CN104090401A - 阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104090401A
CN104090401A CN201410273263.XA CN201410273263A CN104090401A CN 104090401 A CN104090401 A CN 104090401A CN 201410273263 A CN201410273263 A CN 201410273263A CN 104090401 A CN104090401 A CN 104090401A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductor layer
resistive conductor
public electrode
array base
base palte
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410273263.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104090401B (zh
Inventor
于海峰
黄海琴
刘家荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410273263.XA priority Critical patent/CN104090401B/zh
Publication of CN104090401A publication Critical patent/CN104090401A/zh
Priority to EP14891618.2A priority patent/EP3159734B1/en
Priority to US14/762,029 priority patent/US9461075B2/en
Priority to PCT/CN2014/091390 priority patent/WO2015192595A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104090401B publication Critical patent/CN104090401B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板的公共电极线本身的电阻较大，带来(RC)信号延迟问题。本发明的阵列基板，包括像素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性连接的公共电极线，其中，像素电极与公共电极之间相互绝缘设置，该阵列基板还包括第一电阻线层，以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互绝缘设置的第二电阻线层，所述第一电阻线层设置在公共电极线上并与公共电极线接触；第二电阻线层通过贯穿第一电阻线层和第一电阻线层与第二电阻线层之间的绝缘层的过孔与公共电极线连接。

Description

阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备
方法、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极，如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极；目前的水平电场型显示技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
现有的阵列基板主要包括薄膜晶体管、栅线、数据线、像素电极、公共电极。以下通过包括底栅型薄膜晶体管的阵列基板进行说明。
如图1所示，该阵列基板包括是形成在基底1上的栅极2、栅线，以及公共电极线(三者同层、同材料)；形成在栅极2、栅线、公共电极线上方的栅极绝缘层3；形成在栅极绝缘层3上方的有源层4；形成在有源层4上方的源极5-1、漏极5-2，以及数据线10(三者同层、同材料)；形成在源极5-1、漏极5-2、数据线上方的平坦化层，形成在平坦化层上方并通过贯穿平坦化层的第一过孔与漏极5-2连接的板状像素电极；形成在像素电极6上方的钝化层；形成在钝化层上方的狭缝状公共电极8，该公共电极8通过贯穿钝化层、平坦化层、栅极绝缘层的第二过孔与公共电极线12连接。其中，薄膜晶体管的栅极2、源极5-1、漏极5-2均采用金属材料，像素电极6和公共电极8通常采用透明导电的氧化铟锡(ITO)材料。
通过上述结构发明人发现现有技术中的阵列基板至少存在如下问题：由于公共电极线本身电阻较大，所以当通过公共电极线给公共电极加载电压时，由于公共电极线本身的电阻较大，故其会带来(RC)信号延迟，以及公共电极线上产生压降(IR drop)的问题；同时由于公共电极线与数据线存在交叠，必然存在较大的耦合电容，从而公共电极上的负载加大，导致公共电极上的波动较大，引起的绿附(greenish)较严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述的问题，提供一种缓解由于公共电极线电阻过大，导致信号延迟、失真问题的阵列基板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案的实施方式包括：一种阵列基板，包括像素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性连接的公共电极线，其中，所述像素电极与所述公共电极之间相互绝缘设置，其中，所述阵列基板还包括第一电阻线层，以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互绝缘设置的第二电阻线层，
所述第一电阻线层设置在所述公共电极线上并与所述公共电极线接触；
所述第二电阻线层通过贯穿所述第一电阻线层和所述第一电阻线层与所述第二电阻线层之间的绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。
本发明实施方式的阵列基板中的公共电极线、第一电阻线层以及第二电阻线层并联的结构，实质等同于现有技术中的公共电极线的结构，将公共电极线和第一电阻线层、第二电阻线层分别等效成电阻R1、R2、R3，公共电极线和第一电阻线层与第二电阻线层的电阻和为R4，由于公共电极线上设置有第一电阻线层，此时相当于电阻R1、R2、R3并联，根据并联电阻公式得知：R4＝1/R1+1/R2+1/R3，故R4小于R1、R2、R3中任何一个电阻的阻值。也就是说本实施例中公共电极线、第一电阻线层以及第二电阻线层的设置方式相当于降低了公共电极线的电阻，从而可以有效的缓解RC延迟的问题。
优选的是，所述第一电阻线层与所述像素电极同层间隔设置且材料相同。
优选的是，所述第二电阻线层与所述公共电极同层设置且材料相同，其中，第二电阻线层与所述公共电极连接。
优选的是，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极与数据线同层设置，且所述数据线与所述源极连接，所述数据线与所述公共电极线同层且平行设置。
进一步优选的是，所述薄膜晶体管的源极和漏极的材料与所述数据线、所述公共电极线的材料相同。
解决本发明技术问题所采用的技术方案的实施方式包括：一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板为上述阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：
在基底上通过构图工艺形成包括公共电极线的图形；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括与所述公共电极线接触的第一电阻线层的图形；
