CN107424520A - 基板及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置。该基板包括:衬底基板,所述衬底基板包括弯折区;设置于所述衬底基板上的绝缘层;其中,位于所述弯折区的绝缘层设置有至少一个凹槽,所述凹槽的表面包括至少一个凹凸结构。该基板的凹凸结构可以提高凹槽表面被弯折时的延展面积,防止设置在凹槽上的构件在弯折过程中发生断裂,提高产品良率。
Description
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
随着电子显示产品的普及化,用户对电子显示产品的外观、结构等也有更高的要求,所以无边框化的电子显示产品例如显示屏应需而生。无边框化显示屏的一种设计结构可以将产品的非显示部分弯折到显示屏的背面,但是弯折过程中可能会导致部分信号线断裂,影响产品良率,增加生产成本。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种基板,包括:衬底基板,所述衬底基板包括弯折区;设置于所述衬底基板上的绝缘层;其中,位于所述弯折区的绝缘层设置有至少一个凹槽,所述凹槽的表面包括至少一个凹凸结构。
例如,本公开至少一个实施例提供的基板还包括至少部分设置于所述凹槽中的信号线,其中,所述信号线覆盖至少部分所述凹凸结构。
例如,在本公开至少一个实施例提供的基板中,位于所述凹槽中的所述信号线表面包括对应于所述凹凸结构的非平坦部分。
例如,在本公开至少一个实施例提供的基板中,所述绝缘层包括第一绝缘层,所述第一绝缘层至少覆盖所述弯折区;以及所述凹槽包括设置于所述第一绝缘层中的第一凹槽。
例如,在本公开至少一个实施例提供的基板中,所述第一凹槽包括沿所述第一凹槽的延伸方向且相对设置的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面和所述第二侧面中的至少一个为斜面、阶梯面和弧形面中的一种或组合。
例如,在本公开至少一个实施例提供的基板中,所述绝缘层还包括至少覆盖所述第一凹槽的第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述信号线和所述第一绝缘层之间;以及所述凹槽包括位于与所述第一凹槽对应的所述第二绝缘层中的第二凹槽。
例如,在本公开至少一个实施例提供的基板中,所述第二绝缘层包括聚酰亚胺和光刻胶中的至少一种。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板,包括上述任一基板。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置,包括上述任一的显示面板。
本公开至少一个实施例提供一种基板的制备方法,包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成绝缘层,所述衬底基板包括弯折区;在所述弯折区中的所述绝缘层中形成至少一个凹槽;其中,所述凹槽的表面形成有至少一个凹凸结构。
例如,本公开至少一个实施例提供的制备方法还包括:在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成信号线,所述信号线至少部分位于所述凹槽中。
例如,在本公开至少一个实施例提供的制备方法中,形成所述绝缘层并且在所述绝缘层中形成所述凹槽包括:在所述衬底基板上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层至少覆盖所述弯折区;在所述弯折区中的所述第一绝缘层中形成第一凹槽。
例如,在本公开至少一个实施例提供的制备方法中,在所述凹槽的表面形成所述凹凸结构包括:对所述第一绝缘层的形成有第一凹槽的区域进行不均匀刻蚀处理,以在所述第一凹槽的表面形成多个凹凸结构。
例如,在本公开至少一个实施例提供的制备方法中,形成所述绝缘层并且在所述绝缘层中形成所述凹槽还包括:在形成有所述第一绝缘层的所述衬底基板上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层至少覆盖所述第一凹槽,所述第二绝缘层位于所述信号线和所述第一绝缘层之间;在与所述第一凹槽对应的所述第二绝缘层中形成第二凹槽。
例如,在本公开至少一个实施例提供的制备方法中,所述第二绝缘层为光刻胶,在所述凹槽的表面形成所述凹凸结构包括:在所述第一凹槽中的所述第一绝缘层上涂覆所述光刻胶;提供透光率分布不均匀的灰色掩膜板,通过所述灰色掩膜板对所述第二凹槽中的所述光刻胶的表面进行曝光,去除所述光刻胶的被曝光的部分。
在本公开至少一个实施例提供的基板及其制备方法、显示面板中,基板的弯折区中设置有凹槽,并且凹槽的表面设置有多个凹凸结构,该凹凸结构可以提升凹槽表面的延展面积,防止设置在凹槽的表面上的构件在弯折过程中发生断裂,提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1A为本公开一个实施例提供的一种基板的平面图;
图1B为图1A所示基板的弯折区及其周边区域的平面图;
图1C为图1B所示的基板沿M-N的横截面示意图;
图2为本公开一个实施例提供的另一种基板的局部结构的横截面示意图;
图3为本公开一个实施例提供的另一种基板的局部结构的横截面示意图;以及
图4A~图4D为本公开一个实施例提供的一种基板的制备方法的过程图。
附图标记:
100-衬底基板;110-第一功能区;120-第二功能区;130-弯折区;200-绝缘层;210-第一绝缘层;211-层间绝缘层;212-栅绝缘层;213-缓冲层;220-第二绝缘层;221-光刻胶薄膜;300-凹槽;301-凹凸结构;310-第一凹槽;320-第二凹槽;400-信号线;500-灰色掩膜板。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开至少一个实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置,该基板包括衬底基板以及设置于衬底基板上的绝缘层,衬底基板包括弯折区,位于弯折区的绝缘层设置有至少一个凹槽,凹槽的表面包括至少一个凹凸结构,该凹凸结构可以提升凹槽表面的延展面积,防止设置在凹槽的表面上的构件在弯折过程中发生断裂,可以提高产品良率。
