CN101414082A - 面内切换模式液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供面内切换模式液晶显示器及其制造方法。根据实施方式的面内切换模式液晶显示器包括：排列在阵列基板的第一方向的多条栅极线；排列在基本上垂直于第一方向的第二方向的多条数据线；设置在阵列基板上的一个或多个存储电极；延伸通过每个像素区的多个公共电极；基本上平行于多个公共电极排列的多个像素电极，多个公共电极和多个像素电极交替地排列以在每个像素区中产生面内场；设置在多条栅极线和多条数据线的交叉区的多个薄膜晶体管(TFT)，每个TFT包括连接至对应数据线的源极、连接至对应像素电极的漏极、以及栅极；以及位于像素区中的各公共电极之下的至少一条公共线，公共线基本上平行于多条数据线。

Description

面内切换模式液晶显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种面内切换(in-plane switching，IPS)模式液晶显示器(LCD)及其制造方法，并且更具体地，涉及一种能够提高开口率、提高生产合格率及改进其他特征的IPS模式LCD及其制造方法。
背景技术
随着用户对于信息显示器兴趣的增长以及对于便携式(可移动的)信息设备要求的增加，对轻薄的平面显示器(FPD)的研究和商业化也在增加。
在FPD中，液晶显示器(LCD)是一种利用液晶的光学各向异性来显示图像的设备。因为LCD设备展示出优越的分辨率以及色彩和画面质量，所以它被广泛地应用于笔记本电脑或桌上型显示器等。
LCD包括滤色镜基板、第一基板、阵列基板、第二基板和形成于滤色镜基板和阵列基板之间的液晶层。滤色镜基板包括：具有多个子滤色镜(实施红、绿和蓝色光过滤)的滤色镜、用于区分子滤色镜并阻止光透过液晶层的黑色矩阵以及用于将电压施加至液晶层的透明公共电极。阵列基板包括：垂直和水平地排列以限定多个像素区的栅极线和数据线、形成在栅极线和数据线的各交叉处的TFT(薄膜晶体管)开关元件以及形成在像素区上的像素电极。
滤色镜基板和阵列基板由形成在图像显示区边缘的密封剂以相互面对的方式附接以形成液晶面板，并且滤色镜基板和阵列基板的附接由形成在滤色镜基板或阵列基板上的附接栓(attachment key)实施。
上述LCD称为扭曲向列(TN)模式LCD，在扭曲向列模式LCD中，向列相液晶分子在垂直于基板的方向上被驱动，缺点在于其视角十分狭窄，大约90°。这源于液晶分子的折射各向异性，因为在电压被施加到液晶显示面板时，水平于基板排列的液晶分子变成基本上排列在垂直于基板的方向上。
因此，人们提出了面内切换(IPS)模式LCD，在面内切换模式LCD中，液晶分子在水平于基板的方向被驱动，从而使视角提高到超过170°。IPS模式LCD如下所述。
图1是示出相关技术的IPS模式LCD的阵列基板的一部分的平面视图。N条栅极线和M条数据线彼此交叉地形成，以在阵列基板上限定MxN个像素。然而，为了简便，仅在附图中示出一个像素。图2是示出沿图1中的阵列基板的I-I’线截取的截面的示意性视图，其中阵列基板和附接至阵列基板的滤色镜基板被一起示出。
如图1和2中所示，栅极线16和数据线17垂直和水平地形成以在透明阵列基板10上限定像素区，并且TFT(T)开关元件形成在栅极线16和数据线17的交叉处。TFT(T)包括与栅极线16连接的栅极21、与数据线17连接的源极22和通过像素电极线181与像素电极18连接的漏极23。TFT还包括：用于使栅极21与源极22、漏极23绝缘的第一绝缘膜15a；以及用于通过施加至栅极21的栅极电压在源极22和漏极23之间形成导电沟道的有源图案(activepattern)24。作为参考，参考标号25表示允许有源图案24的源极区和漏极区与源极22和漏极23进行欧姆接触的欧姆接触层。
在像素区，公共线81和存储电极18s排列在与栅极线16平行的方向上，并且多个公共电极8和多个像素电极18排列成与数据线17平行。此时，存储电极18s和公共电极8产生面内场90以转换液晶分子30。多个公共电极8与栅极线16同时形成，并与公共线81连接，而多个像素电极18与数据线17同时形成，并与像素电极线181和存储电极18s连接。此外，与像素电极线181连接的像素电极18通过像素电极线181电连接到TFT(T)的漏极23。存储电极18s与下方的公共线81的一部分交叠，利用插入在存储电极18s和下方的公共线81之间的第一绝缘膜15a形成存储电容器Cst。
在透明滤色镜基板5上，形成有防止光泄漏至TFT(T)、栅极线16和数据线17的黑色矩阵6，以及实现红、绿和蓝色光过滤的滤色镜7。决定液晶分子30的初始排列方向的对准膜(未示出)涂覆在阵列基板10和滤色镜基板5的相互面对的表面上。
在具有这样一种结构的相关技术的面内模式LCD中，公共电极8和像素电极18形成在相同的阵列基板10上以产生面内场，因此可以改善视角。
然而，因为在像素区中布置的是由不透明材料制成的公共电极8和像素电极18，另外，提供的公共线81由不透明导电材料构成，所以开口率被降低，因而降低了亮度。
此外，因为公共线81形成在其上形成有栅极线16的层上，靠近栅极线16，所以公共线81可能与栅极线16发生短路。
发明内容
因此，为了解决以上问题，提出在此描述的各种特征。示例性实施方式的一个方面在于提供一种面内切换(IPS)模式液晶显示器(LCD)及其制造方法，通过利用透明导电材料形成多个公共电极和像素电极以及形成基本上平行于多条数据线的多条公共线，能够提高开口率。
本发明的另一方面在于提供一种IPS模式LCD及其制造方法，通过在多条数据线的方向上形成短于整个栅极线的多条公共线而减小多条公共线的总电阻，能够稳定公共电压。
本发明的再一方面在于提供一种IPS模式LCD及其制造方法，通过排列多条公共线使其横贯多条栅极线并且将绝缘膜插入在公共线和栅极线之间，能够防止多条栅极线与多条公共线短路。
本说明书提供了用于IPS模式LCD的本发明的实施方式，其包括：排列在阵列基板的第一方向的多条栅极线；排列在基本上垂直于第一方向的第二方向的多条数据线，多条栅极线和多条数据线在所述阵列基板上限定多个像素区；设置在阵列基板上的至少一个存储电极；延伸通过每个像素区的多个公共电极；排列成基本上平行于多个公共电极的多个像素电极，多个公共电极和多个像素电极交替地排列以在每个像素区中产生面内场；设置在多条栅极线和多条数据线的交叉区的多个薄膜晶体管(TFT)，每个TFT包括连接至对应数据线的源极、连接至对应像素电极的漏极、以及栅极；以及位于像素区中的各公共电极之下的至少一条公共线，公共线基本上平行于多条数据线。
针对IPS模式LCD的制造方法，本说明书还提供了本发明的另一实施方式，其包括：形成排列于第一方向的多条栅极线以及排列在基本上垂直于第一方向的第二方向的多条数据线，多条栅极线和多条数据线在阵列基板上限定多个像素区；在阵列基板上形成存储电极；形成延伸通过每个像素区的多个公共电极；形成基本上平行于多个公共电极排列的多个像素电极，多个公共电极和多个像素电极交替地排列以在每个像素区中产生面内场；在多条栅极线和多条数据线的交叉区形成薄膜晶体管(TFT)，每个TFT包括连接至对应数据线的源极、连接至对应像素电极的漏极、以及栅极；以及在像素区中的多个公共电极中的一个公共电极之下形成公共线，公共线基本上平行于多条数据线。
