：
1—衬底基板； 2—有源层； 3—栅极绝缘层；
4—栅线； 5—栅极； 6—源漏极绝缘层；
7—第一过孔； 8—第二过孔； 9—数据线；
10—源极； 11—漏极； 12—彩色滤色层；
13—钝化层； 14—第三过孔； 15—像素电极；
16—黑矩阵； 17—公共电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供了一种显示基板，如图1和图3所示，该显示基板包括衬底基板1和位于衬底基板1上的纵横交错的栅线4和数据线9，栅线4和数据线9围成像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极15。
参见图2所示，该衬底基板1上还设置有彩色滤色层12和黑矩阵16。其中，彩色滤色层12包括至少一个颜色区域，一个像素单元内的像素电极15在衬底基板1上的垂直投影落在彩色滤色层12的一个颜色区域在衬底基板1上的垂直投影内。黑矩阵16位于栅线4、数据线9和薄膜晶体管的上方，栅线4、数据线9和薄膜晶体管在衬底基板1上的垂直投影均落在黑矩阵16在衬底基板1上的垂直投影内。
需要说明的是，为了使显示基板具有较大的透过率，本发明实施例优选栅线4、数据线9和薄膜晶体管在衬底基板1上的垂直投影均落在黑矩阵16在衬底基板1上的垂直投影内，且栅线4、数据线9和薄膜晶体管在衬底基板1上的垂直投影与黑矩阵16在衬底基板1上的垂直投影完全重合，或者是黑矩阵16黑矩阵16在衬底基板1上的垂直投影稍大于栅线4、数据线9和薄膜晶体管在衬底基板1上的垂直投影。
具体地，上述衬底基板1上设置有如下结构：
首先，上述衬底基板上设置有薄膜晶体管结构。
薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管，也可以为顶栅型薄膜晶体管。在本发明实施例中的薄膜晶体管优选为顶栅型薄膜晶体管，进而可以避免在使用过程中薄膜晶体管的阈值电压发生漂移。具体地，如图3所示，该薄膜晶体管包括：
位于衬底基板1上的有源层2，通常衬底基板1为透光性好的玻璃基板或者石英基板。有源层2可以选用多晶硅、非晶硅、单晶硅或者金属氧化物半导体材料等。此外，还可以在衬底基板1和有源层2之间设置一层缓冲层。
位于有源层2上的栅极绝缘层3，栅极绝缘层3通常为氧化物、氮化物或者氧氮化合物，也可以为绝缘的树脂材料。
位于栅极绝缘层3上的栅极5，栅极5通常选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料。
位于栅极5上的源漏极绝缘层6，栅极绝缘层3和源漏极绝缘层6上设置有对应于源极10的第一过孔7和对应于漏极11的第二过孔8。源漏极绝缘层6通常为氧化物、氮化物或者氧氮化合物，也可以为绝缘的树脂材料。
位于源漏极绝缘层6上的源极10和漏极11，源极10通过第一过孔7与有源层2连接，漏极11通过第二过孔8与有源层2连接。源极10和漏极11通常选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属及其合金材料。
其次，参见图3所示，上述衬底基板1上还设置有：
位于源极10和漏极11上的彩色滤色层12，彩色滤色层12可包括红色区域、绿色区域和蓝色区域，每个区域的材质为相应颜色的彩色感光树脂。
位于彩色滤色层12上的钝化层13，彩色滤色层12和钝化层13上设置有对应于漏极11和像素电极15的第三过孔14。钝化层13的材质通常为氧化物、氮化物或者氧氮化合物，也可以为绝缘的树脂材料。
位于钝化层13上的像素电极15，像素电极15通过第三过孔14与漏极11电连接。像素电极15通常为ITO、IZO等透明导电物。
位于像素电极15上的黑矩阵16，黑矩阵16通常为具有很好的遮光性且不会反光的黑色树脂。
进一步地，为了改善显示装置的显示效果，本发明实施例中还应用了高级超维场转换技术，如图4所示，所述衬底基板上还设置有位于彩色滤色层12和钝化层13之间的公共电极17，此时像素电极15上可设置有狭缝，也就是形成具有狭缝的像素电极15，当然每个像素电极15也可以为条状电极，像素电极15和公共电极17在衬底基板1的投影方向可以有重叠或者相互交叉不重叠。此外还可以使公共电极17上设置有狭缝或者像素电极15和公共电极17上都设置有狭缝，通过像素电极15和公共电极17在同一平面内产生的水平电场，使液晶分子转动取向，以进行显示，本发明实施例对此不进行限定。需要说明的是，此时，第三过孔14的内侧应设置有钝化层13，使得像素电极15通过第三过孔14与漏极11电连接时，不会和公共电极17发生短路。
需要说明的是，上述各个结构之间的位置关系并不局限于此，只要能使得一个像素单元内的像素电极15在衬底基板1上的垂直投影落在彩色滤色层12的一个颜色区域在衬底基板1上的垂直投影内，黑矩阵16位于栅线4、数据线9和薄膜晶体管的上方，栅线4、数据线9和薄膜晶体管在衬底基板1上的垂直投影均落在黑矩阵16在衬底基板1上的垂直投影内即可，示例性地，还可以使彩色滤色层12和黑矩阵14位于同一膜层，但当应用高级超维场转换技术时，需要单独在数据线9、源极10和漏极11与公共电极17之间形成一层绝缘层，制作工艺较为复杂。此外，上述显示基板还可以根据实际需要包括其他结构，本发明实施例对此不进行限定。
本发明实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板，衬底基板上设置有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，本发明还将黑矩阵和彩色滤色层也同时设置在衬底基板上，进而避免彩膜基板和阵列基板之间的对位误差。其中，彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个像素单元内的像素电极在衬底基板上的垂直投影只落在彩色滤色层的一个颜色区域在衬底基板上的垂直投影内，使得穿过该像素电极的光线只能呈现一种颜色，使得应用此显示基板的显示装置不会出现混色的不良现象。黑矩阵位于栅线、数据线和薄膜晶体管的上方，栅线、数据线和薄膜晶体管在衬底基板上的垂直投影均落在黑矩阵在衬底基板上的垂直投影内，因此，黑矩阵可以将栅线、数据线和薄膜晶体管完全遮挡，使得应用此显示基板的显示装置不会出现透光率波动和漏光的不良现象。
此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上所述的显示基板，可将上述的显示基板作为阵列基板，再提供一不需要设置其他结构的裸玻璃基板，将上述的显示基板与其对盒，注入液晶，即可形成液晶显示面板，以用于制作显示装置。本领域技术人员可以很清楚的想到该显示装置还可以包括其他结构，因此本发明在此不进行赘述。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
实施例二
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，如图5所示，该制作方法包括：
步骤S501、在衬底基板上形成包括纵横交错的栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的图形，薄膜晶体管和像素电极位于栅线和数据线围成的像素单元内。
步骤S502、在衬底基板上形成彩色滤色层和黑矩阵的图形。
其中，彩色滤色层12包括至少一个颜色区域，一个像素单元内的像素电极15在衬底基板1上的垂直投影落在彩色滤色层12的一个颜色区域在衬底基板1上的垂直投影内.
黑矩阵16位于栅线4、数据线9和薄膜晶体管的上方，栅线4、数据线9和薄膜晶体管在衬底基板1上的垂直投影均落在黑矩阵16在衬底基板1上的垂直投影内。
具体地，步骤S501包括如图6所示的步骤：
步骤S601、在衬底基板上，形成一层半导体层，通过构图工艺形成包括有源层的图形。
首先，通过等离子体化学气相沉积等方法，在衬底基板1上形成一层半导体层。
然后，在半导体层上涂覆光刻胶，使用具有包括有源层2的图案的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的半导体层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成包括有源层2的图形。
步骤S602、在形成了有源层的图形的衬底基板上，形成一层栅极绝缘层。
通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法，在形成了有源层2的图形的衬底基板1上，形成一层栅极绝缘层3。
步骤S603、在形成了栅极绝缘层的衬底基板上，形成一层栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅线和栅极的图形。
首先，通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法在形成了栅极绝缘层3的衬底基板1上形成一层栅极金属层。
然后，在栅极金属层上涂覆光刻胶，使用具有包括栅线4和栅极5的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的栅极金属层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成包括栅线4和栅极5的图形。
步骤S604、在形成了栅线和栅极的图形的衬底基板上，形成一层源漏极绝缘层，通过构图工艺使栅极绝缘层和源漏极绝缘层上形成对应于源极的第一过孔和对应于漏极的第二过孔的图形。
首先，通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法，在形成了栅线4和栅极5的衬底基板1上，形成一层源漏极绝缘层6。
然后，在源漏极绝缘层6上涂覆光刻胶，使用具有包括第一过孔7和第二过孔8的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的源漏极绝缘层6，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，使栅极绝缘层3和源漏极绝缘层6上形成对应于源极10的第一过孔7和对应于漏极11的第二过孔8的图形。
步骤S605、在形成了源漏极绝缘层的衬底基板上，形成一层源漏极金属层，通过构图工艺形成包括数据线、源极和漏极的图形，源极通过第一过孔与有源层连接，漏极通过第二过孔与有源层连接，以形成栅线、数据线和薄膜晶体管的图形。
首先，通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法在形成了源漏极绝缘层6的衬底基板1上，形成一层源漏极金属层。
然后，在源漏极金属层上涂覆光刻胶，使用具有包括数据线9、源极10和漏极11的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的源漏极金属层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成包括数据线9、源极10和漏极11的图形，源极10通过第一过孔7与有源层2连接，漏极11通过第二过孔8与有源层2连接，以形成栅线4、数据线9和薄膜晶体管的图形。
步骤S606、在形成了栅线、数据线和薄膜晶体管的图形的衬底基板上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形。
首先，可以通过沉积、溅射、涂覆等方式在形成了钝化层13的衬底基板1上，形成一层透明导电层。
然后，在透明导电层上涂覆光刻胶，使用具有包括像素电极15的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的透明导电层，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，形成包括像素电极15的图形。
进一步地，基于上述步骤，在衬底基板1上形成彩色滤色层12的图形包括：
在形成了栅线4、数据线9和薄膜晶体管的图形的衬底基板1上形成彩色滤色层12的图形，彩色滤色层12包括至少一个颜色区域。