例如,在本公开至少一个实施例中,基板还包括至少部分设置于凹槽中的信号线,其中,信号线覆盖至少部分多个凹凸结构。因为凹槽的表面设置有凹凸结构,在设置信号线时,凹凸结构使得相应位置处的信号线的表面凹凸不平,即增加了信号线的延展面积,即提高了信号线的抗弯折能力,降低了信号线在受到弯折时断裂的风险。
下面将结合附图对根据本公开实施例的基板及其制备方法、显示面板、显示装置进行详细的描述。
本公开至少一个实施例提供一种基板,图1A为本公开一个实施例提供的一种基板的平面图,图1B为图1A所示基板的弯折区及其周边区域的平面图,图1C为图1B所示的基板沿M-N的横截面示意图。
例如图1A、图1B和1C所示,基板包括衬底基板100和设置在衬底基板100上的绝缘层200,衬底基板100包括第一功能区110、第二功能区120以及设置于第一功能区110和第二功能区120之间的弯折区130,弯折区130中的绝缘层200中设置有至少一个凹槽300,凹槽300的表面包括多个凹凸结构301。凹凸结构301可以提升凹槽300表面在被弯折时的延展面积,防止设置在凹槽300的表面上的构件(例如下述实施例中的信号线400)在弯折过程中发生断裂,提高产品良率。例如,凹凸结构301为具有凸起部分以及凹入部分的微结构,该微结构的剖面例如呈波浪形、锯齿形或其他不规则的形状。本公开的实施例对凹凸结构301的微结构的具体尺寸不做限定,只要微结构可以增加构件例如信号线400在弯曲时的延展面积即可,例如该微结构的外形尺寸可以为微米级别,例如1微米~100微米,进一步例如为10纳米级别。
例如,在本公开至少一个实施例中,衬底基板100的至少与弯折区130对应的部分为柔性材料形成,以使得基板的弯折区130部分可以被弯折,例如弯折180度。
本公开的实施例对基板的功能结构的分布不做限制,可以根据实际需求进行设置。例如,基板中的第二功能区120不限于如图1A所示的只设置一个,也可以设置多个,相应地,连接第一功能区110和第二功能区120的弯折区130也可以设置为多个。例如,在本公开至少一个实施例中,基板的第一功能区110可以为显示区,其中可以形成显示器件,第二功能区120可以为元件区,其中可以设置显示驱动电路等,弯折区130可以作为显示区和元件区之间的电路连接区。
为便于解释本公开的技术方案,以如图1A所示的第二功能区120设置为一个且位于第一功能区110的一侧为例,对本公开下述实施例中的技术方案进行说明。同时,为便于说明本公开的技术方案中各部件的位置,如图1A、图1B和1C所示,以基板中的衬底基板100为参考并建立三维坐标系,对基板中的各部件进行方向性的指定。X轴和Y轴的方向为平行于衬底基板100所在面的方向,并且与第一功能区110至第二功能区120的方向平行,X轴与Y轴垂直;Z轴为垂直于衬底基板100所在面的方向。
本公开的实施例对弯折区130中的凹槽300的设置数量不做限制,其可以根据实际需要进行设置。例如,在本公开至少一个实施例中,如图1A所示,弯折区130中的凹槽300可以设置为多个,凹槽300数量可以根据设置在凹槽300中的结构(例如下述实施例中的信号线400)一一对应;例如,在本公开至少一个实施例中,弯折区130中的凹槽300也可以设置为一个,例如图1A所示的多个小的凹槽300相互连通为一个大的凹槽。
本公开的实施例对弯折区130中的凹槽300的延伸形状和延伸方向不做限制,凹槽300的延伸形状和延伸方向可以根据实际需求确定。例如,凹槽300的延伸形状不限于如图1A和图1B所示的直线形,也可以为波浪形等形状;例如,凹槽300的延伸方向不限于如图1A和图1B所示的平行于X轴的方向,凹槽300的延伸方向也可以与X轴方向有一定的夹角。
为便于解释本公开的技术方案,以图1A、图1B和图1C所示的凹槽300的数量设置为多个,且凹槽300的延伸形状为直线型且凹槽300的延伸方向平行于X轴为例,对本公开下述实施例中的技术方案进行说明。需要说明的是,为便于解释本公开的技术方案,在本公开的下述实施例中,第一功能区110、第二功能区120以及弯折区130不限于仅是对衬底基板100的区域划分,而是设定为在垂直于衬底基板100的方向上对整个基板的区域划分。例如,在本公开下述实施例中,绝缘层200的与第一功能区110中的衬底基板100对应的部分可以直接表述为第一功能区110中的绝缘层200。
本公开的实施例对弯折区130的宽度和凹槽300的长度不做限制,可以根据实际需求对两者的具体数值进行设计。在本公开至少一个实施例中,如图1A、图1B和图1C所示,在平行于X轴的方向上,凹槽300的长度可以约为1.6mm~2.0mm,例如凹槽300的长度进一步约为1.8mm。
例如,在本公开至少一个实施例中,图2为本公开一个实施例提供的另一种基板的局部结构的横截面示意图。例如图2所示,基板还包括至少部分设置于凹槽300中的信号线400,信号线400覆盖至少部分多个凹凸结构301。弯折区130中的信号线400形成在凹凸结构301上,凹凸结构301使得弯折区130中的信号线400的表面也变得凹凸不平。例如,在本公开至少一个实施例中,如图2所示,位于凹槽300中的信号线400的表面包括对应于凹凸结构301的非平坦部分。如此,凹凸结构301会使得其上的信号线400在被弯折时的延展面积增加,在对弯折区130进行弯折时,弯折区130中的信号线400可以延展较长的距离,降低信号线400在弯折过程中发生断裂的风险。
本公开的实施例对信号线400的厚度不做限制。例如,在平行于Z轴的方向上,弯折区130中的信号线400的厚度可以约为5000~9000埃,例如,信号线400的厚度进一步约为7000埃。