在完成上述步骤的基底上形成绝缘层；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成贯穿绝缘层和第一电阻线层的过孔；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二电阻线层的图形，其中第二电阻线层通过过孔与公共电极线连接。
优选的是，在所述形成与公共电极线接触的第一电阻线层的图形的同时还形成包括像素电极的图形，其中像素电极与第一电阻线层间隔设置。
优选的是，在所述形成第二电阻线层的图形的同时还形成包括公共电极的图形，其中公共电极与第二电阻线层连接。
优选的是，所述在基底上通过构图工艺形成包括公共电极线的图形的同时还形成有源极、漏极、数据线，其中，所述数据线与所述源极连接，且所述数据线与所述公共电极线平行设置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案的实施方式还包括一种显示装置，其包括上述阵列基板。
附图说明
图1为本发明的实施例1的阵列基板的结构图；
图2为本发明的实施例1的阵列基板的平面图；
图3为图2的A-A’剖视图。
其中附图标记为：1、基底；2、栅极；3、栅极绝缘层；4、有源层；5-1、源极；5-2、漏极；6、像素电极；7、绝缘层；8、公共电极；9第一电阻线层；10、数据线；11、第二电阻线层；12、公共电极线。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
结合图2至3所示，本实施例提供一种阵列基板，其包括像素电极6，设于像素电极6上方的公共电极8，以及与公共电极8电性连接的公共电极线12，其中，所述像素电极6与所述公共电极8之间相互绝缘设置。该阵列基板还包括第一电阻线层9，以及设置在第一电阻线层9上方且与第一电阻线层9相互绝缘设置的第二电阻线层11，所述第一电阻线层9设置在所述公共电极线12上并与所述公共电极线12接触；所述第二电阻线层11通过贯穿所述第一电阻线层9和所述第一电阻线层9与所述第二电阻线层11之间的绝缘层7的过孔与公共电极线12连接。
需要说明的是，在本实施例中所述公共电极8为狭缝电极，所述像素电极6为板状电极；或者所述公共电极8为狭缝电极，所述像素电极6同样为狭缝电极，此时公共电极8和像素电极6至少部分不重叠。需注意的是本发明的实施方式不限于这种显示模式的阵列基板，还可以应用于其他的存在相同技术问题的阵列基板中。
在本实施例的阵列基板中，公共电极线12、第一电阻线层9以及第二电阻线层11构成的结构在电连接关系上起到了相当于并联的作用，将公共电极线12和第一电阻线层9、第二电阻线层11分别等效成电阻R1、R2、R3，公共电极线12和第一电阻线层9与第二电阻线层11的电阻和为R4，由于公共电极线12上设置有第一电阻线层9，此时相当于电阻R1、R2、R3并联，根据并联电阻公式得知：R4＝1/R1+1/R2+1/R3，故R4小于R1、R2、R3中任何一个电阻的阻值。也就是说本实施例中公共电极线12、第一电阻线层9以及第二电阻线层11的设置方式相当于降低了公共电极线12的电阻，从而可以有效的缓解RC延迟的问题。
在本实施例中，优选地第一电阻线层9与所述像素电极6同层间隔设置，且所述第一电阻线层9的材料与所述像素电极6的材料相同。像素电极6和第一电阻线层9的材料为可以是包含In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)、O(氧)、Sn(锡)等元素的薄膜通过溅射形成，其中薄膜中必须包含氧元素和其他两种或两种以上的元素，如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(InSnO)、氧化铟镓锡(InGaSnO)等。由于第一电阻线层9与像素电极6同层且材料相同，此时可以通过一次构图工艺形成包括第一电阻线层9和像素电极6的图形，从而不增加工艺步骤。当然第一电阻线层9和像素电极6也可以通过两次构图工艺分别形成。
在本实施例中，优选地第二电阻线层11与公共电极8同层设置且材料相同，其中，第二电阻线层11与所述公共电极8连接。公共电极8和第二电阻线层11的材料为可以是包含In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)、O(氧)、Sn(锡)等元素的薄膜通过溅射形成，其中薄膜中必须包含氧元素和其他两种或两种以上的元素，如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(InSnO)、氧化铟镓锡(InGaSnO)等。由于第一电阻线层9与像素电极6同层且材料相同，此时可以通过一次构图工艺形成包括第一电阻线层9和像素电极6的图形，从而不增加工艺步骤。当然第一电阻线层9和像素电极6也可以通过两次构图工艺分别形成。
本实施例的阵列基板优选地还包括薄膜晶体管，以包括底栅型薄膜晶体管为例具体说明该阵列基板的结构。该阵列基板依次包括设置在基底1上的薄膜晶体管的栅极2、栅极绝缘层3、有源层4，以及有源层4上方的源极5-1、漏极5-2、数据线10、公共电极线12，其中，源极5-1和漏极5-2与数据线10同层设置，且所述数据线10与所述源极5-1连接，所述数据线10与所述公共电极线12同层且平行设置。此时由于数据线10与公共电极线12同层且平行设置，则可以避免现有技术中数据线10与公共电极线12之间存在交叠从而产生存储电容的问题，进而可以有效的降低公共电极8上的负载，缓解公共电极8上的波动而引起的绿附(greenish)的问题。
进一步优选地，所述薄膜晶体管的源极5-1和漏极5-2的材料与所述数据线10、所述公共电极线12的材料相同。其中，所述源、漏极5-2材料可以是钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或多种材料形成的，优先为Mo、Al或含Mo、Al的合金材料。由于薄膜晶体管的源极5-1、漏极5-2、数据线10、公共电极线12同层设置且材料相同，故源极5-1、漏极5-2、数据线10、公共电极线12可以采用一次构图工艺完成，因而不增加工艺步骤。
实施例2：
本实施例提供一种阵列基板的制备方法，以制备HADS模式的阵列基板的方法为例进行说明。该制备方法具体包括：
步骤一、在基底1上采用磁控溅射的方法沉积一层栅极金属层薄膜，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极2以及栅极线的栅极金属层的图形。
需要说明的是，基底1既可以指没有形成任何膜层的衬底，如白玻璃，也可以指形成有其他膜层或者图案的衬底，例如形成有缓冲层的衬底。构图工艺通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。上述步骤即先形成栅极金属层薄膜，涂覆光刻胶覆盖栅极金属层薄膜；利用掩模板曝光，形成曝光区和非曝光区；进行显影去除了曝光区的光刻胶(以正性光刻胶为例)，非曝光区光刻胶保留；刻蚀栅极金属层薄膜，非曝光区的栅极金属层薄膜由于光刻胶的保护而未被刻蚀，最后剥离光刻胶，形成包括薄膜晶体管栅极2以及栅极线的栅极金属层的图形。
其中，所述栅极金属层薄膜的材料可以为钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或它们中多种材料形成的单层或多层复合叠层，优选为Mo、Al或含Mo、Al的合金组成的单层或多层复合膜。
步骤二、在完成上述步骤的基底1上，采用热生长、常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子辅助体化学气相淀积、溅射等制备方法，形成栅极绝缘层3。
