TWI406073B - 畫素結構 - Google Patents

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Description

畫素結構
本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種可提升顯示品質的畫素結構。
市場對於液晶顯示面板的性能要求是朝向高對比(high contrast ratio)、無灰階反轉(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(high luminance)、高色彩豐富度、高色彩飽和度、快速反應與廣視角等特性。目前，能夠達成廣視角要求的技術有扭轉向列型(twist nematic,TN)液晶加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換型(in-plane switching,IPS)液晶顯示面板、邊際場切換型(fringe field switching)液晶顯示面板、多域垂直配向型(multi-domain vertically alignment，MVA)液晶顯示面板等方式。
習知之多域垂直配向式液晶顯示面板是利用配向結構(alignment structure)的配置以令不同區域內的液晶分子以不同角度傾倒，而達到廣視角的功效。配向結構包括有配向凸塊(alignment protrusion)以及設置於電極上的配向狹縫(alignment slit)。然而，配向凸塊與配向狹縫周邊液晶分子的傾倒方向往往不明確(disclination)，而造成漏光或產生黑紋現象的情形，進一步使得液晶顯示面板的顯示對比降低。若為了遮蔽漏光或黑紋現象的情形而配置對應於配 向凸塊或配向狹縫的遮光層，又會使顯示開口率受到限制。
因此，如何在畫素結構之廣視角需求以及開口率之間取得平衡，實為目前提升畫素結構之顯示品質亟待克服的課題之一。
本發明提供一種畫素結構，其具有高開口率。
本發明提供一種畫素結構，其可降低顯示時的不連續現象，獲得良好的顯示品質。
本發明提出一種畫素結構，其包括基板、掃描線、第一資料線以及第一畫素單元。掃描線以及第一資料線配置於基板上。第一畫素單元包括第一主動元件以及第一畫素電極。第一主動元件與掃描線以及第一資料線電性連接。 第一畫素電極與第一主動元件電性連接，第一畫素電極具有一大體平行掃描線的條狀圖案以及與條狀圖案電性連接的多個分支，條狀圖案的一側與延伸於掃描線的分支連接，而條狀圖案的另一側與掃描線部分重疊，其中條狀圖案與掃描線的重疊寬度係為條狀圖案之寬度的40%~90%。
在本發明之一實施例中，上述之分支與第一資料線例如在基板上的投影係彼此分離，且第一畫素電極與第一資料線具有一間距。
在本發明之一實施例中，上述之第一畫素電極更具有一主幹部以及一支部，主幹部平行於第一資料線，支部平 行於掃描線，主幹部與支部將第一畫素單元劃分為四個領域，分支自主幹部以及支部分的交叉處往周圍延伸，其中每一領域中的分支彼此大體平行。
在本發明之一實施例中，上述之第一畫素單元可更包括儲存電容結構，儲存電容結構包括下電容電極以及上電容電極，其中上電容電極位於下電容電極上方，上電容電極與第一畫素電極為同一膜層，主幹部與上電容電極分離，且上電容電極透過鄰近資料線之周邊的其中之一分支而與第一畫素電極連接。
在本發明之一實施例中，上述之畫素結構可更包括一彩色濾光層，位於第一主動元件與第一畫素電極之間，彩色濾光層具有一個開口，大體位於第一畫素電極之主幹部與支部的交叉處第一畫素電極係經由開口與第一主動元件電性連接。此時，第一畫素單元可更包括一接觸圖案，位於主幹部與支部的交叉處，並與第一主動元件的一汲極連接，而第一畫素電極係經由開口與接觸圖案連接，且第一畫素電極例如是以全領域的型態覆蓋接觸圖案。或者，部分分支與接觸圖案之間例如為至少部分重疊。
