CN101644864B - 用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板及其制造方法。阵列基板包括:在包括显示区和非显示区的基板上的栅极线;在显示区平行于栅极线的公共线,每条的一端位于非显示区;每条连接至每条栅极线的一端且在非显示区的栅极接线;栅极线、公共线和栅极接线上的栅极绝缘层,及其上的数据线,与栅极线交叉以限定显示区内的像素区;非显示区内栅极绝缘层上的第一辅助公共线,与栅极接线交叉;数据线和第一辅助公共线上的钝化层,包括暴露每条公共线一端的第一接触孔和暴露一部分第一辅助公共线的第二接触孔;及位于钝化层上与第一辅助公共线重叠并具有与其基本相同形状的第二辅助公共线,通过第一、二接触孔电连接至第一辅助公共线和每条公共线。

Description

用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板及其制造方法

[0001] 本申请要求2008年8月7日提交的韩国专利申请No. 10-2008-0077570的优先权,

在这里将其并入本申请中作为参考。

技术领域

[0002] 本发明涉及一种液晶显示(IXD)设备,尤其涉及一种用于面内切换(IPS)模式IXD 设备的阵列基板以及制造该阵列基板的方法,用来解决栅极焊盘区中的接触问题。

背景技术

[0003] 近来,由于社会已真正进入了信息时代,需要平板显示器具有薄外形、轻质和低功耗的特性。

[0004] 取决于平板显示设备是否发光,平板显示设备可分类为发射型和非发射型。由于发射型平板显示设备发光,所以其不需要额外的光源。然而,由于非发射型平板显示设备不发光,所以其需要额外的光源。例如,发射型平板显示设备包括等离子体显示设备、场发射显示器和电致发光显示设备,而非发射型平板显示设备包括IXD设备。

[0005] 在这些设备中,IXD设备由于其高对比度和适合显示移动图像及色彩图像的特性, 被广泛应用于笔记本电脑、监视器、TV等等。

[0006] IXD设备包括第一和第二基板以及介于它们中间的液晶层。电极形成在第一和第二基板的每个之上。第一和第二基板彼此相对,液晶层位于电极之间。液晶层由第一和第二基板上的电极间引起的电场驱动,使得液晶分子的排列改变。因此,可以通过控制光透射率来显示图像。

[0007] 用于LCD设备的液晶面板通过形成阵列基板的步骤、形成滤色镜基板的步骤、注入液晶层的步骤和连接基板的步骤得以制造。例如,像素电极和作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)形成在阵列基板上。公共电极和包括红、绿和蓝色的滤色镜层形成在滤色镜基板上。

[0008] 图1为根据相关技术的用于IPS模式LCD设备的阵列基板的示意性平面图。图2 为从图1的线II-II得到的剖视图。图3为从图1的线III-III得到的剖视图。

[0009] 在图1中,沿第一方向的多条栅极线10形成在用于IPS模式LCD设备的阵列基板 1的显示区AA内,显示区AA用于显示图像。沿第二方向的多条数据线40形成在显示区AA 内。栅极线10与数据线40相交,从而限定了像素区P。多条公共线18平行于栅极线10而形成。公共线18穿过像素区P。作为开关元件的薄膜晶体管(TFT) Tr形成在每个像素区P 中。TFT Tr连接至栅极线10和数据线40。具有多个条状部的像素电极80位于像素区P 内。像素电极80连接至TFT Tr的漏极55。具有多个条状部的公共电极20位于像素区P 内且连接至公共线18。公共电极20的条状部与像素电极80的条状部交替排列。

[0010] 多个栅极焊盘电极22和多个数据焊盘电极45形成在位于显示区AA外围处的非显示区NA内。栅极焊盘电极22和数据焊盘电极45连接至外部驱动电路(未示出)。另外,形成用来将栅极线10连接至栅极焊盘电极22的栅极接线13,和用来将数据线40连接至数据焊盘电极45的数据接线42。公共线18延伸至非显示区NA内。数据线40的一端通过连接图案83电连接至辅助公共线50。辅助公共线50平行于数据线40。