针对IPS模式LCD的制造方法，本说明书还提供了本发明的又一实施方式，其包括：在第一基板上形成栅极和栅极线；在第一基板上形成第一绝缘层；在第一基板上形成有源图案；在第一基板上形成源极和漏极，并形成与栅极线相交的数据线以限定像素区；在第一基板上形成存储电极；在第一基板的像素区中沿基本上平行于数据线的方向形成至少一条公共线；在第一基板上形成第二绝缘层；以及形成交替地布置在第一基板的像素区中的多个公共电极和像素电极以产生面内场，使得至少一个公共电极位于公共线的上部。
当结合附图阅读本发明的下列详细说明时，本发明的前述和其他目的、特征、方面和优点将变得更加显而易见。
附图说明
由下文给出的详细描述和附图，本发明将得到更充分的理解，但是所述附图仅仅作为示例给出，并非用于限制本发明，其中：
图1是示出相关技术的面内切换(IPS)模式液晶显示器(LCD)的阵列基板的一部分的平面视图；
图2是示意性示出相关技术的IPS模式LCD结构的剖视图；
图3是根据本发明的第一示例性实施方式示出IPS模式LCD的阵列基板的一部分的平面视图；
图4A至4D是顺序示出沿图3中的阵列基板的线IIIa-IIIa’-IIIa”、IIIb-IIIb和IIIc-IIIc截取的制造工艺的剖视图；
图5A至5D是顺序示出图3中的阵列基板的制造工艺的平面视图；
图6A至6F是根据本发明的第一实施方式具体示出在图4B和5B的阵列基板上形成的第二掩模工艺的剖视图；
图7是根据本发明的实施方式继续示出IPS模式LCD中的视角补偿原理的视图；
图8是根据本发明的第二实施方式继续示出IPS模式LCD的阵列基板的一部分的平面视图；以及
图9是根据本发明的第三实施方式继续示出IPS模式LCD的阵列基板的一部分的平面视图。
具体实施方式
现在将参照附图详细地描述面内切换(IPS)模式液晶显示器(LCD)及其制造方法。尽管以某些具体的方式来描述本发明，但很显然本发明可以很多方式变化。这些变化不应视为背离了本发明的精神和范围，并且对于所属技术领域的技术人员显而易见的是，所有这样的修改均涵盖在所附权利要求的范围内。
图3是根据本发明的第一实施方式示出IPS模式LCD的阵列基板的一部分的平面视图。N条栅极线和M条数据线彼此交叉地形成以在阵列基板上限定MxN个像素。然而，为了简洁，仅在附图上示出了唯一的一个像素。
如图3中所示，当公共电极和像素电极具有弯曲结构时，因为液晶分子排列在两个方向上以形成二维，所以在与排列形成一维的液晶分子比较时视角可以进一步增大。本发明不限于二维结构的IPS模式LCD，还可以适用于具有超过二维的多维结构的IPS模式LCD。形成二维或更多维(多维)的IPS结构被称为S(超)-IPS结构。形成多维结构的公共电极和像素电极的形状不限于图3中所示的描述。例如，公共电极和像素电极可以具有弧形结构或者可以具有在多个位置弯曲的结构。
如图所示，在本发明的第一实施方式中，栅极线116和数据线117形成为垂直和水平地排列以在阵列基板110上限定像素区，并且作为开关元件的TFT(T)形成在栅极线116和数据线117的交叉处。
TFT(T)包括形成栅极线116的一部分的栅极121、与数据线117连接的“U”形的源极122以及连接至像素电极118的漏极123。TFT(T)还包括：用于使栅极121与源极122和漏极123绝缘的第一绝缘层(未示出)，以及通过施加至栅极121的栅极电压在源极122和漏极123之间形成导电沟道的有源图案(未示出)。在这种情况中，虽然源极122为“U”形以使得沟道形成为“U”形，但是本发明不限于“U”形沟道，具有不同形状的TFT的任何类型的沟道都可适用。
公共电极108、108a、108a’和像素电极118交替地形成以在像素区中产生面内场，并且一对最外部公共电极108a和108a’形成在像素区的边缘。在公共电极108、108a、108a’中，最外部公共电极108a和108a’分别与一对下方的存储电极118a和118a’交叠，以利用插入在最外部公共电极108a、108a’与下方的存储电极118a、118a’之间的第一和第二绝缘层(未示出)形成第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2。进一步地，公共电极108、108a、108a’和像素电极118基本上平行于数据线117排列。
第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2用于一致地维持施加至液晶电容器的电压，直至接收到下一个信号。除了维持信号之外，第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2还可以具有稳定灰度显示、减少闪烁、减少余像的形成等效果。
在根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中，最外部公共电极108a和108a’以及存储电极118a和118a’形成在像素区的左右边缘以形成第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2，但是本发明不限于最外部公共电极108a和108a’以及存储电极118a和118a’的这种排列。例如，本发明可以应用于存储电极仅仅形成在像素区的一个边缘以形成单一存储电容器的情况。
这里，第一连接线108L布置在公共电极108、108a和108a’的一端，基本上平行于栅极线116并连接公共电极108、108a和108a’的一端。第二连接线118L形成在像素电极118的一端，连接像素电极118的一端，并通过形成在第二绝缘层的第一接触孔140a和一对第二接触孔140b和140b’分别电连接到与漏极123以及一对存储电极118a和118a’。
根据本发明的第一实施方式的公共线1081形成在像素区中的任意公共电极108的下部，使得公共线1081基本上平行于数据线117。在这种情况中，公共线1081由与数据线117相同的导电材料制成，并且形成在其上形成有数据线117的层上。另外，公共线1081通过形成在第二绝缘层的第三接触孔140c电连接第一连接线108L，以提供公共电压至第一连接线108L和公共电极108、108a、108a’。
进一步地，在阵列基板110的边缘部分，形成有分别与栅极线116和数据线117电连接并将由外部驱动电路单元施加的扫描信号和数据信号传输至栅极线116和数据线117的栅极焊盘电极126p和数据焊盘电极127p。即，数据线117和栅极线116延伸至驱动电路单元以分别与数据焊盘线117p和栅极焊盘线116p连接，并且数据焊盘线117p和栅极焊盘线116p通过分别经由第四接触孔140d和第五接触孔140e电连接的数据焊盘电极127p和栅极焊盘电极126p接收来自驱动电路单元的数据信号和扫描信号。
在根据如上所述构造的本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中，因为公共电极108、108a、108a’、像素电极118、第一连接线108L和第二连接线118L由透明导电材料例如ITO(铟锡氧化物)或者IZO(铟锌氧化物)构成，所以能够提高开口率。
