KR20070075819A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070075819A KR20070075819A KR1020060004489A KR20060004489A KR20070075819A KR 20070075819 A KR20070075819 A KR 20070075819A KR 1020060004489 A KR1020060004489 A KR 1020060004489A KR 20060004489 A KR20060004489 A KR 20060004489A KR 20070075819 A KR20070075819 A KR 20070075819A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- line
- data line
- gate
- conductive
- insulating layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
표시 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 표시 장치는 기판 상에 제1 절연막을 개재하여 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함한다. 상기 데이터 라인을 덮는 제2 절연막 상에 상기 데이터 라인과 평행하게 배치되어 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 도전 라인이 위치한다.
표시 장치, 데이터 라인, 도전 라인
Description
도 1은 통상적인 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 평면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 것으로 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 취해진 단면도들이다.
♧ 도면의 주요부분에 대한 참조번호의 설명 ♧
111: 기판 121 : 게이트 라인
126 : 게이트 절연막 131 : 데이터 라인
136 : 보호막 141 : 도전 라인
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 게이트 라인 및 데이터 라인을 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 장치(FPD:flat panel display)란 두께가 얇고 평평한 화면을 제공하는 표시 장치로, 대표적으로 노트북 컴퓨터 모니터로 널리 쓰이는 액정 표시 장치(LCD:liquid crystal display device), 대형 디지털 텔레비전으로 사용되는 플라즈마 디스플레이(PDP:plasma display panel), 또는 휴대전화에 사용되는 유기 전계발광 디스플레이(OELD:organic electroluminescent display) 등이 있다.
액정 표시 장치는 인가 전압에 따라 액체와 결정의 중간 상태 물질인 액정(liquid crystal)의 광투과도가 변화하는 특성을 이용하여, 전기 신호를 시각 정보로 변화시켜 영상을 표시한다. 통상의 액정 표시 장치는 전극이 구비된 두 개의 기판과 두 기판 사이에 개재된 액정층으로 구성된다. 이와 같은 액정 표시 장치는 동일한 화면 크기를 갖는 다른 표시 장치에 비하여 무게가 가볍고 부피가 작으며 작은 전력으로 동작한다.
일반적으로 이러한 액정 표시 장치의 두 기판은 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된 박막 트랜지스터 기판과, 컬러 필터와 공통 전극이 형성된 컬러 필터 기판으로 구분된다.
박막 트랜지스터 기판은 화상을 나타내는 최소 단위인 화소가 형성되는 다수의 화소 영역으로 이루어진다. 화소 영역은 서로 절연되게 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인에 의해서 한정된다. 화소는 박막 트랜지스터 및 화소 전극으로 이루어진다. 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 소오스 전극은 각각 게이트 라인과 데이터 라인에 전기적으로 연결되고, 드레인 전극은 화소 전극에 전기적으로 연결 된다. 게이트 라인과 데이터 라인은 각각 게이트 신호와 데이터 신호를 전달하고, 박막 트랜지스터는 게이트 신호에 응답하여 화소 전극에 데이터 신호를 출력한다.
도 1은 통상적인 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 취해진 단면도이다
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(11) 상에 복수 개의 게이트 라인(21)이 배치된다. 게이트 절연막(26)이 게이트 라인(21)이 배치된 기판(11)을 덮는다. 게이트 절연막(26) 상에 게이트 라인과 교차하는 복수 개의 데이터 라인(31)이 배치된다. 게이트 라인(21)과 데이터 라인(31)의 교차에 의해 정의되는 화소 영역에 화소 전극(46)이 위치한다. 게이트 라인(21)으로는 게이트 신호가 인가되며 데이터 라인(31)으로는 화상 정보에 따른 데이터 신호가 인가된다. 즉, 데이터 라인(31)을 흐르는 데이터 신호는 게이트 신호에 따라 턴온되는 박막트랜지스터(미도시)의 동작으로 화소 전극(41)에 인가된다.