[0011] 参照图2和3,它们分别显示了公共线18和辅助公共线50的连接部分的剖视图, 公共线18形成在基板1上,辅助公共线50形成在公共线18上的栅极绝缘层22上。钝化层60形成在辅助公共线50上。用于暴露公共线18的第一接触孔64穿过钝化层60和栅极绝缘层22而形成,用于暴露辅助公共线50的第二接触孔66穿过钝化层60而形成。连接图案83通过第一接触孔64连接至公共线18,且通过第二接触孔66连接至辅助公共线 50,从而公共线18通过连接图案83电连接至辅助公共线50。辅助公共线50与连接至(图 1的)栅极焊盘电极22的栅极接线13交叉。栅极接线13形成在与(图1的)栅极线10 和公共线18相同的层上。因此,为了防止辅助公共线50和栅极接线13之间的电性短路, 辅助公共线50形成在与公共线18不同的层上。

[0012] 然而,当辅助公共线50形成在钝化层60上且在第一、第二接触孔64、66中时,因为由第一和第二接触孔64和66产生的台阶差异以及对准偏差,所以用于IPS模式IXD设备的阵列基板1中存在接触问题或断路问题。

[0013] 此夕卜,由于存在增加显示区AA的面积和减少非显示区NA的面积的需求,所以也需要减少辅助公共线50的宽度。这样,辅助公共线50的一端和另一端存在阻抗差异。因此, 作用于公共电极20的公共电压根据它们的位置存在差异,使得图像显示质量恶化。

发明内容

[0014] 因此,本发明的实施方式旨在提供一种用于面内切换(IPS)模式LCD设备的阵列基板及其制造方法,其能基本消除由于相关技术的局限性和缺点而导致的一个或多个问题。

[0015] 关于本发明其它的特征和优点将在下文的说明书中阐明,其一部分从说明书中将变得显而易见,或者可从本发明的实践领会到。通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的目的和其它优点。

[0016] 为实现这些和其他优点,根据本发明的目的,如在此具体化和广泛所述的,用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板包括:在基板上的多条栅极线,基板包括显示区和显示区外围处的非显示区;在显示区内且平行于栅极线的多条公共线,每条公共线的一端位于非显示区内;多条栅极接线,每条栅极接线连接至每条栅极线的一端且在非显示区内; 位于栅极线、公共线和栅极接线上的栅极绝缘层;位于栅极绝缘层上的多条数据线,其与栅极线交叉用来限定显示区内的多个像素区;非显示区内且位于栅极绝缘层上的第一辅助公共线,其与栅极接线交叉;位于数据线和第一辅助公共线上的钝化层,其包括用于暴露每条公共线的所述一端的第一接触孔,和用于暴露第一辅助公共线的一部分的第二接触孔;以及位于钝化层上且重叠于第一辅助公共线的第二辅助公共线,其通过第二接触孔电连接至第一辅助公共线,且通过第一接触孔电连接至每条公共线,其中第二辅助公共线具有和第一辅助公共线基本相同的形状。

[0017] 另一方面,用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板的制造方法包括:在基板上形成多条栅极线、多条公共线和多条栅极接线,该基板包括显示区和位于显示区外围处的非显示区,多条公共线在显示区内且平行于栅极线,每条公共线的一端位于非显示区内,每条栅极接线连接至每条栅极线的一端且位于非显示区内;在栅极线、公共线和栅极接线上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成多条数据线和第一辅助公共线,数据线与栅极线交叉从而限定显示区内的多个像素区,第一辅助公共线在非显示区内且与栅极接线交叉; 在数据线和第一辅助公共线上形成钝化层,该钝化层包括用来暴露每条公共线的一端的第一接触孔和用来暴露第一辅助公共线的一部分的第二接触孔;以及在钝化层上形成重叠于第一辅助公共线的第二辅助公共线,第二辅助公共线通过第二接触孔电连接至第一辅助公共线,且通过第一接触孔电连接至每条公共线,其中第二辅助公共线具有和第一辅助公共线基本相同的形状。

[0018] 应当理解,本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是示范性的和解释性的,意在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

