DE102018111398B4 - Flaches Anzeigefeld und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

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Abstract

Flaches Anzeigefeld, umfassend:ein erstes Substrat (112), welches in eine Pixelzone (Pixel) eines Anzeigebereichs (AA) und einen Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) eines Nicht-Anzeigebereichs (NA) partitioniert ist;einen Dünnschichttransistor (TFT), welcher eine Gate-Elektrode (11), eine Gate-Isolationsschicht (12), eine aktive Schicht (13) und Source/Drain-Elektroden (14a, 14b) aufweist, die auf der Pixelzone (Pixel) des ersten Substrats (112) ausgebildet sind;einen ersten Passivierungsfilm (15) und einen Planarisierungsfilm (16), welche nacheinander auf eine gesamte Fläche des ersten Substrats (112) gestapelt sind, umfassend den Dünnschichttransistor (TFT);einen zweiten Passivierungsfilm (17), welcher auf der gesamten Fläche des Substrats (112) ausgebildet ist; undeine Pixelelektrode (18), welche an der Pixelzone (Pixel) auf dem zweiten Passivierungsfilm (17) so ausgebildet ist, dass sie über eine Kontaktöffnung (20), die durch selektives Entfernen des zweiten Passivierungsfilms (17), des Planarisierungsfilms (16) und des ersten Passivierungsfilms (15) oberhalb der Drain-Elektrode (14b) gebildet wird, elektrisch mit der Drain-Elektrode (14b) verbunden ist,wobei an dem Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) das erste Substrat (112) vorhanden ist und die Gate-Isolationsschicht (12), der erste Passivierungsfilm (15), der Planarisierungsfilm (16) und der zweite Passivierungsfilm (17) von dem ersten Substrat (112) entfernt sind.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2017-0060014 , eingereicht am 15. Mai 2017, welche hiermit durch Verweis einbezogen wird, als ob sie vollständig hierin ausgeführt wäre.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Anzeigefeld und insbesondere ein flaches Anzeigefeld, welches eine Kamera, einen Umgebungslichtsensor und eine Kameraindex-Lichtquelle darin montiert aufweist, und ein Verfahren zur Herstellung desselben.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Mit dem Aufkommen der Informationsgesellschaft hat sich das Gebiet der Anzeigevorrichtungen zum Verarbeiten und Anzeigen einer großen Menge an Informationen in den letzten Jahren schnell entwickelt worden. Um dem daraus resultierenden Bedarf zu genügen, sind verschiedene flache Anzeigevorrichtungen entwickelt und verwendet worden.
  • Repräsentative Beispiele für ein flaches Anzeigefeld, welches unter Verwendung von digitalen Daten Bilder anzeigt, umfassen ein Flüssigkristallanzeige(Liquid Crystal Display, LCD)-Feld, bei welchem Flüssigkristalle verwendet werden, und ein Anzeigefeld organischer lichtemittierender Dioden (Organic Light-Emitting Dioden, OLEDs), bei welchem OLEDs verwendet werden.
  • Das Flüssigkristall-Anzeigefeld weist ein hohes Kontrastverhältnis auf, ist zum Anzeigen von Videos geeignet und weist einen niedrigen Energieverbrauch auf. Aus diesen Gründen wird das Flüssigkristall-Anzeigefeld auf verschiedenen Gebieten verwendet, z.B. Laptop-Computer, Monitore und Fernsehgeräte. In dem Flüssigkristall-Anzeigefeld wird ein Bild unter Nutzung der optischen Anisotropie und der Polarisationseigenschaften von Flüssigkristallen realisiert. Die Flüssigkristalle weisen optische Anisotropie, wobei die Molekularstruktur der Flüssigkristalle langgestreckt ist und die Flüssigkristalle mit Richtwirkung angeordnet werden, und Polarisationseigenschaften auf, wobei sich die Richtung, in der die Flüssigkristallmoleküle angeordnet sind, in Abhängigkeit von der Größe der Flüssigkristalle ändert, wenn die Flüssigkristalle in einem elektrischen Feld angeordnet werden.
  • Das Flüssigkristall-Anzeigefeld umfasst ein Dünnschichttransistor-Matrixsubstrat, welches eine Dünnschichttransistor-Matrix aufweist, die auf einem Glassubstrat ausgebildet ist, ein Farbfilter-Matrixsubstrat, welches eine Farbfiltermatrix aufweist, die auf einem Glassubstrat ausgebildet ist, und eine Flüssigkristallschicht, die zwischen dem Dünnschichttransistor-Matrixsubstrat und dem Farbfilter-Matrixsubstrat angeordnet ist. An eine Elektrode zur Erzeugung eines elektrischen Feldes wird eine Spannung angelegt, um ein elektrisches Feld in der Flüssigkristallschicht zu erzeugen, wodurch die Richtung eingestellt wird, in welcher Flüssigkristallmoleküle in der Flüssigkristallschicht angeordnet werden, und die Polarisation des einfallenden Lichts wird gesteuert, um ein Bild anzuzeigen.
  • Das OLED-Anzeigefeld benötigt keine zusätzliche Lichtquelle, da das OLED-Anzeigefeld selbstemittierend ist. In dem OLED-Anzeigefeld wird ein Bild angezeigt durch ein Anzeigesubstrat, auf welchem Dünnschichttransistoren und organische lichtemittierende Vorrichtungen ausgebildet sind.
  • In den letzten Jahren ist das flache Anzeigefeld aktiv in tragbaren persönlichen elektronischen Geräten angewendet worden, wie z.B. Mobiltelefonen und persönlichen digitalen Assistenten (PDAs) sowie Fernsehgeräten und Monitoren. In dem flachen Anzeigefeld ist eine Kamera montiert, um die Funktionen eines Kameratelefons und eines Videotelefons zu realisieren. Außerdem ist in dem flachen Anzeigefeld ein Umgebungslichtsensor montiert, um die Intensität des Lichts um das flache Anzeigefeld herum zu erfassen, welche als Daten genutzt wird, die notwendig sind, um die Helligkeit eines Bildschirms des Anzeigefelds automatisch einzustellen.
