KR20220077323A - 표시 장치 - Google Patents

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방기호
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Abstract

발열 발생 위험과 소비전력을 줄일 수 있는 표시 장치가 개시된다. 표시 장치는, 데이터 배선, 수직 전달 배선 및 수평 전달 배선을 포함한다. 데이터 배선은 상부 표시 영역과 하부 표시 영역으로 구분되는 표시 영역 상에 제1 방향으로 연장되고 제2 방향으로 배열되고, 복수의 픽셀들에 연결된다. 수직 전달 배선은 표시 영역 상에 데이터 배선에 평행하게 형성되고, 표시 영역의 상측에서 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 수신하여 픽셀에 전달하고, 표시 영역의 하측에서 데이터 전압을 수신한다. 수평 전달 배선은 표시 영역 상에 제2 방향으로 연장되고 제1 방향으로 배열되되, 하부 표시 영역에서 수직 전달 배선 및 데이터 배선 각각에 연결되어 데이터 전압을 데이터 배선에 전달한다. 이에 따라, 경계 감소 구조(BRS, Boader Reduction Structure)와 표시 영역내 저전압 전원 배선(EOA, ELVSS On Active) 구조를 조합하여 표시 영역 내에 구성함으로써, 전원 배선부의 설계 공간을 확보하여 주변 영역의 폭을 줄일 수 있다. 따라서, 발열 발생 위험을 줄일 수 있고, 소비전력이 증가하는 것을 차단할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발열 발생 위험과 소비전력을 줄일 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함한다. 여기서, 상기 주변 영역의 폭을 줄이기 위한 노력이 있어서 왔다.
0001)한국공개특허 제2020-0031194호(2020. 03. 24.) 0002)한국공개특허 제2020-0010697호(2020. 01. 31.)
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에 착안한 것으로, 본 발명의 목적은 표시 영역 내에 팬아웃 배선과 저전압 전원 배선을 형성하여 주변 영역의 폭을 줄여 발열 발생 위험과 소비전력을 줄일 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 일실시예에 따른 표시 장치는, 데이터 배선, 수직 전달 배선 및 수평 전달 배선을 포함한다. 상기 데이터 배선은 상부 표시 영역과 하부 표시 영역으로 구분되는 표시 영역 상에 제1 방향으로 연장되고 제2 방향으로 배열되고, 복수의 픽셀들에 연결된다. 상기 수직 전달 배선은 상기 표시 영역 상에 상기 데이터 배선에 평행하게 형성되고, 상기 표시 영역의 상측에서 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 수신하여 상기 픽셀에 전달하고, 상기 표시 영역의 하측에서 데이터 전압을 수신한다. 상기 수평 전달 배선은 상기 표시 영역 상에 제2 방향으로 연장되고 제1 방향으로 배열되되, 상기 하부 표시 영역에서 상기 수직 전달 배선 및 상기 데이터 배선 각각에 연결되어 상기 데이터 전압을 상기 데이터 배선에 전달한다.
일실시예에서, 하나의 로우 라인에 대응하여 형성된 상기 수평 전달 배선은 2개일 수 있다.
일실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 수평 전달 배선의 연장선 상에 형성된 더미 수평 전달 배선을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 더미 수평 전달 배선은 상기 수직 전달 배선 및 상기 데이터 배선으로부터 전기적으로 절연될 수 있다.
일실시예에서, 상기 하부 표시 영역은 좌측 코너 영역, 우측 코너 영역 및 중간 영역을 포함하고, 상기 수평 전달 배선은 상기 좌측 코너 영역 및 상기 우측 코너 영역 각각에 형성될 수 있다. 여기서, 상기 표시 장치는 상기 수평 전달 배선의 연장선 상에 형성된 더미 수평 전달 배선을 더 포함할 수 있다. 이때 상기 중간 영역에 대응하여 형성된 더미 수평 전달 배선은 상기 수직 전달 배선에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 상기 좌측 코너 영역 및 상기 우측 코너 영역 각각에 대응하여 형성된 더미 수평 전달 배선은 상기 수직 전달 배선 및 상기 데이터 배선으로부터 전기적으로 절연될 수 있다.
일실시예에서, 상기 수평 전달 배선은 상기 상부 영역에서 상기 수직 전달 배선과 더 연결되어 상기 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 상기 수직 전달 배선에 전달할 수 있다.
일실시예에서, 상기 표시 장치는, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에 형성되고, 상기 수직 전달 배선에 연결되어 상기 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 상기 수직 전달 배선에 전달하는 주변 배선을 더 포함할 수 있다.
일실시예에서, 상기 수직 전달 배선은 단선될 수 있다.
일실시예에서, 상기 수직 전달 배선은 상기 데이터 배선과 재질이 동일할 수 있다.
일실시예에서, 상기 수직 전달 배선은 상기 데이터 배선과 동일한 층에서 형성될 수 있다.
일실시예에서, 상기 수평 전달 배선은 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 발광 구조물의 하부 전극을 전기적으로 연결하는 콘택 패드와 재질이 동일할 수 있다.
일실시예에서, 상기 수평 전달 배선은 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 발광 구조물의 하부 전극을 전기적으로 연결하는 콘택 패드와 동일한 층에서 형성될 수 있다.
일실시예에서, 상기 수평 전달 배선은 발광 구조물의 하부 전극과 재질이 동일할 수 있다.
일실시예에서, 상기 수평 전달 배선은 발광 구조물의 하부 전극과 동일한 층에서 형성될 수 있다.
이러한 표시 장치에 의하면, 하부 표시 영역에서, 수평 전달 배선들의 양단이 수직 전달 배선과 데이터 배선에 각각 연결되므로, 팬아웃 배선이 표시 영역에 형성되는 경계 감소 구조(BRS, Boader Reduction Structure)를 실현할 수 있다. 또한, 상부 표시 영역에서, 수평 전달 배선들은 저전압 전원을 전달하는 수직 전달 배선에 연결될 수 있으므로, 표시 영역내 저전압 전원 배선(EOA, ELVSS On Active) 구조를 실현할 수 있다. 또한 표시 장치의 하단부에서 데드 영역을 축소하는 기술인 BRS를 저전압 전원 배선이 표시 영역에 형성된 EOA와 조합하여 구성함으로써, 표시 장치에서 발생될 수 있는 적외선을 줄일 수 있다. 또한 BRS의 실현에 따라 전원 배선부의 설계 공간을 확보할 수 있으므로 발열 발생 위험을 줄일 수 있고, 소비전력이 증가하는 것을 차단할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀들 및 구동부의 실시예를 나타낸 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 픽셀의 실시예를 나타내는 등가 회로도이다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 장치의 하부 영역에 배열된 신호 배선들을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'선을 따라 절단한 표시장치의 단면도이다.
도 6은 도 4의 II-II'선을 따라 절단한 표시장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역(AA) 및 상기 표시 영역(AA)에 인접하고 상기 표시 영역(AA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(AA)에는 복수의 데이터 배선들(DL)과, 복수의 수직 전달 배선들(ELV)과, 복수의 수평 전달 배선들(ELH)이 형성되고, 상기 주변 영역(PA)에는 상기 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 전달하는 주변 배선(ELP)이 형성된다. 상기 주변 배선(ELP)은 상기 수직 전달 배선들(ELV) 각각에 연결되거나 상기 수평 전달 배선들(ELH) 각각에 연결될 수 있고, 상기 수직 전달 배선들(ELV) 및 상기 수평 전달 배선들(ELH) 모두에 연결될 수도 있다.
상기 데이터 배선들(DL)은 제1 방향(D1)으로 형성되고, 복수의 픽셀들(미도시)에 연결된다. 즉, 상기 데이터 배선들(DL)은 제1 방향(D1)으로 연장되고 제2 방향(D2)으로 배열되어, 데이터 신호를 상기 표시 영역(AA)에 형성된 상기 픽셀들에 제공한다.
상기 수직 전달 배선들(ELV)은 제1 방향(D1)으로 형성되고, 상기 표시 영역(AA)의 상부인 상부 표시 영역(AAU)에서 상기 픽셀에 연결되어 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 상기 픽셀에 전달하고, 상기 표시 영역(AA)의 하부인 하부 표시 영역(AAL)에서 상기 데이터 배선에 연결되어 데이터 전압을 상기 데이터 배선에 전달한다.
상기 수평 전달 배선들(ELH)은 제2 방향(D2)으로 형성되되, 상기 하부 표시 영역(AAL)에서 제1 콘택홀(BC1) 및 제2 콘택홀(BC2) 각각을 통해 상기 수직 전달 배선(ELV)과 상기 데이터 배선(DL)에 연결되어 상기 데이터 전압을 상기 데이터 배선(DL)에 전달한다. 도 1에서 상기 하부 표시 영역(AAL)에 형성된 수평 전달 배선들(ELH)의 수는 2개를 도시하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 상기 수평 전달 배선(ELH)의 연장선 상에 더미 수평 전달 배선(ELHm)이 더 형성될 수 있다. 상기 더미 수평 전달 배선(ELHm)은 상기 수직 전달 배선(ELV) 및 상기 데이터 배선(DL)으로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 하부 표시 영역(AAL)에서, 상기 더미 수평 전달 배선(ELHm)은 상기 수평 전달 배선(ELH)에서 물리적으로 분리된 일단과 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 전달하는 주변 배선(ELP)에 연결된 타단을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 더미 수평 전달 배선(ELHm)은 저전압 전원 배선(EOA)으로 활용될 수도 있다.
상기 하부 표시 영역(AAL)에서, 상기 수평 전달 배선(ELH)은 제1 콘택홀(BC1)을 통해 상기 수직 전달 배선(ELV)과 연결되고 제2 콘택홀(BC2)을 통해 상기 데이터 배선(DL)과 연결된다. 이때, 상기 수직 전달 배선(ELV)은 상기 제1 콘택홀(BC1)에 인접하는 상부 부위에서 단선된다. 또한 상기 수평 전달 배선(ELH)은 상기 제1 콘택홀(BC1)에 인접하는 우측 부위에서 단선되고, 상기 제2 콘택홀(BC2)에 인접하는 좌측 부위에서 단선된다. 상기 수직 전달 배선(ELV)의 하부 부위에서 데이터 신호가 제공되면, 상기 데이터 신호는 상기 수직 전달 배선(ELV), 상기 제1 콘택홀(BC1), 상기 수평 전달 배선(ELH) 및 상기 제2 콘택홀(BC2)을 경유하여 상기 데이터 배선(DL)에 전달된다. 이에 따라, 상기 하부 표시 영역(AAL)에 제2 방향(D2)으로 연장된 복수의 수평 전달 배선들(ELH)은 데이터 신호를 전달하는 역할을 수행한다.
이에 따라, 하부 표시 영역(AAL)에서, 상기 수평 전달 배선들(ELH)의 양단이 상기 수직 전달 배선(ELV)과 상기 데이터 배선(DL)에 각각 연결되므로, 팬아웃 배선이 표시 영역에 형성되는 경계 감소 구조(BRS, Boader Reduction Structure)를 실현할 수 있다.
또한, 상부 표시 영역(AAU)에서, 수평 전달 배선들(ELH)은 저전압 전원을 전달하는 수직 전달 배선(ELV)에 연결될 수 있으므로, 표시 영역내 저전압 전원 배선(EOA, ELVSS On Active) 구조를 실현할 수 있다.
한편, 상기 표시 영역(AA)은 제2 방향(D2) 및 제2 방향(D2)과 수직한 제1 방향(D1)이 이루는 평면 상에 사각형 형상을 이룰 수 있으며, 상기 표시 영역(AA)의 모서리는 라운드 형상일 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역(AA)은 라운드된 모서리를 갖는 사각형 형상이나, 이에 한정되지 않는다.
상기 주변 영역(PA)은 상기 표시 영역(AA)의 좌측에 인접하는 좌측 주변 영역, 상기 표시 영역(AA)의 우측에 인접하는 우측 주변 영역, 상기 표시 영역(AA)의 상측에 인접하는 상측 주변 영역 및 상기 표시 영역(AA)의 하측에 인접하는 하측 주변 영역을 포함할 수 있다.
이때, 상기 하측 주변 영역에 구동부를 연결하기 위한 데이터 패드(COP) 및 게이트 패드(FOP)가 배치되므로, 상기 하측 주변 영역은 상기 상측, 좌측 및 우측 주변 영역 보다 큰 폭으로 형성될 수 있다. 상기 하측 주변 영역은 상기 표시 영역(AA)에 바로 인접하는 제1 주변 영역(PAa), 벤딩 영역(BA) 및 제2 주변 영역(PAb)을 포함할 수 있다. 상기 데이터 패드(COP) 및 상기 게이트 패드(FOP)는 상기 제2 주변 영역(PAb)에 배치될 수 있다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 제2 주변 영역(PAb)을 상기 표시 장치의 후면에 배치시키기 위해 접히는 부분으로, 상기 제1 주변 영역(PAa)과 상기 제2 주변 영역(PAb) 사이에 배치될 수 있다.
이때, 상기 벤딩 영역(BA)의 제2 방향(D2)으로의 길이는 상기 표시 영역(AA)의 제2 방향(D2)으로의 길이 보다 작을 수 있다. 이에 따라, 하측 주변 영역에 배치되는 우회 데이터 배선(DSPL) 보다 제2 방향(D2)으로 바깥쪽에 위치하는 데이터 배선들은 수평 전달 배선(ELH)을 통해 상기 우회 데이터 배선(DSPL)과 연결될 수 있다.
상기 우회 데이터 배선(DSPL)은 상기 표시 영역(AA) 내의 데이터 배선 및 상기 데이터 패드(COP)와 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 상기 하측 주변 영역의 상기 우회 데이터 배선(DSPL)과 인접하는 부분에는 스캔 구동부와 연결되고, 게이트 패드(FOP)와 연결되는 우회 게이트 배선(GSPL)이 배치될 수 있다.
상기 데이터 패드(COP)에는 데이터 구동부를 포함하는 칩(chip)이 연결될 수 있다. 상기 게이트 패드(FOP)에는 상기 타이밍 제어부를 포함하는 구동 기판이 연결될 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 하부 표시 영역(AAL)에서, 상기 수평 전달 배선들(ELH)의 양단이 상기 수직 전달 배선(ELV)과 상기 데이터 배선(DL)에 각각 연결되므로, 팬아웃 배선이 표시 영역에 형성되는 경계 감소 구조(BRS, Boader Reduction Structure)를 실현할 수 있다.
또한, 상부 표시 영역(AAU)에서, 수평 전달 배선들(ELH)은 저전압 전원을 전달하는 수직 전달 배선(ELV)에 연결될 수 있으므로, 표시 영역내 저전압 전원 배선(EOA, ELVSS On Active) 구조를 실현할 수 있다.
도 2는 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀들 및 구동부의 실시예를 나타낸 블록도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 복수의 픽셀들(PX), 구동부, 및 배선부를 포함한다.
상기 구동부는 스캔 구동부(SDV), 발광 구동부(EDV), 데이터 구동부(DD), 및 타이밍 제어부(TC)를 포함한다. 도 2에 있어서, 상기 스캔 구동부(SDV), 상기 발광 구동부(EDV), 상기 데이터 구동부(DD), 및 상기 타이밍 제어부(TC)의 위치는 설명의 편의를 위해 설정된 것으로서, 실제 표시 장치를 구현할 때는 표시 장치 내에서의 다른 위치에 배치될 수 있다.
상기 배선부는 상기 구동부의 신호를 각 픽셀(PX)에 제공하며, 스캔 배선들(SL), 데이터 배선들(DL1, DLn-1, DLn, DLn+1), 발광 제어 배선들(EL), 제1 및 제2 전원 배선들(미도시), 및 초기화 전원 배선(미도시)을 포함한다.
상기 스캔 배선, 상기 데이터 배선 및 상기 발광 제어 배선은 각각의 픽셀(PX)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 픽셀들(PX)은 상기 스캔 배선들(SL)로부터 스캔 신호가 공급될 때 데이터 배선들(DL1, DLn-1, DLn, DLn+1)로부터 데이터 신호를 공급받는다. 상기 데이터 신호를 공급받은 상기 픽셀들(PX)은 구동 파워 서플라이 전압(ELVDD)으로부터 유기 발광 소자(미도시)를 경유하여 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 픽셀의 실시예를 나타내는 등가 회로도이다. 도 3에서, 설명의 편의성을 위하여 제m 데이터 배선(Dm) 및 i번째 제1 스캔 배선(S1i)에 접속된 화소를 도시한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 화소(PX)는 유기 발광 소자(OLED), 제1 트랜지스터(T1) 내지 제7 트랜지스터(T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비할 수 있다.
상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드는 상기 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 상기 제1 트랜지스터(T1)에 접속되고, 캐소드는 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)에 접속될 수 있다. 이와 같은 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
상기 유기 발광 소자(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록 구동 파워 서플라이 전압(ELVDD)은 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
상기 제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원(Vint)과 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 (i+1)번째 제1 스캔 배선(S1i+1) 또는 (i-1)번째 제1 스캔 배선(S1i-1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제7 트랜지스터(T7)는 i번째 제1 스캔 배선(S1i)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드로 공급할 수 있다. 여기서, 초기화 전원(Vint)은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
상기 제6 트랜지스터(T6)는 상기 제1 트랜지스터(T1)와 상기 유기 발광 소자(OLED) 사이에 접속된다. 그리고, 상기 제6 트랜지스터(T6) 게이트 전극은 i번째 제1 발광 제어 배선(E1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(T6)는 i번째 제1 발광 제어 배선(E1i)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
상기 제5 트랜지스터(T5)는 상기 구동 파워 서플라이 전압(ELVDD)과 상기 제1 트랜지스터(T1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 i번째 제1 발광 제어 배선(E1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제5 트랜지스터(T5)는 i번째 제1 발광 제어 배선(E1i)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 상기 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 파워 서플라이 전압(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 상기 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 상기 구동 파워 서플라이 전압(ELVDD)으로부터 상기 유기 발광 소자(OLED)를 경유하여 상기 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 상기 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 i번째 제1 스캔 배선(S1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 제1 스캔 배선(S1i)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제1 노드(N1)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 상기 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.
상기 제4 트랜지스터(T4)는 제1 노드(N1)와 초기화 전원(Vint) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 i-1번째 제1 스캔 배선(S1i-1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 제1 스캔 배선(S1i-1)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 상기 제1 노드(N1)로 초기화 전원(Vint)의 전압을 공급할 수 있다.
상기 제2 트랜지스터(T2)는 제m 데이터 배선(Dm)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 i번째 제1 스캔 배선(S1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 제1 스캔 배선(S1i)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 제m 데이터 배선(Dm)과 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 구동 파워 서플라이 전압(ELVDD)과 상기 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 상기 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장할 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 상기 스캔 구동부(SDV)는 상기 타이밍 제어부(TC)로부터의 제1 게이트 제어 신호(GCS1)에 대응하여 상기 스캔 배선들(SL)로 스캔 신호를 공급할 수 있다. 상기 스캔 배선들(SL)로 스캔 신호가 순차적으로 공급되면 상기 픽셀들(PX)이 수평 배선 단위로 순차적으로 선택될 수 있다.
상기 발광 구동부(EDV)는 상기 타이밍 제어부(TC)로부터의 제2 게이트 제어 신호(GCS2)에 대응하여 상기 발광 제어 배선들(EL)로 발광 제어 신호를 공급할 수 있다. 상기 발광 구동부(EDV)는 상기 발광 제어 배선들(EL)로 발광 제어 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 추가적으로, 상기 발광 제어 신호는 상기 픽셀들(PX)에 포함되는 트랜지스터가 턴-오프될 수 있도록 게이트 오프 전압(예를 들면, 하이 전압)으로 설정되고, 스캔 신호는 픽셀들(PXL)에 포함되는 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압(예를 들면, 로우 전압)으로 설정될 수 있다.
상기 데이터 구동부(DD)는 데이터 제어 신호(DCS)에 대응하여 상기 데이터 배선들(DL1, DLn-1, DLn, DLn+1)로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 상기 데이터 배선들(DL1, DLn-1, DLn, DLn+1)로 공급된 상기 데이터 신호는 상기 스캔 신호에 의하여 선택된 픽셀들(PX)로 공급된다.