[0019] 附图结合在本申请中形成本申请的一部分,用以提供对本发明的进一步理解。附图例示了本发明的实施方式并与说明书一起用以解释本发明的原理。在附图中:

[0020] 图1为根据相关技术的用于IPS模式LCD设备的阵列基板的示意性平面图。

[0021] 图2为根据相关技术的从图1的线II-II得到的剖视图。

[0022] 图3为根据相关技术的从图1的线III-III得到的剖视图。

[0023] 图4为根据本发明的用于IPS模式LCD设备的阵列基板的示意性平面图。

[0024] 图5为从图4的线V-V得到的剖视图。

[0025] 图6为从图4的线VI-VI得到的剖视图。

[0026] 图7为从图4的线VII-VII得到的剖视图。

[0027] 图8A至8E为显示从图4的线V-V得到的部分的制造过程的剖视图。

[0028] 图9A至9E为显示从图4的线VI-VI得到的部分的制造过程的剖视图。

[0029] 图IOA至IOE为显示从图4的线VII-VII得到的部分的制造过程的剖视图。

具体实施方式

[0030] 现在详细描述本发明的示范性实施方式,它们在附图中例示出。

[0031] 图4为根据本发明的用于IPS模式LCD设备的阵列基板的示意性平面图。在图4 中,显示图像的显示区AA和非显示区NA被限定在阵列基板101内。栅极线110和数据线 140形成在显示区AA内。栅极线110和数据线140彼此相交从而限定了像素区P。公共电极118平行于栅极线110形成。连接至栅极线和数据线110和140的薄膜晶体管(TFT)Tr 形成在每个像素区P内。TFTTr包括栅极111、栅极绝缘层(未示出)、包括有源层(未示出)和欧姆接触层(未示出)的半导体层125、源极153以及漏极155。另外,通过漏极接触孔162连接至TFT Tr的漏极155的像素电极180形成在每个像素区P内。像素电极180 包括多个条状部。具有多个条状部的公共电极120位于像素区P内且连接至公共线118。 公共电极120的条状部与像素电极180的条状部交替排列。

[0032] 栅极焊盘电极122形成在被限定在非显示区NA内的栅极焊盘区GPA内。数据焊盘电极145形成在被限定在非显示区NA内的数据焊盘区DPA内。栅极焊盘电极122和数据焊盘电极145连接至外部驱动电路(未示出)。在数据焊盘区DPA内,数据接线142用来将数据线140连接至数据焊盘电极145。在栅极焊盘区GPA内,栅极接线113用来将栅极线 110连接至栅极焊盘电极122。

[0033] 第一辅助公共线150和第二辅助公共线182形成在栅极焊盘区GPA内。第一和第二辅助公共线150和182中的每条都基本平行于数据线140。也就是说,第一和第二辅助公共线150和182中的每条都与栅极接线113相交。第一辅助公共线150具有沿栅极线110 方向的第一宽度。第二辅助公共线182重叠于第一辅助公共线150且电连接至第一辅助公共线150。第一辅助公共线150位于公共线118的一端与栅极焊盘电极122之间。第一辅助公共线150的第一宽度小于公共线118的该端与栅极焊盘电极122之间的距离。也就是说,第一辅助公共线150与公共线118和栅极焊盘电极122是间隔开的。

[0034] 第二辅助公共线182包括多条分支184。分支184重叠于公共线118的一端。分支184通过用于暴露公共线118的一端的第一接触孔164电连接至公共线118。此外,形成连接分支184的第三辅助公共线186。可以形成用于暴露第一辅助公共线150的一部分的第二接触孔166。第二接触孔166可能与第一接触孔164间隔开并且一一对应。在这种情况下,第一和第二辅助公共线150和182通过第二接触孔166彼此电连接。另外,可以形成对应于第一和第二辅助公共线150和182中每条的一端的第三接触孔167。第一和第二辅助公共线150和182也通过第三接触孔167彼此电连接。尽管图4显示了第二和第三接触孔166和167两者,但第二和第三接触孔166和167的其中之一可以省略。