在本發明之一實施例中，上述之畫素結構可更包括第二畫素單元以及第二資料線，第二畫素單元包括第二主動元件以及第二畫素電極。第二主動元件與掃描線以及第二資料線電性連接。第二畫素電極與第二主動元件電性連接，第二畫素電極具有多個分支，且分支延伸至第一資料線與第二資料線上方並跨越資料線。
在本發明之一實施例中，上述之第一畫素單元與第二畫素單元例如位於第一資料線與第二資料線之間。
在本發明之一實施例中，上述之第二畫素電極更具有一大體平行掃描線的條狀圖案，第二畫素電極之條狀圖案的一側與延伸於掃描線的第二畫素電極之分支連接，而第二畫素電極之條狀圖案的另一側與掃描線部分重疊。詳細而言，上述之第二畫素電極之條狀圖案與掃描線的重疊寬度係為第二畫素電極之條狀圖案的寬度的40%~90%。
在本發明之一實施例中，上述之第一畫素電極之分支與相鄰資料線在基板上的投影彼此分離，第一畫素電極與相鄰資料線之間具有一間距。具體而言，上述之間距的範圍實質上為1.5微米至15微米。
本發明提出一種畫素結構，其包括基板、掃描線、第一資料線、第二資料線、第一畫素單元以及第二畫素單元。掃描線、第一資料線以及第二資料線，配置於基板上。第一畫素單元位於第一資料線與第二資料線之間，第一畫素單元包括第一主動元件以及第一畫素電極。第一主動元件與掃描線以及第一資料線電性連接。第一畫素電極與第一主動元件電性連接，第一畫素電極具有多個分支，分支自第一畫素結構的中央往周圍延伸，分支與相鄰資料線在基板上的投影範圍彼此分離，且第一畫素電極與相鄰資料線之間具有一間距。第二畫素單元位於第一資料線與第二資料線之間，且第二畫素單元包括第二主動元件以及第二畫素電極。第二主動元件與掃描線以及第二資料線電性連 接。第二畫素電極與第二主動元件電性連接，第二畫素電極具有多個分支，且分支延伸至第一資料線與第二資料線的上方並跨越資料線。
在本發明之一實施例中，上述之畫素結構更包括一彩色濾光層，其位於第一主動元件與第一畫素電極之間，以及位於第二主動元件以及第二畫素電極之間。
本發明提出一種畫素結構，其包括基板、掃描線、第一資料線、第一畫素單元以及彩色濾光層。其中，掃描線與第一資料線配置於基板上。第一畫素單元位於第一資料線與第二資料線之間，且第一畫素單元包括第一主動元件以及第一畫素電極。第一主動元件與掃描線以及第一資料線電性連接。第一畫素電極與第一主動元件電性連接，第一畫素電極具有多個分支、一主幹部以及一支部，其中主幹部平行於資料線，分支自主幹部以及支部分的交叉處往周圍延伸，其中每一領域中的分支彼此大體平行。彩色濾光層位於第一主動元件與第一畫素電極之間，彩色濾光層具有一個開口，大體位於第一畫素電極之主幹部與支部的交叉處第一畫素電極係經由開口與第一主動元件電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之第一畫素結構更包括一接觸圖案，其位於主幹部與支部的交叉處，並與第一主動元件的一汲極連接，而第一畫素電極係經由開口與接觸圖案連接，且第一畫素電極以全領域的型態覆蓋接觸圖案。
在本發明之一實施例中，上述之第一畫素結構更包括 一接觸圖案，其位於主幹部與支部的交叉處，並第一主動元件的一汲極連接，在第一畫素單元中，第一畫素電極經由開口與接觸圖案連接，且部分分支與接觸圖案至少部分重疊。
本發明提出一種畫素結構，其包括基板、掃描線、第一資料線以及第一畫素單元。掃描線與第一資料線配置於基板上。第一畫素單元位於第一資料線與第二資料線之間，第一畫素單元包括第一主動元件、第一畫素電極以及儲存電容結構，其中第一主動元件與掃描線的其中之一以及資料線的其中之一電性連接。第一畫素電極與第一主動元件電性連接，第一畫素電極具有多個分支、一主幹部以及一支部，其中主幹部平行於資料線，分支自主幹部以及支部分的交叉處往周圍延伸，其中每一領域中的分支彼此大體平行。儲存電容結構包括下電容電極以及上電容電極，其中上電容電極位於下電容電極上方，其中上電容電極與第一畫素電極為同一膜層，主幹部與上電容電極分離，且上電容電極透過鄰近資料線之周邊的分支而與第一畫素電極連接。