상기 타이밍 제어부(TC)는 외부로부터 공급되는 타이밍 신호들에 기초하여 생성된 상기 제1 및 제2 게이트 제어 신호들(GCS1, GCS2)을 상기 스캔 구동부(SDV) 및 상기 발광 구동부들(EDV)로 공급하고, 데이터 제어 신호(DCS)를 상기 데이터 구동부(DD)로 공급한다.
상기 제1 및 제2 게이트 제어 신호들(GCS1, GCS2) 각각에는 스타트 펄스 및 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 상기 스타트 펄스는 첫번째 스캔 신호 또는 첫번째 발광 제어 신호의 타이밍을 제어할 수 있다. 상기 클럭 신호들은 상기 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용될 수 있다.
상기 데이터 제어 신호(DCS)에는 상기 소스 스타트 펄스 및 상기 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 상기 소스 스타트 펄스는 데이터의 샘플링 시작 시점을 제어한다. 상기 클럭 신호들은 샘플링 동작을 제어하기 위하여 사용될 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 상기 스캔 구동부(SDV)는 표시 영역(AA)의 좌측에 인접하는 주변 영역(PA)에 배치되고, 상기 발광 구동부(EDV)는 상기 표시 영역(AA)의 우측에 인접하는 주변 영역(PA)에 배치되는 것으로 설명되었으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 좌측 주변 영역 및 우측 주변 영역 모두에 스캔 배선 및 발광 제어 배선으로 서로 연결되는 스캔 구동부 및 발광 구동부가 배치되어, 픽셀들에 좌측 및 우측에서 서로 동기화된 신호를 공급하도록 할 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 장치의 하부 영역에 배열된 신호 배선들을 설명하기 위한 평면도이다. 도 5는 도 4의 I-I'선을 따라 절단한 표시장치의 단면도이다. 도 6은 도 4의 II-II'선을 따라 절단한 표시장치의 단면도이다.
도 4, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 액티브 패턴(ACT), 게이트 절연층(120), 게이트 패턴, 층간 절연층(140), 제1 소스/드레인 패턴, 제1 비아 절연층(140), 제2 소스/드레인 패턴, 제2 비아 절연층(150), 발광 구조물(180), 픽셀 정의막(PDL), 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명한 또는 불투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 베이스 기판(100)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 상기 베이스 기판(100)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 후술할 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(ACT)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 비정질 실리콘을 포함하거나, 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 상기 액티브 패턴(ACT)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)은 상기 표시 영역(DA) 내에 배치되어 픽셀 구조를 이루는 박막 트랜지스터(TFT)에 포함될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 불순물이 도핑(doping)된 드레인 영역과 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 소스 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(120)은 상기 액티브 패턴 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 패턴은 상기 게이트 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE), 스캔 배선 등의 신호 배선을 포함할 수 있다. 상기 스캔 배선은 제2 방향(D2)으로 연장되고, 제1 방향(D1)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 패턴은 전도성이 높은 구리, 알루미늄 등의 금속을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연층(140)은 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 게이트 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 층간 절연층(140)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 층간 절연층(140)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등의 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 소스/드레인 패턴이 상기 층간 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 소스/드레인 패턴은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 데이터 배선(DL) 및 수직 전달 배선(ELV)을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연층(130) 및 상기 게이트 절연층(120)을 통해 형성되는 콘택홀들을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 데이터 배선(DL)은 m-1번째 데이터 배선(DLm-1), m번째 데이터 배선(DLm), n번째 데이터 배선(DLn), n+1번째 데이터 배선(DLn+1)을 포함할 수 있다. 상기 m-1번째 데이터 배선(DLm-1), 상기 m번째 데이터 배선(DLm), 상기 n번째 데이터 배선(DLn), 상기 n+1번째 데이터 배선(DLn+1)은 각각 제1 방향(D1)으로 연장되고, 제2 방향(D2)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다.
상기 수직 전달 배선(ELV)은 서로 인접하는 두개의 데이터 배선들 사이마다 배치될 수 있다. 상기 수직 전달 배선(ELV)은 상기 데이터 배선과 평행하게 배치될 수 있다. 상기 수직 전달 배선(ELV)에는 유기 발광 소자인 상기 발광 구조물(180)를 구동하기 위한 제2 전원 전압(ELVSS)이 인가될 수 있다.
상기 수직 전달 배선(ELV)은 n번째 수직 전달 배선(ELVn), n+1번째 수직 전달 배선(ELVn+1), m번째 수직 전달 배선(ELVm), m-1번째 수직 전달 배선(ELVm-1), 등을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 n번째 수직 전달 배선(ELVn)은 표시 장치의 하부 영역에서 1회 단선된다. 단선된 n번째 수직 전달 배선(ELVn)의 상부 배선에는 제2 전원 전압(ELVSS)이 인가될 수 있고, 단선된 n번째 수직 전달 배선(ELVn)의 하부 배선에는 데이터 신호가 인가될 수 있다.
상기 n+1번째 수직 전달 배선(ELVn+1)은 표시 장치의 하부 영역에서 1회 단선된다. 단선된 n+1번째 수직 전달 배선(ELVn+1)의 상부 배선에는 제2 전원 전압(ELVSS)이 인가될 수 있고, 단선된 n+1번째 수직 전달 배선(ELVn+1)의 하부 배선에는 데이터 신호가 인가될 수 있다.
상기 m번째 수직 전달 배선(ELVm)은 표시 장치의 하부 영역에서 1회 단선된다. 단선된 m번째 수직 전달 배선(ELVm)의 상부 배선에는 제2 전원 전압(ELVSS)이 인가될 수 있고, 단선된 m번째 수직 전달 배선(ELVm)의 하부 배선에는 데이터 신호가 인가될 수 있다.
상기 m-1번째 수직 전달 배선(ELVm-1)은 표시 장치의 하부 영역에서 1회 단선된다. 단선된 m-1번째 수직 전달 배선(ELVm-1)의 상부 배선에는 제2 전원 전압(ELVSS)이 인가될 수 있고, 단선된 m-1번째 수직 전달 배선(ELVm-1)의 하부 배선에는 데이터 신호가 인가될 수 있다.
상기 제1 소스/드레인 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 소스/드레인 패턴은 전도성이 높은 구리, 알루미늄 등의 금속을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 소스/드레인 패턴은 복수의 층상 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 소스/드레인 패턴은 티타늄 층, 상기 티타늄 층 상의 알루미늄 층 및 상기 알루미늄 층 상의 티타늄을 포함할 수 있다.
각각의 스캔 배선과 각각의 데이터 배선이 교차하는 지점마다 픽셀이 형성된다. 각각의 픽셀은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 상기 발광 구조물(180)을 포함한다.
상기 제1 비아 절연층(140)이 상기 제1 소스/드레인 패턴이 배치된 상기 층간 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 비아 절연층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 비아 절연층(140)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 제2 소스/드레인 패턴이 상기 제1 비아 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 소스/드레인 패턴은 수평 전달 배선(BL), 상기 수평 전달 배선(BL)의 연장선상에 배치된 더미 수평 전달 배선(ELHm) 및 콘택 패드(CP)를 포함할 수 있다. 상기 제2 소스/드레인 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 소스/드레인 패턴은 전도성이 높은 구리, 알루미늄 등의 금속을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 소스/드레인 패턴은 복수의 층상 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 소스/드레인 패턴은 티타늄 층, 상기 티타늄 층 상의 알루미늄 층 및 상기 알루미늄 층 상의 티타늄을 포함할 수 있다.
상기 수평 전달 배선(BL)은 제2 방향(D2)으로 연장되고 제1 방향(D1)으로 배열된다. 상기 수평 전달 배선(BL)은 p번째 수평 전달 배선(BLp), p-1번째 수평 전달 배선(BLp-1), p-2번째 수평 전달 배선(BLp-2), 등을 포함할 수 있다.
p번째 수평 전달 배선(BLp)은 제1 콘택홀(BC11)을 통해 n번째 수직 전달 배선(ELVn)의 하부 배선과 연결되고, 제2 콘택홀(BC12)을 통해 m번째 데이터 배선(DLm)에 연결된다. 이에 따라, n번째 수직 전달 배선(ELVn)의 하부 배선에 데이터 신호가 인가되면, 상기 데이터 신호는 제1 콘택홀(BC11), 상기 p번째 수평 전달 배선(BLp) 및 상기 제2 콘택홀(BC12)을 경유하여 상기 m번째 데이터 배선(DLm)에 인가된다.
p-1번째 수평 전달 배선(BLp-1)은 제3 콘택홀(BC21)을 통해 n+1번째 수직 전달 배선(ELVn+1)의 하부 배선과 연결되고, 제4 콘택홀(BC22)을 통해 m-1번째 데이터 배선(DLm-1)에 연결된다. 이에 따라, n+1번째 수직 전달 배선(ELVn+1)의 하부 배선에 데이터 신호가 인가되면, 상기 데이터 신호는 제3 콘택홀(BC21), 상기 p-1번째 수평 전달 배선(BLp-1) 및 상기 제4 콘택홀(BC22)을 경유하여 상기 m-1번째 데이터 배선(DLm-1)에 인가된다.
이와 유사하게 도면상에 도시하지는 않았지만, p-2번째 수평 전달 배선(BLp-2)은 하나의 콘택홀을 통해 수직 전달 배선의 하부 배선에 연결되고, 다른 하나의 콘택홀을 통해 데이터 배선에 연결된다.
상기 더미 수평 전달 배선(ELHm)은 상기 수평 전달 배선(BL)의 연장선 상에 형성된다. 상기 더미 수평 전달 배선(ELHm)은 p번째 더미 수평 전달 배선(ELHmp), q번째 더미 수평 전달 배선(ELHmq), p-1번째 더미 수평 전달 배선(ELHmp-1), q-1번째 더미 수평 전달 배선(ELHmq-1)을 포함한다.
p번째 더미 수평 전달 배선(ELHmp)은 p번째 수평 전달 배선(BLp)의 좌측 연장선 상에 배치되고, q번째 더미 수평 전달 배선(ELHmq)은 p번째 수평 전달 배선(BLp)의 우측 연장선 상에 배치된다. p-1번째 더미 수평 전달 배선(ELHmp-1)은 p-1번째 수평 전달 배선(BLp-1)의 좌측 연장선 상에 배치되고, q-1번째 더미 수평 전달 배선(ELHmq-1)은 p-1번째 수평 전달 배선(BLp-1)의 우측 연장선 상에 배치된다.
상기 콘택 패드(CP)는 상기 제1 비아 절연층(CP1)을 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 비아 절연층(150)이 상기 제2 소스/드레인 패턴이 배치된 상기 제1 비아 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 비아 절연층(150)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 비아 절연층(150)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 발광 구조물(180)은 하부 전극(181), 발광층(182) 및 상부 전극(183)을 포함할 수 있다.
상기 하부 전극(181)은 상기 제2 비아 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 하부 전극(181)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 전극(181)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 픽셀 정의막(PDL)은 상기 하부 전극(181)이 배치된 상기 제2 비아 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 픽셀 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 픽셀 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 픽셀 정의막(PDL)을 식각하여 상기 하부 전극(181)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 이러한 상기 픽셀 정의막(PDL)의 개구에 의해 상기 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 픽셀 정의막(PDL)의 개구가 위치하는 부분이 상기 발광 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비발광 영역은 상기 픽셀 정의막(PDL)의 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
상기 발광층(182)은 상기 픽셀 정의막(PDL)의 개구를 통해 노출되는 상기 하부 전극(181)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광층(182)은 상기 픽셀 정의막(PDL)의 상기 개구의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층(182)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 유기 발광층을 제외하고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 등은 복수의 픽셀들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 픽셀에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다. 이때, 상기 발광 구조물들은 복수의 픽셀들에 대응되도록 공통적으로 형성되고, 상기 컬러 필터층에 의해 각각의 픽셀들이 구분될 수 있다.
상기 상부 전극(183)은 상기 픽셀 정의막(PDL) 및 상기 발광층(182) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 상부 전극(183)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극(183)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층(TFE)이 상기 상부 전극(183) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층(TFE)은 두 개의 무기층과 이들 사이의 한개의 유기층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층 대신 외기 및 수분이 상기 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단하기 위한 밀봉기판이 제공될 수 있다.
이상에서는 상기 제2 소스/드레인 패턴 형성시 상기 수평 전달 배선이 형성되는 것을 설명하였으나, 상기 발광 구조물의 상기 하부 전극을 형성할 때 상기 수평 전달 배선이 형성될 수도 있다. 즉, 도 5 및 도 6에서, 상기 n번째 수직 전달 배선(ELVn)과 상기 m번째 수직 전달 배선(ELVm)에 대응하도록 상기 제2 비아 절연층(150) 및 상기 제1 비아 절연층(140)에 별도의 비아홀을 형성한다. 이어, 하부에 형성된 n번째 수직 전달 배선(ELVn)과 m번째 수직 전달 배선(ELVm)에 접촉되도록 상기 발광 구조물의 상기 하부 전극을 형성하는 도전층을 패터닝하여 상기 수평 전달 배선으로 형성할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시되는 표시 영역(AA) 및 상기 표시 영역(AA)에 인접하고 상기 표시 영역(AA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
도 7에 도시된 표시 장치와 도 1에 도시된 표시 장치를 비교할 때, 하부 표시 영역(AAL)에 제2 방향(D2)으로 형성된 수평 전달 배선들(ELH)을 제외하고는 나머지는 동일하므로 동일한 도면부호를 부여하고 그 상세한 설명은 생략한다.
상기 하부 표시 영역(AAL)은 좌측 코너 영역, 우측 코너 영역 및 상기 좌측 코너 영역 및 상기 우측 코너 영역 사이의 중간 영역으로 구분될 수 있다.
상기 하부 표시 영역(AAL)의 좌측 코너 영역 및 우측 코너 영역 각각에서, 수평 전달 배선들(ELH)은 제1 콘택홀(BC1) 및 제2 콘택홀(BC2) 각각을 통해 상기 수직 전달 배선(ELV)과 상기 데이터 배선(DL)에 연결되어 상기 데이터 전압을 상기 데이터 배선(DL)에 전달한다. 여기서, 상기 하부 표시 영역(AAL)의 좌측 코너 영역 및 우측 코너 영역 각각에서, 상기 수평 전달 배선(ELH)의 연장선 상에 더미 수평 전달 배선(ELHm)이 더 형성될 수 있다. 상기 하부 표시 영역(AAL)에서, 상기 좌측 코너 영역 및 상기 우측 코너 영역 각각에 형성된 더미 수평 전달 배선(ELHm)은 상기 수평 전달 배선(ELH)에서 물리적으로 분리된 일단과 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 전달하는 주변 배선(ELP)에 연결된 타단을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 더미 수평 전달 배선(ELHm)은 저전압 전원 배선(EOA)으로 활용될 수도 있다.
상기 하부 표시 영역(AAL)의 나머지 영역인 중간 영역에서, 수평 전달 배선들(ELH)은 상기 데이터 배선(DL)에 연결되지 않는다. 여기서, 수평 전달 배선들(ELH)은 상기 수직 전달 배선(ELV)과 콘택홀을 통해 연결될 수도 있다. 또는 수평 전달 배선들(ELH)은 상기 수직 전달 배선(ELV)과 전기적으로 절연될 수도 있다.
이에 따라, 표시 영역 하부의 좌측 코너 영역 및 우측 코너 영역 각각에서, 상기 수평 전달 배선들(ELH)의 양단이 상기 수직 전달 배선(ELV)과 상기 데이터 배선(DL)에 각각 연결되므로, 팬아웃 배선이 표시 영역에 형성되는 경계 감소 구조(BRS, Boader Reduction Structure)를 실현할 수 있다.
또한, 표시 영역의 나머지 영역에서, 수평 전달 배선들(ELH)은 저전압 전원을 전달하는 수직 전달 배선(ELV)에 연결될 수 있으므로, 표시 영역내 저전압 전원 배선(EOA, ELVSS On Active) 구조를 실현할 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 표시 장치의 하단부에서 데드 영역(dead space)을 축소하는 기술인 BRS를 EOA와 조합하여 구성함으로써, 표시 장치에서 발생될 수 있는 적외선을 줄일 수 있다. 즉, 표시 장치에서 적외선이 발생되더라도 수평 전달 배선이 적외선 차단 역할을 수행하므로 외부로 방출되는 적외선을 줄일 수 잇다.
한편, 통상적으로 표시 장치의 하단부의 영역이 줄이게 되면 전원 배선부의 설계 공간이 부족하여 발열이 발생될 수 있고 소비전력이 증가할 수 있다. 하지만, 본 발명에 따르면, 수평 전달 배선에 의한 BRS 구현을 통해 팬아웃 배선을 표시 영역에 형성함으로써, 발열 발생 위험과 소비전력을 줄일 수 있다. 즉, 전원 배선부의 설계 공간을 확보할 수 있으므로 발열 발생 위험을 줄일 수 있고, 소비전력이 증가하는 것을 차단할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 표시 장치를 제조할 때 별도의 마스크없이 제조할 수 있으므로 제조 비용의 추가가 발생하지 않는다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
DL : 데이터 배선들 ELV : 수직 전달 배선들
ELH : 수평 전달 배선들 CT2 : 제1 콘택홀
CT2 : 제2 콘택홀 SDV : 스캔 구동부
EDV : 발광 구동부 DD : 데이터 구동부
TC : 타이밍 제어부 100 : 베이스 기판
110 : 버퍼층 ACT : 액티브 패턴
120 : 게이트 절연층 140 : 층간 절연층
140 : 제1 비아 절연층 150 : 제2 비아 절연층
180 : 발광 구조물 PDL : 픽셀 정의막
TFE : 박막 봉지층 140 : 제1 비아 절연층
150 : 제2 비아 절연층 181 : 하부 전극
182 : 발광층 183 : 상부 전극

Claims (17)

  1. 상부 표시 영역과 하부 표시 영역으로 구분되는 표시 영역 상에 제1 방향으로 연장되고 제2 방향으로 배열되고, 복수의 픽셀들에 연결된 데이터 배선;
    상기 표시 영역 상에 상기 데이터 배선에 평행하게 형성되고, 상기 표시 영역의 상측에서 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 수신하여 상기 픽셀에 전달하고, 상기 표시 영역의 하측에서 데이터 전압을 수신하는 수직 전달 배선; 및
    상기 표시 영역 상에 제2 방향으로 연장되고 제1 방향으로 배열되되, 상기 하부 표시 영역에서 상기 수직 전달 배선 및 상기 데이터 배선 각각에 연결되어 상기 데이터 전압을 상기 데이터 배선에 전달하는 수평 전달 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 하나의 로우 라인에 대응하여 형성된 상기 수평 전달 배선은 2개인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수평 전달 배선의 연장선 상에 형성된 더미 수평 전달 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 더미 수평 전달 배선은 상기 수직 전달 배선 및 상기 데이터 배선으로부터 전기적으로 절연된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하부 표시 영역은 좌측 코너 영역, 우측 코너 영역 및 중간 영역을 포함하고, 상기 수평 전달 배선은 상기 좌측 코너 영역 및 상기 우측 코너 영역 각각에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 수평 전달 배선의 연장선 상에 형성된 더미 수평 전달 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 중간 영역에 대응하여 형성된 더미 수평 전달 배선은 상기 수직 전달 배선에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 좌측 코너 영역 및 상기 우측 코너 영역 각각에 대응하여 형성된 더미 수평 전달 배선은 상기 수직 전달 배선 및 상기 데이터 배선으로부터 전기적으로 절연된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 수평 전달 배선은 상기 상부 영역에서 상기 수직 전달 배선과 더 연결되어 상기 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 상기 수직 전달 배선에 전달하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역 상에 형성되고, 상기 수직 전달 배선에 연결되어 상기 접지 파워 서플라이 전압(ELVSS)을 상기 수직 전달 배선에 전달하는 주변 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 수직 전달 배선은 단선된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 수직 전달 배선은 상기 데이터 배선과 재질이 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 수직 전달 배선은 상기 데이터 배선과 동일한 층에서 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 수평 전달 배선은 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 발광 구조물의 하부 전극을 전기적으로 연결하는 콘택 패드와 재질이 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 수평 전달 배선은 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 발광 구조물의 하부 전극을 전기적으로 연결하는 콘택 패드와 동일한 층에서 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 수평 전달 배선은 발광 구조물의 하부 전극과 재질이 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 수평 전달 배선은 발광 구조물의 하부 전극과 동일한 층에서 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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