[0035] 如上所述,相关技术的阵列基板中形成有对应于公共线的连接图案,用于公共线与辅助公共线之间的电连接。然而,在本发明中,电连接至第一辅助公共线150的第二辅助公共线182通过第一接触孔164电连接至公共线118。此外,通过形成连接第二辅助公共线 182的分支184的第三辅助公共线186,可克服由第一和第二辅助公共线150与182之间在第二接触孔166处的接触缺陷产生的问题。也就是说,即使在一些第二接触孔166处存在接触缺陷,由于第三辅助公共线186,也可以保持第二辅助公共线182与公共线118之间的电连接。此外,当不仅形成有第二接触孔166,还形成有第三接触孔167时,即使第二接触孔 166处存在接触缺陷,由于第三接触孔167,也可以保持第一与第二辅助公共线150和182 之间的电连接。因此,相关技术的阵列基板中的大多数电接触问题得以克服。

[0036] 第一和第二辅助公共线150和182具有基本相同的形状,以便基本完全地彼此重叠。第一和第二辅助公共线150和182通过第二和第三接触孔166和167彼此平行地电连接。因此,即使减小第一和第二辅助公共线150和182中每条的宽度,也可以减缓阻抗的增大。从而,由公共电压差异产生的问题也得以减轻。

[0037] 图5为从图4的线V-V得到的剖视图。图6为从图4的线VI-VI得到的剖视图。 图7为从图4的线VII-VII得到的剖视图。

[0038] 参照图5至7,栅极线(未示出)、公共线118、栅极111和公共电极120形成在基板101的显示区AA内。公共线118基本平行于栅极线且与栅极线间隔开。栅极111从栅极线延伸至像素区P内。公共电极120连接至公共线118且包括多个条状部。公共电极120 与公共线118形成在同一层且由相同的材料形成。然而,公共电极120可以形成在与公共线118不同的层,且可以与公共线的材料不同。例如,公共电极120可以与像素电极180形成在同一层且由相同的材料形成。

[0039] 连接至栅极线一端的栅极接线113形成在基板101的非显示区NA内。公共线118的一端延伸至非显示区NA内。也就是说,公共线118的一端位于非显示区NA内。栅极焊盘电极(未示出)形成在栅极接线113的一端。栅极接线113和栅极焊盘电极位于栅极焊盘区GPA内。

[0040] 通过沉积无机绝缘材料,在基板101的整个表面上形成栅极绝缘层122,其中基板 101的整个表面上形成有栅极线、公共线118、栅极111、公共电极120、栅极接线113和栅极焊盘电极。例如,栅极绝缘层122是由硅的氮化物或硅的氧化物形成的。

[0041] 数据线140形成在栅极绝缘层122上且在显示区AA内。数据线140与栅极线交叉以限定像素区P。包括有源层125a和欧姆接触层125b的半导体层125形成在栅极绝缘层122上。半导体层125对应于栅极111。彼此间隔开的栅极和漏极153和155形成在半导体层125上。源极153连接至数据线140。栅极111、栅极绝缘层122、半导体层125、源极153以及漏极155组成TFT Tr0

[0042] 连接至数据线140的一端的数据接线(未示出)形成在栅极绝缘层122上且在基板101的非显示区NA内。数据焊盘电极(未示出)形成在栅极绝缘层122上且在数据接线的一端处。数据接线和数据焊盘电极位于数据焊盘区内。另外,第一辅助公共线150形成在栅极绝缘层122上且在栅极焊盘区GPA内。第一辅助公共线150与栅极接线113交叉。第一辅助公共线150不与公共线118重叠。也就是说,第一辅助公共线150与公共线 118是间隔开的。

[0043] 在图5至7中,包括第一和第二图案127a和127b的半导体图案127位于数据线 140、数据接线、数据焊盘电极以及第一辅助公共线150中每个之下。半导体图案127的第一和第二图案127a和127b分别由与有源层125a和欧姆接触层125b相同的材料形成。然而,取决于制造方法,半导体图案127可以省略。

[0044] 通过沉积无机绝缘材料或涂覆有机绝缘材料,在基板101的整个表面上形成钝化层160,其中基板101的整个表面上形成有数据线140、源极和漏极153和155、数据接线、数据焊盘电极和第一辅助公共线150。用于暴露漏极155的一部分的漏极接触孔162穿过钝化层160形成。用于暴露公共线118的一端的第一接触孔164穿过钝化层160形成在非显示区NA内,并且用于暴露第一辅助公共线150的一部分且与第一接触孔164间隔开的第二接触孔166穿过钝化层160和栅极绝缘层122也形成在非显示区NA内。在图5中,第二接触孔166与第一接触孔164相邻。然而,第二接触孔166可以对应于第一辅助公共线150 的任何部分。尽管未示出,可以穿过钝化层160和栅极绝缘层122形成对应于第一辅助公共线150的至少一端的第三接触孔。第二接触孔166和第三接触孔(未示出)其中之一可以省略。

[0045] 尽管未示出,用于暴露栅极焊盘电极的栅极焊盘接触孔穿过钝化层160和栅极绝缘层122形成,且用于暴露数据焊盘电极的数据焊盘接触孔穿过钝化层160形成。另外,当公共电极形成在与公共线118不同的层上时,用于暴露公共线的一部分的公共接触孔穿过钝化层160和栅极绝缘层122形成在每个像素区P内。

[0046] 包括多个条状部的像素电极180形成在钝化层160上且在每个像素区P内。像素电极180通过漏极接触孔162接触漏极155。像素电极180的条状部与公共电极120的条状部交替排列。另一方面,当公共电极未形成在与公共线118相同的层上时,通过公共接触孔接触公共线118的公共电极形成在钝化层160上。钝化层上的公共电极也包括多个条状部,公共电极的这些条状部与像素电极180的条状部交替排列。

[0047] 通过栅极焊盘接触孔来接触栅极焊盘电极的辅助栅极焊盘电极(未示出)和通过数据焊盘接触孔来接触数据焊盘电极的辅助数据焊盘电极(未示出)形成在钝化层160上且在非显示区NA内。另外,与第一辅助公共线150重叠的第二辅助公共线182形成在钝化层160上且在栅极焊盘区GPA内。如上所述,第二辅助公共线182包括多条分支184。每条分支184对应于公共线118的一端且通过第一接触孔164接触公共线118的该端。分支从第二辅助公共线182延伸出。第二辅助公共线182通过第二和第三接触孔184和186中至少一个接触第一辅助公共线150,从而平行地电连接至第一辅助公共线150。此外,连接分支184的第三辅助公共线186形成在钝化层160上。

[0048] 在下文中,参照图8A至8E,图9A至9E以及图IOA至10E,对根据本发明的用于 IPS模式LCD设备的阵列基板的制造方法进行说明。

[0049] 图8A至8E为显示从图4的线V-V得到的部分的制造过程的剖视图。图9A至9E 为显示从图4的线VI-VI得到的部分的制造过程的剖视图。图IOA至IOE为显示从图4的线VII-VII得到的部分的制造过程的剖视图。

[0050] 参照图8A、9A和10A,在基板101上通过沉积第一金属材料形成第一金属材料层 (未示出)。第一金属材料可以包括铝(Al)、铝(Al)合金、铜(Cu)、铜(Cu)合金和铬(Cr) 的其中之一。基板101可以是透明的。通过掩模处理图案化第一金属材料层,以在显示区 AA内形成栅极线(未示出)、公共线118、栅极111和公共电极120,以及在非显示区NA内形成栅极接线113和栅极焊盘电极。掩模处理包括在第一金属材料层上涂覆光致抗蚀剂 (PR)层的步骤、曝光ra层的步骤、显影被曝光的ra层以形成ra图案的步骤、使用ra图案蚀刻第一金属材料层并剥除ra图案的步骤。如上所述,将栅极ill连接至栅极线,将公共电极120连接至公共线118。公共电极120包括多个条状部。将栅极接线113连接至栅极线,以及将栅极焊盘连接至栅极接线113。公共线118的一端延伸至非显示区NA内。