本公开的实施例对信号线400的类型不做限制。例如,在本公开至少一个实施例中,如图2所示。信号线400可以包括栅线、数据线和公共电极线等中的至少一种或者组合。为便于解释本公开的技术方案,以信号线400为数据线为例对本公开下述实施例中的技术方案进行说明。
本公开的实施例对绝缘层200的具体结构不做限制,绝缘层200的具体化结构可以根据基板结构的实际设计情况来确定。
图3为本公开一个实施例提供的另一种基板的局部结构的横截面示意图。例如,在本公开至少一个实施例中,绝缘层200可以包括第一绝缘层210,第一绝缘层210至少覆盖弯折区130,相应地,凹槽300可以包括设置于第一绝缘层210中的第一凹槽210。第一绝缘层210可以为单层结构,也可以为多层复合结构,本公开的实施例对第一绝缘层210的具体化结构不做限制。例如,信号线400为数据线引线或栅线引线,第一绝缘层210可以包括层间绝缘层211、栅绝缘层212和缓冲层213等中的一种或者组合,层间绝缘层211、栅绝缘层212和缓冲层213等结构的设置方式可以参考常规薄膜晶体管中的相关结构,本公开的实施例在此不做赘述。
例如,在本公开至少一个实施例中,信号线400可以直接设置在第一凹槽310上,如此,可以在第一凹槽310的表面上设置凹凸结构301。
凹槽300可以降低弯折区130中的信号线400的弯曲半径,并且可以增加弯折区130中的信号线400的表面的延展面积,但是如果凹槽300的侧面(靠近第一功能区110和第二功能区120的侧面)的坡度太大,在设置信号线400的过程中,信号线400的厚度可能会较低,而且信号线400在弯折过程中,信号线400的各部分拉伸的程度不均,使得被拉伸的信号线400的受力不均预计,会导致信号线400的部分区域因拉伸程度过大而发生断裂。
例如,在本公开至少一个实施例中,如图3所示,第一凹槽310包括沿第一凹槽310的延伸方向(平行于X轴的方向)且相对设置的第一侧面和第二侧面,第一侧面靠近第一功能区110,第二侧面靠近第二功能区120,第一侧面和第二侧面中的至少一个为斜面、阶梯面和弧形面等形状中的一种或组合。上述形状可以降低第一凹槽310的第一侧面和第二侧面的坡度。需要说明的是,本公开的实施例对第一凹槽310的第一侧面和第二侧面的具体形状不做限制,只要提供的形状可以降低第一凹槽310的第一侧面和第二侧面的坡度即可。
例如,在本公开至少一个实施例中,如图3所示,绝缘层200还可以包括至少覆盖第一凹槽310的第二绝缘层220,第二绝缘层220位于信号线400和第一绝缘层210之间,凹槽300可以包括位于与第一凹槽310对应的第二绝缘层220中的第二凹槽320。相应地,为提高凹槽300中的信号线400的表面的延展面积,第二凹槽220中的第二绝缘层220的表面形成多个凹凸结构301。
第二绝缘层220可以在第一绝缘层210和信号线400之间起到缓冲作用。例如,第二绝缘层220可以缓冲第一凹槽310的坡度;例如,第二绝缘层220的制备材料可以包括弹性良好的材料,在弯折过程中,可以缓冲信号线400的弯曲应力,并且使得信号线400受到的拉力分布更加均匀,避免信号线400在弯曲过程中因局部应力过大而发生断裂。
例如,在本公开至少一个实施例中,基板的第一功能区110的靠近弯折区130的边缘以及第二功能区120的靠近弯折区130的边缘也可以设置部分第二绝缘层220,以进一步提升对信号线400的保护效果。基板的第一功能区110和第二功能区120中保留的第二绝缘层220的尺寸(例如图3所示的第一功能区110中的第二绝缘层220在平行于X轴方向上的宽度L)可以根据实际需求决定,本公开的实施例在此不做限制。
例如,在本公开至少一个实施例中,第二绝缘层220的制备材料可以包括聚酰亚胺和光刻胶等材料中的至少一种。因第二绝缘层220的制备材料不同,在第二凹槽320中设置凹凸结构301的方式也不同,凹凸结构301的设置方式可以参考下述实施例(与基板的制备方法相关的实施例)中的相关内容,本公开在此不做赘述。本公开的实施例对第二绝缘层220的具体制备材料不做限制,只要第二绝缘层220可以缓冲第一凹槽310的坡度,或者第二绝缘层220可以缓冲信号线400在弯折过程中的受力即可。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板,该显示面板包括上述任一实施例中的基板。例如,该基板可以作为显示面板中的阵列基板。在本公开至少一个实施例提供的显示面板中,基板的弯折区130被弯折,并且基板的第二功能区120位于第一功能区110的背面(第一功能区110中的衬底基板100的远离绝缘层200的一侧)。例如,本公开至少一个实施例提供的基板可以为柔性基板,相应地,包括该基板的显示面板也可以为柔性显示面板。
该显示面板的一个示例为液晶显示面板,包括上述实施例中的基板和对置基板,二者彼此对置以形成液晶盒,在液晶盒中填充有液晶材料。该对置基板例如为彩膜基板。阵列基板的每个像素单元的像素电极用于施加电场以对液晶材料的旋转的程度进行控制从而进行显示操作。
该显示面板的另一个示例为有机发光二极管显示面板,其中,该显示面板中的基板上形成有机发光材料的叠层,每个像素单元的阳极或阴极用于驱动有机发光材料发光以进行显示操作。
该显示面板的再一个示例为电子纸显示面板,其中,该显示面板中的基板上形成有电子墨水层,每个像素单元的像素电极作为用于施加驱动电子墨水中的带电微颗粒移动以进行显示操作的电压。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置,该显示装置包括上述任一实施例中的显示面板。
例如,该显示装置可以为包括上述实施例中的显示面板的显示器、平板电脑、手机、电视机、相机、导航设备等具有显示功能的器件或设备。
本公开至少一个实施例提供一种基板的制备方法,该方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成绝缘层,衬底基板包括第一功能区、设置于第一功能区周围的第二功能区以及设置于第一功能区和第二功能区之间的弯折区;在弯折区中的绝缘层中形成至少一个凹槽;其中,凹槽的表面形成有至少一个凹凸结构。例如,本公开至少一个实施例提供的制备方法还包括:在形成有绝缘层的衬底基板上形成信号线,信号线至少部分位于凹槽中。凹凸结构可以提升凹槽表面在被弯折时的延展面积,防止设置在凹槽的表面上的构件例如信号线在弯折过程中发生断裂,提高产品良率。
本公开至少一个实施例的制备方法制备的基板的具体化结构可以参考前述实施例(关于基板的实施例)中的相关内容,本公开的实施例在此不做赘述。
为便于解释本公开实施例中的技术方案,以图3所示的基板的结构为例,在本公开实施例的一个示例中,对基板的制备方法进行说明。图4A~图4D为本公开一个实施例提供的一种基板的制备方法的过程图,例如图4A~图4D所示,本公开实施例的一个示例提供的基板的一种制备方法的过程图包括如下过程:
如图4A所示,提供衬底基板100,衬底基板100包括第一功能区110、设置于第一功能区110周围的第二功能区120以及设置于第一功能区110和第二功能区120之间的弯折区130;然后在所述衬底基板100上沉积第一绝缘层薄膜,对第一绝缘层薄膜进行构图工艺处理以形成第一绝缘层210,第一绝缘层210包括位于弯折区130中的至少一个第一凹槽310。关于第一绝缘层210以及第一凹槽310的具体化结构可以参考前述实施例(与基板相关的实施例)中的相关内容,本公开的实施例在此不做赘述。
例如,在本公开至少一个实施例中,构图工艺可以包括干刻或者湿刻。例如构图工艺的过程可以包括:在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶层,使用掩膜板对光刻胶层进行曝光,对曝光的光刻胶层进行显影以得到光刻胶图案,使用光刻胶图案作为掩模对结构层进行蚀刻,然后可选地去除光刻胶图案。
如图4B所示,在形成有第一绝缘层210的衬底基板100上沉积第二绝缘层薄膜例如光刻胶薄膜221,并提供透光率分布不均匀的灰色掩膜版500;然后通过灰色掩膜板500对光刻胶薄膜221进行曝光处理。
灰色掩膜版500的透光率的分布可以根据实际需求进行设计,只要灰色掩膜版500可以使得凹槽300中的第二绝缘层220的表面形成多个凹凸结构即可,本公开的实施例对灰色掩膜版500的具体化结构不做限制。例如,在平行于Z轴的方向上,灰色掩膜板500的与凹槽300对应的部分的透光率低并且透光率分布不均匀,例如该区域的透光率约为10%~40%,进一步约为20%~30%;灰色掩膜版500的其它部分的透光率高,如此,可以使得凹槽300中的光刻胶薄膜211被部分曝光,而光刻胶薄膜211的其它部分为全部曝光。
为提高第二绝缘层220对凹槽200的坡度的缓冲作用,在第一功能区110的与弯折区130接触的边缘以及第二功能区120的与弯折区130接触的边缘可以保留部分第二绝缘层220。如此,灰色掩膜板500的与该部分区域相对的部分可以设置为低透光率或者不透光。
例如,在本公开至少一个实施例中,光刻胶薄膜211可以为正性光刻胶。
如图4C所示,对光刻胶薄膜221曝光后,对光刻胶薄膜221进行显影处理,去除光刻胶薄膜221中被曝光的部分,以得到第二绝缘层220,并且第二绝缘层220中形成第二凹槽320,第二凹槽320的表面形成有凹凸结构301。
需要说明的是,在本公开至少一个实施例中,第二绝缘层220不限于为上述的光刻胶,第二绝缘层220的制备材料也可以为聚酰亚胺等材料。例如,可以通过干刻或者湿刻对第一凹槽310中的第二绝缘层220的表面进行不均匀刻蚀处理,以使得第二凹槽320的表面形成多个凹凸结构301。示例性的,可以通过喷洒腐蚀液对第一凹槽310中的第二绝缘层220的表面进行不均刻蚀处理。
如图4D所示,在形成有绝缘层200的衬底基板100上沉积一层导电层薄膜,并对其进行构图工艺以形成信号线400,信号线400至少部分位于凹槽300中。关于信号线400的类型可以参考前述实施例(与基板相关的实施例)中的相关内容,本公开的实施例在此不做赘述。
需要说明的是,在本公开至少一个实施例中,也可以不设置第二绝缘层220,相应地,可以通过干刻或者湿刻对第一凹槽310的表面进行不均匀刻蚀处理,以在第一凹槽310的表面上形成凹凸结构301。
需要说明的是,在本公开的上述实施例中,在凹槽300中形成凹凸结构301的不均匀刻蚀或者不均匀曝光等的说明是在以凹槽300为参考的宏观状态下的,而不是在以凹凸结构301为参考的微观状态下的。例如,凹槽300的表面被不均匀刻蚀处理才可以形成凹凸结构301,但是,凹槽300的表面上的凹凸结构301的尺寸可以相等,也可以呈一定的规律分布,本公开对此不做限制。
例如,在本公开至少一个实施例中,在完成基板的制备过程后,弯折基板的弯折区130,以使得基板的第二功能区120位于第一功能区110的背面。需要说明的是,弯折操作可以根据实际工艺条件进行决定,本公开的实施例在此不做限制。例如,可以在制备完基板之后,对基板进行弯折操作;例如,可以在制备完包括基板的显示面板之后,对显示面板进行弯折操作。
对于本公开,还有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括弯折区;
设置于所述衬底基板上的绝缘层;
其中,位于所述弯折区的绝缘层设置有至少一个凹槽,所述凹槽的表面包括至少一个凹凸结构。
2.根据权利要求1所述的基板,还包括至少部分设置于所述凹槽中的信号线,其中,所述信号线覆盖至少部分所述凹凸结构。
3.根据权利要求2所述的基板,其中,
位于所述凹槽中的所述信号线表面包括对应于所述凹凸结构的非平坦部分。
4.根据权利要求2所述的基板,其中,
所述绝缘层包括第一绝缘层,所述第一绝缘层至少覆盖所述弯折区;以及
所述凹槽包括设置于所述第一绝缘层中的第一凹槽。
5.根据权利要求4所述的基板,其中
所述第一凹槽包括沿所述第一凹槽的延伸方向且相对设置的第一侧面和第二侧面,所述第一侧面和所述第二侧面中的至少一个为斜面、阶梯面和弧形面中的一种或组合。
6.根据权利要求4所述的基板,其中,
所述绝缘层还包括至少覆盖所述第一凹槽的第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述信号线和所述第一绝缘层之间;以及所述凹槽包括位于与所述第一凹槽对应的所述第二绝缘层中的第二凹槽。
7.根据权利要求6所述的基板,其中,
所述第二绝缘层包括聚酰亚胺和光刻胶中的至少一种。
8.一种显示面板,包括权利要求1-7任一项所述的基板。
9.一种显示装置,包括权利要求8所述的显示面板。
10.一种基板的制备方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成绝缘层,所述衬底基板包括弯折区;
在所述弯折区中的所述绝缘层中形成至少一个凹槽;
其中,所述凹槽的表面形成有至少一个凹凸结构。
11.根据权利要求10所述的制备方法,还包括:
在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成信号线,所述信号线至少部分位于所述凹槽中。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其中,形成所述绝缘层并且在所述绝缘层中形成所述凹槽包括:
在所述衬底基板上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层至少覆盖所述弯折区;
在所述弯折区中的所述第一绝缘层中形成第一凹槽。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其中,在所述凹槽的表面形成所述凹凸结构包括:
对所述第一绝缘层的形成有第一凹槽的区域进行不均匀刻蚀处理,以在所述第一凹槽的表面形成多个凹凸结构。
14.根据权利要求12所述的制备方法,其中,形成所述绝缘层并且在所述绝缘层中形成所述凹槽还包括:
在形成有所述第一绝缘层的所述衬底基板上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层至少覆盖所述第一凹槽,所述第二绝缘层位于所述信号线和所述第一绝缘层之间;
在与所述第一凹槽对应的所述第二绝缘层中形成第二凹槽。
15.根据权利要求14所述的制备方法,其中,所述第二绝缘层为光刻胶,在所述凹槽的表面形成所述凹凸结构包括:
在所述第一凹槽中的所述第一绝缘层上涂覆所述光刻胶;
提供透光率分布不均匀的灰色掩膜板,通过所述灰色掩膜板对所述第二凹槽中的所述光刻胶的表面进行曝光,去除所述光刻胶的被曝光的部分。
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108183126A (zh) * | 2017-12-31 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种弹性显示面板制作方法、弹性显示面板及其显示器 |
CN108281386A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-13 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示屏及其制作方法 |
CN108288437A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 连接器及其制造方法、显示屏 |
CN108364961A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN108417608A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-17 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
CN108831316A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-16 | 云谷(固安)科技有限公司 | 拉伸显示屏及其控制方法 |
CN108963076A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示装置和柔性显示面板的制造方法 |
CN108986666A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-12-11 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN109037469A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-12-18 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板和显示装置 |
WO2019019618A1 (zh) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN109448554A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-03-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
US10424750B2 (en) | 2017-12-31 | 2019-09-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Stretchable display panel, manufacturing method thereof, and stretchable display apparatus |
CN110874988A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