具体地，可以使用喷墨打印、颜料分散法、印刷等方法在形成了栅线4、数据线9和薄膜晶体管的图形的衬底基板1上形成彩色滤色层12的图形。示例性地，当彩色滤色层12包括红色区域、绿色区域和蓝色区域时，应分三次分别形成。示例性地，先形成红色区域，应在衬底基板上涂布一层红色感光树脂，使用相应的掩膜板遮盖，进行曝光、显影，得到红色区域；然后形成绿色区域，在整个衬底基板上涂布绿色感光树脂，使用相应的掩膜板遮盖，进行曝光、显影，得到绿色区域；最后形成蓝色区域，在整个衬底基板上涂布蓝色感光树脂，使用相应的掩膜板遮盖，进行曝光、显影，最后得到蓝色区域。经过上述过程后，在形成了栅线4、数据线9和薄膜晶体管的图形的衬底基板1上形成了彩色滤色层12的图形。
进一步地，所述显示基板的制作方法还包括：在形成了彩色滤色层12图形的衬底基板1上，形成一层钝化层13，通过构图工艺使钝化层13和彩色滤色层12的图形上形成对应于漏极11和像素电极15的第三过孔14的图形。
具体地，首先，通过等离子增强化学气相沉积、溅射或者热蒸发等方法，在形成了彩色滤色层12的衬底基板上1，形成一层钝化层13。
然后，在钝化层13上涂覆光刻胶，使用具有包括第三过孔14的图形的掩膜板遮盖涂覆有光刻胶的钝化层13，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，使钝化层13上形成对应于漏极11和像素电极15的第三过孔14的图形。
进一步地，基于上述步骤，在形成了栅线4、数据线9和薄膜晶体管的图形的衬底基板1上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极15的图形，包括：
在形成了钝化层13的衬底基板1上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极15的图形。
进一步地，基于上述步骤，在衬底基板1上形成黑矩阵16的图形，包括：在形成了像素电极15的图形的衬底基板1上，形成黑矩阵16的图形。
具体地，可以通过喷墨打印、颜料分散法、印刷等方法在形成了像素电极15的衬底基板1上形成黑矩阵16。示例性地，首先，涂布一层黑色感光树脂。然后，使用具有黑矩阵16的图案的掩膜板遮盖黑色感光树脂，经过曝光、显影、刻蚀等步骤后，在形成了像素电极15的图形的衬底基板1上，形成黑矩阵16的图形。
此外，为了改善显示装置的显示效果，本发明实施例中还应用了高级超维场转换技术，因此，在形成了彩色滤色层12的图形的衬底基板1上，形成一层钝化层13，通过构图工艺使钝化层13和彩色滤色层12的图形上形成对应于漏极11和像素电极15的第三过孔14的图形之前，还包括：
在形成了彩色滤色层12的衬底基板1上，形成公共电极17。此时，通过步骤S504形成的像素电极15上可设置有狭缝。此外还可以使公共电极17上设置有狭缝或者像素电极15和公共电极17上都设置有狭缝，本发明实施例对此不进行限定。
具体地，可以通过沉积、溅射、涂覆等方式在彩色滤色层12和钝化层13之间形成公共电极17的图形。此时，形成公共电极17的图形后，应首先通过一次构图工艺，使公共电极17和彩色滤色层12上形成对应于漏极11和像素电极15的第三过孔14的图形，其次在公共电极17的图形上形成钝化层13，然后通过构图工艺，仅刻蚀掉第三过孔14底部的钝化层13，保留第三过孔14内侧的钝化层13，最后在钝化层13上形成像素电极15的图形，像素电极15通过第三过孔14与漏极11电连接，从而可以避免像素电极15和公共电极17之间出现短路。
本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，将栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、黑矩阵和彩色滤色层同时制作在一个衬底基板上，进而避免彩膜基板和阵列基板之间的对位误差。其中，形成的彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个像素单元内的像素电极在衬底基板上的垂直投影只落在彩色滤色层的一个颜色区域在衬底基板上的垂直投影内，使得穿过该像素电极的光线只能呈现一种颜色，使得应用此方法制作的显示基板的显示装置不会出现混色的不良现象。形成的黑矩阵位于栅线、数据线和薄膜晶体管的上方，栅线、数据线和薄膜晶体管在衬底基板上的垂直投影均落在黑矩阵在衬底基板上的垂直投影内，因此，形成的黑矩阵可以将栅线、数据线和薄膜晶体管完全遮挡，使得应用此方法制作的显示基板的显示装置不会出现透光率波动和漏光的不良现象。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种显示基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的纵横交错的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线围成像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，
所述衬底基板上还设置有彩色滤色层和黑矩阵；
所述彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个所述像素单元内的所述像素电极在所述衬底基板上的垂直投影落在所述彩色滤色层的一个所述颜色区域在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述黑矩阵位于所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的上方，所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的垂直投影均落在所述黑矩阵在所述衬底基板上的垂直投影内。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
位于衬底基板上的有源层；
位于所述有源层上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的栅极；
位于所述栅极上的源漏极绝缘层，所述栅极绝缘层和所述源漏极绝缘层上设置有对应于源极的第一过孔和对应于漏极的第二过孔；
位于所述源漏极绝缘层上的所述源极和所述漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
所述彩色滤色层位于所述源极和所述漏极上方；
所述衬底基板上还设置有：
位于所述彩色滤色层上的钝化层，所述彩色滤色层和所述钝化层上设置有对应于所述漏极和所述像素电极的第三过孔；
位于所述钝化层上的所述像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏极电连接；
所述黑矩阵位于所述像素电极上方。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，
所述衬底基板上还设置有位于所述彩色滤色层和所述钝化层之间的公共电极；
所述像素电极上设置有狭缝。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的显示基板。
6.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成包括纵横交错的栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的图形，所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述栅线和所述数据线围成的像素单元内；
所述方法还包括在所述衬底基板上形成彩色滤色层和黑矩阵的图形；
所述彩色滤色层包括至少一个颜色区域，一个所述像素单元内的所述像素电极在所述衬底基板上的垂直投影落在所述彩色滤色层的一个所述颜色区域在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述黑矩阵位于所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的上方，所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的垂直投影均落在所述黑矩阵在所述衬底基板上的垂直投影内。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成包括纵横交错的栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的图形，所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述栅线和所述数据线围成的像素单元内，包括：
在所述衬底基板上，形成一层半导体层，通过构图工艺形成包括有源层的图形；
在形成了所述有源层的图形的所述衬底基板上，形成一层栅极绝缘层；
在形成了所述栅极绝缘层的所述衬底基板上，形成一层栅极金属层，通过构图工艺形成包括所述栅线和栅极的图形；
在形成了所述栅线和所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成一层源漏极绝缘层，通过构图工艺使所述栅极绝缘层和所述源漏极绝缘层上形成对应于源极的第一过孔和对应于漏极的第二过孔的图形；
在形成了所述源漏极绝缘层的所述衬底基板上，形成一层源漏极金属层，通过构图工艺形成包括所述数据线、所述源极和所述漏极的图形，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接，以形成所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形；
在形成了所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形的所述衬底基板上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括所述像素电极的图形。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法，其特征在于，
所述在所述衬底基板上形成彩色滤色层的图形，包括：
在形成了所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形的所述衬底基板上形成所述彩色滤色层的图形，所述彩色滤色层包括至少一个颜色区域；
所述显示基板的制作方法还包括：
在形成了所述彩色滤色层的图形的所述衬底基板上，形成一层钝化层，通过构图工艺使所述钝化层和所述彩色滤色层的图形上形成对应于所述漏极和所述像素电极的第三过孔的图形；
所述在形成了所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的图形的所述衬底基板上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括所述像素电极的图形，包括：
在形成了所述钝化层的所述衬底基板上，形成一层透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形；
所述在所述衬底基板上形成黑矩阵的图形，包括：
在形成了所述像素电极的图形的所述衬底基板上，形成所述黑矩阵的图形。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，在所述在形成了所述彩色滤色层的图形的所述衬底基板上，形成一层钝化层，通过构图工艺使所述钝化层和所述彩色滤色层上形成对应于所述漏极和所述像素电极的第三过孔的图形之前，还包括：
在形成了所述彩色滤色层的图形的所述衬底基板上，形成公共电极的图形。
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