[0051] 接下来,参照图8B、9B和10B,通过沉积无机绝缘材料,在基板101的整个表面上形成栅极绝缘层122,其中基板101的整个表面上形成有栅极线、公共线118、栅极111、公共电极120、栅极接线113以及栅极焊盘电极。例如,栅极绝缘层122是由硅的氮化物(SiNx) 或二氧化硅(SiO2)形成的。

[0052] 接下来,参照图8C、9C和10C,在栅极绝缘层112上依次沉积本征非晶硅、掺杂质的非晶硅和第二金属材料以形成本征非晶硅层(未示出)、掺杂质的非晶硅层(未示出)和第二金属材料层(未示出)。然后,在第二金属层上涂覆ra材料以形成第一 ra层(未示出)。通过折射曝光掩模处理或半色调曝光掩模处理来图案化本征非晶硅层、掺杂质的非晶硅层和第二金属材料层,以在显示区AA内形成数据线140、包括有源层125a和欧姆接触层 125b的半导体层125、源极153及漏极155。折射曝光掩模处理或半色调曝光掩模处理使用掩模。掩模具有透射部分、阻挡部分和半透射部分。透射部分具有相对较高的透射率,使得通过透射部分的光可以完全地化学改变I3R层。阻挡部分完全遮蔽光。半透射部分具有狭缝结构或半透射膜,使得半透射部分具有比透射部分小且比阻挡部分大的光透射率。数据线140与栅极线交叉从而限定像素区P。半导体层125对应于栅极111。有源层125a由本征非晶硅形成。欧姆接触层125b由掺杂质的非晶硅形成。源极和漏极153和155位于半导体层125上且彼此分隔开。栅极111、栅极绝缘层122、半导体层125、源极153以及漏极155组成TFT Tr0在这种情况下,使用源极和漏极153和155作为蚀刻掩模来蚀刻欧姆接触层125b,使得有源层125a的一部分暴露。

[0053] 同时,在栅极绝缘层122上且在基板101的非显示区NA内形成连接至数据线140 的一端的数据接线(未示出)。在栅极绝缘层122上且在数据接线的一端处形成数据焊盘电极(未示出)。数据接线和数据焊盘电极位于数据焊盘区内。另外,在栅极绝缘层122上且在栅极焊盘区GPA内形成第一辅助公共线150。第一辅助公共线150与栅极接线113交叉。在数据线140、数据接线、数据焊盘电极和第一辅助公共线150中的每个之下布置包括第一和第二图案127a和127b的半导体图案127。半导体图案127的第一和第二图案127a 和127b分别由与有源层125a和欧姆接触层125b相同的材料形成。然而,取决于制造方法,可以省略半导体图案127。也就是说,如果在通过一道掩模处理图案化在栅极绝缘层上沉积的本征非晶硅层和掺杂质的非晶硅层以形成有源层和欧姆接触层之后,通过另一道掩模处理图案化有源层和欧姆接触层上的第二金属材料层以形成数据线、源极和漏极、数据接线和第一辅助公共线,可以不生成半导体层。

[0054] 接下来,参照图8D、9D和10D,在基板的101的整个表面上沉积无机绝缘材料,或涂覆有机绝缘材料以形成钝化层,其中基板101的整个表面上形成有数据线140、源极和漏极 153和155、数据接线、数据焊盘电极及第一辅助公共线150。例如,无机绝缘材料可以包括硅的氧化物和硅的氮化物之一。图案化钝化层160以形成用于暴露漏极155的一部分的漏极接触孔162。同时,在非显示区NA内,穿过钝化层160形成用于暴露公共线118的一端的第一接触孔164,且穿过钝化层160和栅极绝缘层122形成用于暴露第一辅助公共线150 的一部分且与第一接触孔164间隔开的第二接触孔166。可以穿过钝化层160和栅极绝缘层122形成对应于第一辅助公共线150的至少一端的第三接触孔(未示出)。第二接触孔 166和第三接触孔(未示出)其中之一可以省略。此外,穿过钝化层160和栅极绝缘层122 形成用于暴露栅极焊盘电极的栅极焊盘接触孔,且穿过钝化层160形成用于暴露数据焊盘电极的数据焊盘接触孔。另外,当公共电极形成在与公共线118不同的层上时,穿过钝化层 160和栅极绝缘层122在每个像素区P内形成用于暴露公共线的一部分的公共接触孔。