此外，因为公共线1081形成为基本上平行于数据线117，所以公共线1081的线宽可以减小，并且因而，像素区的开口率可以被提高大约8％至30％。
另外，因为在数据线117方向上延伸通过整个IPS模式LCD的公共线1081的总长度短于延伸通过整个IPS模式LCD的栅极线116的总长度，所以公共线1081的总电阻可以减小。结果，能够稳定公共电压以防止画面质量的下降，例如波纹或闪烁。在这种情况下，公共线1081的总长度可以是栅极线116的总长度的大约0.56倍。作为参考，在相关技术的IPS模式LCD中，因为公共线形成在水平于液晶面板的方向上，即，基本上平行于栅极线的方向上，增加了RC延迟，而使液晶面板两端之间的公共电压改变大约200mV，从而引起波纹和闪烁。
再者，在根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中，将公共线1081形成为横贯栅极线116，其中第一绝缘层插入在公共线1081和栅极线116之间。即，公共线1081既没有形成为靠近于栅极线116，也没有形成在其上形成有栅极线116的相同的层上。而是将公共线1081形成为横贯栅极线116，其中第一绝缘层插入在公共线1081和栅极线116之间，并且公共线1081布置在与其上形成有数据线117的层相同的层上，从而防止栅极线116和公共线108I出现短路故障，因而提高了生产合格率。
在这里，在根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中，数据布线(其包括源极、漏极、数据线和数据焊盘线，公共线和有源图案)利用半色调掩模或槽掩模(衍射掩模)通过单掩模工艺同时形成(下文中，提及的半色调掩模也包括衍射掩模)，从而可以通过执行四道掩模工艺制造阵列基板。这将通过IPS模式LCD的下列制造方法详细描述。然而，本发明不受限于掩模工艺的数量。例如，还可以通过执行多于四个或少于四个工艺制造阵列基板。
图4A至4D是顺序示出沿图3中的阵列基板的线IIIa-IIIa’-IIIa”、IIIb-IIIb和IIIc-IIIc截取的制造工艺的剖视图。
左侧(IIIa-IIIa’-IIIa”)示出包括数据线区的像素部的阵列基板的制造工艺，而右侧(IIIb-IIIb和IIIc-IIIc)接着示出数据焊盘部分和栅极焊盘部分的制造工艺。
图5A至5D是顺序示出图3中的阵列基板的制造工艺的平面视图。
如图4A和5A中所示，栅极121、栅极线116、第一存储电极118a、第二存储电极118a’和栅极焊盘线116p形成在由诸如玻璃的绝缘材料制成的阵列基板110的像素部。第一存储电极118a和第二存储电极118a’形成为分别向像素区的左边缘和右边缘弯曲，并且排列成基本上垂直于栅极线116。通过在阵列基板110的整个表面上沉积第一导电膜以及通过光刻工艺(第一掩模工艺)选择性地将其图案化，形成栅极121、栅极线116、第一存储电极118a、第二存储电极118a’和栅极焊盘线116p。在这里，第一导电膜可以由低电阻导电材料例如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、钼合金等构成。同样，第一导电膜可以由两种或更多的低电阻导电材料叠加而成的多层结构构成。
接着，如图4B和5B中所示，在其上形成有栅极121、栅极线116、第一存储电极118a、第二存储电极118a’和栅极焊盘线116p的阵列基板上的整个表面上形成第一绝缘层115a、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二导电膜，并且接着经由光刻工艺(第二掩模工艺)选择性地去除第一绝缘层115a、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二导电膜，以形成由非晶硅薄膜构成的有源图案124以及由第二导电膜构成的源极122和漏极123。源极122和漏极123电连接到位于阵列基板110的像素部处的有源图案124的源极区和漏极区。
此时，通过第二掩模工艺，在阵列基板110的数据线区形成由第二导电膜构成的数据线117，而在阵列基板110的数据焊盘部形成由第二导电膜构成的数据焊盘线117p。进一步地，通过第二掩模工艺，在像素区中形成由第二导电膜构成的公共线1081，并且公共线1081形成为基本上平行于数据线117。另外，在有源图案124上形成欧姆接触层125n，其由n+非晶硅薄膜构成并被图案化为与源极122和漏极123相同的形状。
由非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜构成的第一非晶硅薄膜图案124’、第二n+非晶硅薄膜图案125”、第二非晶硅薄膜图案124”、第三n+非晶硅薄膜图案125”’、第三非晶硅薄膜图案124”’以及第四n+非晶硅薄膜图案125””被图案化为与公共线1081、数据线117和数据焊盘线117p相同的形状，并且形成在公共线1081、数据线117和数据焊盘线117p的下方。
在这里，在本发明的第一实施方式中，有源图案124、源极122和漏极123、数据线117、数据焊盘线117p以及公共线1081利用半色调掩模通过单掩模工艺(第二掩模工艺)同时形成。下面将参照附图详细描述第二掩膜工艺。
图6A至6F是根据本发明的第一实施方式具体示出在图4B和5B的阵列基板上的第二掩模工艺的剖视图。
如图6A中所示，在其上形成有栅极121、栅极线116、第一存储电极118a、第二存储电极118a’和栅极焊盘线116p的阵列基板110的整个表面上形成栅极绝缘层115a、非晶硅薄膜120、n+非晶硅薄膜125、第二导电膜130。第二导电膜130可以由低电阻导电材料例如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、钼合金等制成，以形成源极、漏极、数据线、数据焊盘线和公共线。
接着，如图6中所示，由诸如光刻胶的感光材料制成的感光膜170形成在阵列基板110的整个表面上，光经由根据本发明的实施方式的半色调掩模180选择性地照射至感光膜170。
半色调掩模180包括允许照射光全部透过的第一透射区(I)、仅仅允许照射光中的一些透过而阻挡剩余光的第二透射区(II)以及完全阻挡照射光的阻挡区(III)。只有透过半色调掩模180的光可以照射到感光膜170上。
随后，当通过半色调掩模180曝光的感光膜170被显影时，如图6C中所示，第一至第六感光膜图案170a至170f残留在光被阻挡区(III)和第二透射区(II)被全部阻挡或者部分阻挡的区域，并且感光膜在光完全透过的第一透射区(I)的区域被全部去除，以暴露第二导电膜130的表面。此时，形成在阻挡区(III)的第一至第五感光膜图案170a至170e厚于通过第二透射区(II)形成的第六感光膜图案170c。另外，感光膜在光全部透过的第一透射区(I)的区域被全部去除。这是因为使用了正性光致抗蚀剂，但是本发明并不限于使用正性光致抗蚀剂来完成该工艺。例如，负性光致抗蚀剂也可以用于本发明。