다시 도 2를 참조하면, 데이터 라인(31)은 게이트 절연막(26)을 개재하여 게이트 라인(21) 상에 형성되므로, 게이트 라인(21)이 형성된 영역에서 단차가 발생할 수 있다. 영역 A 안에 도시된 바와 같이 이러한 단차에 의해 데이터 라인(31)이 단선될 수 있다. 데이터 라인(31)은 단차 이외에도 여러 가지 이유로 단선될 수 있다. 데이터 라인(31)이 단선되는 경우, 화소 전극(41)에 데이터 신호가 인가될 수 없어 화상이 구현될 수 없다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 여러 방법들이 제안되었다. 픽셀 리페어(pixel repair)는 단선된 부위에 도전 물질을 형성한 후 레이저 처리를 하여 단선 된 데이터 라인을 전기적으로 연결시키는 방법이고, 링 리페어(ring repair)는 기판의 가장자리에 링 모양의 도전 라인을 형성한 후 단선된 데이터 라인과 상기 링 모양의 도전 라인을 레이저 처리하여 전기적으로 연결시키는 방법이다.
그러나, 이러한 방법들은 별도의 리페어 공정을 요구할 뿐만 아니라, 공정 시간이 많이 소요되고, 리페어하는데 한계가 있다.
본 발명은 이상에서 언급한 상황을 고려하여 제안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 데이터 라인의 단선을 극복할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 게이트 라인, 상기 게이트 라인을 덮는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 위치하고, 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인, 상기 데이터 라인을 덮는 제2 절연막, 및 상기 제2 절연막 상에 상기 데이터 라인과 평행하게 배치되어 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 도전 라인을 포함한다.
이 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 제2 절연막을 관통하여 상기 데이터 라인과 상기 도전 라인을 연결하는 복수 개의 콘택 플러그들을 더 포함할 수 있으며, 상기 콘택 플러그들은 상기 도전 라인과 같은 물질로 이루어질 수 있다.
이 실시예에서, 상기 도전 라인은 상기 제2 절연막에 형성된 복수 개의 콘택 홀들 내에 콘포말하게 형성되어 상기 데이터 라인과 접촉할 수 있다.
이 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차에 의하여 정의되는 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 더 포함할 수 있으며, 상기 도전 라인 및 상기 화소 전극은 동일 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 게이트 라인을 형성하고, 상기 게이트 라인을 덮는 제1 절연막을 형성하고, 상기 제1 절연막 상에 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인을 형성하고, 상기 데이터 라인을 덮는 제2 절연막을 형성하고, 상기 제2 절연막을 식각하여 상기 데이터 라인을 노출시키는 복수 개의 콘택 홀들을 형성하고, 상기 제2 절연막 상에 상기 데이터 라인과 평행하게 배치되어 상기 콘택 홀들을 통해 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 도전 라인을 형성하는 것을 포함한다.
이 실시예에서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 도전 라인을 형성하기 전에 상기 콘택 홀들 내에 상기 데이터 라인 및 상기 도전 라인을 전기적으로 연결하는 콘택 플러그들을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
이 실시예에서, 상기 도전 라인은 상기 콘택 홀들 내에 콘포말하게 형성될 수 있다.
이 실시예에서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 제2 절연막 상에 화소 전극을 형성하는 것을 더 포함할 수 있으며, 상기 도전 라인 및 상기 화소 전극은 동시에 형성될 수 있다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 절연막을 기술하기 위해서 사용되었지만, 절연막이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이러한 용어들은 단지 어느 소정의 절연막을 다른 절연막과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 또, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 도면들에서, 막 또는 영역들의 두께 등은 명확성을 기하기 위하여 과장되게 표현될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 평면도이고, 도 4c는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 취해진 단면도이다.
도 3 및 도 4c를 참조하면, 기판(111) 상에 복수 개의 게이트 라인(121)이 배치된다. 기판(111)은 유리와 같은 투명한 절연 물질로 이루어지고, 게이트 라인(121)은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(126)이 게이트 라인(121)을 덮는다. 게이트 절연막(126)은 절연 물질, 예컨대 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(126) 상에 게이트 라인(121)과 교차하는 데이터 라인(131)이 배치된다. 데이터 라인(131)은 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 라인(121)과 데이터 라인(131)은 게이트 절연막(126)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다. 보호막(136)이 데이터 라인(131)을 덮는다. 보호막(136)은 절연 물질, 예컨대 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 이루어질 수 있다.