WO2020063128A1 (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN110956900A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN111048566A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
WO2020077815A1 (zh) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板及其制备方法 |
CN111341822A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
CN111554637A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制备方法、柔性显示面板、显示装置 |
CN111554183A (zh) * | 2019-02-08 | 2020-08-18 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN112331714A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-02-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN113470521A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-10-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 支撑层及柔性显示模组 |
CN113870723A (zh) * | 2021-11-26 | 2021-12-31 | 赛德半导体有限公司 | 一种可弯折盖板、制备方法、显示面板及显示设备 |
CN113947994A (zh) * | 2020-07-15 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN115019635A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-09-06 | 荣耀终端有限公司 | 一种折叠电子设备 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6843710B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
CN111370429A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103700322A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
US20140097408A1 (en) * | 2012-10-08 | 2014-04-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display apparatus |
CN106449695A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN106601133A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN106796949A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-31 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4876341B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-02-15 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP4542492B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器、並びに半導体装置 |
TWI553838B (zh) | 2014-07-04 | 2016-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素陣列基板與面板 |
KR102443703B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102385458B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2022-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN107424520B (zh) * | 2017-07-26 | 2019-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
-
2017
- 2017-07-26 CN CN201710620129.6A patent/CN107424520B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-12 WO PCT/CN2018/076506 patent/WO2019019618A1/zh active Application Filing
- 2018-02-12 US US16/086,873 patent/US11049885B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140097408A1 (en) * | 2012-10-08 | 2014-04-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display apparatus |
CN103700322A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN106796949A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-31 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN106449695A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
CN106601133A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 |
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019019618A1 (zh) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
US11049885B2 (en) | 2017-07-26 | 2021-06-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device |
CN108183126A (zh) * | 2017-12-31 | 2018-06-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种弹性显示面板制作方法、弹性显示面板及其显示器 |
CN108183126B (zh) * | 2017-12-31 | 2020-11-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种弹性显示面板制作方法、弹性显示面板及其显示器 |
WO2019127884A1 (zh) * | 2017-12-31 | 2019-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 弹性显示面板的制作方法、弹性显示面板及弹性显示器 |
US10424750B2 (en) | 2017-12-31 | 2019-09-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Stretchable display panel, manufacturing method thereof, and stretchable display apparatus |
CN108281386A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-13 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示屏及其制作方法 |
CN108281386B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-01-31 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示屏及其制作方法 |
CN108288437A (zh) * | 2018-01-25 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 连接器及其制造方法、显示屏 |
CN108288437B (zh) * | 2018-01-25 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 连接器及其制造方法、显示屏 |
CN108364961A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN108364961B (zh) * | 2018-02-24 | 2024-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN108417608A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-17 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
CN112820766A (zh) * | 2018-03-28 | 2021-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
CN112820766B (zh) * | 2018-03-28 | 2024-07-09 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
CN108986666A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-12-11 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN108986666B (zh) * | 2018-06-01 | 2021-12-31 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN108831316B (zh) * | 2018-06-13 | 2021-05-14 | 云谷(固安)科技有限公司 | 拉伸显示屏及其控制方法 |
CN108831316A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-16 | 云谷(固安)科技有限公司 | 拉伸显示屏及其控制方法 |
US10693090B2 (en) | 2018-07-09 | 2020-06-23 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Flexible display panel and display device |