接着，如图6D中所示，利用第一至第六感光膜图案170a至170f，选择性地去除下方的非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二导电膜，以在阵列基板110的像素部形成有源图案124以及在阵列基板110的数据线区形成由第二导电膜构成的数据线117。此外，由第二导电膜构成的数据焊盘线117p形成在阵列基板110的数据焊盘部，而由第二导电膜构成的公共线1081形成在阵列基板的像素区。
在本发明的第一实施方式中，仅仅一条公共线1081形成在像素区，但是本发明不受其限制，可以形成两条或更多条公共线。
此时，在有源图案124上形成分别由n+非晶硅薄膜和第二导电膜构成并被图案化为与有源图案124相同的形状的第一非晶硅薄膜图案125’和第二导电膜图案130’。进一步地，由非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜构成的第一非晶硅薄膜图案124’、第二n+非晶硅薄膜图案125”、第二非晶硅薄膜图案124”、第三n+非晶硅薄膜图案125”’、第三非晶硅薄膜图案124”’以及第四n+非晶硅薄膜图案125””被图案化为与公共线1081、数据线117和数据焊盘线117p相同的形状，并形成在公共线1081、数据线117和数据焊盘线117p之下。
随后，执行灰化工艺以部分地去除第一至第六感光膜图案170a至170f。于是，如图6E中所示，第二透射区(II)的第六感光膜图案170f被全部去除，暴露出第二透射区(II)的第二导电图案130’。
接着，在将第一至第六感光膜图案170a至170f部分地去除第六感光膜图案的厚度之后，仅仅在对应于阻挡区(III)的源极区和漏极区、公共线1081、数据线117以及数据焊盘线117p上保留第一至第五感光膜图案，作为第七至第十一感光膜图案170a’至170e’。
之后，如图6F中所示，利用剩余的第七至第十一感光膜图案170a’至170e’作为掩模，选择性地去除第一n+非晶硅薄膜图案和第二导电膜图案的多个部分，以在阵列基板110的像素部形成由第二导电膜构成的源极122和漏极123。此时，在有源图案124上形成欧姆接触层125n，其由n+非晶硅薄膜构成并允许有源图案124的源极区、漏极区与源极122、漏极123彼此欧姆接触。
以这种方式，在本发明的第一实施方式中，利用半色调掩模通过单掩模工艺就能够形成有源图案124、源极122和漏极123、数据线117、数据焊盘线117p以及公共线1081。
之后，如图4C和5C中所示，在其上形成有有源图案124、源极122和漏极123、数据线117、数据焊盘线117p和公共线1081的阵列基板110的整个表面上形成第二绝缘层115b。
然后，利用光刻工艺(第三掩模工艺)选择性地去除第二绝缘层115b的多个部分，以形成使漏极123的一部分暴露的第一接触孔140a以及使第一存储电极118a和第二存储电极118a’的多个部分暴露的一对第二接触孔140b和140b’。另外，利用第三掩模工艺选择性地去除第二绝缘层115b的多个部分，以形成分别使公共线108I、数据焊盘线117p和栅极焊盘线116p的一部分暴露的第三接触孔140c、第四接触孔140d和第五接触孔140e。
之后，如图4D和5D中所示，在其上形成有第一至第五接触孔140a至140e的阵列基板110的整个表面上形成由透明导电膜制成的第三导电膜。接着，通过光刻工艺(第四掩模工艺)选择性地去除第三导电膜，以形成经由第一接触孔140a电连接漏极123并经由一对第二接触孔140b和140b’电连接第一存储电极118a和第二存储电极118a’的第二连接线118L。另外，通过第四掩模工艺选择性地去除第三导电膜，在第二绝缘层115b上形成多个公共电极108、108a、108a’和像素电极118，使其交替地布置在像素区中以产生面内场。进一步地，通过第四掩模工艺选择性地去除第三导电膜，将数据焊盘电极127p和栅极焊盘电极126p形成为分别经由第四接触孔140d和第五接触孔140e电连接数据焊盘线117p和栅极焊盘线116p。
在这种情况下，第一最外部公共电极108a和第二最外部公共电极108a’形成在像素区的边缘。在公共电极108、108a和108a’中，第一最外部公共电极108a和第二最外部公共电极108a’分别与下方的第一存储电极118a和第二存储电极118a’交叠，以利用插入在最外部公共电极108a、108a’与下方的存储电极118a、118a’之间的第一绝缘层115a和第二绝缘层115b形成第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2。进一步地，通过第四掩模工艺，将第一连接线108L形成在公共电极108、108a和108a’的一端，使得其基本上平行于栅极线116并连接公共电极108、108a和108a’的一端。
本发明的第一实施方式中的公共线1081形成在像素区中任意公共电极108之下，使得公共线1081基本上平行于数据线117。公共线1081经由形成在第二绝缘层115b的第三接触孔140c电连接第一连接线108L，以提供公共电压至第一连接线108L和公共电极108、108a和108a’。此外，第三导电膜包括具有良好透光度的透明导电材料，例如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，以形成公共电极108、108a、108a’、第一连接线108L、第二连接线118L和像素电极118。
如上所述，在根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中，公共电极108、108a、108a’、像素电极118、第一连接线108L和第二连接线118L由透明导电材料制成，并且公共线1081形成为基本上平行于数据线117，由此公共线1081的线宽可以减小，从而像素区的开口率可以提高大约8％至30％。另外，因为公共线1081形成为在公共电极108的下侧平行于公共电极108，所以开口区可以延伸至其最大程度。
此外，如上所述，因为在数据线117的方向上延伸通过整个IPS模式LCD的公共线1081的总长度小于延伸通过整个IPS模式LCD的栅极线116的总长度，所以公共线1081的总电阻可以减小。结果，能够稳定公共电压以防止画面质量下降，例如出现波纹或闪烁。在这种情况下，公共线1081的总长度可以大约是栅极线116的总长度的0.56倍。
另外，因为公共线1081形成为横贯栅极线116，并且第一绝缘层插入在公共线1081和栅极线116之间，所以可以防止栅极线116和公共线1081短路，提高生产合格率。
在根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中，因为公共电极108、108a、108a’、像素电极118、数据线117弯曲成具有允许液晶分子被匀称驱动的多维结构，所以可以消除由液晶的双折射特性引起的异常光，使色移现象最小化。也就是说，因为液晶分子的双折射特性，随着观察液晶分子的视野的变化会发生色移现象，并且尤其是，在液晶分子的短轴方向上可观察到黄光色移，在液晶分子的长轴方向上可观察到蓝光色移。因而，通过适当地设置液晶分子的短轴和长轴来减少或去除色移，可以补偿双折射值。