其中，所述栅极绝缘层3的材料可以为硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、铪的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(SiON)、铝的氧化物(AlOx)等中的一种或它们中多种材料组成的多层复合膜。
步骤三、在完成上述步骤基底1上，通过喷涂、真空蒸发，溶胶-凝胶、磁控溅射等依次沉积薄膜晶体管半导体有源层4薄膜，并通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层4的图形。
步骤四、在完成上述步骤的基底1上，形成源漏金属层薄膜，并通过构图工艺同时形成包括薄膜晶体管的源极5-1、漏极5-2、数据线10、公共电极线12的图形，且通过各自源、漏接触区与各自的有源层4接触，数据线10与薄膜晶体管源极5-1连接，公共电极线12与数据线10平行设置。
其中，所述源漏金属层薄膜的材料可以是钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或多种材料形成的，优先为Mo、Al或含Mo、Al的合金材料。
步骤五、在完成上述步骤的基底1上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，形成第一透明导电薄膜，并通过一次构图工艺形成包括第一电阻线层9和像素电极6的图形，且第一电阻线层9和像素电极6间隔设置。
其中，第一透明导电薄膜的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料。
步骤六、在完成上述步骤的基底1上，采用热生长、常压化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子辅助体化学气相淀积、溅射等制备方法，形成绝缘层7。
其中，所述绝缘层7的材料可以为硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、铪的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(SiON)、铝的氧化物(AlOx)等中的一种或它们中多种材料组成的多层复合膜。
步骤七、在完成上述步骤的基底1上，刻蚀形成贯穿所述绝缘层7和所述第一电阻线层9的过孔，
步骤八、采用磁控溅射或热蒸发的方法，形成第二透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极8和第二电阻线层11的图形，其中所述第二电阻线层11通过所述过孔与所述公共电极线12连接，第二电阻线层11与所述公共电极8连接。
其中，第二透明导电薄膜的材料与第一透明导电薄膜的材料相同。
在本实施例的阵列基板的制备方法中，降低了公共电极线12的电阻的同时没有增加工艺步骤。
实施例3：
本实施例提供一种显示装置，其包括实施例1中所述的阵列基板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置中具有实施例1中的阵列基板，故其性能更好。
当然，本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括像素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性连接的公共电极线，其中，所述像素电极与所述公共电极之间相互绝缘设置，其特征在于，所述阵列基板还包括第一电阻线层，以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互绝缘设置的第二电阻线层，
所述第一电阻线层设置在所述公共电极线上并与所述公共电极线接触；
所述第二电阻线层通过贯穿所述第一电阻线层和所述第一电阻线层与所述第二电阻线层之间的绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电阻线层与所述像素电极同层间隔设置且材料相同。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电阻线层与所述公共电极同层设置且材料相同，其中，第二电阻线层与所述公共电极连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极与数据线同层设置，且所述数据线与所述源极连接，所述数据线与所述公共电极线同层且平行设置。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极的材料与所述数据线、所述公共电极线的材料相同。
6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：
在基底上通过构图工艺形成包括公共电极线的图形；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括与所述公共电极线接触的第一电阻线层的图形；
在完成上述步骤的基底上形成绝缘层；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成贯穿绝缘层和第一电阻线层的过孔；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二电阻线层的图形，其中第二电阻线层通过过孔与公共电极线连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述形成与公共电极线接触的第一电阻线层的图形的同时还形成包括像素电极的图形，其中像素电极与第一电阻线层间隔设置。
8.根据权利要求6或7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述形成第二电阻线层的图形的同时还形成包括公共电极的图形，其中公共电极与第二电阻线层连接。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在基底上通过构图工艺形成包括公共电极线的图形的同时还形成有源极、漏极、数据线，其中，所述数据线与所述源极连接，且所述数据线与所述公共电极线平行设置。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板。
CN201410273263.XA 2014-06-18 2014-06-18 阵列基板及其制备方法、显示装置 Active CN104090401B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410273263.XA CN104090401B (zh) 2014-06-18 2014-06-18 阵列基板及其制备方法、显示装置
EP14891618.2A EP3159734B1 (en) 2014-06-18 2014-11-18 Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
US14/762,029 US9461075B2 (en) 2014-06-18 2014-11-18 Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
PCT/CN2014/091390 WO2015192595A1 (zh) 2014-06-18 2014-11-18 阵列基板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410273263.XA CN104090401B (zh) 2014-06-18 2014-06-18 阵列基板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104090401A true CN104090401A (zh) 2014-10-08
