CN103454819A - 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于液晶显示器（LCD）的阵列基板及其制造方法。用于液晶显示器（LCD）的该阵列基板包括：基板，其包括：栅极、像素电极、和公共电极，形成于该基板上并连接到该栅极的栅衬垫，形成于该栅衬垫上的栅绝缘层，形成于该栅绝缘层上的第一保护层，形成于该第一保护层上的第二保护层，形成于该第二保护层上并且通过将该栅衬垫暴露出来的第一接触孔连接到该栅衬垫的第一金属层，形成于该第一金属层和该第二保护层上的第三保护层，和形成于该第三保护层上并且通过将该第一金属层暴露出来的第二接触孔连接到该第一金属层的第二金属层。

Description

用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器（LCD），更具体地，涉及LCD的阵列基板。
背景技术
近年来，一直在研发平面转换型（IPS）LCD，在该LCD中，于上基板和下基板之一上交替布置多个电极，并且液晶定向于基板之间，由此显示图像。
通常，IPS LCD使用电场来调整具有介电各向异性的液晶的透光率，并由此显示图像。在此，将其中形成有滤色器阵列的滤色器基板和其中形成有薄膜晶体管（TFT）阵列的TFT基板结合在一起，使液晶夹于其间，由此形成IPS LCD。
TFT阵列基板包括TFT、像素电极和公共电极，它们形成于通过多条栅线和数据线的交叉而形成的多个液晶单元中的每一个内。TFT响应来自栅线的栅信号，将由相应的数据线施加的数据信号转换到像素电极上。像素电极接收来自TFT的数据信号，由此驱动液晶，并且公共电极接收公共电压，该公共电压作为在驱动液晶时作为数据电压的摆动基准。在由像素电极的数据信号和公共电极的公共电压产生的电场作用下，液晶扭转，因而调整透光率，由此实现灰度等级。
IPS LCD的TFT阵列基板包括TFT区、像素区、数据线区、栅衬垫区和数据衬垫区，并且可以进一步包括多个使不同层电连接的接触孔。然而，在现有技术的IPS LCD的阵列基板中，在通过接触孔电连接不同层时会产生下层和中间层的损坏，特别是，这种故障在栅衬垫区出现的频率很高。
以下将参照图1-图6来描述会在现有技术的LCD的阵列基板的栅衬垫区中出现的故障。
图1-图5示出现有技术中制造LCD的阵列基板的栅衬垫区的方法的断面图。
首先，如图1所示，在基板100上顺序形成栅衬垫110、栅绝缘层120、第一钝化层130和光丙烯酸层140。
接着，如图2和图3所示，在光丙烯酸层140上形成第一金属层150，并在第一金属层150上形成第二钝化层160。
接着，如图4所示，通过构图第二钝化层160、第一钝化层130和栅绝缘层120，形成用于暴露栅衬垫110的接触孔180。
接着，如图5所示，形成通过接触孔180而连接到栅衬垫110的第二金属层170。
然而，在制造LCD的阵列基板的栅衬垫区的现有技术工艺中，当接触孔很深或者堆叠的各层之间的台阶高度过高时，会产生一些故障。
参照图6A和6B具体描述这种故障。
图6A是图5的A部位的放大断面图，图6B是图5的B部位的放大断面图。
图6A示出在通过构图第二钝化层160、第一钝化层130和栅绝缘层120而形成用于暴露栅衬垫110的接触孔180，然后形成连接到栅衬垫110的第二金属层170的工艺中，第二金属层170断连的断面图。如图6A所示，当栅衬垫110和第二金属层170之间的台阶高度过高时，接触孔180的深度变大，因而，不会一致地形成第二金属层170，这导致第二金属层170发生断连。
图6B示出在通过构图第二钝化层160、第一钝化层130和栅绝缘层120而形成用于暴露栅衬垫110的接触孔180，然后形成连接到栅衬垫110的第二金属层170的工艺中，栅衬垫110和第二金属层170之间有缺陷性接触的断面图。如图6B所示，在形成接触孔180的蚀刻工艺中，多个待蚀刻层很厚，因而，当作为待蚀刻的最底层的栅绝缘层120没有被完全蚀刻而留下残余层时，由于栅绝缘层120的该残余层之故，栅衬垫110和第二金属层170之间不会产生接触。
现有技术中的LCD的阵列基板的上述局限性如下。
首先，当栅衬垫和第二金属层之间的台阶高度过高时，为电连接栅衬垫和第二金属层而形成的接触孔的深度变大，因而，不能在接触孔的表面上一致地形成第二金属层，这导致第二金属层的断连。
第二，在形成接触孔180的蚀刻工艺中，在栅衬垫和第二金属层之间堆叠了很多的层，或者堆叠的层过厚，因而，当作为待蚀刻的最底层的栅绝缘层120未被完全蚀刻，因而留下了残余层时，由于栅绝缘层120的该残余层之故，栅衬垫110和第二金属层170不会产生接触。
发明内容
本发明的实施例涉及液晶显示器的阵列基板及其制造方法。相应地，本发明的实施例旨在提供一种LCD的阵列基板及其制造方法，其基本上克服了因现有技术的局限性和劣势而造成的一个或者多个问题。
这些实施例的目的是提供一种LCD的阵列基板，其中解决了第二金属层在接触孔表面的断连问题，并且防止了第二金属层和栅衬垫之间因栅绝缘层的残余层而产生的缺陷性接触。
本公开内容的优点、目的和特征，部分将在随后的描述中加以阐述，部分在研读下面内容之后对本领域技术人员将会显而易见，或者可以通过实践本发明而获得启示。本发明的这些目的和其它的优点可以通过说明书及其权利要求书连同附图所特别指出的结构来实现或者获得。
为了实现这些目的和其它的优点，以及根据本发明的目的，一方面，本发明提供了一种用于液晶显示器（LCD）的阵列基板，包括：包括有栅极、像素电极和公共电极的基板，形成于该基板上并连接到该栅极的栅衬垫，形成于该栅衬垫上的栅绝缘层，形成于该栅绝缘层上的第一保护层，形成于该第一保护层上的第二保护层，形成于该第二保护层上并且通过将该栅衬垫暴露出来的第一接触孔而连接到该栅衬垫的第一金属层，形成于该第一金属层和该第二保护层上的第三保护层，和形成于该第三保护层上、并且通过将该第一金属层暴露出来的第二接触孔而连接到该第一金属层的第二金属层。
另一方面，本发明提供了一种制造用于液晶显示器（LCD）的阵列基板的方法，该方法包括：在基板上形成栅衬垫；在该栅衬垫上形成栅绝缘层；在该栅绝缘层上形成第一保护层；在该第一保护层上形成第二保护层，以暴露出形成于对应于该栅衬垫的位置处的该第一保护层；构图该栅绝缘层和该第一保护层，以形成暴露出该栅衬垫的第一接触孔；在该第一接触孔和该第二保护层上形成第一金属层；在该第一金属层和该第二保护层上形成第三保护层；在该第三保护层上形成暴露出第一金属层的第二接触孔；并且形成通过该第二接触孔连接到该第一金属层的第二金属层。
再一方面，本发明提供了一种用于液晶显示器（LCD）的阵列基板，包括：基板；位于该基板上的像素区，该像素区包括：晶体管，其包括：栅极、源极、漏极、有源层和栅绝缘层，位于该晶体管上的第一保护层，位于该第一保护层上的第二保护层，像素电极，该像素电极通过将该漏极暴露出来的第一接触孔而连接到该漏极，完全覆盖该像素电极和该第二保护层的第三保护层，和位于该第三保护层上的公共电极；位于该基板上的栅衬垫区，该栅衬垫区包括：栅衬垫、该栅绝缘层、该第一保护层、该第二保护层、第一金属层、该第三保护层和该第二金属层，其中该第一金属层布置在该第二保护层上，并且通过将该栅衬垫暴露出来的第二接触孔而连接到该栅衬垫，其中该第一金属层包括与该像素电极相同的材料，并且布置在与该像素电极相同的层，其中该第三保护层布置在该第一金属层和该第二保护层上，其中该第二金属层布置在该第三保护层上，并且通过将该第一金属层暴露出来的该第二接触孔连接到该第一金属层，其中该第二金属层连接到该第一金属层，并且该第二金属层电连接到该栅衬垫，并且其中该第二金属层包括与该公共电极相同的材料，并且布置在与该公共电极相同的层。
又一方面，本发明提供了一种形成用于液晶显示器（LCD）的阵列基板的方法，包括：形成基板；在该基板上形成像素区，形成该像素区包括：形成晶体管，包括：形成栅极、形成源极、形成漏极、形成有源层和形成栅绝缘层，在该晶体管上形成第一保护层，在该第一保护层上形成第二保护层，形成像素电极，该像素电极通过将该漏极暴露出来的第一接触孔连接到该漏极，形成完全覆盖该像素电极和该第二保护层的第三保护层，并且在该第三保护层上形成公共电极；在该基板上形成栅衬垫区，形成该栅衬垫区包括：形成栅衬垫，在该栅衬垫上形成该栅绝缘层，在该栅绝缘层上形成该第一保护层，在该第一保护层上形成该第二保护层，在该第二保护层上形成第一金属层，在该第一金属层上形成该第三保护层，并且在该第三保护层上形成该第二金属层，其中该第一金属层布置在该第二保护层上，并且通过将该栅衬垫暴露出来的第二接触孔连接到该栅衬垫，其中该第一金属层包括与该像素电极相同的材料，并且与该像素电极同时形成，其中该第三保护层布置在该第一金属层和该第二保护层上，其中该第二金属层布置在该第三保护层上，并且通过将该第一金属层暴露出来的该第二接触孔连接到该第一金属层，其中该第二金属层连接到该第一金属层，并且该第二金属层电连接到该栅衬垫，并且其中该第二金属层包括与该公共电极相同的材料，并且与该公共电极同时形成。
应理解的是，前面一般性的描述和后面具体的描述都是示例性和解释性的，本发明旨在对要求保护的发明实施例提供进一步的解释。
附图说明
附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分，附图图示本发明的实施例，并且与说明书文字一起用来解释本发明的原理
图1-图5示出现有技术的制造LCD的阵列基板的栅衬垫区的方法的断面图。
图6A是图5的A部位的放大断面图。
图6B是图5的B部位的放大断面图。
图7示出根据一个实施例的用于LCD的阵列基板的断面图。
图8示出根据一个实施例的用于LCD的阵列基板的断面图。
图9-图14示出制造根据一个实施例的用于LCD的阵列基板的栅衬垫区的方法的断面图。
贯穿附图和具体描述，除非另有指出，否则相同的附图标记指示相同的元件、特征和结构。为了清楚、解释和方便起见，这些元件的相对尺寸和标示可能被扩大。
具体实施方式
现在将具体描述本发明的实施例，其例子在附图中示出。在下面的描述中，当确定对相对于本文件而言是公知功能或者配置的具体描述会不必要地模糊本发明的主旨时，将省略该具体描述。所描述的工艺步骤和/或操作的过程是一个例子；然而，步骤和/或操作的顺序不限于在此所述，除了必须以一定顺序而进行的步骤和/或操作之外，可以如本领域所已知的那样做出改变。全文相同的附图标记表示相同的部件。在下面的解释中所使用的各个元件的名称仅仅是为了方便说明书的撰写而选择的，因而可以不同于实际产品中使用的那些名称。
在对本发明实施例的描述中，当一个结构被描述为形成于另一结构上/下时，应该将该描述理解为包括这些结构彼此接触的情形，以及其间夹有第三结构的情形。
以下参照附图7和图8具体描述根据一个实施例的用于LCD的阵列基板。
图7示出根据一个实施例的用于LCD的阵列基板的断面图。
如图7所示，在根据本发明一个实施例的用于LCD的阵列基板中，作为多个开关元件的多个TFT可以布置为矩阵型，并且相应地连接到这些TFT的多条栅线（未示出）和相应地连接到这些TFT的多条数据线（未示出）可以形成为相互交叉。可以在栅线一端形成栅衬垫210，而可以在数据线的一端形成数据衬垫215。
栅衬垫210和数据衬垫215可以各自接触用于直接接收外部信号的第二金属层。
由栅线和数据线的交叉而限定出的像素区P可以包括基板200、TFT、第一保护层230、第二保护层240、像素电极251、第三保护层260和公共电极271。
TFT可以作为像素区P内开关元件而形成在基板200上，并且可以包括栅极211、源极212、漏极213、有源层214和栅绝缘层220。在一个例子中，基板200可以由玻璃或者透明塑料形成。
如图7所示，一个实施例中的TFT可以具有其中栅极211形成于有源层214下的底栅结构，或者可以具有其中栅极211形成于有源层214上的顶栅结构。
第一保护层230可以形成于TFT上，用以保护TFT，并且可以形成作为钝化层。第二保护层240可以形成于第一保护层230上，并且可以由例如光丙烯酸（PAC）形成。第一和第二保护层230、240可以由相同或者不同的材料形成。
像素电极251可以形成于第二保护层240上，并且可以通过可暴露出漏极213的接触孔而连接到漏极213。在一个例子中，像素电极251可以由透明导体如氧化锡铟（ITO）形成。
第三保护层260可以形成于像素电极251和第二保护层240上，并且可以形成作为钝化层。
公共电极271可以形成于第三保护层260上，并且可以由诸如ITO的透明导体形成。
接着，栅衬垫区GP可以包括基板200、栅衬垫210、栅绝缘层220、第一保护层230、第二保护层240、第一金属层250、第三保护层260和第二金属层270。
栅衬垫210可以形成于基板200上，并且可以通过与栅极211相同的工艺，由与栅极211相同的材料形成。栅绝缘层220、第一保护层230和第二保护层240可以形成于栅衬垫210上。在一个例子中，第一保护层230可以形成作为钝化层，而第二保护层240可以由光丙烯酸形成。第二保护层240可以形成于第一保护层230上，以使对应于栅衬垫210的一部分第二保护层240可以被贯通。
第一金属层250可以形成于第二保护层240上，并且可以通过暴露出栅衬垫210的接触孔连接到栅衬垫210。在一个例子中，第一金属层250可以通过与像素电极251相同的工艺，由与像素电极251相同的材料形成。
第三保护层260可以形成于第一金属层250和第二保护层240上，并且可以形成作为钝化层。
第二金属层270可以形成于第三保护层260上，并且可以通过暴露出第一金属层250的接触孔连接到第一金属层250。此外，第二金属层270可以连接到第一金属层250，第一金属层250可以连接到栅衬垫210，并且第二金属层270可以电连接到栅衬垫210。在一个例子中，第二金属层270可以通过与公共电极271相同的工艺，由与公共电极271相同的材料形成。
在一个例子中，通过在第一接触孔280的内部区域形成第一金属层250，可以将第一金属层250用作在栅衬垫210和第二金属层270之间的连线。当因为没有在栅衬垫210上形成第一金属层250而将使接触孔形成于栅衬垫210的表面时，栅衬垫210会因过蚀刻而受损。
此外，第一金属层250可以额外地形成在栅衬垫210和第二金属层270之间，因而，可以降低栅衬垫210和第二金属层270之间的台阶高度，解决如图6B所示的现有技术中第二金属层270的断连问题。
此外，数据衬垫区DP可以包括基板200、栅绝缘层220、数据衬垫215、第一保护层230、第二保护层240、第三保护层260和第二金属层270。
数据衬垫215可以形成于栅绝缘层220上，并且可以通过与源极212和漏极213相同的工艺，由与源极212和漏极213相同的材料形成。第一至第三保护层230、240和260可以形成于数据衬垫215上。在一个例子中，第一和第三保护层230和260可以形成作为钝化层，而第二保护层240可以由光丙烯酸形成。第二保护层可以240形成于第一保护层230上，以使对应于栅衬垫210的一部分第二保护层240可以被贯通。
第二金属层270可以形成于第三保护层260上，并且通过可暴露出数据衬垫215的接触孔连接到数据衬垫215。在一个例子中，第二金属层270可以通过与公共电极271相同的工艺，由与公共电极271相同的材料形成。
图8示出根据一个实施例的用于LCD的阵列基板的断面图。
在图8中，像素电极251和公共电极271可以以不同于图7所示的堆叠顺序形成于像素区P内。也即，根据图8的例子，公共电极271可以形成于第二保护层上，而像素电极251可以形成于第三保护层260上。以这种方式，像素电极251可以形成在比公共电极271位置更高的位置，并且可以通过接触孔连接到漏极213.
除了这种配置不同之外，图8的例子与图7的例子相同，因而，不再提供对栅衬垫区GP和数据衬垫区DP的各自描述。
以下参照图9-图14具体描述根据实施例的用于LCD的阵列基板的栅衬垫区。此外，在下面的描述中，用于说明下述像素电极和公共电极的附图参照图7和图8。
图9-图14示出根据一个实施例的用于LCD的阵列基板的栅衬垫区的制造方法的断面图。
首先，如图9所示，可以在基板200上形成栅衬垫210，然后可以在栅衬垫210上顺序形成栅绝缘层220、第一保护层230和第二保护层240。在一个例子中，第一保护层230可以形成作为钝化层，并且第二保护层240可以由光丙烯酸形成。作为一个例子，可以将第二保护层240形成于第一保护层230上，使得可暴露出形成于与栅衬垫210对应的位置处的第一保护层。
接着，如图10所示，可以通过构图栅绝缘层220和第一保护层230而形成暴露出栅衬垫210的第一接触孔280。例如，可以在第二保护层240上涂敷光刻胶，并且可以通过曝光和显影工艺形成光刻胶图案。接着，可以以该光刻胶图案蚀刻栅绝缘层220和第一保护层230而形成暴露出栅衬垫210的第一接触孔280。
接着，如图11所示，可以在第一接触孔280和第二保护层240上形成第一金属层250。第一金属层250可以形成于非接触孔区域的第二保护层240上以及第一接触孔280的内部区域内。可形成于第二保护层240上的非第一接触孔280区域的第一金属层250以及可形成于第一接触孔的内部区域内的第一金属层250可以通过同一工艺，由相同的材料形成。
在一个例子中，可以将可形成于第二保护层240上的非第一接触孔区域的第一金属层250用作电极，而将可形成于第一接触孔280的内部区域的第一金属层250用作栅衬垫210和另一金属层之间的连线。
换句话说，可以将可形成于第二保护层240上的非第一接触孔区域的第一金属层250用作像素电极或者公共电极。可形成于第一接触孔280的内部区域内的第一金属层250可以形成在栅衬垫210上，并且可以用作额外形成于栅衬垫210和在第一金属层250上的另一金属层之间的连线。
接着，如图12所示，可以在第一金属层250和第二保护层240上形成第三保护层260。在一个例子中，第三保护层260可以形成作为钝化层。
接着，如图13所示，可以通过构图第三保护层260而形成暴露出形成于第一接触孔280内部区域内的第一金属层250的第二接触孔290。例如，可以在第三保护层260上涂敷光刻胶，并且可以通过曝光和显影工艺形成光刻胶图案。接着，可以以该光刻胶图案蚀刻第三保护层260而形成暴露出形成于第一接触孔280内部区域内的第一金属层250的第二接触孔290。
接着，如图14所示，可以在第二接触孔290和第三保护层260上形成第二金属层270。可以将第二金属层270用作像素电极或者公共电极。
作为一个例子，当将形成于第二保护层240上的非第一接触孔区域的第一金属层250用作像素电极时，可以将第二金属层270用作公共电极。当将形成于第二保护层240上的非第一接触孔区域的第一金属层250用作公共电极时，可以将第二金属层270用作像素电极。
以这种方式，如图11-图14所示，通过在第一接触孔280的内部区域内也形成第一金属层250，可以将该第一金属层250栅衬垫210和第二金属层270之间的连线。当因为第一金属层250没有形成在栅衬垫210上而要使接触孔形成于栅衬垫210的表面时，栅衬垫210可因过蚀刻而受损。
此外，根据这些实施例，当接触孔较深时，可以通过实施两次打孔工艺而形成该接触孔，因而，可以除去没能通过一次工艺而被蚀刻掉而留下的下部残余层。
此外，可以在栅衬垫210和第二金属层270之间额外地形成第一金属层250，因而，可以降低栅衬垫210和第二金属层270之间的台阶高度，而解决图6B所示的现有技术中的第二金属层270的断连问题。
在本说明书中，仅仅描述了用于LCD的阵列基板的制造方法中形成第二电极层的工艺，但是实施例的技术构思和范围并不限于此。可以实施形成公共电极的工艺，并且之后可以进一步实施制造集成有触摸屏的显示设备的工艺。
根据实施例，在用于LCD的阵列基板及其制造方法中，可以在栅衬垫和第二金属层之间额外地形成第一金属层，因而，可以降低栅衬垫和第二金属层之间的台阶高度，而解决如图6B现有技术所示的第二金属层的断连。
此外，根据实施例，在用于LCD的阵列基板及其制造方法中，当接触孔较深时，可以通过实施两次打孔工艺而形成该接触孔，因而，可以除去未能通过一次工艺被蚀刻掉而留下的下部残余层。
此外，根据实施例，在用于LCD的阵列基板及其制造方法中，甚至可以在第一接触孔的内部区域形成第一金属层，因而可以将其用作栅衬垫和第二金属层之间的连线。
对本领域技术人员而言，显然，在本发明的实施例中可以进行各种修改和变化，而不脱离本发明的精神或者范围。因而，本发明意在覆盖这些修改和变化，只要它们落在所附的权利要求及其等同物的范围内。
上面已经描述了多个例子。尽管如此，但是可以理解的是，可以作出各种修改。例如，如果所述技术以不同的顺序实施，和/或如果所述系统、构架、设备或者电路中的组件以不同的方式组合在一起和/或被其它组件或者它们的等同物所代替或者增补，那么可以获得合适的效果。因而，其它实施落在下面的权利要求的范围内。

Claims (20)

1.一种液晶显示器的阵列基板，包括：
基板，包括：栅极；像素电极；和公共电极；
形成于该基板上，并连接到该栅极的栅衬垫；
形成于该栅衬垫上的栅绝缘层；
形成于该栅绝缘层上的第一保护层；
形成于该第一保护层上的第二保护层；
形成于该第二保护层上的第一金属层，通过暴露出该栅衬垫的第一接触孔，连接到该栅衬垫；
形成于该第一金属层和该第二保护层上的第三保护层；和
形成于该第三保护层上的第二金属层，通过暴露出该第一金属层的第二接触孔，连接到该第一金属层。
2.如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中：
该第一金属层形成于与该像素电极相同的平面内；以及
该第二金属层形成于与该公共电极相同的平面内。
3.如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中：
该第一金属层形成于与该公共电极相同的平面内；以及
该第二金属层形成于与该像素电极相同的平面内。
4.如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中：
该第一金属层由与该像素电极相同的材料形成；以及
该第二金属层由与该公共电极相同的材料形成。
5.如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中：
该第一金属层由与该公共电极相同的材料形成；以及
该第二金属层由与该像素电极相同的材料形成。
6.如权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中该第二接触孔形成于该第一接触孔区域内。
7.一种制造液晶显示器的阵列基板的方法，该方法包括：
在基板上形成栅衬垫；
在该栅衬垫上形成栅绝缘层；
在该栅绝缘层上形成第一保护层；
在该第一保护层上形成第二保护层，以暴露出在对应于该栅衬垫的位置处形成的第一保护层；
构图该栅绝缘层和该第一保护层，以形成暴露出该栅衬垫的第一接触孔；
在该第一接触孔和该第二保护层上形成第一金属层；
在该第一金属层和该第二保护层上形成第三保护层；
在该第三保护层上形成第二接触孔，该第二接触孔暴露出第一金属层；以及
形成第二金属层，其通过该第二接触孔连接到该第一金属层。
8.如权利要求7所述的方法，其中该第二接触孔形成于该第一接触孔区域内。
9.一种液晶显示器的阵列基板，包括：
基板；
位于该基板上的像素区，该像素区包括：
晶体管，包括：
栅极；
源极；
漏极；
有源层；和
栅绝缘层；
位于该晶体管上的第一保护层；
位于该第一保护层上的第二保护层；
像素电极，该像素电极通过暴露出该漏极的第一接触孔连接到该漏极；
完全覆盖该像素电极和该第二保护层的第三保护层；和
位于该第三保护层上的公共电极；
位于该基板上的栅衬垫区，该栅衬垫区包括：
栅衬垫；
该栅绝缘层；
该第一保护层；
该第二保护层；
第一金属层；
该第三保护层；和
该第二金属层，
其中该第一金属层布置在该第二保护层上，并且通过暴露出该栅衬垫的第二接触孔而连接到该栅衬垫，
其中该第一金属层包括与该像素电极相同的材料，并且布置在与该像素电极相同的层，
其中该第三保护层布置在该第一金属层和该第二保护层上，
其中该第二金属层布置在该第三保护层上，并且通过暴露出该第一金属层的该第二接触孔而连接到该第一金属层，
其中该第二金属层连接到该第一金属层，并且该第二金属层电连接到该栅衬垫，以及
其中该第二金属层包括与该公共电极相同的材料，并且布置在与该公共电极相同的层。
10.如权利要求9所述的液晶显示器的阵列基板，还包括：位于该基板上的数据衬垫区，该数据衬垫区包括：
该栅绝缘层；
布置在该栅绝缘层上的数据衬垫，并且包括与该源极和该漏极相同的材料，与该源极和该漏极处于同一层；
该第一保护层；
该第二保护层；
该第三保护层；和
该第二金属层。
11.如权利要求9所述的液晶显示器的阵列基板，其中该第二保护层形成于该第一保护层上，以使对应于该栅衬垫的一部分该第二保护层被贯通。
12.如权利要求11所述的液晶显示器的阵列基板，其中：
该第二金属层布置在该第三保护层上；以及
该第二金属层通过暴露出该数据衬垫的第三接触孔而连接到该数据衬垫。
13.如权利要求9所述的液晶显示器的阵列基板，其中该第二金属层包括与该公共电极相同的材料，并且与该公共电极处于同一层。
14.如权利要求9所述的液晶显示器的阵列基板，其中：
该第一金属层布置在该第一接触孔的内部区域内；以及
该第一金属层包括位于该栅衬垫和该第二金属层之间的连线。
15.一种形成用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括：
形成基板；
在该基板上形成像素区，形成该像素区包括：
形成晶体管，包括：
形成栅极；
形成源极；
形成漏极；
形成有源层；和
形成栅绝缘层；
在该晶体管上形成第一保护层；
在该第一保护层上形成第二保护层；
形成像素电极，该像素电极通过暴露出该漏极的第一接触孔连接到该漏极；
形成完全覆盖该像素电极和该第二保护层的第三保护层；以及
在该第三保护层上形成公共电极；
在该基板上形成栅衬垫区，形成该栅衬垫区包括：
形成栅衬垫；
在该栅衬垫上形成该栅绝缘层；
在该栅绝缘层上形成该第一保护层；
在该第一保护层上形成该第二保护层；
在该第二保护层上形成第一金属层；
在该第一金属层上形成该第三保护层；以及
在该第三保护层上形成该第二金属层，
其中该第一金属层布置在该第二保护层上，并且通过暴露出该栅衬垫的第二接触孔而连接到该栅衬垫，
其中该第一金属层包括与该像素电极相同的材料，并且与该像素电极同时形成，
其中该第三保护层布置在该第一金属层和该第二保护层上，
其中该第二金属层布置在该第三保护层上，并且通过暴露出该第一金属层的该第二接触孔而连接到该第一金属层，
其中该第二金属层连接到该第一金属层，并且该第二金属层电连接到该栅衬垫，以及
其中该第二金属层包括与该公共电极相同的材料，并且与该公共电极同时形成。
16.如权利要求15所述的方法，还包括：在该基板上形成数据衬垫区，形成该数据衬垫区包括：
形成该栅绝缘层；
在该栅绝缘层上形成数据衬垫，该数据衬垫包括与该源极和该漏极同时形成的相同的材料；
在该数据衬垫上形成该第一保护层；
在该第一保护层上形成该第二保护层；
在该第二保护层上形成该第三保护层；以及
在该第三保护层上形成该第二金属层。
17.如权利要求15所述的方法，其中将该第二保护层形成于该第一保护层上，以使对应于该栅衬垫的一部分该第二保护层被贯通。
18.如权利要求17所述的方法，其中：
将该第二金属层形成于该第三保护层上；以及
将该第二金属层通过暴露出该数据衬垫的第三接触孔而连接到该数据衬垫。
19.如权利要求15所述的方法，其中该第二金属层包括与该公共电极相同的材料，并且与该公共电极同时形成。
20.如权利要求15所述的方法，其中：
将该第一金属层形成于第一接触孔的内部区域内；以及
该第一金属层形成该栅衬垫和该第二金属层之间的连线。
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