基於上述，藉由適當控制畫素結構中畫素電極的條狀圖案與掃描線重疊寬度之間的比例關係，可以降低畫素結構在顯示時的漏光現象，提升開口率。在一實施例中，藉由控制畫素電極在彩色濾光層之開口處附近的設計型態，可以抑制畫素結構在用以顯示時，液晶分子在該處傾倒方向不明確(disclination)的現象。在一實施例中，由於上電容 電極是透過鄰近資料線之周邊的分支而與畫素電極連接，同樣可以得到較佳的顯示品質。此外，在另一實施例中，利用將畫素結構之第二畫素單元的畫素電極的分支延伸至相鄰資料線上方並跨越該些資料線，同樣可以得到較佳的顯示品質。因此，藉由上述手段，在利用本發明之畫素結構進行顯示時，可一一消除出現於畫素結構各區域的黑紋現象，降低漏光、提升開口率、抑制不明確(disclination)等現象，提供高品質化的顯示。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本發明提出一種畫素結構，其分別針對畫素結構在顯示時容易產生液晶分子傾倒不明確之處，一一進行位於該處各組成構件的改良，例如畫素電極的設計型態、畫素電極與掃描線之間的配置關係、主畫素單元與次畫素單元之畫素電極與資料線之間的配置關係、上電容電極與畫素電極之間的連接關係、或是畫素電極在彩色濾光層之開口處附近的設計型態等，透過畫素結構中各構件彼此的相對關係或是堆疊處的設計態樣，以將可能出現於顯示畫面的不明確(disclination)現象一一消除，達到降低漏光、提升開口率、提高顯示品質的效果。以下將分別列舉一些實施例搭配圖式詳細說明本發明之畫素結構。
第一實施例
圖1為本發明第一實施例之畫素結構的示意圖。請參照圖1，畫素結構200設置於一基板202上，以於基板202上定義出複數個畫素區P，其中為了清楚說明畫素結構200中的相關構件，在圖1中僅示意性地繪示出位於一個畫素區P中的畫素結構200作為代表進行說明。
請參照圖1，畫素結構200包括配置於基板202上的掃描線210、第一資料線220以及第一畫素單元230A。在本實施例中，第一畫素單元230A包括第一主動元件232A以及第一畫素電極234A，其中第一主動元件232A與掃描線210以及第一資料線220電性連接。第一畫素電極234A與第一主動元件232A電性連接，第一畫素電極234A具有一大體平行掃描線210的條狀圖案240以及與條狀圖案240電性連接的多個分支242，條狀圖案240的一側240S1與延伸於掃描線210的分支242連接，而條狀圖案240的另一側240S2與掃描線210部分重疊，特別的是，條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度係為條狀圖案240之寬度的40%~90%。藉此，可使畫素結構200的顯示達到較佳化。
詳細而言，圖2A為圖1之畫素結構中A處的局部放大圖，而圖2B為圖2A之剖面示意圖。請參照圖2A與圖2B，第一畫素電極234A之分支242之間構成狹縫280。如圖2A與2B所示，令條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度為W1、且條狀圖案240未與掃描線210重疊的寬度 為W2，其中條狀圖案240的寬度W則為W1與W2的總和，在本實施例中，條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度W1係為條狀圖案240之寬度W的40%~90%，其中該條狀圖案240與該掃描線210的重疊寬度W1例如實質上為1.5um至3.5um。