CN104090401B CN104090401B (zh) 2017-12-29

Family

ID=51638128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410273263.XA Active CN104090401B (zh) 2014-06-18 2014-06-18 阵列基板及其制备方法、显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9461075B2 (zh)
EP (1) EP3159734B1 (zh)
CN (1) CN104090401B (zh)
WO (1) WO2015192595A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015192595A1 (zh) * 2014-06-18 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105242466A (zh) * 2015-10-27 2016-01-13 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板
CN106154656A (zh) * 2016-08-29 2016-11-23 合肥惠科金扬科技有限公司 一种低响应时间液晶屏
WO2021170083A1 (zh) * 2020-02-28 2021-09-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
US11876102B2 (en) 2020-02-28 2024-01-16 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display substrate, display panel and display apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105679763A (zh) * 2016-01-05 2016-06-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN106898616B (zh) * 2017-03-17 2019-11-12 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板
CN107316838B (zh) * 2017-06-30 2020-03-10 上海中航光电子有限公司 阵列基板、制作方法、触控显示面板及触控显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003121874A (ja) * 2002-10-21 2003-04-23 Nec Corp 液晶表示装置
US20070002246A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Lg.Philips Co., Ltd. Liquid crystal display device having common electrodes with reduced resistance and method for fabricating the same
CN101414082A (zh) * 2007-10-17 2009-04-22 乐金显示有限公司 面内切换模式液晶显示器及其制造方法
US20090261334A1 (en) * 2004-12-31 2009-10-22 Byung Chul Ahn Liquid crystal display device
CN101706633A (zh) * 2008-12-22 2010-05-12 深超光电（深圳）有限公司 液晶显示器的双闸极晶体管基板

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100878241B1 (ko) * 2002-09-27 2009-01-13 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100930919B1 (ko) * 2003-06-30 2009-12-10 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7898623B2 (en) * 2005-07-04 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device and method of driving display device
CN101196659A (zh) 2006-12-05 2008-06-11 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示器及其制造方法
JP2008224855A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Seiko Epson Corp 配向膜形成装置及び配向膜
CN101334564A (zh) * 2007-06-28 2008-12-31 上海广电Nec液晶显示器有限公司 一种液晶显示装置及其制造方法
KR100926429B1 (ko) * 2007-12-21 2009-11-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101048996B1 (ko) * 2009-01-12 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치
WO2011043194A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101182232B1 (ko) * 2010-06-30 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101529557B1 (ko) * 2011-06-09 2015-06-19 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법
CN102650776B (zh) * 2011-08-02 2014-09-03 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示器
KR101875774B1 (ko) * 2011-08-10 2018-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
CN103135300B (zh) 2011-11-30 2015-09-23 上海中航光电子有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板
KR102030797B1 (ko) * 2012-03-30 2019-11-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
KR20150006725A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP6315966B2 (ja) * 2013-12-11 2018-04-25 三菱電機株式会社 アクティブマトリックス基板およびその製造方法
CN104090401B (zh) 2014-06-18 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102230935B1 (ko) * 2014-12-26 2021-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003121874A (ja) * 2002-10-21 2003-04-23 Nec Corp 液晶表示装置
US20090261334A1 (en) * 2004-12-31 2009-10-22 Byung Chul Ahn Liquid crystal display device
US20070002246A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Lg.Philips Co., Ltd. Liquid crystal display device having common electrodes with reduced resistance and method for fabricating the same
CN101414082A (zh) * 2007-10-17 2009-04-22 乐金显示有限公司 面内切换模式液晶显示器及其制造方法
CN101706633A (zh) * 2008-12-22 2010-05-12 深超光电（深圳）有限公司 液晶显示器的双闸极晶体管基板

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015192595A1 (zh) * 2014-06-18 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
US9461075B2 (en) 2014-06-18 2016-10-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN105242466A (zh) * 2015-10-27 2016-01-13 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板
CN105242466B (zh) * 2015-10-27 2019-01-04 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板
CN106154656A (zh) * 2016-08-29 2016-11-23 合肥惠科金扬科技有限公司 一种低响应时间液晶屏
WO2021170083A1 (zh) * 2020-02-28 2021-09-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
US11586088B2 (en) 2020-02-28 2023-02-21 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display substrate, display panel and display apparatus
US11876102B2 (en) 2020-02-28 2024-01-16 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display substrate, display panel and display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP3159734A1 (en) 2017-04-26
US9461075B2 (en) 2016-10-04
US20160254273A1 (en) 2016-09-01
EP3159734B1 (en) 2020-01-01
EP3159734A4 (en) 2018-03-28
CN104090401B (zh) 2017-12-29
WO2015192595A1 (zh) 2015-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104090401A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN102955312B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103309108B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103219389B (zh) 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN103236440B (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、显示装置
US10121801B2 (en) TFT array substrate and manufacturing method thereof, and display device
US9685461B2 (en) Display device, array substrate and method for manufacturing the same
CN104393000A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103489826A (zh) 阵列基板、制备方法以及显示装置
CN103928406A (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置
CN103325792A (zh) 一种阵列基板及制备方法、显示装置
CN103579115B (zh) 互补式薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN103367248A (zh) 阵列基板、制备方法以及显示装置
CN103515395A (zh) 显示装置及其制造方法
TWI481035B (zh) 薄膜電晶體及含有該薄膜電晶體的陣列基板
CN105070684A (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
CN103383945A (zh) 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
CN103456745A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103531640A (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
US10205029B2 (en) Thin film transistor, manufacturing method thereof, and display device
US20180151749A1 (en) Thin Film Transistor, Array Substrate and Methods for Manufacturing and Driving the same and Display Device
CN104409462A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103915451A (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103413834A (zh) 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
CN104916649A (zh) 阵列基板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant