KR102350395B1 - 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상기 CIL 홀과 주변 광량 센서 홀 사이에의 시감 차이를 방지할 수 있는 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판상에서, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분은 게이트 절연막, 제 1 보호막, 평탄화막 및 제 2 보호막이 존재하지 않도록 하거나, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분에 평탄화막만 존재하도록 한 것이다.

Description

평판 표시 패널 및 그의 제조 방법{Flat display panel and Method for manufacturing the same}
본 발명은 표시 패널에 관한 것으로, 특히 카메라, 주변광량 센서 및 카메라 인덱스 광원 등이 장착되는 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다.
최근 디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 평판 표시 패널로는 액정을 이용한 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 패널 등이 대표적이다.
상기 액정 표시 패널은 콘트라스트 비(contrast ratio)가 크고 동화상 표시에 적합하며 소비전력이 적다는 특징을 보여 노트북, 모니터, TV 등의 다양한 분야에서 활용되고 있는데, 이의 화상 구현 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용하는 것으로, 액정은 분자 구조가 가늘고 길며 배열에 방향성을 갖는 광학적 이방성과, 전기장 내에 놓일 경우 그 크기에 따라 분자 배열 방향이 변화되는 분극 성질을 띤다.
상기와 같은 액정 표시 패널은 유리 기판상에 박막트랜지스터 어레이가 형성되는 박막트랜지스터 어레이 기판과, 유리 기판상에 칼라 필터 어레이가 형성되는 칼라 필터 어레이 기판과, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 상기 칼라 필터 어레이 기판 사이에 충진된 액정층을 구비하여, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
또한, OLED 표시 패널은 자발광 특성을 갖고 별도의 광원을 필요로 하지 않으며, 박막 트랜지스터와 유기 발광 소자가 형성된 표시 기판을 통해 영상을 표시한다.
최근 평판 표시 패널은 TV 또는 모니터뿐만 아니라 휴대폰, PDA 등 개인 휴대용 전자기기에도 활발하게 적용되고 있으며, 이러한 평판 표시 패널에 카메라를 설치하여 카메라 폰과 화상 전화의 기능을 구현하고, 또한 주변 광량 센서를 설치하여 주변의 빛의 세기를 감지하여 표시 패널의 화면의 밝기를 자동 조절하는 데이터로 사용하게 된다.
도 1은 일반적인 카메라 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 제 1 기판의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 액정 표시 패널(110)은 액정층(미도시)을 사이에 두고 박막트랜지스터 어레이 기판인 제 1 기판(112)과 칼라 필터 어레이 기판인 제 2 기판(114)이 대면 합착된다.
이때, 상기 액정 표시 패널(110)은 크게 영상을 표시하는 표시 영역(AA)과, 각종 회로 및 배선 등이 형성되어 영상 표시에 사용되지 않는 비 표시 영역(NA)을 포함하며, 상기 제 1 기판(112)의 표시 영역(AA)에는, 복수개의 데이터 배선(DL)과 복수개의 게이트 배선(GL)이 종횡 교차하여 화소(P)를 정의하며, 이들 두 배선(DL, GL)의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 구비되어 각 화소(P)에 마련된 투명 화소 전극(미도시)과 일대일 대응 접속된다.
그리고 이들 두 기판(112, 114) 사이로 충진되는 액정층(미도시)의 누설을 방지하기 위해 양 기판(112, 114)의 비 표시 영역(NA)의 가장자리를 따라 실 패턴(210)이 형성된다.
상기 제 1 기판(112)의 비 표시 영역(NA)의 일측에는 데이터 패드부(250)가 형성되어 있으며, 상기 데이터 패드부(250)가 형성된 가장자리에 수직한 가장자리에는 게이트 구동부(240)가 형성된다.
상기 데이터 패드부(250)는 다수의 데이터 패드 전극(미도시)이 구비되어, 데이터 패드 전극(미도시)과 데이터 구동회로(260)가 실장된 연결 부재(116)와 TAB(tape automated bounding)방식으로 접속된다.
상기 연결 부재(116)에 실장된 데이터 구동회로(260)들은 연결 부재(116)에 접속된 데이터 PCB(117)에 실장된 신호 배선(미도시)들을 통해 외부의 구동 회로부(미도시)로부터 입력되는 제어 신호 및 화상 신호들을 공급받음과 아울러 상호 접속된다.
또한, 상기 게이트 구동부(240b)는 외부의 구동 회로부(미도시)로부터 공급받은 게이트 제어 신호를 이용하여 박막트랜지스터(T)를 턴-온(turn-on)하는 게이트 신호를 순차적으로 생성하여 게이트배선(GL)에 공급한다.
이에 따라 화소(P) 별로 공급되는 데이터 신호에 따라 화소 전극(미도시)과 공통 전극(미도시) 사이에 형성되는 전계에 의해 액정층(미도시)의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다.
또한, 상기 액정 표시 패널(110)은 화상이 표시되지 않은 비표시영역(NA)에 카메라 홀(230), CIL(Camera Index Light) 홀(231) 및 주변 광량 센서(Ambient Light Sensor) 홀(232) 등이 구비된다.
이와 같이 카메라 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 제 1 기판(112) 구성은 도 2에 도시한 바와 같다.
즉, 도 2는 표시 영역(AA)의 화소 영역(Pixel)과 상기 CIL 홀(231) 및 주변 광량 센서 홀(232) 부분의 단면도이다.
제 1 기판(112)의 화소 영역(Pixel)에는, 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12). 활성층(13) 및 소오스/드레인 전극(14a, 14b)을 구비한 박막트랜지스터(TFT)가 형성되고, 상기 박막트랜지스터(TFT)를 구비한 전면에 제 1 보호막(15), 평탄화막(16) 및 제 2 보호막(17)이 차례로 적층된다.
그리고, 상기 드레인 전극(14b) 상측의 상기 제 2 보호막(170), 평탄화막(16) 및 제 1 보호막(15)이 선택적으로 제거되어 콘택홀(20)이 형성되고, 상기 콘택홀(20)을 통해 상기 드레인 전극(14b)에 전기적으로 연결되도록 화소 전극(18)이 형성된다.
여기서, 상기 액정 표시 패널(110)이 IPS 모드일 경우 상기 화소 전극(18) 사이에 공통 전극(19)이 형성된다.
한편, 상기 CIL 홀(231) 부분은, 상기 제 1 기판(112)상에 게이트 절연막(12), 제 1 보호막(15), 평탄화막(16) 및 제 2 보호막(17)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
또한, 상기 주변 광량 센서 홀(232) 부분은, 상기 제 1 기판(112)상에 게이트 절연막(12), 제 1 보호막(15) 및 제 2 보호막(17)이 차례로 적층되고, 상기 제 2 보호막(17)상에 폴리머 필름(21)이 구비되는 구조를 갖는다.
이와 같은 구조를 갖는 일반적인 카메라 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
상술한 바와 같이, 상기 CIL 홀(231) 부분은, 상기 제 1 기판(112)상에 게이트 절연막(12), 제 1 보호막(15), 평탄화막(16) 및 제 2 보호막(17)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 상기 주변 광량 센서 홀(232) 부분은, 상기 제 1 기판(112)상에 게이트 절연막(12), 제 1 보호막(15) 및 제 2 보호막(17)이 차례로 적층되고, 상기 제 2 보호막(17)상에 폴리머 필름(21)이 구비되는 구조를 갖기 때문에, 일반 조도 환경 조건하에서 카메라 라이트를 턴 오프하였을 때 상기 CIL 홀과 주변 광량 센서 홀 사이에 측면 시야각에서 서로 다른 시감을 보이게 된다.
즉, 상기 CIL 홀과 주변 광량 센서 홀 사이의 영역이 상기 CIL 홀 영역 또는 상기 주변 광량 센서 홀 영역보다 더 밝게 보이게 된다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, CIL 홀과 주변 광량 센서 홀의 단면 구조를 서로 동일하게 구성하여, 상기 CIL 홀과 주변 광량 센서 홀 사이에의 시감 차이를 방지할 수 있는 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 패널은, 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판상에서, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분은 게이트 절연막, 제 1 보호막, 평탄화막 및 제 2 보호막이 존재하지 않음에 그 특징이 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 패널은, 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판상에서, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분은 평탄화막만 존재함에 또 다른 특징이 있다.
한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 패널의 제조 방법은, 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판을 준비하는 단계와, 상기 화소 영역의 상기 제 1 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 화소 영역의 상기 게이트 절연막위에 활성층 및 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 1 보호막 및 평탄화막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 평탄화막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 2 보호막을 형성하고, 상기 드레인 전극, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 제 1 보호막 및 제 2 보호막을 제거하는 단계와, 상기 화소 영역의 상기 제 2 보호막상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함함에 그 특징이 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 평판 표시 패널의 제조 방법은, 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판을 준비하는 단계와, 상기 화소 영역의 상기 제 1 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 화소 영역의 상기 게이트 절연막위에 활성층 및 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 1 보호막을 형성하는 단계와, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 게이트 절연막 및 상기 제 1 보호막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 제 1 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극 상측의 상기 평탄화막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 2 보호막을 형성하고, 상기 드레인 전극 상측의 상기 제 1 보호막 및 제 2 보호막을 제거하고, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 제 2 보호막을 제거하는 단계와, 상기 화소 영역의 상기 제 2 보호막상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함함에 또 다른 특징이 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
즉, CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에 게이트 절연막, 제 1 보호막, 평탄화막 및 제 2 보호막 중 어떤 층도 형성되지 않도록 하거나, 상기 평탄화막만 형성하므로, 일반 조도 환경 조건하에서 카메라 라이트가 턴 오프되었을 상기 CIL 홀과 주변 광량 센서 홀 사이에 측면 시야각에서 서로 다른 시감을 보이지 않는다. 따라서, 표시 패널의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 카메라 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도
도 2는 도 1의 제 1 기판의 구조 단면도
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 인덱스 광 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 제 1 기판의 구조 단면도
도 4a 내지 4f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 인덱스 광 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 공정 단면도
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 카메라 인덱스 광 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 제 1 기판의 구조 단면도
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명에 따른 액정 표시 패널(110)도 도 1에 도시한 바와 같으나, 본 발명에 따른 액정 표시 패널(110)의 CIL(Camera Index Light) 홀(231) 영역 및 주변 광량 센서(Ambient Light Sensor) 홀 영역의 제 1 기판(112) 구조가 일반적인 구조와 상이하다.
즉, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 액정층을 사이에 두고 박막트랜지스터 어레이 기판인 제 1 기판과 칼라 필터 어레이 기판인 제 2 기판이 대면 합착된다.
그리고, 액정 표시 패널은 크게 영상을 표시하는 표시 영역과, 각종 회로 및 배선 등이 형성되어 영상 표시에 사용되지 않는 비 표시 영역을 포함한다.
상기 제 1 기판의 표시 영역에는, 복수개의 데이터 배선과 복수개의 게이트 배선이 종횡 교차하여 화소를 정의하며, 상기 데이터 배선 및 게이트 배선의 교차지점에는 박막트랜지스터가 구비되어 각 화소에 마련된 화소 전극과 일대일 대응 접속된다.
상기 제 1 기판의 비 표시 영역에는 카메라 홀, CIL(Camera Index Light) 홀 및 주변 광량 센서(Ambient Light Sensor) 홀 등이 구비된다.
따라서, 나머지 구성 설명은 도 1과 같으므로 생략하고, 표시 영역(AA)의 화소 영역(Pixel)과 비 표시 영역(NA)의 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분의 단면 구조를 중점적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 인덱스 광 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 제 1 기판의 구조 단면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 패널에서, 제 1 기판(112)의 화소 영역(Pixel)에는, 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12). 활성층(13) 및 소오스/드레인 전극(14a, 14b)을 구비한 박막트랜지스터(TFT)가 형성되고, 상기 박막트랜지스터(TFT)를 구비한 전면에 제 1 보호막(15) 및 평탄화막(16)이 차례로 적층된다.
그리고, 상기 평탄화막(16) 상에 공통 전극(23) 및 공통 배선(24)이 형성된다. 상기 공통 전극(23) 및 상기 공통 배선(24)을 포함한 기판 전면에 제 2 보호막(17)이 형성되고, 상기 드레인 전극(14b) 상측의 상기 제 2 보호막(170), 평탄화막(16) 및 제 1 보호막(15)이 선택적으로 제거되어 콘택홀(20)이 형성되고, 상기 콘택홀(20)을 통해 상기 드레인 전극(14b)에 전기적으로 연결되도록 상기 제 2 보호막(170) 상에 화소 전극(18)이 형성된다.