例如，在液晶分子对称排列的二维结构的情况中，如图7中所示，第一液晶分子190a的双折射值a1由第二液晶分子190b的双折射值a2补偿，产生双折射值0，其中第二液晶分子190b具有与第一液晶分子190a的方向相反的分子排列。此外，双折射值c1由c2补偿。从而，可以最小化因为液晶分子的双折射特性产生的色移现象，以防止随着视角的变化画面质量的恶化。
这里，在根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中，在像素区中形成一条公共线，但是本发明不受限于此。即，可以根据公共线的电阻设计两条或更多条公共线。下面将参照图8详细描述根据本发明的第二实施方式的具有两条公共线的IPS模式LCD。
图8是根据本发明的第二实施方式继续示出IPS模式LCD的阵列基板的一部分的平面视图，除了包括两条公共线之外，其包括与根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD的阵列基板相同的元件。
如图所示，在本发明的第二实施方式中，栅极线216和数据线217形成为分别垂直和水平地排列，以在阵列基板210上限定像素区，并且在栅极线216和数据线217的交叉处形成TFT(T)开关元件。
TFT(T)包括形成栅极线216的一部分的栅极221、与数据线217连接的源极222以及连接至像素电极218的漏极223。TFT(T)还包括用于使栅极221与源极222和漏极223绝缘的第一绝缘层(未示出)、以及通过提供至栅极221的栅极电压在源极222和漏极223之间形成导电沟道的有源图案(未示出)。
公共电极208、208a、208a’和像素电极218交替地形成以在像素区中产生面内场，并且一对最外部公共电极208a和208a’形成在像素区的边缘。在公共电极208、208a、208a’中，最外部公共电极208a和208a’分别与一对下方的存储电极218a和218a’交叠，以利用插入在最外部公共电极208a、208a’与下方的存储电极218a、218a’之间的第一和第二绝缘层(未示出)形成第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2。进一步地，公共电极208、208a、208a’和像素电极218基本上平行于数据线217排列。
这里，第一连接线208L布置在公共电极208、208a和208a’的一端，基本上平行于栅极线216并连接公共电极208、208a和208a’的一端。第二连接线218L形成在像素电极218的一端，连接像素电极218的一端，并分别通过形成在第二绝缘层的第一接触孔240a和一对第二接触孔240b和240b’电连接漏极223以及一对存储电极218a和218a’。根据本发明的第二实施方式的第一公共线2081和第二公共线2081’形成在像素区中的任意公共电极208的下部，使得第一公共线2081和第二公共线2081’基本上平行于数据线217。在这种情况中，第一公共线2081和第二公共线2081’由与数据线217相同的导电材料制成，并且形成在其上形成有数据线217的层上。此外，第一公共线2081和第二公共线2081’分别通过形成在第二绝缘层的第三接触孔240c和240c’电连接第一连接线208L，以提供公共电压至第一连接线208L和公共电极208、208a、208a’。
进一步地，在阵列基板210的边缘部分，形成有分别与栅极线216和数据线217电连接并将由外部驱动电路单元施加的扫描信号和数据信号传输至栅极线216和数据线217的栅极焊盘电极226p和数据焊盘电极227p。即，数据线217和栅极线216延伸至驱动电路单元以分别与数据焊盘线217p和栅极焊盘线216p连接，并且数据焊盘线217p和栅极焊盘线216p通过经由第四接触孔240d和第五接触孔240e电连接的数据焊盘电极227p和栅极焊盘电极226p来接收来自驱动电路单元的数据信号和扫描信号。
另外，如上所述，根据本发明的第一和第二实施方式的IPS模式LCD，第一和第二最外部公共电极以及第一和第二存储电极形成在像素区的左右边缘部分以形成第一存储电容器和第二存储电容器，但是不受限于此，本发明可以应用于一个存储电极仅仅形成在像素区的一个边缘部分以仅仅形成单一存储电容器的情况。
图9是根据本发明的第三实施方式继续示出IPS模式LCD的阵列基板的一部分的平面视图，除了存储电极中的一个仅仅形成在像素区的一个边缘部分以形成单一存储电容器之外，其包括与根据本发明的第一实施方式的IPS模式LCD中的阵列基板相同的元件。
如图所示，在本发明的第三实施方式中，栅极线316和数据线317形成为垂直和水平地排列，以在阵列基板310上限定像素区，并且在栅极线316和数据线317的交叉处形成TFT(T)开关元件。
TFT(T)包括形成栅极线316的一部分的栅极321、与数据线317连接的源极322以及连接至像素电极318的漏极323。TFT(T)还包括：用于使栅极321与源极322和漏极323绝缘的第一绝缘层(未示出)；以及通过施加至栅极321的栅极电压在源极322和漏极323之间形成导电沟道的有源图案(未示出)。
公共电极308、308a、308a’和像素电极318交替地形成以在像素区中产生面内场，并且最外部公共电极308a形成在像素区的左边缘。在公共电极308、308a、308a’中，最外部公共电极308a与下方的存储电极318a交叠，以利用插入在最外部公共电极308a以及下方的存储电极318a之间的第一和第二绝缘层(未示出)形成存储电容器Cst。
在根据本发明的第三实施方式的IPS模式LCD中，因为存储电极318a仅仅形成在像素电极的一个边缘，所以可以进一步地提高像素区的开口率。
这里，第一连接线308L布置在公共电极308、308a和308a’的一端，基本上平行于栅极线316并连接公共电极308、308a和308a’的一端。第二连接线318L形成在像素电极318的一端，连接像素电极318的一端，并通过形成在第二绝缘层的第一接触孔340a和第二接触孔340b电连接漏极323以及存储电极318a。
根据本发明的第三实施方式的公共线3081形成在像素区中的任意公共电极308的下部，使得公共线3081基本上平行于数据线317。在这种情况下，公共线3081通过形成在第二绝缘层的第三接触孔340c与第一连接线308L电连接，以提供公共电压至第一连接线308L和公共电极308、308a、308a’。
进一步地，在阵列基板310的边缘部分，形成有分别与栅极线316和数据线317电连接并将由外部驱动电路单元施加的扫描信号和数据信号传输至栅极线316和数据线317的栅极焊盘电极326p和数据焊盘电极327p。即，数据线317和栅极线316延伸至驱动电路单元以分别与数据焊盘线317p和栅极焊盘线316p连接，并且数据焊盘线317p和栅极焊盘线316p通过经由第四接触孔340d和第五接触孔340e电连接的数据焊盘电极327p和栅极焊盘电极326p来接收来自驱动电路单元的数据信号和扫描信号。
根据本发明的第一至第三实施方式的阵列基板可以借助涂覆至图像显示部分的外部边缘的密封剂以相互面对的方式与滤色镜基板附接。于是，滤色镜基板包括用于防止光泄漏至TFT、栅极线和数据线的黑色矩阵、以及用于实现红、绿和蓝色光过滤的滤色镜。然而，本发明不限于如上所述应用滤色镜基板，其他的方法或结构也可以用来产生彩色光。滤色镜基板和阵列基板的附接可以通过形成在滤色镜基板或阵列基板上的附接栓实现。但是，也可以通过其他方法或部件实现滤色镜基板和阵列基板的附接。
本发明还可以应用至通过使用TFT制造的各种其他设备，例如其中OLED(有机发光二极管)与驱动晶体管连接的OLED(有机发光二极管)显示设备。
本发明可以具体化为多种形式而不背离其特征，因此应该理解，除非另外说明，否则上述实施方式不受前述说明书的任何细节的限制，而应将其广义理解为涵盖在所附权利要求所限定的范围内。因此，落在权利要求范围、边界或其等效范围、边界内的所有变化和改型由所附权利要求所涵盖。

Claims (24)

1.一种面内切换IPS模式液晶显示器LCD，其包括：
多条栅极线，其排列在阵列基板的第一方向上；
多条数据线，其排列在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上，所述多条栅极线和所述多条数据线在所述阵列基板上限定多个像素区；
一个或多个存储电极，其设置在所述阵列基板上；
多个公共电极，其延伸通过每个像素区；
多个像素电极，其基本上平行于所述多个公共电极排列，所述多个公共电极和所述多个像素电极交替地排列以在每个像素区中产生面内场；
多个薄膜晶体管TFT，其设置在所述多条栅极线和所述多条数据线的交叉区，每个TFT包括连接至对应数据线的源极、连接至对应像素电极的漏极、以及栅极；以及
至少一条公共线，其位于像素区中的各公共电极之下，所述公共线基本上平行于所述多条数据线。
2.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述公共线和所述数据线由相同导电材料制成，并且所述公共线设置在其上形成有所述多条数据线的层上。
3.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述公共线横贯对应的栅极线，并且在所述公共线和栅极线之间插入绝缘层以防止对应的栅极线与所述公共线短路。
4.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，延伸通过所述IPS模式LCD的整个区域的公共线的长度短于延伸通过所述IPS模式LCD的整个区域的至少一条栅极线的长度。
5.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述多个公共电极和所述多个像素电极在一个或多个部分被弯曲。
6.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述多个公共电极与第一连接线连接，所述第一连接线基本上平行于所述多条栅极线。
7.根据权利要求6所述的IPS模式LCD，其中，所述多个像素电极与第二连接线连接，所述第二连接线电连接到所述漏极和存储电极。
8.根据权利要求7所述的IPS模式LCD，其中，所述第二连接线通过第一接触孔和第二接触孔分别与所述漏极和所述多个存储电极电连接。
9.根据权利要求7所述的IPS模式LCD，其中，所述多个公共电极、所述多个像素电极、所述第一连接线和所述第二连接线中的至少之一由透明导电材料制成。
10.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述多个公共电极包括设置在每个像素区的边缘的多个最外部公共电极。
11.根据权利要求10所述的IPS模式LCD，其中，所述多个最外部公共电极与所述多个存储电极交叠，以利用插置在所述多个最外部公共电极和所述多个存储电极之间的第一绝缘层和第二绝缘层来形成多个存储电容器。
12.根据权利要求6所述的IPS模式LCD，其中，所述公共线通过设置在第二绝缘层的第三接触孔电连接到所述第一连接线，以向所述第一连接线和所述多个公共电极提供公共电压。
13.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述至少一条公共线包括设置在对应像素区中的各公共电极之下的第一公共线和第二公共线，所述第一公共线和所述第二公共线基本上平行于所述多条数据线。
14.根据权利要求1所述的IPS模式LCD，其中，所述一个或多个存储电极构成设置在像素区的一个边缘部分处的单一存储电极，以形成单一存储电容器。
15.一种面内切换IPS型液晶显示器LCD设备的制造方法，其包括：
形成排列于第一方向上的多条栅极线以及排列于基本上垂直于所述第一方向的第二方向上的多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线在阵列基板上限定多个像素区；
在所述阵列基板上形成存储电极；
形成延伸通过每个像素区的多个公共电极；
形成基本上平行于所述多个公共电极排列的多个像素电极，所述多个公共电极和所述多个像素电极交替地排列以在每个像素区中产生面内场；
在所述多条栅极线和所述多条数据线的交叉区形成薄膜晶体管TFT，每个TFT包括连接至对应数据线的源极、连接至对应像素电极的漏极、以及栅极；以及
在像素区中的多个公共电极中的一个公共电极之下形成公共线，所述公共线基本上平行于所述多条数据线。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，通过在所述阵列基板的表面上沉积第一导电膜并通过第一光刻工艺选择性地图案化该第一导电膜，形成所述多条栅极线、所述存储电极和栅极焊盘线。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，通过在其上形成有所述栅极、所述栅极线、所述存储电极和栅极焊盘线的阵列基板的表面上形成第一绝缘层、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二导电膜，以及接着通过第二光刻工艺选择性地去除所述非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和所述第二导电膜，形成所述源极和漏极、所述公共线、所述数据线和数据焊盘线。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，通过在其上形成有有源图案、所述源极和漏极、所述数据线、数据焊盘线和所述公共线的阵列基板的表面上形成第二绝缘层，以及接着通过第三光刻工艺选择性地去除所述第二绝缘层，形成暴露所述漏极、所述存储电极、所述公共线、数据焊盘线和栅极焊盘线的多个部分的多个接触孔。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，通过在其上形成有第一至第五接触孔的阵列基板的表面上形成由透明导电膜制成的第三导电膜，以及接着通过第四光刻工艺选择性地去除所述第三导电膜，在第二绝缘层上形成所述多个公共电极、所述多个像素电极、第一连接线和第二连接线、数据焊盘电极以及栅极焊盘电极。
20.一种IPS模式LCD的制造方法，其包括：
在第一基板上形成栅极和栅极线；
在所述第一基板上形成第一绝缘层；
在所述第一基板上形成有源图案；
在所述第一基板上形成源极和漏极，并形成与所述栅极线相交的数据线以限定像素区；
在所述第一基板上形成存储电极；
在所述第一基板的像素区中沿基本上平行于所述数据线的方向形成至少一条公共线；
在所述第一基板上形成第二绝缘层；以及
形成交替地布置在所述第一基板的像素区中的多个公共电极和像素电极，以产生面内场，其中使得至少一个公共电极位于所述公共线的上部。
21.根据权利要求20所述的方法，还包括：
形成第一连接线，使得所述第一连接线基本上平行于所述栅极线排列并连接所述多个公共电极的一端；以及
形成第二连接线，使得所述第二连接线基本上平行于所述栅极线排列并连接所述多个像素电极的一端。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二连接线经由第一接触孔电连接到所述漏极以及经由第二接触孔电连接到所述存储电极。
23.根据权利要求20所述的方法，其中，所述栅极、所述栅极线和所述存储电极由第一导电膜构成，并且
其中，所述源极和漏极、所述数据线和所述公共线由第二导电膜构成。
24.根据权利要求20所述的方法，其中，在所述第一基板的像素区的边缘沿基本上平行于所述数据线的方向形成所述存储电极，并且所述存储电极与所述公共电极交叠，并且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层插入在所述存储电极和所述公共电极之间以形成存储电容器。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102809855A (zh) * 2011-06-01 2012-12-05 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN102937768A (zh) * 2012-11-13 2013-02-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103137617A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 上海中航光电子有限公司 Tft-lcd阵列基板、制造方法及驱动方法
CN103454819A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 乐金显示有限公司 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN103487982A (zh) * 2013-08-19 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法
CN103728795A (zh) * 2013-12-26 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、阵列基板
CN104090401A (zh) * 2014-06-18 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107817624A (zh) * 2016-09-12 2018-03-20 三星显示有限公司 显示设备
CN111381404A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 乐金显示有限公司 液晶显示装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323477B1 (ko) * 2009-09-30 2013-10-31 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
TWI406073B (zh) * 2009-12-11 2013-08-21 Au Optronics Corp 畫素結構
TWI493266B (zh) * 2009-12-11 2015-07-21 Au Optronics Corp 畫素結構
US8804081B2 (en) * 2009-12-18 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device with electrode having opening over thin film transistor
KR101697587B1 (ko) * 2009-12-30 2017-01-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101097345B1 (ko) * 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR101300034B1 (ko) * 2010-10-18 2013-08-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판 및 이를 이용한 액정표시장치
KR101900833B1 (ko) * 2011-12-05 2018-09-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20140088810A (ko) * 2013-01-03 2014-07-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20150015996A (ko) 2013-08-02 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN105572996B (zh) * 2016-02-02 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
US11906864B2 (en) 2016-02-02 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
US11442318B2 (en) 2016-02-02 2022-09-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
US20180348559A1 (en) * 2017-06-05 2018-12-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal display panel, and liquid crystal display device
KR20220077323A (ko) * 2020-12-01 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100235592B1 (ko) 1997-01-22 1999-12-15 구본준 평행전계형 액정표시장치
KR100268104B1 (ko) * 1997-08-13 2000-10-16 윤종용 공통 전극 라인을 갖는 평면 구동 방식 액정 표시 장치 및그 제조 방법
US6049365A (en) * 1998-05-07 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal displaying apparatus with a converter not exposed to liquid crystal
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
JP2002323706A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP3995903B2 (ja) 2001-06-01 2007-10-24 松下電器産業株式会社 液晶画像表示装置
JP4047586B2 (ja) 2002-01-10 2008-02-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3881248B2 (ja) 2002-01-17 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置および画像表示装置
JP4424925B2 (ja) * 2003-06-05 2010-03-03 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
US7244627B2 (en) 2003-08-25 2007-07-17 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating liquid crystal display device
KR100560403B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100689312B1 (ko) 2003-11-11 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101071711B1 (ko) * 2003-12-29 2011-10-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치
JP4379605B2 (ja) 2004-09-21 2009-12-09 日本電気株式会社 液晶表示装置
KR101127839B1 (ko) 2005-04-11 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정 표시 장치
KR101137866B1 (ko) * 2005-06-30 2012-04-23 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
JP4929432B2 (ja) 2005-07-29 2012-05-09 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102809855B (zh) * 2011-06-01 2015-06-03 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN102809855A (zh) * 2011-06-01 2012-12-05 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN103137617A (zh) * 2011-11-30 2013-06-05 上海中航光电子有限公司 Tft-lcd阵列基板、制造方法及驱动方法
CN103137617B (zh) * 2011-11-30 2016-02-03 上海中航光电子有限公司 Tft-lcd阵列基板、制造方法及驱动方法
US9678400B2 (en) 2012-05-31 2017-06-13 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN103454819A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 乐金显示有限公司 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN103454819B (zh) * 2012-05-31 2016-12-28 乐金显示有限公司 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN102937768A (zh) * 2012-11-13 2013-02-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
CN102937768B (zh) * 2012-11-13 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103487982A (zh) * 2013-08-19 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板、像素结构及制作方法
US10437122B2 (en) 2013-08-19 2019-10-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device, array substrate, pixel structure, and manufacturing method thereof
CN103728795A (zh) * 2013-12-26 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板公共电极结构及其制造方法、阵列基板
US9461075B2 (en) 2014-06-18 2016-10-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN104090401A (zh) * 2014-06-18 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104090401B (zh) * 2014-06-18 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107817624A (zh) * 2016-09-12 2018-03-20 三星显示有限公司 显示设备
CN111381404A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN111381404B (zh) * 2018-12-31 2023-05-30 乐金显示有限公司 液晶显示装置

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