CN109037469A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-12-18 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板和显示装置 |
CN108963076A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示装置和柔性显示面板的制造方法 |
CN110956900A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
WO2020063128A1 (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN110956900B (zh) * | 2018-09-27 | 2023-04-07 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
US11271018B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-03-08 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Array substrate, display panel and display device |
WO2020077815A1 (zh) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板及其制备方法 |
CN109448554A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-03-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
CN111554183A (zh) * | 2019-02-08 | 2020-08-18 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN111554183B (zh) * | 2019-02-08 | 2023-09-01 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN110874988A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
CN111048566B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-04-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
CN111048566A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及显示装置 |
CN111341822A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
CN111554637A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制备方法、柔性显示面板、显示装置 |
CN113947994A (zh) * | 2020-07-15 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112331714A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-02-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
WO2022142141A1 (zh) * | 2021-01-04 | 2022-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN112331714B (zh) * | 2021-01-04 | 2021-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN113470521A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-10-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 支撑层及柔性显示模组 |
CN115019635A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-09-06 | 荣耀终端有限公司 | 一种折叠电子设备 |
CN115019635B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-10-27 | 荣耀终端有限公司 | 一种折叠电子设备 |
CN113870723B (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-25 | 赛德半导体有限公司 | 一种可弯折盖板、制备方法、显示面板及显示设备 |
CN113870723A (zh) * | 2021-11-26 | 2021-12-31 | 赛德半导体有限公司 | 一种可弯折盖板、制备方法、显示面板及显示设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107424520B (zh) | 2019-04-16 |
US11049885B2 (en) | 2021-06-29 |
US20200328234A1 (en) | 2020-10-15 |
WO2019019618A1 (zh) | 2019-01-31 |
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