상기 화소 전극(18)은 상기 공통 전극(23) 상측에 슬릿 구조를 갖는다. 따라서, 상기 화소 전극(18)과 상기 공통 전극(23) 간에 횡전계가 발생하여 액정층을 구동하게 된다.
한편, 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀(ALS) 부분의 상기 제 1 기판(112)상에는 게이트 절연막(12), 제 1 보호막(15), 평탄화막(16) 및 제 2 보호막(17) 중 어떤 층도 형성되지 않는다.
이와 같은 구조를 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 인덱스 광 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 4g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 카메라 인덱스 광 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 공정 단면도이다.
먼저, 상술한 바와 같이, 액정 표시 패널에서, 표시 영역(AA)의 화소 영역(Pixel)과 비 표시 영역(NA)의 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)으로 구분하여 설명한다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(112)상에 금속층을 증착하고 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 금속층을 선택적으로 제거하여, 표시 영역에 게이트 전극(11) 및 게이트 배선(도 1의 GL)을 형성한다.
여기서 상기 금속층으로 저저항 금속층이면 모두 가능하고, 금속층이 단일층으로 형성될 수 있고 복수개의 금속층이 적층될 수 있다. 예를들면, MoTi층과 구리(Cu)층이 적층된다.
그리고, 상기 게이트 전극(11)을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막(12)을 형성한다. 일예로, 상기 게이트 절연막(12)으로 SiNx층을 이용할 수 있다.
따라서, 표시 영역의 화소 영역의 제 1 기판(112)상에는 게이트 전극(11) 및 게이트 절연막(12)이 형성되고, 상기 비 표시 영역(NA)의 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에는 상기 제 1 기판(112)상에는 게이트 절연막(12)만 형성된다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(12)위에 반도체층을 증착하고, 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 반도체층을 선택적으로 제거하여, 상기 게이트 전극(11) 상측에 활성층(13)을 형성한다.
여기서, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 반도체층상에 불순물 도핑된 반도체층을 더 증착하고 상기 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 반도체층 및 상기 불순물 도핑된 반도체층을 선택적으로 제거하여 활성층(13)을 형성할 수 있다.
그리고, 상기 활성층(13)을 포함한 기판 전면에 금속층을 증착하고 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 금속층을 선택적으로 제거하여, 표시 영역에 데이터 배선(도 1의 DL) 및 소오스/드레인 전극(14a, 14b)을 형성한다. 따라서, 상기 게이트 전극(11), 활성층(13) 및 소오스/드레인 전극(14a, 14b)에 의해 박막트랜지스터가 형성된다.
여기서 상기 금속층으로 저저항 금속층이면 모두 가능하고, 금속층이 단일층으로 형성될 수 있고 복수개의 금속층이 적층될 수 있다. 예를들면, MoTi층과 구리(Cu)층이 적층된다.
또한, 상기에서 설명한 바와 같이, 상기 불순물 도핑된 반도체층이 더 형성된 경우, 상기 소오스/드레인 전극(14a, 14b) 형성 시, 상기 소오스 전극(14a)과 상기 드레인 전극(14b) 사이의 채널 영역에 해당되는 부분의 상기 불순물 도핑된 반도체층도 제거된다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터가 형성된 제 1 기판(112) 전면에 제 1 보호막(15) 및 평탄화막(16)을 차례로 형성한다.
그리고, 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 드레인 전극(14b), 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS) 상측의 상기 평탄화막(16)을 선택적으로 제거한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 평탄화막(16)상에 투명 도전층 및 금속층을 증착하고, 하프톤 마스크(HTM)를 이용한 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 투명 도전층 및 금속층을 선택적으로 제거하여 공통 전극(23) 및 공통 라인(24)을 형성한다.
여기서, 상기 하프톤 마스크(HTM)은 상기 공통 라인(24)에 해당되는 부분은 빛을 차단하고, 상기 공통 전극(23)에 해당되는 부분은 빛을 반 투과하며, 나머지 부분을 빛을 완전 투과하는 구성을 갖는다.
따라서, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 평탄화막(16)상에 상기 투명 도전층, 상기 금속층 및 감광막을 차례로 증착하고, 상기 하프톤 마스크(HTM)를 이용하여 노광 및 현상하면, 상기 공통 라인(24) 및 상기 공통 전극(23)에 해당되는 부분을 제외한 나머지 부분은 제거되고, 상기 공통 라인(24)에 해당되는 부분이 상기 공통 전극(23)에 해당되는 부분보다 더 두꺼운 두께를 갖도록 상기 감광막이 패터닝된다.
이와 같이 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 상기 투명 도전층 및 상기 금속층을 1차 제거한 후, 상기 공통 전극(23)에 해당되는 부분은 제거되고 상기 공통 라인(24)에 해당되는 부분에만 남도록 상기 패터닝된 감광막을 애싱한다.
상기 애싱된 감광막을 마스크로 이용하여 투명 도전층을 제거하면 도 4d에 도시한 바와 같이, 공통 라인(24)과 공통 전극(23)이 형성된다. 이 때, 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에는 상기 공통 라인(24)과 상기 공통 전극(23)이 형성되지 않는다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 공통 라인(24)과 공통 전극(23)이 형성된 기판 전면에 제 2 보호막(17)을 형성하고, 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 드레인 전극(14b), 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS) 상측의 상기 제 1 보호막(15) 및 제 2 보호막(17)을 선택적으로 제거한다.
도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 기판 전면에 투명 도전막을 증착하고, 사진석판술 및 식각 공정으로 상기 투명 도전막을 선택적으로 제거하여 각 픽셀 영역에 화소 전극(18)을 형성한다.
이 때, 상기 화소 전극(18)은 상기 드레인 전극(14b)에 전기적으로 연결되고, 상기 공통 전극(23) 상측에 슬릿 구조를 갖는다. 따라서, 상기 화소 전극(18)과 상기 공통 전극(23) 간에 횡전계가 발생하여 액정층을 구동하게 된다.
이 때, 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에는 상기 화소 전극(18)이 형성되지 않을 뿐만 아니라, 게이트 절연막(12), 제 1 보호막(15), 평탄화막(16) 및 제 2 보호막(17) 중 어떤 층도 형성되지 않는다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법을 액정 표시 패널을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, OLED 표시 패널에서도 비 표시 영역의 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에 게이트 절연막, 제 1 보호막, 평탄화막 및 제 2 보호막 중 어떤 층도 형성되지 않도록 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 카메라 인덱스 광 및 주변 광량 센서가 장착되는 액정 표시 패널의 제 1 기판의 구조 단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 패널은, 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에 게이트 절연막, 제 1 보호막 및 제 2 보호막 중 어떤 층도 형성되지 않도록 하고, 상기 평탄화막만 형성할 수 있다. 상기 평탄화막만 형성되어도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판 표시 패널의 제조 방법도, 도 4a 내지 4f와 비슷하나, 도 4c 및 도 4e에서 약간 차이가 있다.
즉, 도 4c에서, 제 1 기판(112) 전면에 제 1 보호막(15)을 증착하고 평탄화막(16)을 증착하기 전에, 별도의 마스크를 이용하여 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)의 게이트 절연막(12) 및 제 1 보호막(15)을 제거한다.
그리고, 상기 평탄화막(16)을 증착하고, 상기 드레인 전극(14b) 상측의 상기 평탄화막(16)을 선택적으로 제거할 때, 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)의 상기 평탄화막(16)을 제거하지 않는다.
그리고, 도 4e에 도시한 바와 같이, 기판 전면에 제 2 보호막(17)을 형성하고, 상기 드레인 전극(14b) 상측의 상기 게이트 절연막(12) 및 상기 제 2 보호막(17)을 선택적으로 제거하고, 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS) 상측의 상기 제 2 보호막(17)을 선택적으로 제거한다.
이와 같은 공정으로 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에 상기 평탄화막(17)만 남도록 하고, 상기 게이트 절연막(12), 제 1 보호막(15) 및 제 2 보호막(17)을 제거할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 평판 표시 패널 및 그의 제조 방법에 있어서는 상기 CIL 홀 부분(CIL) 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분(ALS)에 게이트 절연막, 제 1 보호막, 평탄화막 및 제 2 보호막 중 어떤 층도 형성되지 않도록 하거나, 상기 평탄화막만 형성하므로, 일반 조도 환경 조건하에서 카메라 라이트가 턴 오프되었을 상기 CIL 홀과 주변 광량 센서 홀 사이에 측면 시야각에서 서로 다른 시감을 보이지 않는다. 따라서, 표시 패널의 품질을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
11; 게이트 전극 12: 게이트 절연막
13: 활성층 14a, 14b: 소오스/드레인 전극
15, 17: 보호막 16: 평탄화막
18: 화소 전극 23: 공통 전극
24: 공통 배선

Claims (6)

  1. 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판의 상기 화소 영역에 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층 및 소오스/드레인 전극을 구비하여 형성되는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터를 구비한 전면에 차례로 적층된 제 1 보호막 및 평탄화막;
    상기 기판 전면에 형성되는 제 2 보호막; 및
    상기 드레인 전극 상측의 상기 제 2 보호막, 평탄화막 및 제 1 보호막이 선택적으로 제거되어 콘택홀이 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 화소 영역의 상기 제 2 보호막 상에 형성되는 화소 전극을 구비하고,
    상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분의 상기 제 1 기판상에서 상기 게이트 절연막, 상기 제 1 보호막, 상기 평탄화막 및 상기 제 2 보호막이 존재하지 않은 평판 표시 패널.
  2. 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판의 상기 화소 영역에 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층 및 소오스/드레인 전극을 구비하여 형성되는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터를 구비한 전면에 차례로 적층된 제 1 보호막 및 평탄화막;
    상기 기판 전면에 형성되는 제 2 보호막; 및
    상기 드레인 전극 상측의 상기 제 2 보호막, 평탄화막 및 제 1 보호막이 선택적으로 제거되어 콘택홀이 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 화소 영역의 상기 제 2 보호막 상에 형성되는 화소 전극을 구비하고,
    상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분의 상기 제 1 기판상에 상기 평탄화막만 존재하는 평판 표시 패널.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 평탄화막상과 제 2 보호막 사이의 상기 화소 영역에 형성되는 공통 전극 및 공통 배선을 더 구비한 평판 표시 패널.
  4. 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판을 준비하는 단계;
    상기 화소 영역의 상기 제 1 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역의 상기 게이트 절연막위에 활성층 및 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 1 보호막 및 평탄화막을 차례로 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 평탄화막을 선택적으로 제거하는 단계;
    상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 2 보호막을 형성하고, 상기 드레인 전극, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 제 1 보호막 및 제 2 보호막을 제거하는 단계; 그리고
    상기 화소 영역의 상기 제 2 보호막상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 평판 표시 패널의 제조 방법.
  5. 표시 영역의 화소 영역, 그리고 비 표시 영역(NA)의 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분으로 구분되는 제 1 기판을 준비하는 단계;
    상기 화소 영역의 상기 제 1 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역의 상기 게이트 절연막위에 활성층 및 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 1 보호막을 형성하는 단계;
    상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 게이트 절연막 및 상기 제 1 보호막을 선택적으로 제거하는 단계;
    상기 제 1 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극 상측의 상기 평탄화막을 선택적으로 제거하는 단계;
    상기 화소 영역, 상기 CIL 홀 및 주변 광량 센서 홀 부분을 포함한 상기 제 1 기판 전면에 제 2 보호막을 형성하고, 상기 드레인 전극 상측의 상기 제 1 보호막 및 제 2 보호막을 제거하고, 상기 CIL 홀 부분 및 상기 주변 광량 센서 홀 부분 상측의 상기 제 2 보호막을 제거하는 단계; 그리고
    상기 화소 영역의 상기 제 2 보호막상에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 평판 표시 패널의 제조 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 평탄화막상과 제 2 보호막 사이의 상기 화소 영역에 공통 전극 및 공통 배선을 형성하는 단계를 더 구비한 평판 표시 패널의 제조 방법.
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