    • 1 ist eine Draufsicht, welche schematisch ein Flüssigkristall-Anzeigefeld darstellt, in welchem eine allgemeine Kamera und ein Umgebungslichtsensor montiert sind, und 2 ist eine Schnittdarstellung, welche die Struktur eines ersten Substrats der 1 darstellt.
  • Wie in 1 dargestellt, ist ein allgemeines Flüssigkristall-Anzeigefeld 110 so konfiguriert, dass ein erstes Substrat 112, welches ein Dünnschichttransistor-Matrixsubstrat ist, und ein zweites Substrat 114, welches ein Farbfilter-Matrixsubstrat ist, in dem Zustand laminiert werden, in welchem eine (nicht dargestellte) Flüssigkristallschicht dazwischen angeordnet ist.
  • Das Flüssigkristall-Anzeigefeld 110 umfasst im Allgemeinen einen Anzeigebereich AA, auf welchem ein Bild angezeigt wird, und einen Nicht-Anzeigebereich NA, auf welchem verschiedene Schaltungen und Verdrahtungen ausgebildet sind und welcher daher nicht verwendet wird, um ein Bild anzuzeigen. Auf dem Anzeigebereich AA des ersten Substrats 112 überschneiden sich mehrere Datenleitungen DL und mehrere Gate-Leitungen GL in Längs- und Querrichtung, um Pixel P zu definieren. Am Schnittpunkt jeder der Datenleitungen DL und einer entsprechenden der Gate-Leitungen GL ist ein Dünnschichttransistor T vorgesehen, so dass er individuell mit einer (nicht dargestellten) transparenten Pixelelektrode verbunden werden kann, die an jedem Pixel P vorgesehen ist.
  • Um das Lecken der (nicht dargestellten) Flüssigkristallschicht zu verhindern, welche zwischen den beiden Substraten 112 und 114 angeordnet ist, ist entlang dem Rand des Nicht-Anzeigebereichs NA der Substrate 112 und 114 eine Versiegelungsstruktur 210 ausgebildet.
  • Eine Datenfeldeinheit 250 ist auf einer Seite des Nicht-Anzeigebereichs NA des ersten Substrats 112 ausgebildet und eine Gate-Treibereinheit 240 ist am Rand des Nicht-Anzeigebereichs NA des ersten Substrats 112 ausgebildet, der senkrecht zu der Seite des Nicht-Anzeigebereichs NA des ersten Substrats 112 verläuft, auf welcher die Datenfeldeinheit 250 ausgebildet ist.
  • Die Datenfeldeinheit 250 umfasst mehrere Datenfeldelektroden (nicht dargestellt). Die (nicht dargestellten) Datenfeldelektroden sind durch Tape Automated Bonding (TAB) mit Verbindungselementen 116 verbunden, wobei auf jedem von diesen eine Datentreiberschaltung 260 montiert ist.
  • Die Datentreiberschaltungen 260, welche auf den entsprechenden Verbindungselementen 116 montiert sind, empfangen Steuersignale und Bildsignale, die über (nicht dargestellte) Signalleitungen, die auf einer Daten-Leiterplatte (Printed Circuit Board, PCB) 117 montiert sind, welche mit den Verbindungselementen 116 verbunden ist, von einer (nicht dargestellten) externen Treiberschaltungseinheit eingegeben werden. Außerdem sind die Datentreiberschaltungen 260 miteinander verbunden.
  • Die Gate-Treiberschaltung 240 erzeugt nacheinander Gate-Signale zum Einschalten der Dünnschichttransistoren unter Verwendung eines Gate-Steuersignals, das von der (nicht dargestellten) externen Treiberschaltungseinheit empfangen wird, und führt die Gate-Signale den Gate-Leitungen GL zu.
  • Demzufolge wird die optische Durchlässigkeit der (nicht dargestellten) Flüssigkristallschicht gemäß einem Datensignal, das für jedes Pixel P zugeführt wird, durch ein elektrisches Feld gesteuert, welches zwischen einer (nicht dargestellten) Pixelelektrode und einer (nicht dargestellten) gemeinsamen Elektrode erzeugt wird, wodurch ein Bild angezeigt wird.
  • Eine Kameraöffnung 230, eine Kameraindex-Lichtquellen(CIL)-Öffnung 231 und eine Umgebungslichtsensor-Öffnung 232 sind in dem Nicht-Anzeigebereich NA des Flüssigkristallfelds 110 vorgesehen, auf welchem kein Bild angezeigt wird.
  • Die Struktur des ersten Substrats 112 des Flüssigkristall-Anzeigefelds, in welchem die Kamera und der Umgebungslichtsensor montiert sind, ist in 2 dargestellt.
  • Das heißt, 2 ist eine Schnittdarstellung, welche eine Pixelzone Pixel des Anzeigebereichs AA, den CIL-Öffnungsteil 231 und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil 232 zeigt.
  • Ein Dünnschichttransistor TFT, welcher eine Gate-Elektrode 11, eine Gate-Isolationsschicht 12, eine aktive Schicht 13 und Source/Drain-Elektroden 14a und 14b aufweist, ist in der Pixelzone Pixel des ersten Substrats 112 ausgebildet. Ein erster Passivierungsfilm 15, ein Planarisierungsfilm 16 und ein zweiter Passivierungsfilm 17 sind nacheinander auf die gesamte Fläche des ersten Substrats gestapelt, umfassend den Dünnschichttransistor TFT.
  • Der zweite Passivierungsfilm 17, der Planarisierungsfilm 16 und der erste Passivierungsfilm 15 oberhalb der Drain-Elektrode 14b werden selektiv entfernt, um eine Kontaktöffnung 20 zu bilden, und eine Pixelelektrode 18 ist so ausgebildet, dass sie über die Kontaktöffnung 20 elektrisch mit der Drain-Elektrode 14b verbunden ist.
  • In dem Fall, wenn sich das Flüssigkristall-Anzeigefeld 110 in einem IPS-Modus befindet, zwischen dem zweiten Passivierungsfilm 17 und dem Planarisierungsfilm 16 eine gemeinsame Elektrode 23 ausgebildet.
  • Indessen weist der CIL-Öffnungsteil 231 eine Struktur auf, bei welcher die Gate-Isolationsschicht 12, der erste Passivierungsfilm 15, der Planarisierungsfilm 16 und der zweite Passivierungsfilm 17 nacheinander auf das erste Substrat 112 gestapelt sind.
  • Der Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil 232 weist eine Struktur auf, bei welcher die Gate-Isolationsschicht 12, der erste Passivierungsfilm 15 und der zweite Passivierungsfilm 17 nacheinander auf das erste Substrat 112 gestapelt sind und bei welcher ein Polymerfilm 21 auf dem zweiten Passivierungsfilm 17 vorgesehen ist.
  • Das Flüssigkristall-Anzeigefeld mit der obigen Struktur, in welcher die allgemeine Kamera und der Umgebungslichtsensor montiert sind, weist die folgenden Probleme auf.
  • Wie oben beschrieben, weist der CIL-Öffnungsteil 231 eine Struktur auf, bei welcher die Gate-Isolationsschicht 12, der erste Passivierungsfilm 15, der Planarisierungsfilm 16 und der zweite Passivierungsfilm 17 nacheinander auf das erste Substrat 112 gestapelt sind, und der Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil 232 weist eine Struktur auf, bei welcher die Gate-Isolationsschicht 12, der erste Passivierungsfilm 15 und der zweite Passivierungsfilm 17 nacheinander auf das erste Substrat 112 gestapelt sind und bei welcher der Polymerfilm 21 auf dem zweiten Passivierungsfilm 17 vorgesehen ist. Wenn unter normalen Beleuchtungsbedingungen das Kameralicht ausgeschaltet ist, ist in einem seitlichen Blickwinkel zwischen der CIL-Öffnung und der Umgebungslichtsensor-Öffnung 232 das Erscheinungsbild unterschiedlich.
  • Das heißt, eine Zone zwischen der CIL-Öffnung und der Umgebungslichtsensor-Öffnung erscheint heller als die CIL-Öffnungszone oder die Umgebungslichtsensor-Öffnungszone.
  • US 2014 / 0 225 131 A1 offenbart eine Anzeigevorrichtung mit einer Farbfilterschicht, einer Flüssigkristallschicht und einer Dünnfilmtransistor-Schicht. Ein Kamerafenster ist in der Anzeigevorrichtung ausgebildet, um eine Kamera aufzunehmen. Das Kamerafenster ist in einer Öffnung in der Dünnfilmtransistor-Schicht ausgebildet.
  • US 2010 / 0 073 616 A1 offenbart eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
  • DE 10 2011 089 443 A1 offenbart eine Anzeigevorrichtung, umfassend: eine Anzeigeeinheit mit einer Tafel, die mit einem unteren und einem oberen Substrat versehen ist, wobei ein Flüssigkristall zwischen beide eingefüllt ist, wobei ein Kameraaufnahmeteil mit einer darauf befestigten Kamera in einem ersten Tafelträger ausgebildet ist, und wobei ein Transmissionsloch für das Übertragen von Licht zur Kamera in einer Schwarzmatrix eines ersten Nichtanzeigebereichs ausgebildet ist.
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Entsprechend betrifft die vorliegende Erfindung auf ein flaches Anzeigefeld und ein Verfahren zur Herstellung desselben, welche ein oder mehrere Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik deutlich abschwächen.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein flaches Anzeigefeld, welches so konfiguriert ist, dass eine CIL-Öffnung und eine Umgebungslichtsensor-Öffnung dieselbe Schnittstnilεtur aufweisen, um ein unterschiedliches Aussehen zwischen der CIL-Öffnung und der Umgebungslichtsensor-Öffnung zu verhindern, und ein Verfahren zur Herstellung desselben bereitzustellen.
  • Weitere Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden teilweise in der folgenden Beschreibung ausgeführt und werden teilweise dem Fachmann nach Durchsicht der folgenden Ausführungen ersichtlich oder können aus der Praxis der Erfindung erlernt werden. Die Ziele und die anderen Vorteile der Erfindung können durch die Struktur realisiert oder erhalten werden, die in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen hiervon sowie in den anhängenden Zeichnungen speziell herausgestellt wird.
  • Um diese Aufgaben zu erfüllen und diese anderen Vorteile zu erzielen und gemäß dem Zweck der Erfindung, wie hierin verkörpert und breit beschrieben, wird ein flaches Anzeigefeld so konfiguriert, dass auf einem ersten Substrat, welches in eine Pixelzone eines Anzeigebereichs und einen CIL-Öffnungsteil und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil eines Nicht-Anzeigebereichs partitioniert ist, an dem CIL-Öffnungsteil und an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil keine Gate-Isolierungsschicht, kein erster Passivierungsfilm, kein Planarisierungsfilm und kein zweiter Passivierungsfilm vorhanden sind.
  • In einer anderen Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung ist ein flaches Anzeigefeld so konfiguriert, dass auf einem ersten Substrat, welches in eine Pixelzone eines Anzeigebereichs und einen CIL-Öffnungsteil und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil eines Nicht-Anzeigebereichs partitioniert ist, an dem CIL-Öffnungsteil und an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil nur ein Planarisierungsfilm vorhanden ist.
  • In einer anderen Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines flachen Anzeigefelds Herstellen eines ersten Substrats, welches in eine Pixelzone eines Anzeigebereichs und einen CIL-Öffnungsteil und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil eines Nicht-Anzeigebereichs partitioniert ist, Bilden einer Gate-Elektrode an der Pixelzone auf dem ersten Substrat, Bilden einer Gate-Isolationsschicht auf der gesamten Fläche des ersten Substrats, umfassend die Pixelzone, den CIL-Öffnungsteil und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil, Bilden einer aktiven Schicht und von Source/Drain-Elektroden auf der Gate-Isolationsschicht an der Pixelzone, nacheinander Bilden eines ersten Passivierungsfilms und eines Planarisierungsfilms auf der gesamten Fläche des ersten Substrats, umfassend die Pixelzone, den CIL-Öffnungsteil und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil, selektives Entfernen des Planarisierungsfilms oberhalb der Drain-Elektrode, des CIL-Öffnungsteils und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils, Bilden eines zweiten Passivierungsfilms auf der gesamten Fläche des ersten Substrats, umfassend die Pixelzone, den CIL-Öffnungsteil und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil, Entfernen des ersten Passivierungsfilms und des zweiten Passivierungsfilms oberhalb der Drain-Elektrode, des CIL-Öffnungsteils und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils und Bilden einer Pixelelektrode auf dem zweiten Passivierungsfilm an der Pixelzone derart, dass sie elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden ist.
  • In einer weiteren Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines flachen Anzeigefelds Herstellen eines ersten Substrats, welches in eine Pixelzone eines Anzeigebereichs und einen CIL-Öffnungsteil und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil eines Nicht-Anzeigebereichs partitioniert ist, Bilden einer Gate-Elektrode an der Pixelzone auf dem ersten Substrat, Bilden einer Gate-Isolationsschicht auf der gesamten Fläche des ersten Substrats, umfassend die Pixelzone, den CIL-Öffnungsteil und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil, Bilden einer aktiven Schicht und von Source/Drain-Elektroden auf der Gate-Isolationsschicht an der Pixelzone, Bilden eines ersten Passivierungsfilms auf der gesamten Fläche des ersten Substrats, umfassend die Pixelzone, den CIL-Öffnungsteil und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil, selektives Entfernen der Gate-Isolationsschicht und des ersten Passivierungsfilms oberhalb des CIL-Öffnungsteils und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils, Bilden eines Planarisierungsfilms auf der gesamten Fläche des ersten Substrats, selektives Entfernen des Planarisierungsfilms oberhalb der Drain-Elektrode, Bilden eines zweiten Passivierungsfilms auf der gesamten Fläche des ersten Substrats, umfassend die Pixelzone, den CIL-Öffnungsteil und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil, Entfernen des ersten Passivierungsfilms und des zweiten Passivierungsfilms oberhalb der Drain-Elektrode, Entfernen des zweiten Passivierungsfilms oberhalb des CIL-Öffnungsteils und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils und Bilden einer Pixelelektrode auf dem zweiten Passivierungsfilm an der Pixelzone derart, dass sie elektrisch mit der Drain-Elektrode verbunden ist.
  • Es versteht sich, dass sowohl die folgende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung beispielhaft und erläuternd sind und eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung geben sollen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die begleitenden Zeichnungen, welche enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Erfindung zu sorgen, und welche in diese Anmeldung integriert sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen Ausführungsform(en) der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Erfindung zu erläutern. In den Zeichnungen:
    • ist 1 eine Draufsicht, welche schematisch ein Flüssigkristall-Anzeigefeld zeigt, in welchem eine allgemeine Kamera und ein Umgebungslichtsensor montiert sind;
    • ist 2 eine Schnittdarstellung, welche die Struktur eines ersten Substrats der 1 zeigt;
    • ist 3 eine Schnittdarstellung, welche die Struktur eines ersten Substrats eines Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, in welchem eine Kameraindex-Lichtquelle und ein Umgebungslichtsensor montiert sind;
    • sind 4A bis 4F Schnittdarstellungen, welche das Verfahren zur Herstellung des Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen, in welchem eine Kameraindex-Lichtquelle und ein Umgebungslichtsensor montiert sind; und
    • ist 5 eine Schnittdarstellung, welche die Struktur eines ersten Substrats eines Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, in welchem eine Kameraindex-Lichtquelle und ein Umgebungslichtsensor montiert sind.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Hierin werden im Folgenden ein flaches Anzeigefeld und ein Verfahren zur Herstellung desselben gemäß der vorliegenden Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • Ein Flüssigkristall-Anzeigefeld 110 gemäß der vorliegenden Erfindung ist mit dem in 1 dargestellten Flüssigkristall-Anzeigefeld identisch. Jedoch unterscheidet sich die Struktur eines ersten Substrats 112 an einer CIL-Öffnungszone 231 und einer Umgebungslichtsensor-Öffnungszone von einer allgemeinen Struktur.
  • Das heißt, das Flüssigkristall-Anzeigefeld gemäß der vorliegenden Erfindung ist so konfiguriert, dass ein erstes Substrat, welches ein Dünnschichttransistor-Matrixsubstrat ist, und ein zweites Substrat, welches ein Farbfilter-Matrixsubstrat ist, in dem Zustand laminiert werden, in welchem eine Flüssigkristallschicht dazwischen angeordnet ist.
  • Das Flüssigkristall-Anzeigefeld 110 umfasst im Allgemeinen einen Anzeigebereich, auf welchem ein Bild angezeigt wird, und einen Nicht-Anzeigebereich, auf welchem verschiedene Schaltungen und Verdrahtungen ausgebildet sind und welcher daher nicht verwendet wird, um ein Bild anzuzeigen.
  • Auf dem Anzeigebereich des ersten Substrats überschneiden sich mehrere Datenleitungen und mehrere Gate-Leitungen in Längs- und Querrichtung, um Pixel zu definieren. Am Schnittpunkt jeder der Datenleitungen und einer entsprechenden der Gate-Leitungen ist ein Dünnschichttransistor vorgesehen, so dass er individuell mit einer Pixelelektrode verbunden werden kann, die an jedem Pixel vorgesehen ist.
  • In dem Nicht-Anzeigebereich des ersten Substrats sind eine Kameraöffnung, eine Kameraindex-Lichtquellen(CIL)-Öffnung und eine Umgebungslichtsensor-Öffnung vorgesehen.
  • In der Folge wird detailliert die Schnittstruktur einer Pixelzone Pixel des Anzeigebereichs AA und des CIL-Öffnungsteils und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils des Nicht-Anzeigebereichs NA beschrieben und eine Beschreibung der restlichen Teile des Flüssigkristall-Anzeigefelds wird weggelassen, da die restlichen Teile des Flüssigkristall-Anzeigefelds mit jenen des in 1 dargestellten Flüssigkristall-Anzeigefelds identisch sind.
  • 3 ist eine Schnittdarstellung, welche die Struktur eines ersten Substrats eines Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, in welchem eine Kameraindex-Lichtquelle und ein Umgebungslichtsensor montiert sind.
  • In dem Flüssigkristall-Anzeigefeld gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Dünnschichttransistor TFT, welcher eine Gate-Elektrode 11, eine Gate-Isolationsschicht 12, eine aktive Schicht 13 und Source/Drain-Elektroden 14a und 14b aufweist, in einer Pixelzone Pixel eines ersten Substrats 112 ausgebildet. Ein erster Passivierungsfilm 15 und ein Planarisierungsfilm 16 werden nacheinander auf die gesamte Fläche des ersten Substrats 112 gestapelt, umfassend den Dünnschichttransistor TFT.
  • Auf dem Planarisierungsfilm 16 werden eine gemeinsame Elektrode 23 und eine gemeinsame Leitung 24 gebildet. Auf der gesamten Fläche des Substrats, umfassend die gemeinsame Elektrode 23 und die gemeinsame Leitung 24, wird ein zweiter Passivierungsfilm 17 gebildet. Der zweite Passivierungsfilm 17, der Planarisierungsfilm 16 und der erste Passivierungsfilm 15 oberhalb der Drain-Elektrode 14b werden selektiv entfernt, um die Kontaktöffnung 20 zu bilden, und eine Pixelelektrode 18 wird so auf dem zweiten Passivierungsfilm 17 gebildet, dass sie über die Kontaktöffnung 20 elektrisch mit der Drain-Elektrode 14b verbunden ist.
  • Die Pixelelektrode 18 weist eine Schlitzstruktur oberhalb der gemeinsamen Elektrode 23 auf. Demzufolge erfolgt zwischen der Pixelelektrode 18 und der gemeinsamen Elektrode 23 ein Schalten in der Ebene, um eine Flüssigkristallschicht anzutreiben.
  • Weder die Gate-Isolationsschicht 12 noch der erste Passivierungsfilm 15 noch der Planarisierungsfilm 16 noch der zweite Passivierungsfilm 17 sind an dem CIL-Öffnungsteil CIL oder an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS auf dem ersten Substrat 112 ausgebildet.
  • Im Folgenden wird hierin ein Verfahren zur Herstellung des Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, welches die obige Struktur aufweist, in welcher die Kameraindex-Lichtquelle und der Umgebungslichtsensor montiert sind.
  • 4A bis 4F sind Schnittdarstellungen, welche das Verfahren zur Herstellung zur Herstellung des Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen, in welchem die Kameraindex-Lichtquelle und der Umgebungslichtsensor montiert sind.
  • Zuerst werden die Pixelzone Pixel des Anzeigebereichs AA des Flüssigkristall-Anzeigefelds und der CIL-Öffnungsteil CIL und der Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS des Nicht-Anzeigebereichs NA des Flüssigkristall-Anzeigefelds einzeln beschrieben, wie oben angegeben.
  • Wie in 4A dargestellt, wird eine Metallschicht auf einem ersten Substrat 112 abgeschieden und die Metallschicht wird durch Photolithographie und Ätzen selektiv entfernt, um eine Gate-Elektrode 11 und Gate-Leitungen GL (vgl. 1) auf einem Anzeigebereich zu bilden.
  • Hier kann eine beliebige Metallschicht niedrigen Widerstands als die Metallschicht verwendet werden. Die Metallschicht kann so gebildet werden, dass sie eine einzelne Metallschicht oder mehrere Metallschichten aufweist, die gestapelt sind. Beispielsweise können eine MoTi-Schicht und eine Kupfer(Cu)-Schicht gestapelt werden.
  • Auf der gesamten Fläche des Substrats, umfassend die Gate-Elektrode 11, wird eine Gate-Isolationsschicht 12 gebildet. Beispielsweise kann eine SiNx-Schicht als die Gate-Isolationsschicht 12 verwendet werden.
  • Das heißt, die Gate-Elektrode 11 und die Gate-Isolationsschicht 12 werden an der Pixelzone des Anzeigebereichs auf dem ersten Substrat 112 gebildet und nur die Gate-Isolationsschicht 12 wird an dem CIL-Öffnungsteil CIL und dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS des Nicht-Anzeigebereichs NA auf dem ersten Substrat 112 gebildet.
  • Wie in 4B dargestellt, wird auf der Gate-Isolationsschicht 12 eine Halbleiterschicht abgeschieden und die Halbleiterschicht wird durch Photolithographie und Ätzen selektiv entfernt, um eine aktive Schicht 13 oberhalb der Gate-Elektrode 11 zu bilden.
  • Obwohl nicht dargestellt, kann ferner eine Halbleiterschicht, die mit einem Dotierstoff dotiert ist, auf der Halbleiterschicht abgeschieden werden und die Halbleiterschicht und die mit dem Dotierstoff dotierte Halbleiterschicht können durch Photolithographie und Ätzen selektiv entfernt werden, um eine aktive Schicht 13 zu bilden.
  • Anschließend wird auf der gesamten Fläche des Substrats, umfassend die aktive Schicht 13, eine Metallschicht abgeschieden und die Metallschicht wird durch Photolithographie und Ätzen selektiv entfernt, um Datenleitungen DL (siehe 1) und Source/Drain-Elektroden 14a und 14b auf dem Anzeigebereich zu bilden. Demzufolge wird durch die Gate-Elektrode 11, die aktive Schicht 13 und die Source/Drain-Elektroden 14a und 14b ein Dünnschichttransistor gebildet.
  • Hier kann eine beliebige Metallschicht mit niedrigem Widerstand als die Metallschicht verwendet werden. Die Metallschicht kann so gebildet werden, dass sie eine einzelne Metallschicht oder mehrere Metallschichten aufweist, die gestapelt sind. Beispielsweise können eine MoTi-Schicht und eine Kupfer(Cu)-Schicht gestapelt werden.
  • In dem Fall, wenn ferner die mit dem Dotierstoff dotierte Halbleiterschicht gebildet worden ist, wie oben beschrieben, wird der Abschnitt der mit dem Dotierstoff dotierten Halbleiterschicht, der einer Kanalzone zwischen der Source-Elektrode 14a und der Drain-Elektrode 14b entspricht, entfernt, wenn die Source/Drain-Elektroden 14a und 14b gebildet werden.
  • Wie in 4C dargestellt, werden auf der gesamten Fläche des ersten Substrats 112, umfassend den Dünnschichttransistor, nacheinander ein erster Passivierungsfilm 15 und ein Planarisierungsfilm 16 gebildet.
  • Anschließend wird der Planarisierungsfilm 16 oberhalb der Drain-Elektrode 14b, des CIL-Öffnungsteils CIL und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils ALS durch Photolithographie und Ätzen selektiv entfernt.
  • Wie in 4D dargestellt, werden eine transparente leitfähige Schicht und eine Metallschicht auf dem Planarisierungsfilm 16 abgeschieden und die transparente leitfähige Schicht und die Metallschicht werden durch Photolithographie und Ätzen unter Verwendung einer Halbtonmaske (HTM) selektiv entfernt, um eine gemeinsame Elektrode 23 und eine gemeinsame Leitung 24 zu bilden.
  • Hier ist die Halbtonmaske (HTM) so konfiguriert, dass sie Licht an einem Teil, welcher der gemeinsamen Leitung 24 entspricht, blockiert, Licht an einem Teil, welcher der gemeinsamen Elektrode 23 entspricht, halb durchlässt und Licht an dem restlichen Teil vollständig durchlässt.
  • Obwohl nicht dargestellt, wird deswegen, wenn nacheinander die transparente leitfähige Schicht, die Metallschicht und ein lichtempfindlicher Film auf dem Planarisierungsfilm 16 abgeschieden werden und dann unter Verwendung der Halbtonmaske (HTM) eine Belichtung und Entwicklung durchgeführt werden, der restliche Teil außer den Teilen, die der gemeinsamen Leitung 24 und der gemeinsamen Elektrode 23 entsprechen, entfernt und der lichtempfindliche Film wird so strukturiert, dass der Teil, der der gemeinsamen Leitung 24 entspricht, dicker ist als der Teil, der der gemeinsamen Elektrode 23 entspricht.
  • Die transparente leitfähige Schicht und die Metallschicht werden primär entfernt, wobei der strukturierte lichtempfindliche Film als eine Maske verwendet wird, um die gemeinsame Elektrode 23 zu bilden. Der strukturierte lichtempfindliche Film wird verascht, so dass der Teil, der der gemeinsamen Elektrode 23 entspricht, entfernt wird und der Teil, der der gemeinsamen Leitung 24 entspricht, zurückbleibt.
  • Die Metallschicht wird entfernt, wobei der veraschte lichtempfindliche Film als eine Maske verwendet wird, um die gemeinsame Leitung 24 zu bilden, wie in 4D dargestellt. Zu diesem Zeitpunkt sind die gemeinsame Leitung 24 und die gemeinsame Elektrode 23 an dem CIL-Öffnungsteil oder an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS nicht ausgebildet.
  • Wie in 4E dargestellt, wird auf der gesamten Fläche des Substrats, umfassend die gemeinsame Leitung 24 und die gemeinsame Elektrode 23, ein zweiter Passivierungsfilm 17 gebildet und der erste Passivierungsfilm 15 und der zweite Passivierungsfilm 17 oberhalb der Drain-Elektrode 14b, des CIL-Öffnungsteils CIL und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils ALS werden durch Photolithographie und Ätzen selektiv entfernt.
  • Wie in 4F dargestellt, wird auf der gesamten Fläche des Substrats ein transparenter leitfähiger Film abgeschieden und der transparente leitfähige Film wird durch Photolithographie und Ätzen selektiv entfernt, um an jeder Pixelzone eine Pixelelektrode 18 zu bilden.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist die Pixelelektrode 18 elektrisch mit der Drain-Elektrode 14b verbunden und weist eine Schlitzstruktur oberhalb der gemeinsamen Elektrode 23 auf. Demzufolge erfolgt zwischen der Pixelelektrode 18 und der gemeinsamen Elektrode 23 ein Schalten in der Ebene, um eine Flüssigkristallschicht anzutreiben.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist an dem CIL-Öffnungsteil CIL oder an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS keine Pixelelektrode 18 ausgebildet. Ferner sind an dem CIL-Öffnungsteil CIL oder an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS weder die Gate-Isolationsschicht 12 noch der erste Passivierungsfilm 15 noch der Planarisierungsfilm 16 noch der zweite Passivierungsfilm 17 ausgebildet.
  • Wie oben beschrieben, sind das flache Anzeigefeld gemäß der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung desselben beispielhaft auf der Grundlage eines Flüssigkristall-Anzeigefelds beschrieben worden. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Sogar ein OLED-Anzeigefeld kann so konfiguriert werden, dass weder die Gate-Isolationsschicht noch der erste Passivierungsfilm noch der Planarisierungsfilm noch der zweite Passivierungsfilm an dem CIL-Öffnungsteil CIL oder an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS des Nicht-Anzeigebereichs ausgebildet sind.
  • 5 ist eine Schnittdarstellung, welche die Struktur eines ersten Substrats eines Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, in welchem eine Kameraindex-Lichtquelle und ein Umgebungslichtsensor montiert sind.
  • In dem Flüssigkristall-Anzeigefeld gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind weder die Gate-Isolationsschicht noch der erste Passivierungsfilm noch der zweite Passivierungsfilm an dem CIL-Öffnungsteil CIL oder an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS ausgebildet, nur der Planarisierungsfilm. Dieselben Auswirkungen können sogar erhalten werden, wenn nur der Planarisierungsfilm gebildet wird.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Flüssigkristall-Anzeigefelds gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnelt dem in 4A bis 4F dargestellten Verfahren; es gibt jedoch einen leichten Unterschied in 4C und 4E.
  • Das heißt, in 4C werden, nachdem der erste Passivierungsfilm 15 auf der gesamten Fläche des ersten Substrats 112 abgeschieden ist und bevor der Planarisierungsfilm 16 abgeschieden wird, die Gate-Isolationsschicht 12 und der erste Passivierungsfilm 15 an dem CIL-Öffnungsteil CIL und dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS unter Verwendung einer zusätzlichen Maske entfernt.
  • Außerdem wird, wenn der Planarisierungsfilm 16 abgeschieden ist und der Planarisierungsfilm 16 oberhalb der Drain-Elektrode 14b selektiv entfernt wird, der Planarisierungsfilm 16 an dem CIL-Öffnungsteil CIL und dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS nicht entfernt.