[0055] 接下来,参照图8E、9E和10E,在钝化层160上沉积透明导电材料,以形成透明导电材料层(未示出),其中钝化层160上形成有第一接触孔164、第二接触孔166、第三接触孔、漏极接触孔、栅极焊盘接触孔及数据焊盘接触孔。例如,透明导电材料可以包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的一种。通过掩模处理来图案化透明导电材料层,以在钝化层160上及每个像素区P内形成包括多个条状部的像素电极180。像素电极180通过漏极接触孔162接触漏极155。像素电极180的条状部与公共电极120的条状部交替排列。 同时,在钝化层160上且在非显示区NA内形成通过栅极焊盘接触孔来接触栅极焊盘电极的辅助栅极焊盘电极(未示出)和通过数据焊盘接触孔来接触数据焊盘电极的辅助数据焊盘电极(未示出)。另外,在钝化层160上且在栅极焊盘区GPA内形成与第一辅助公共线150 重叠的第二辅助公共线182。如上所述,第二辅助公共线182包括多条分支184。每条分支 184对应于公共线118的一端且通过第一接触孔164接触公共线118的该端。分支从第二辅助公共线182延伸出。第二辅助公共线182通过第二和第三接触孔184和186中的至少一个接触第一辅助公共线150,从而平行地电连接至第一辅助公共线150。此外,在钝化层 160上形成连接分支184的第三辅助公共线。另一方面,当公共电极未形成在与公共线118相同的层上时,在钝化层160上形成通过公共接触孔接触公共线118的公共电极。钝化层上的公共电极也包括多个条状部,且公共电极的条状部与像素电极180的条状部交替排列。 [0056] 在不脱离本发明精神或范围的情况下,在本发明的示范性实施方式中可进行各种修改和变化,这对于所属领域技术人员来说是显而易见的。因此,本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等同范围内的对本发明的所有修改和变化。

Claims (18)

1. 一种用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板,包括:位于基板上的多条栅极线,所述基板包括显示区和该显示区外围处的非显示区; 位于所述显示区内且平行于所述栅极线的多条公共线,每条所述公共线的一端位于所述非显示区内;多条栅极接线,每条所述多条栅极接线连接至每条所述栅极线的一端且位于所述非显示区内;位于所述栅极线、所述公共线和所述栅极接线上的栅极绝缘层; 位于所述栅极绝缘层上的多条数据线,所述多条数据线与所述多条栅极线交叉以限定所述显示区内的多个像素区;第一辅助公共线,该第一辅助公共线在所述栅极绝缘层上且位于所述非显示区内,且该第一辅助公共线与所述多条栅极接线交叉;位于所述数据线和所述第一辅助公共线上的钝化层,该钝化层包括用于暴露每条所述公共线的所述一端的第一接触孔,和用于暴露所述第一辅助公共线的一部分的第二接触孔;以及位于所述钝化层上并与所述第一辅助公共线重叠的第二辅助公共线,该第二辅助公共线通过所述第二接触孔电连接至所述第一辅助公共线,且通过所述第一接触孔电连接至每条所述公共线;其中所述第二辅助公共线具有与所述第一辅助公共线基本相同的形状,其中所述第二辅助公共线包括多条分支,其中每条分支从所述第二辅助公共线延伸至每条所述公共线的所述一端处,且通过所述第一接触孔连接至每条所述公共线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,还包括:位于每个所述像素区内且连接至所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括位于所述基板上的栅极、位于所述栅极绝缘层上的半导体层以及位于所述半导体层上的源极和漏极;像素电极,该像素电极连接至所述薄膜晶体管的所述漏极且包括多个条状部; 公共电极,该公共电极连接至所述公共线且包括多个条状部;以及多条数据接线,每条所述数据接线连接至每条所述数据线的一端; 其中所述像素电极的条状部与所述公共电极的条状部交替排列。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极形成在与所述公共线和所述像素电极其中之一相同的层上。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极形成在所述钝化层上且由一种透明导电材料形成。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二辅助公共线由与所述像素电极相同的材料形成。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,还包括:数据焊盘电极,该数据焊盘电极位于所述栅极绝缘层上且连接至所述数据接线;以及辅助数据焊盘电极,该辅助数据焊盘电极位于所述钝化层上且电连接至所述数据焊盘电极。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,还包括连接所述多条分支的第三辅助公共线。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层还包括用于暴露所述第一辅助公共线的一端的第三接触孔,使得所述第二辅助公共线通过该第三接触孔电连接至所述第一辅助公共线。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一辅助公共线由与所述数据线相同的材料形成。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,还包括:栅极焊盘电极,该栅极焊盘电极位于所述基板上且连接至所述栅极接线;以及辅助栅极焊盘电极,该辅助栅极焊盘电极位于所述钝化层上且电连接至所述栅极焊盘电极。
11. 一种用于面内切换模式液晶显示设备的阵列基板的制造方法,包括如下步骤:在基板上形成多条栅极线、多条公共线和多条栅极接线,所述基板包括显示区和位于该显示区外围处的非显示区,所述多条公共线位于所述显示区内且平行于所述栅极线,每条所述公共线的一端位于所述非显示区内,每条所述栅极接线连接至每条所述栅极线的一端且位于所述非显示区内;在所述栅极线、所述公共线和所述栅极接线上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成多条数据线和第一辅助公共线,所述多条数据线与所述多条栅极线交叉以限定所述显示区内的多个像素区,所述第一辅助公共线位于所述非显示区内且与所述多条栅极接线交叉;在所述数据线和所述第一辅助公共线上形成钝化层,该钝化层包括用来暴露每条所述公共线的所述一端的第一接触孔和用来暴露所述第一辅助公共线的一部分的第二接触孔; 以及在所述钝化层上形成与所述第一辅助公共线重叠的第二辅助公共线,该第二辅助公共线通过所述第二接触孔电连接至所述第一辅助公共线,且通过所述第一接触孔电连接至每条所述公共线,其中所述第二辅助公共线具有与所述第一辅助公共线基本相同的形状,其中所述第二辅助公共线包括多条分支,其中每条分支从所述第二辅助公共线延伸至每条所述公共线的所述一端,且通过所述第一接触孔连接至每条所述公共线。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,形成所述栅极线的步骤包括形成连接至所述栅极线的栅极,形成所述数据线的步骤包括形成对应于所述栅极的半导体层,在所述半导体层上形成彼此间隔开的源极和漏极,以及形成连接至所述数据线的数据接线,以及形成所述第二辅助公共线的步骤包括在每个所述像素区内形成连接至所述漏极的像素电极,其中所述像素电极包括多个条状部。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,形成所述栅极线的步骤和形成所述第二辅助公共线的步骤其中之一还包括形成连接至所述公共线且包括多个条状部的公共电极,其中所述像素电极的多个条状部与所述公共电极的多个条状部交替排列。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述像素电极和所述第二辅助公共线均由一种透明导电材料形成。
15.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,形成所述数据线的步骤还包括形成连接至所述数据接线的数据焊盘电极,且形成所述第二辅助公共线的步骤还包括形成连接至所述数据焊盘电极的辅助数据焊盘电极。
16.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,形成所述第二辅助公共线的步骤包括形成连接所述多条分支的第三辅助公共线。
17.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述钝化层还包括用于暴露所述第一辅助公共线的一端的第三接触孔,使得所述第二辅助公共线通过所述第三接触孔电连接至所述第一辅助公共线。
18.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,形成所述栅极线的步骤包括在所述基板上形成连接至所述栅极接线的栅极焊盘电极,且形成所述第二辅助公共线的步骤包括在所述钝化层上形成电连接至所述栅极焊盘电极的辅助栅极焊盘电极。
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