게이트 라인(121)과 데이터 라인(131)의 교차에 의해 정의되는 화소 영역에 화소 전극(146)이 배치되고, 데이터 라인(131) 상에는 도전 라인(141)이 배치된다. 도전 라인(141) 및 화소 전극(146)은 동일 물질, 예컨대 인듐-주석-산화막(ITO: Indium Tin Oxide) 또는 인듐-아연-산화막(IZO:Indium Zinc Oxide)과 같은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다. 또, 통상 게이트 라인(121)과 데이터 라인(131)이 교차하는 지점에 박막 트랜지스터(미도시)가 배치된다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소오스 전극, 및 드레인 전극을 구비하며, 소오스 전극은 데이터 라인(131)에 전기적으로 연결되고, 드레인 전극은 화소 전극(146)에 전기적으로 연결된다. 데이터 라인(131)에 인가된 데이터 신호는 소오스 전극 및 드레인 전극을 통해 화소 전극(146)에 인가된다.
데이터 라인(131) 및 도전 라인(141)은 복수 개의 콘택 플러그들(143)에 의해 전기적으로 연결된다. 콘택 플러그들(143) 및 도전 라인(141)은 서로 다른 도전 물질로 이루어질 수도 있으나, 서로 같은 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 실시예에서는 데이터 라인(131) 및 도전 라인(141)이 콘택 플러그들(143)에 의해 전기적으로 연결되지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 보호막(136)에 형성된 콘택 홀들(142) 내에 도전 라인(141)이 콘포말하게 형성되어 데이 터 라인(131)과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 데이터 라인(131)이 여러 가지 이유로 단선이 되더라도 그 위에 형성된 도전 라인에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 종래 기술에서처럼 단선된 데이터 라인을 리페어하기 위한 추가적인 공정이 필요없다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 것으로 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 따라 취해진 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 기판(111) 상에 게이트 라인(121)이 형성된다. 기판(111)은 유리와 같은 투명한 절연 물질로 형성될 수 있고, 게이트 라인(121)은 금속 물질로 형성될 수 있다. 게이트 라인(121)을 덮는 게이트 절연막(126)이 형성된다. 게이트 절연막(126)은 절연 물질, 예컨대 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(126) 상에 게이트 라인(121)과 교차하는 데이터 라인(131)이 형성된다. 데이터 라인(131)은 금속 물질로 형성될 수 있다. 데이터 라인(131)을 덮는 보호막(136)이 형성된다. 보호막(136)은 절연 물질, 예컨대 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 형성될 수 있다. 게이트 라인(121), 게이트 절연막(126), 데이터 라인(131), 및 보호막(136)은 잘 알려진 박막 형성 공정을 통해 형성될 수 있다. 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 따라서, 게이트 절연막(126)과 데이터 라인(131) 사이에 비정질 실리콘층이 더 형성될 수도 있다.
도 4b를 참조하면, 사진 및 식각 공정을 진행하여 보호막(136) 내에 데이터 라인(131)을 노출시키는 콘택 홀들(142)이 형성된다. 콘택 홀들(142)은 서로 소정 거리 이격되어 형성될 수 있으며, 형성되는 모양이나 개수에 제한을 받지 않는다.
도 4c를 참조하면, 콘택 홀들(142) 내부를 채우는 콘택 플러그들(143)이 형성되고, 콘택 플러그들(143)을 전기적으로 연결하는 도전 라인(141)이 형성된다. 도전 라인(141)은 보호막(136) 상에 데이터 라인(131)과 평행하게 배치되도록 형성될 수 있으며, 데이터 라인(131) 및 도전 라인(141)은 콘택 플러그들(143)에 의해 전기적으로 연결된다. 콘택 플러그들(143) 및 도전 라인(141)은 인듐-주석-산화막(ITO:Indium Tin Oxide) 또는 인듐-아연-산화막(IZO:Indium Zinc Oxide)과 같은 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 콘택 플러그들(143) 및 도전 라인(141)은 게이트 라인(121) 및 데이터 라인(131)의 교차에 의해 정의되는 화소 영역에 형성되는 화소 전극과 함께 형성될 수 있다.