  • Außerdem wird, wie in 4E dargestellt, der zweite Passivierungsfilm 17 auf der gesamten Fläche des Substrats gebildet, die Gate-Isolationsschicht 12 und der zweite Passivierungsfilm 17 oberhalb der Drain-Elektrode 14b werden selektiv entfernt und der zweite Passivierungsfilm 17 oberhalb des CIL-Öffnungsteils CIL und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils ALS wird selektiv entfernt.
  • Durch das obige Verfahren kann es sein, dass nur der Planarisierungsfilm 16 an dem CIL-Öffnungsteil CIL und dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS zurückbleiben, und die Gate-Isolationsschicht 12, der erste Passivierungsfilm 16 und der zweite Passivierungsfilm 17 können an dem CIL-Öffnungsteil CIL und dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS entfernt werden.
  • Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich ist, haben das flache Anzeigefeld gemäß der vorliegenden Erfindung und das Verfahren zur Herstellung desselben die folgenden Auswirkungen.
  • Weder die Gate-Isolationsschicht noch der erste Passivierungsfilm noch der Planarisierungsfilm noch der zweite Passivierungsfilm werden an dem CIL-Öffnungsteil CIL oder an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS gebildet oder nur der Planarisierungsfilm wird an dem CIL-Öffnungsteil CIL und an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil ALS gebildet. Wenn unter normalen Beleuchtungsbedingungen das Kameralicht ausgeschaltet ist, ist deswegen ein Erscheinungsbild in einem seitlichen Blickwinkel zwischen der CIL-Öffnung und der Umgebungslichtsensor-Öffnung nicht unterschiedlich, wodurch die Qualität des Anzeigefelds verbessert wird.
  • Dem Fachmann ist ersichtlich, dass in der vorliegenden Erfindung verschiedene Modifikationen und Variationen vorgenommen werden können, ohne von der Idee und vom Umfang der Erfindung abzuweichen. Daher soll die vorliegende Erfindung die Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung abdecken, vorausgesetzt, sie fallen unter den Umfang der anhängenden Patentansprüche und deren Äquivalente.

Claims (6)

  1. Flaches Anzeigefeld, umfassend: ein erstes Substrat (112), welches in eine Pixelzone (Pixel) eines Anzeigebereichs (AA) und einen Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) eines Nicht-Anzeigebereichs (NA) partitioniert ist; einen Dünnschichttransistor (TFT), welcher eine Gate-Elektrode (11), eine Gate-Isolationsschicht (12), eine aktive Schicht (13) und Source/Drain-Elektroden (14a, 14b) aufweist, die auf der Pixelzone (Pixel) des ersten Substrats (112) ausgebildet sind; einen ersten Passivierungsfilm (15) und einen Planarisierungsfilm (16), welche nacheinander auf eine gesamte Fläche des ersten Substrats (112) gestapelt sind, umfassend den Dünnschichttransistor (TFT); einen zweiten Passivierungsfilm (17), welcher auf der gesamten Fläche des Substrats (112) ausgebildet ist; und eine Pixelelektrode (18), welche an der Pixelzone (Pixel) auf dem zweiten Passivierungsfilm (17) so ausgebildet ist, dass sie über eine Kontaktöffnung (20), die durch selektives Entfernen des zweiten Passivierungsfilms (17), des Planarisierungsfilms (16) und des ersten Passivierungsfilms (15) oberhalb der Drain-Elektrode (14b) gebildet wird, elektrisch mit der Drain-Elektrode (14b) verbunden ist, wobei an dem Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und an dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) das erste Substrat (112) vorhanden ist und die Gate-Isolationsschicht (12), der erste Passivierungsfilm (15), der Planarisierungsfilm (16) und der zweite Passivierungsfilm (17) von dem ersten Substrat (112) entfernt sind.
  2. Flaches Anzeigefeld, umfassend: ein erstes Substrat (112), welches in eine Pixelzone (Pixel) eines Anzeigebereichs (AA) und einen Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) eines Nicht-Anzeigebereichs (NA) partitioniert ist; einen Dünnschichttransistor (TFT), welcher eine Gate-Elektrode (11), eine Gate-Isolationsschicht (12), eine aktive Schicht (13) und Source/Drain-Elektroden (14a, 14b) aufweist, die auf der Pixelzone (Pixel) des ersten Substrats (112) ausgebildet sind; einen ersten Passivierungsfilm (15) und einen Planarisierungsfilm (16), welche nacheinander auf eine gesamte Fläche des ersten Substrats (112) gestapelt sind, umfassend den Dünnschichttransistor (TFT); einen zweiten Passivierungsfilm (17), welcher auf der gesamten Fläche des Substrats (112) ausgebildet ist; und eine Pixelelektrode (18), welche an der Pixelzone (Pixel) auf dem zweiten Passivierungsfilm (17) so ausgebildet ist, dass sie über eine Kontaktöffnung (20), die durch selektives Entfernen des zweiten Passivierungsfilms (17), des Planarisierungsfilms (16) und des ersten Passivierungsfilms (15) oberhalb der Drain-Elektrode (14b) gebildet wird, elektrisch mit der Drain-Elektrode (14b) verbunden ist, wobei nur der Planarisierungsfilm (16) an dem Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und dem Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) auf dem ersten Substrat (112) vorhanden ist.
  3. Flaches Anzeigefeld nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend eine gemeinsame Elektrode (23) und eine gemeinsame Leitung (24), welche zwischen dem Planarisierungsfilm (16) und dem zweiten Passivierungsfilm (17) an der Pixelzone (Pixel) ausgebildet sind.
  4. Verfahren zur Herstellung eines flachen Anzeigefelds, umfassend: Herstellen eines ersten Substrats (112), welches in eine Pixelzone (Pixel) eines Anzeigebereichs (AA) und einen Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) eines Nicht-Anzeigebereichs (NA) partitioniert ist; Bilden einer Gate-Elektrode (11) an der Pixelzone (Pixel) auf dem ersten Substrat (112); Bilden einer Gate-Isolationsschicht (12) auf einer gesamten Fläche des ersten Substrats (112), umfassend die Pixelzone (Pixel), den Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS); Bilden einer aktiven Schicht (13) und von Source/Drain-Elektroden (14a, 14b) auf der Gate-Isolationsschicht (12) an der Pixelzone (Pixel); nacheinander Bilden eines ersten Passivierungsfilms (15) und eines Planarisierungsfilms (16) auf der gesamten Fläche des ersten Substrats (112), umfassend die Pixelzone (Pixel), den Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS); selektives Entfernen des Planarisierungsfilms (16) oberhalb der Drain-Elektrode (14b), des Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteils (CIL) und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils (ALS), Bilden eines zweiten Passivierungsfilms (17) auf der gesamten Fläche des ersten Substrats (112), umfassend die Pixelzone (Pixel), den Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS), und Entfernen des ersten Passivierungsfilms (15) und des zweiten Passivierungsfilms (17) oberhalb der Drain-Elektrode (14b), des Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteils (CIL) und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils (ALS) von dem ersten Substrat (112); und Bilden einer Pixelelektrode (18) auf dem zweiten Passivierungsfilm (17) an der Pixelzone (Pixel) derart, dass sie elektrisch mit der Drain-Elektrode (14b) verbunden ist.
  5. Verfahren zur Herstellung eines flachen Anzeigefelds, umfassend: Herstellen eines ersten Substrats (112), welches in eine Pixelzone (Pixel) eines Anzeigebereichs (AA) und einen Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und einen Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS) eines Nicht-Anzeigebereichs (NA) partitioniert ist; Bilden einer Gate-Elektrode (11) an der Pixelzone (Pixel) auf dem ersten Substrat (112); Bilden einer Gate-Isolationsschicht (12) auf einer gesamten Fläche des ersten Substrats (112), umfassend die Pixelzone (Pixel), den Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS); Bilden einer aktiven Schicht (13) und von Source/Drain-Elektroden (14a, 14b) auf der Gate-Isolationsschicht (12) an der Pixelzone (Pixel); Bilden eines ersten Passivierungsfilms (15) auf der gesamten Fläche des ersten Substrats (112), umfassend die Pixelzone (Pixel), den Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS); selektives Entfernen der Gate-Isolationsschicht (12) und des ersten Passivierungsfilms (15) oberhalb des Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteils (CIL) und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils (ALS); Bilden eines Planarisierungsfilms (16) auf der gesamten Fläche des ersten Substrats (112); selektives Entfernen des Planarisierungsfilms (16) oberhalb der Drain-Elektrode (14b); Bilden eines zweiten Passivierungsfilms (17) auf der gesamten Fläche des ersten Substrats (112), umfassend die Pixelzone (Pixel), den Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteil (CIL) und den Umgebungslichtsensor-Öffnungsteil (ALS); Entfernen des ersten Passivierungsfilms (15) und des zweiten Passivierungsfilms (17) oberhalb der Drain-Elektrode (14b) und Entfernen des zweiten Passivierungsfilms (17) oberhalb des Kameraindex-Lichtquellen-Öffnungsteils (CIL) und des Umgebungslichtsensor-Öffnungsteils (ALS); und Bilden einer Pixelelektrode (18) auf dem zweiten Passivierungsfilm (17) an der Pixelzone (Pixel) derart, dass sie elektrisch mit der Drain-Elektrode (14b) verbunden ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, ferner umfassend Bilden einer gemeinsamen Elektrode (23) und einer gemeinsamen Leitung (24) zwischen dem Planarisierungsfilm (16) und dem zweiten Passivierungsfilm (17) an der Pixelzone (Pixel).
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10644040B2 (en) * 2018-02-26 2020-05-05 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
KR102561172B1 (ko) 2018-11-22 2023-07-31 삼성전자주식회사 디스플레이 내에 카메라 모듈이 포함된 전자 장치 및 상기 카메라 모듈 주변의 이미지를 보정하는 방법
CN116387326A (zh) * 2019-12-06 2023-07-04 群创光电股份有限公司 电子装置
CN116454097A (zh) * 2020-03-31 2023-07-18 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100073616A1 (en) 2008-09-22 2010-03-25 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
DE102011089443A1 (de) 2011-02-14 2012-08-16 Lg Display Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
US20140225131A1 (en) 2013-02-14 2014-08-14 Apple Inc. Displays With Camera Window Openings
KR20170060014A (ko) 2014-09-24 2017-05-31 소니 주식회사 통신 장치 및 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7189957B2 (en) * 2005-02-25 2007-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods to improve photonic performances of photo-sensitive integrated circuits
WO2007047685A2 (en) * 2005-10-17 2007-04-26 I2Ic Corporation Combined video display and camera system
EP1837912A1 (de) * 2006-03-22 2007-09-26 Toppoly Optoelectronics Corp. Organische elektrolumineszierende Vorrichtung und deren Herstellungsmethode
TWI498625B (zh) * 2007-06-23 2015-09-01 Qisda Corp 顯示裝置及其亮度校正方法
JP5154321B2 (ja) * 2008-07-10 2013-02-27 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
US9013613B2 (en) * 2010-09-21 2015-04-21 Sony Corporation Sensor-equipped display apparatus and electronic apparatus
KR101888432B1 (ko) * 2011-11-15 2018-08-17 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
CN202872883U (zh) * 2012-11-26 2013-04-10 广东欧珀移动通信有限公司 一种窄边框手机
TWM455886U (zh) * 2013-01-04 2013-06-21 Au Optronics Corp 顯示裝置及其光傳遞裝置
KR102327583B1 (ko) * 2015-01-16 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102524754B1 (ko) * 2015-09-09 2023-04-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106094990A (zh) * 2016-06-12 2016-11-09 张帆 屏占比最大化的电子设备及其使用方法
US20180315357A1 (en) * 2017-05-01 2018-11-01 Apple Inc. Electronic Devices Having Displays With Optical Windows
CN108388056B (zh) * 2018-03-15 2021-08-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100073616A1 (en) 2008-09-22 2010-03-25 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
DE102011089443A1 (de) 2011-02-14 2012-08-16 Lg Display Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
US20140225131A1 (en) 2013-02-14 2014-08-14 Apple Inc. Displays With Camera Window Openings
KR20170060014A (ko) 2014-09-24 2017-05-31 소니 주식회사 통신 장치 및 방법

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Publication number Publication date
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US10712594B2 (en) 2020-07-14
GB201807827D0 (en) 2018-06-27
DE102018111398A1 (de) 2018-11-15

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