當畫素結構200應用於超高開口率型(ultra high aperture)的設計時，W1與W2較佳的比例為4比1，亦即W1/W例如為80%，可以充分降低漏光現象。另一方面，當畫素結構200應用於彩色濾光膜直接整合於薄膜電晶體陣列基板(Color Filter on Array,COA)或黑矩陣製作於薄膜電晶體陣列基板上(Black matrix on Array,BOA)的設計時，W1與W2較佳的比例為1比1時，亦即W1/W例如為50%，可以充分降低漏光現象，進而得到較佳化的顯示品質。
以彩色濾光膜直接整合於薄膜電晶體陣列基板為例，圖2B為沿圖2A之BB’剖面線之一種剖面示意圖。請參照圖2B，畫素結構200更包括一彩色濾光層250，其中彩色濾光層250位於第一畫素電極234A以及掃描線210之間。條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度W1與條狀圖案240未與掃描線210重疊的寬度W2例如分別為2.5微米。此外，值得一提的是，如圖1所示，在本實施例中，分支242與第一資料線220例如在基板202上的投影係彼此分離，且第一畫素電極234A與第一資料線220具有一間距S，其中間距S的範圍至少為3微米，較佳例如為3微米至9微米。
因此，本發明第一實施例的畫素結構200是利用適當控制條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度W1與條狀圖案240之寬度的比例關係來達到減少漏光、增加開口率以及提升顯示品質的效果。
當然，設計者亦可依據產品實際需求而以第一實施例之畫素結構併用下述實施例之部分或全部技術，以更進一步增強畫素結構用以顯示時的顯示效果。亦或者，設計者亦可僅選用下述實施例中的任一種技術，即具有改善顯示時的不明確現象以及提升顯示品質的功效。
第二實施例
圖3為本發明之第二實施例之一種畫素結構的局部放大示意圖。請參照圖3，在本實施例之畫素結構300中，第一畫素單元330A與第一實施例之第一畫素單元230A類似，惟本實施例之第一畫素單元330A更包括一儲存電容結構260。
具體而言，如圖3所示，第一畫素電極234A具有一平行於第一資料線220的主幹部310以及平行於掃描線210的支部320。主幹部310與支部320將第一畫素單元330A劃分為四個領域R1、R2、R3、R4，多個分支242自主幹部310以及支部320分的交叉處往周圍延伸，而將畫素單元劃分為四個領域R1、R2、R3、R4，且每一領域R1、R2、R3、R4中的分支242彼此大體平行。當利用此畫素結構300進行顯示時，位於第一畫素單元330A上方的液 晶分子可朝四個不同的方向分別作不同程度的傾倒，進而達到廣視角的顯示效果。當然，本發明並不用以限定每一畫素單元被劃分的領域R1、R2、R3、R4數量，可依據產品需求來設計第一畫素電極234A的主幹部310以及支部320的型態與數量。
值得注意的是，本實施例之畫素結構300還可以進一步包括儲存電容結構260，其中儲存電容結構260包括下電容電極260B以及上電容電極260U。由上視圖來看，第一畫素電極234A位於下電容電極260B以及掃描線210之間。並且，如圖3，上電容電極260U位於下電容電極260B上方，其中上電容電極260U與第一畫素電極234A為同一膜層，亦即，上電容電極260U與第一畫素電極234A可以由相同的材料所組成，且可經由同一道光罩製程進行製作。值得注意的是，由於主幹部310與上電容電極260U連結處較易在顯示畫面上產生不明確的現象，因此在本實施例中，如圖3所示，將主幹部310與上電容電極260U分離，如圖中之B處，而上電容電極260U則是透過鄰近資料線之周邊的分支242而與第一畫素電極234A連接，如圖中之C處，換言之，上電容電極260U與第一畫素電極234A的連結處是位於第一畫素電極234A的角落處。因此，利用畫素結構300進行顯示時可以獲得較佳的顯示效果。
值得一提的是，在本實施例中，畫素結構300主要利用畫素單元中畫素電極與儲存電容結構260之上電容電極 260U之間的適當連接關係即可達到減少漏光、增加開口率以及提升顯示品質的效果。雖然在本實施例之畫素結構300中，是以第二實施例之技術併用第一實施例之技術的方式進行說明，但設計者亦可視需求而單獨地利用上電容電極260U透過鄰近資料線之周邊的分支242而與畫素電極連接的方式來實現消除顯示時的不明確現象、提升顯示品質的效果，本發明並不限定畫素結構需搭配第一實施例之條狀圖案，端視產品需求而定。
第三實施例
圖4A為本發明第三實施例中一種畫素結構的上視圖，而圖4B為圖4A之畫素結構的局部放大示意圖。請參照圖4A與圖4B，本實施例之畫素結構400與前述實施例類似，惟本實施例之畫素結構400的第一畫素單元430A中更包括一位於第一主動元件232A與第一畫素電極234A之間的彩色濾光層250，為清楚說明，將彩色濾光層250自圖4A之左側抽離而單獨繪示於圖4A之右側。
請參照圖4A與圖4B，在本實施例中，畫素結構400屬於彩色濾光膜直接整合於薄膜電晶體陣列基板的畫素結構400。如圖4A與圖4B所示，彩色濾光層250具有一個開口H，此開口H大體位於第一畫素電極234A之主幹部310與支部320的交叉處X，且第一畫素電極234A係經由開口H與第一主動元件232A電性連接，更詳細來說，第一畫素電極234A是經由開口H而與位於主幹部310與支 部320的交叉處X的接觸圖案410電性連接。
為清楚說明，以下藉由局部放大主幹部310與支部320的交叉處X來進行詳細說明。
更具體而言，圖5A為圖4A之畫素結構中第一畫素電極經由彩色濾光層之開口而與第一主動元件電性連接的一種局部放大示意圖。請參照圖5A與圖4A，第一畫素單元430A可更包括一位於主幹部310與支部320的交叉處X的接觸圖案410，其中接觸圖案410與第一主動元件232A的汲極232D連接。詳言之，此接觸圖案410例如是自第一主動元件232A的汲極232D而延伸至彩色濾光層250之開口H下方的圖案，而第一畫素電極234A係經由開口H與接觸圖案410連接，特別的是，第一畫素電極234A以全領域的型態覆蓋接觸圖案410。更詳細而言，所謂全領域的型態係指第一畫素電極234A在基板202上的投影涵蓋接觸圖案410，如圖5A所示，第一畫素電極234A是以整片的型態覆蓋在接觸圖案410的上方。自上視圖觀看此畫素結構400時，接觸圖案410位於第一畫素電極234A的涵蓋範圍內，且接觸圖案410之邊緣與第一畫素電極234A之狹縫之間仍相隔一間距D，其中間距D例如為1微米至6微米之間。
當然，第一畫素電極經由彩色濾光層之開口而與第一主動元件電性連接方式除了除5A所示的型態，亦可如圖5B所示的佈局型態，圖5B繪示畫素結構中第一畫素電極經由彩色濾光層之開口而與第一主動元件電性連接的另一 種局部放大示意圖。請參照圖5B，特別的是，第一畫素電極234A的部分分支242與接觸圖案410之間為至少部分重疊的設置型態。更詳細而言，如圖5B所示，第一畫素電極234A的部分分支242會延伸至接觸圖案410的上方，使得分支242之間所構成的狹縫430直接位於接觸圖案410的上方。值得一提的是，將第一畫素電極234A之分支242如圖5A或圖5B的型態而大體佈局於彩色濾光層250之開口H附近，可以將容易發生於彩色濾光層250(繪示於圖4B)之開口H與第一畫素電極234A連結處的不明確現象充分消除，使其減輕至觀察者無法辨別的程度，或者完全消除，因此利用畫素結構400作顯示時可以提高較佳的顯示品質。
值得一提的是，雖然在本實施例之畫素結構400中，是以併用前述實施例之技術的方式進行說明，但設計者亦可視產品需求而單獨採本實施例之藉由控制畫素電極在彩色濾光層之開口處附近的設計型態來實現消除顯示時的不明確現象、提升顯示品質的效果，本發明不以此為限。
第四實施例
圖6為本發明第四實施例之一種畫素結構的上視圖以及其局部放大示意圖。請參照圖6，在本實施例中，畫素結構500除了前述的掃描線、第一資料線以及第一畫素單元之外。在本實施例中，畫素結構500更包括第二畫素單元530B以及第二資料線520，如圖6所示，畫素結構500 包括第一畫素單元530A與第二畫素單元530B，其中第一畫素單元530A與第二畫素單元530B位於第一資料線220與第二資料線520之間。詳言之，在畫素結構500中，第二主動元件532B與第一主動元件232A電性連接於相同的掃描線210，而第二主動元件532B與第一主動元件232A電性則分別連接於不同的資料線。
請參照圖6，第二畫素單元530B包括第二主動元件532B以及第二畫素電極534B，其中第二主動元件532B與掃描線210以及第二資料線520電性連接，而第二畫素電極534B與第二主動元件532B電性連接。特別的是，如放大圖所示，第二畫素電極534B具有多個分支242，且分支242延伸至第一資料線220與第二資料線520上方並跨越資料線。
更詳細而言，圖7A與圖7B為分別沿著圖6之畫素結構之AA剖面線與BB剖面線之剖面示意圖。請先參照圖7A，在本實施例之第一畫素單元530A中，第一畫素電極234A的分支242與第一資料線220在基板202上的投影係彼此分離，且第一畫素電極234A與第一資料線220具有一間距S，而此間距S的範圍至少為3_微米，較佳例如為3微米至9微米。接著，請參照圖7B，在第二畫素單元530B中，第二畫素電極534B具有多個分支242，且分支242延伸至第一資料線220與第二資料線520上方並跨越資料線，換言之，第二畫素電極534B的分支242自第二資料線520上方的一側延伸至該資料線上方的相對側，在一實 施例中，第二畫素電極534B的分支242自第二資料線520的凸出量L例如為2微米。
值得一提的是，當應用本實施例之畫素結構500來進行顯示時，第一畫素單元530A作為主顯示單元，而第二畫素單元530B作為次顯示單元，如此，可以消除第二畫素電極534B鄰近資料線處的不明確現象，使其減輕至觀察者無法辨別的程度，或者完全消除。值得一提的是，第二畫素單元530B是作為次顯示單元，其操作灰階通常較低，因此即使第二畫素電極534B的分支242跨越第二資料線520上方並無訊號相互干擾的疑慮，換言之，以此畫素結構500進行顯示時具有較佳的顯示品質。
雖然在本實施例之畫素結構500中，是以併用前述實施例之技術的方式進行說明，但設計者亦可視產品需求而單獨採本實施例之利用將第二畫素單元的第二畫素電極的分支延伸至相鄰資料線上方並跨越該些資料線的方式來實現消除顯示時的不明確現象、提升顯示品質的效果，本發明不以此為限。
當然，本實施例之第二畫素電極534B可以採用描述於第一實施例中之第一畫素電極234A的配置方式，以進一步消除顯示時的不明確現象。詳言之，圖8A為圖6所繪示畫素結構之另一種的局部放大示意圖而圖8B為圖8A沿BB’剖面線的剖面示意圖。請參照圖8A與圖8B，第二畫素電極534B之分支242之間構成狹縫430。如圖8A與圖8B所示，第二畫素電極534B也可以具有一大體平行掃 描線210(繪示於圖6)的條狀圖案240，在本實施例中，第二畫素電極534B之條狀圖案240的一側可與延伸於掃描線210的第二畫素電極534B之分支242連接，而第二畫素電極534B之條狀圖案240的另一側與掃描線210部分重疊。詳細而言，第二畫素電極534B之條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度係為第二畫素電極534B之條狀圖案240的寬度的40%~90%，其中條狀圖案240與該掃描線210的重疊寬度W1實質上為1.5um至15um。換言之，令條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度為W1、而令條狀圖案240未與掃描線210重疊的寬度為W2，其中條狀圖案240的寬度W則為W1與W2的總和。當畫素結構500應用於超高開口率型(ultra high aperture)的設計時，W1與W2較佳的比例為4比1，可以充分降低漏光現象。另一方面，當畫素結構500應用於彩色濾光膜直接整合於薄膜電晶體陣列基板(Color Filter on Array,COA)或黑矩陣製作於薄膜電晶體陣列基板上(Black matrix on Array,BOA)的設計時，W1與W2較佳的比例為1比1時，可以充分降低漏光現象，進而得到較佳化的顯示品質。在一實施例中，條狀圖案240與掃描線210的重疊寬度W1與條狀圖案240未與掃描線210重疊的寬度W2例如分別為2.5微米。
綜上所述，本發明之畫素結構具有下列優點的至少其中之一或全部：
(一)本發明因在藉由適當控制畫素結構中畫素電極的條狀圖案與掃描線重疊寬度之間的比例關係，可以降低 畫素結構在顯示時的漏光現象，進而提升開口率。
(二)本發明藉由控制畫素電極在彩色濾光層之開口處附近的設計型態，可以抑制畫素結構在用以顯示時，液晶分子在該處傾倒方向不明確(disclination)的現象。
(三)本發明之上電容電極是透過鄰近資料線之周邊的分支而與第一畫素電極連接，因此可以抑制畫素結構在用以顯示時，液晶分子在該處傾倒方向不明確(disclination)的現象，進而獲得較佳的顯示品質。
(四)本發明將畫素結構之第二畫素單元的畫素電極的分支延伸至相鄰資料線上方並跨越該些資料線，因此可以抑制畫素結構在用以顯示時，液晶分子在該處傾倒方向不明確(disclination)的現象，進而提供高品質化的顯示。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200、300、400、500‧‧‧畫素結構
202‧‧‧基板
210‧‧‧掃描線
220‧‧‧第一資料線
230A、330A、530A‧‧‧第一畫素單元
232A‧‧‧第一主動元件
232D‧‧‧汲極
234A‧‧‧第一畫素電極
220‧‧‧第一資料線
240‧‧‧條狀圖案
240S1、240S2‧‧‧條狀圖案的一側
242‧‧‧分支
250‧‧‧彩色濾光層
260‧‧‧儲存電容結構
260B‧‧‧下電容電極
260U‧‧‧上電容電極
280、430‧‧‧狹縫
310‧‧‧主幹部
320‧‧‧支部
410‧‧‧接觸圖案
520‧‧‧第二資料線
530B‧‧‧第二畫素單元
532B‧‧‧第二主動元件
H‧‧‧開口
L‧‧‧凸出量
S‧‧‧間距
P‧‧‧畫素區
R1、R2、R3、R4‧‧‧領域
W1‧‧‧重疊寬度
W2‧‧‧未重疊寬度為
W‧‧‧條狀圖案的寬度
X‧‧‧交叉處
圖1為本發明第一實施例之畫素結構的示意圖。
圖2A為圖1中之畫素結構的局部放大圖。
圖2B為圖2A之剖面示意圖。
圖3為本發明之第二實施例之一種畫素結構的局部放大示意圖。
圖4A為本發明第三實施例中一種畫素結構的上視 圖。
圖4B為圖4A之畫素結構的局部放大示意圖。
圖5A為圖4A之畫素結構中第一畫素電極經由彩色濾光層之開口而與第一主動元件電性連接的一種局部放大示意圖。
圖5B為圖4A之畫素結構中第一畫素電極經由彩色濾光層之開口而與第一主動元件電性連接的另一種局部放大示意圖。
圖6為本發明第四實施例之一種畫素結構的上視圖以及其局部放大示意圖。
圖7A與圖7B為分別沿著圖6之畫素結構之AA剖面線與BB剖面線之剖面示意圖。
圖8A與圖8B分別為圖6所繪示畫素結構之另一種的局部放大示意圖及其剖面示意圖。
202‧‧‧基板
210‧‧‧掃描線
220‧‧‧第一資料線
232A‧‧‧第一主動元件
220‧‧‧第一資料線
242‧‧‧分支
310‧‧‧主幹部
320‧‧‧支部
500‧‧‧畫素結構
520‧‧‧第二資料線
530A‧‧‧第一畫素單元
530B‧‧‧第二畫素單元
532B‧‧‧第二主動元件

Claims (6)

  1. 一種畫素結構，包括：一基板；一掃描線、一第一資料線以及一第二資料線，配置於該基板上；以及一第一畫素單元，位於該第一資料線與該第二資料線之間，該第一畫素單元包括：一第一主動元件，與該掃描線以及該第一資料線電性連接；以及一第一畫素電極，與該第一主動元件電性連接，該第一畫素電極具有多個分支，該些分支自該第一畫素結構的中央往周圍延伸，該些分支與相鄰資料線在該基板上的投影範圍彼此分離，且該第一畫素電極與相鄰資料線之間具有一間距；以及一第二畫素單元，位於該第一資料線與該第二資料線之間，包括：一第二主動元件，與該掃描線以及該第二資料線電性連接；以及一第二畫素電極，與該第二主動元件電性連接，該第二畫素電極具有多個分支，且該些分支延伸至該第一資料線與該第二資料線的上方並跨越該些資料線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，更包括一彩色濾光層，位於該第一主動元件與該第一畫素電極之 間，以及位於該第二主動元件以及該第二畫素電極之間。
  3. 一種畫素結構，包括：一基板；一掃描線、一第一資料線，配置於該基板上；以及一第一畫素單元，位於該第一資料線與該第二資料線之間，該第一畫素單元包括：一第一主動元件，與該掃描線以及該第一資料線電性連接；以及一第一畫素電極，與該第一主動元件電性連接，該第一畫素電極具有多個分支、一主幹部以及一支部，其中該主幹部平行於該資料線，該些分支自該主幹部以及該支部分的交叉處往周圍延伸，其中每一領域中的該些分支彼此大體平行；以及一彩色濾光層，位於該第一主動元件與該第一畫素電極之間，該彩色濾光層具有一個開口，大體位於該第一畫素電極之該主幹部與該支部的交叉處，該第一畫素電極係經由該開口與該第一主動元件電性連接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之畫素結構，其中該第一畫素結構更包括一接觸圖案，位於該主幹部與該支部的交叉處，並與該第一主動元件的一汲極連接，而該第一畫素電極係經由該開口與該接觸圖案連接，且該第一畫素電極以全領域的型態覆蓋該接觸圖案。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之畫素結構，其中該第一畫素結構更包括一接觸圖案，位於該主幹部與該支部的 交叉處，並該第一主動元件的一汲極連接，在該第一畫素單元中，該第一畫素電極經由該開口與該接觸圖案連接，且部分該些分支與該接觸圖案至少部分重疊。
  6. 一種畫素結構，包括：一基板；一掃描線、一第一資料線，配置於該基板上；以及一第一畫素單元，位於該第一資料線與該第二資料線之間，該第一畫素單元包括：一第一主動元件，與該掃描線以及該第一資料線電性連接；以及一第一畫素電極，與該第一主動元件電性連接，該第一畫素電極具有多個分支、一主幹部以及一支部，其中該主幹部平行於該資料線，該些分支自該主幹部以及該支部分的交叉處往周圍延伸，其中每一領域中的該些分支彼此大體平行；一儲存電容結構，該儲存電容結構包括：一下電容電極；以及一上電容電極，位於該下電容電極上方，其中該上電容電極與該第一畫素電極為同一膜層，該主幹部與該上電容電極分離，且該上電容電極透過鄰近資料線之周邊的該些分支而與該第一畫素電極連接。
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