본 실시예와 달리, 콘택 플러그들(143)이 형성되지 않고, 콘택 홀들(142) 내에 도전 라인(141)이 콘포말하게 형성되므로써 도전 라인(141)이 직접 데이터 라인(131)과 접촉할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 데이터 라인(131)이 단선되더라도 도전 라인에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 또, 도전 라인에 의해 데이터 라인의 저항이 감소할 수 있다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예(들)에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 상기 실시예(들)에서는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에 관하여 설명하였으나, 이에 한정되어서는 안 되며, 금속 배선 라인을 구비하는 다른 표시 장치에도 적용될 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 데이터 라인이 단선이 되더라도 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 도전 라인에 의해 데이터 신호가 화소 전극에 정상적으로 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른면, 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 도전 라인에 의해 데이터 라인의 저항이 감소하여, 데이터 신호가 각 화소 전극에 동일하게 인가될 수 있어 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
Claims (9)
- 기판;상기 기판 상에 위치하는 게이트 라인;상기 게이트 라인을 덮는 제1 절연막;상기 제1 절연막 상에 위치하고, 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인;상기 데이터 라인을 덮는 제2 절연막; 및상기 제2 절연막 상에 상기 데이터 라인과 평행하게 배치되어 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 도전 라인을 포함하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 절연막을 관통하여 상기 데이터 라인과 상기 도전 라인을 연결하는 복수 개의 콘택 플러그들을 더 포함하는 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 콘택 플러그들은 상기 도전 라인과 같은 물질로 이루어지는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전 라인은 상기 제2 절연막에 형성된 복수 개의 콘택 홀들 내에 콘포말하게 형성되어 상기 데이터 라인과 접촉하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차에 의하여 정의되는 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 더 포함하며,상기 도전 라인 및 상기 화소 전극은 동일 물질로 이루어지는 표시 장치.
- 기판 상에 게이트 라인을 형성하고;상기 게이트 라인을 덮는 제1 절연막을 형성하고;상기 제1 절연막 상에 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인을 형성하고;상기 데이터 라인을 덮는 제2 절연막을 형성하고;상기 제2 절연막을 식각하여 상기 데이터 라인을 노출시키는 복수 개의 콘택 홀들을 형성하고;상기 제2 절연막 상에 상기 데이터 라인과 평행하게 배치되어 상기 콘택 홀들을 통해 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 도전 라인을 형성하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 도전 라인을 형성하기 전에 상기 콘택 홀들 내에 상기 데이터 라인 및 상기 도전 라인을 전기적으로 연결하는 콘택 플러그들을 형성하는 것을 더 포함하 는 표시 장치의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 도전 라인은 상기 콘택 홀들 내에 콘포말하게 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제2 절연막 상에 화소 전극을 형성하는 것을 더 포함하며,상기 도전 라인 및 상기 화소 전극은 동시에 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060004489A KR20070075819A (ko) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060004489A KR20070075819A (ko) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070075819A true KR20070075819A (ko) | 2007-07-24 |
Family
ID=38500844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060004489A KR20070075819A (ko) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070075819A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101406225B1 (ko) * | 2008-04-11 | 2014-06-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
| KR101455255B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2014-10-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
2006
- 2006-01-16 KR KR1020060004489A patent/KR20070075819A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101406225B1 (ko) * | 2008-04-11 | 2014-06-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
| KR101455255B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2014-10-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106873212B (zh) | 包括盒内式触摸板的背板基板、液晶显示装置及制造方法 | |
| KR101484022B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
| CN1992291B (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
| CN101644864B (zh) | 用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板及其制造方法 | |
| TWI398712B (zh) | 具通至測試線之改良式連接結構的薄膜電晶體陣列面板 | |
| TWI489635B (zh) | 含有金氧半導體的薄膜電晶體基板及其製造方法 | |
| CN106886107B (zh) | 显示面板 | |
| US9366923B2 (en) | Array substrate and method of fabricating the same, and display device | |
| CN104360557A (zh) | 阵列基板及其制造方法,以及显示装置 | |
| KR20120046985A (ko) | 고 투과 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
| US20200348784A1 (en) | Touch display substrate, method of manufacturing the same and display device | |
| KR20070005965A (ko) | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 | |
| KR20180060603A (ko) | 터치표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| CN102931189B (zh) | 阵列基板及其制作和维修方法、显示装置 | |
| US20070236624A1 (en) | Contact pad for thin film transistor substrate and liquid crystal display | |
| US9383608B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
| CN106918958B (zh) | 边缘场切换型液晶显示器 | |
| KR20070075819A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN101604697B (zh) | 环境光感测装置及其制造方法及显示器及其制造方法 | |
| KR102172898B1 (ko) | 터치스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102159969B1 (ko) | 터치스크린 일체형 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20160092466A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20070088044A (ko) | 액정표시장치의 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR101188638B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP5275599B2 (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板及び液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |