CN114582931A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114582931A
CN114582931A CN202111367574.9A CN202111367574A CN114582931A CN 114582931 A CN114582931 A CN 114582931A CN 202111367574 A CN202111367574 A CN 202111367574A CN 114582931 A CN114582931 A CN 114582931A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transmission line
line
display device
display area
horizontal transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111367574.9A
Other languages
English (en)
Inventor
方琪皓
赵承奂
崔原硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114582931A publication Critical patent/CN114582931A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/88Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种显示装置。该显示装置包括数据线、垂直传输线和水平传输线。数据线在被分成上显示区和下显示区的显示区中在第一方向上延伸并且在第二方向上排布,并且连接到像素。垂直传输线在显示区中在第一方向上延伸。垂直传输线从显示区的上侧接收接地电源电压以将接地电源电压传送到像素,并且从显示区的下侧接收数据电压。水平传输线在显示区中在第二方向上延伸,并且在显示区中在第一方向上排布。水平传输线在下显示区中连接到垂直传输线和数据线以将数据电压传送到数据线。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及显示装置。更具体地,本发明的实施例涉及被配置为降低产生热量的风险并且降低功耗的显示装置。
背景技术
近来,已经制造出轻重量且小型的显示装置。阴极射线管(“CRT”)显示装置由于其性能和具有竞争力的价格在过去已被使用。然而,CRT显示装置体积大并且缺乏便携性。因此,诸如等离子体显示装置、液晶显示装置或有机发光显示装置的平板显示装置由于诸如小尺寸、轻重量和低功耗的各种期望特性已被广泛使用。
显示装置通常包括显示区和是围绕显示区的非显示区的外围区。驱动显示装置的各种电路和线可以设置在外围区中。已经做出各种努力来减小外围区的尺寸。
发明内容
本发明的实施例通过在显示区中形成扇出线和低压电源线以减小外围区的宽度来提供具有降低的产生热量的风险以及降低的功耗的显示装置。
根据本发明的实施例,显示装置包括数据线、垂直传输线和水平传输线。在这样的实施例中,数据线在显示区中在第一方向上延伸并且在第二方向上排布,并且连接到多个像素,其中显示区被分成上显示区和下显示区。在这样的实施例中,垂直传输线在显示区中平行于数据线而在第一方向上延伸,并且垂直传输线从显示区的上侧接收接地电源电压以将接地电源电压传送到像素并且从显示区的下侧接收数据电压。在这样的实施例中,水平传输线在显示区中在第二方向上延伸并且在显示区中在第一方向上排布,并且水平传输线在下显示区中连接到垂直传输线和数据线中的每一条以将数据电压传送到数据线。
在实施例中,一条假想水平线上的水平传输线可以被分成彼此电断开的两部分。
在实施例中,显示装置可以进一步包括在显示区中在第二方向上延伸的虚设水平传输线,其中虚设水平传输线可以位于水平传输线的假想延长线上。
在实施例中,虚设水平传输线可以与垂直传输线和数据线电绝缘。
在实施例中,下显示区可以包括左角区、右角区和中间区,并且水平传输线可以位于左角区和右角区中的每一个中。
在实施例中,显示装置可以进一步包括在显示区中在第二方向上延伸的虚设水平传输线,其中虚设水平传输线可以位于水平传输线的假想延长线上。
在实施例中,位于中间区中的水平传输线可以电连接到垂直传输线。
在实施例中,与左角区和右角区中的每一个相对应的虚设水平传输线可以与垂直传输线和数据线电绝缘。
在实施例中,在上显示区中水平传输线可以进一步连接到垂直传输线以将接地电源电压传送到垂直传输线。
在实施例中,显示装置可以进一步包括设置在围绕显示区的外围区中并且连接到垂直传输线以将接地电源电压传送到垂直传输线的外围线。
在实施例中,一条假想垂直线上的垂直传输线可以被分成彼此电断开的至少两部分。
在实施例中,垂直传输线可以包括与数据线的材料相同的材料。
在实施例中,垂直传输线可以与数据线设置在同一层中。
在实施例中,水平传输线可以包括与将薄膜晶体管的漏电极和发光结构的下电极彼此电连接的接触焊盘的材料相同的材料。
在实施例中,水平传输线可以与将薄膜晶体管的漏电极和发光结构的下电极彼此电连接的接触焊盘设置在同一层中。
在实施例中,水平传输线可以包括与发光结构的下电极的材料相同的材料。
在实施例中,水平传输线可以与发光结构的下电极设置在同一层中。
根据如在本文中公开的显示装置的实施例,在下显示区中,水平传输线的两端分别连接到垂直传输线和数据线,使得可以实现其中扇出线位于显示区中的边界减小结构(“BRS”)。在这样的实施例中,在上显示区中,水平传输线可以连接到输送低压电力的垂直传输线,使得可以实现显示区中的低压电源线(有效的ELVSS或“EOA”)的结构。在这样的实施例中,可以通过结合是用于减小显示装置的下端处的死区的技术的BRS和是用于在显示区中形成低压电源线的技术的EOA来减少显示装置中可能产生的红外线。在这样的实施例中,基于BRS,电源线单元的设计空间可以被保证,使得基本上降低产生热量的风险并且有效防止功耗的增加。
附图说明
本发明的上述和其它特征将通过参考附图详细描述本发明的实施例而变得更加显而易见,在附图中:
图1是根据本发明的实施例的显示装置的平面图;
图2是示出图1的像素和驱动部件的实施例的框图;
图3是示出在图2中所示的像素的实施例的等效电路图;
图4是示出在图2中示出的显示装置的下显示区中排布的信号线的平面图;
图5是沿图4的线I-I’截取的显示装置的截面图;
图6是沿图4的线II-II’截取的显示装置的截面图;以及
图7是根据本发明的可替代实施例的显示装置的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明,附图中示出了各种实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式体现,并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反,这些实施例被提供是为了使本公开彻底和完整,并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。相同的附图标记始终指代相同的元件。
将理解,当元件被称为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在该另一元件上,或者可以在该元件和该另一元件之间存在居间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,则不存在居间元件。
将理解,尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离本文中的教导的情况下,下文讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
在本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的,并且不旨在是限制性的。如在本文中使用的,“一”、“该”、“所述”和“至少一个”不表示对数量的限制,并且旨在包括单数和复数两者,除非上下文清楚地另外指示。例如,“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义,除非上下文清楚地另外指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”表示“和/或”。如在本文中使用的,术语“和/或”包括相关列出的项中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指明了所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
此外,在本文中可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解,除了附图中描绘的定向外,相对术语旨在包含装置的不同定向。例如,如果附图之一中的装置被翻转,则被描述为在其它元件的“下”侧的元件将随之被定向在该其它元件的“上”侧。因此,根据附图的特定定向,术语“下”可以包含“下”和“上”两个定向。类似地,如果附图之一中的装置被翻转时,则被描述为在其它元件的“下方”或“下面”的元件将随之被定向在该其它元件的“上方”。因此,术语“下方”或“下面”可以包含上方和下方两个定向。
除非另外定义,否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解,诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且除非在本文中明确定义,否则将不会以理想化或过度形式的意义进行解释。
在本文中参考是理想化实施例的示意图的截面图描述实施例。这样,由于例如制造技术和/或公差引起的图示形状的变化是可以预期的。因此,在本文中描述的实施例不应被解释为限于如在本文中所示的区域的特定形状,而是将包括例如由制造引起的形状的偏差。在实施例中,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外,示出的尖角可以是倒圆的。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状且不旨在限制权利要求的范围。
在下文中,将参考附图详细描述本发明的实施例。
图1是根据本发明的实施例的显示装置的平面图。
参考图1,根据本发明的显示装置的实施例可以包括其中显示图像的显示区AA以及与显示区AA邻近并且围绕显示区AA的外围区PA。
多条数据线DL、多条垂直传输线ELV和多条水平传输线ELH设置或形成在显示区AA中,并且用于传输接地电源电压(或低电源电压)ELVSS(图2中所示)的外围线ELP设置或形成在外围区PA中。外围线ELP可以连接到垂直传输线ELV中的每一条,或者可以连接到水平传输线ELH中的每一条。在一个实施例中,例如,外围线ELP可以连接到垂直传输线ELV和水平传输线ELH两者。
数据线DL设置或形成在第一方向D1上,并且连接到多个像素(未示出)。在这样的实施例中,数据线DL在第一方向D1上延伸,并且在第二方向D2上排布,以将数据信号或数据电压提供到显示区AA中的像素。
垂直传输线ELV设置或形成在第一方向D1上。在是显示区AA的上部分的上显示区AAU中,垂直传输线ELV连接到像素,以将接地电源电压ELVSS传送到像素。在是显示区AA的下部分的下显示区AAL中,垂直传输线ELV连接到数据线DL,以将数据电压传送到数据线DL。
水平传输线ELH设置或形成在第二方向D2上。在下显示区AAL中,水平传输线ELH通过第一接触孔BC1和第二接触孔BC2中的每一个连接到垂直传输线ELV和数据线DL,以将数据电压传送到数据线DL。在实施例中,一条假想水平线上的水平传输线ELH可以被分成彼此电断开的两部分,使得同一条假想水平线上的水平传输线ELH的数量可以是两条。在这样的实施例中,如图1中所示,同一条假想水平线上的两条水平传输线ELH在显示区AA的中心处彼此断开或间隔开。在实施例中,如图1中所示,在下显示区AAL中同一条假想水平线上的水平传输线ELH的数量可以是两条,但是其数量不限于此。在实施例中,虚设水平传输线ELHm可以进一步设置或形成在水平传输线ELH的假想延长线上。虚设水平传输线ELHm可以与垂直传输线ELV和数据线DL电绝缘。在下显示区AAL中,虚设水平传输线ELHm可以具有与水平传输线ELH物理分离的第一端和连接到用于传输接地电源电压ELVSS的外围线ELP的第二端。相应地,虚设水平传输线ELHm可以用作低压电源线(有效的ELVSS或“EOA”)。
在下显示区AAL中,水平传输线ELH通过第一接触孔BC1连接到垂直传输线ELV,并且通过第二接触孔BC2连接到数据线DL。在这样的实施例中,垂直传输线ELV在与第一接触孔BC1邻近的上部分处断开。此外,水平传输线ELH在与第一接触孔BC1邻近的右部分处断开,并且在与第二接触孔BC2邻近的左部分处断开。当从垂直传输线ELV的下部分提供数据信号时,数据信号通过垂直传输线ELV、第一接触孔BC1、水平传输线ELH和第二接触孔BC2被输送到数据线DL。相应地,在下显示区AAL中在第二方向D2上延伸的多条水平传输线ELH可以传送数据信号。
相应地,在下显示区AAL中,水平传输线ELH的两端分别连接到垂直传输线ELV和数据线DL,使得可以实现其中扇出线设置或形成在显示区AA中的边界减小结构(BRS)。
在这样的实施例中,在上显示区AAU中,水平传输线ELH可以连接到用于传输低压电力的垂直传输线ELV,使得可以实现显示区AA中的低压电源线(EOA)的结构。
在实施例中,显示区AA可以在由第二方向D2和垂直于第二方向D2的第一方向D1形成的平面上具有矩形形状。在实施例中,显示区AA的边缘可以具有圆弧形状。在实施例中,如图1中所示,显示区AA具有带有倒圆角的矩形形状,但不限于此。
外围区PA可以包括与显示区AA的左侧邻近的左外围区、与显示区AA的右侧邻近的右外围区、与显示区AA的上侧邻近的上外围区以及与显示区AA的下侧邻近的下外围区。
在这样的实施例中,由于用于连接驱动部件的数据焊盘COP和栅焊盘FOP设置在下外围区中,因此下外围区可以具有较大的面积,例如比上外围区、左外围区和右外围区的宽度大的宽度。下外围区可以包括与显示区AA紧邻的第一外围区PAa、弯曲区BA和第二外围区PAb。数据焊盘COP和栅焊盘FOP可以设置在第二外围区PAb中。
是将被折叠以将第二外围区PAb设置在显示装置的后表面上的部分的弯曲区BA可以设置在第一外围区PAa和第二外围区PAb之间。
在这样的实施例中,弯曲区BA在第二方向D2上的长度可以小于显示区AA在第二方向D2上的长度。相应地,在第二方向D2上位于设置在下外围区中的旁路数据线DSPL的外侧的数据线可以通过水平传输线ELH连接到旁路数据线DSPL。
旁路数据线DSPL可以电连接到显示区AA中的数据线DL和数据焊盘COP。
在实施例中,连接到扫描驱动部件和栅焊盘FOP的旁路栅线GSPL可以设置在下外围区的与旁路数据线DSPL邻近的部分中。
包括数据驱动部件的芯片可以连接到数据焊盘COP。包括时序控制部件的驱动基板可以连接到栅焊盘FOP。
在实施例中,如上所述,在下显示区AAL中,水平传输线ELH的两端分别连接到垂直传输线ELV和数据线DL,使得实现其中扇出线形成在显示区AA中的边界减小结构(BRS)。
在这样的实施例中,在上显示区AAU中,水平传输线ELH可以连接到用于传输低压电力的垂直传输线ELV,使得可以实现显示区AA中的低压电源线(EOA)的结构。
图2是示出图1的像素和驱动部件的实施例的框图。
参考图1和图2,显示装置的实施例包括多个像素PX(图3中所示)、驱动单元和线单元。
驱动单元包括扫描驱动部件SDV、发光驱动部件EDV、数据驱动部件DD和时序控制部件TC。为了便于说明和描述,图2示出了在一个实施例中扫描驱动部件SDV、发光驱动部件EDV、数据驱动部件DD和时序控制部件TC的位置,但不限于此。在显示装置的可替代实施例中,这些元件可以设置在显示装置内的不同位置处。
线单元将驱动单元的信号提供到每个像素PX。线单元包括扫描线SL、数据线DL1、…、DLn-1、DLn和DLn+1(被示出为DL)、发光控制线EL、第一电源布线和第二电源布线(未示出)以及初始化电源线(未示出)。
扫描线SL、数据线DL和发光控制线EL可以电连接到每个像素PX。
当从扫描线SL供应扫描信号时,像素PX从数据线DL1、…、DLn-1、DLn和DLn+1接收数据信号。接收到数据信号的像素PX可以控制从驱动电源电压(或高电源电压)ELVDD通过有机发光器件(未示出)流到接地电源电压ELVSS的电流量。
图3是示出在图2中所示的像素的实施例的等效电路图。在图3中,为了便于说明和描述,示出了像素PX当中的连接到第m数据线DLm(这里,“m”是自然数)和第i扫描线SLi(这里,“i”是自然数)的像素PX。
参考图3,根据本发明的像素PX的实施例包括有机发光器件OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器CST。
有机发光器件OLED的阳极可以经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1,并且有机发光器件OLED的阴极可以连接到接地电源电压ELVSS的线。有机发光器件OLED可以响应于从第一晶体管T1向其供应的电流量而产生预定亮度的光。
驱动电源电压ELVDD可以设置为高于接地电源电压ELVSS的电压,使得电流流过有机发光器件OLED。
第七晶体管T7可以连接在初始化电源VINT和有机发光器件OLED的阳极之间。在这样的实施例中,第七晶体管T7的栅电极可以连接到第i+1扫描线SLi+1或第i-1扫描线SLi-1。当向第i+1扫描线SLi+1或第i-1扫描线SLi-1供应扫描信号时,第七晶体管T7被导通以将初始化电源VINT的电压供应到有机发光器件OLED的阳极。这里,初始化电源VINT可以设置为低于数据信号的电压的电压。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1和有机发光器件OLED之间。在这样的实施例中,第六晶体管T6的栅电极可以连接到第i发光控制线ELi。当发光控制信号被供应到第i发光控制线ELi时,第六晶体管T6可以被截止,并且第六晶体管T6可以以其它方式被导通。
第五晶体管T5可以连接在驱动电源电压ELVDD的线和第一晶体管T1之间。在这样的实施例中,第五晶体管T5的栅电极可以连接到第i发光控制线ELi。当发光控制信号被供应到第i发光控制线ELi时,第五晶体管T5可以被截止,并且第五晶体管T5可以以其它方式被导通。
第一晶体管T1(即,驱动晶体管)的第一电极可以经由第五晶体管T5连接到驱动电源电压ELVDD的线,并且第一晶体管T1的第二电极可以经由第六晶体管T6连接到有机发光器件OLED的阳极。在这样的实施例中,第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。因此,响应于第一节点N1的电压,第一晶体管T1控制流过连接到驱动电源电压ELVDD的线和接地电源电压ELVSS的线的有机发光器件OLED的电流量。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极(或第二节点N2)和第一节点N1之间。在这样的实施例中,第三晶体管T3的栅电极可以连接到第i扫描线SLi。因此,当扫描信号被供应到第i扫描线SLi时,第三晶体管T3被导通,使得第三晶体管T3可以电连接到第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1。相应地,当第三晶体管T3被导通时,第一晶体管T1可以以二极管的形式连接。
第四晶体管T4可以连接在第一节点N1和初始化电源VINT之间。在这样的实施例中,第四晶体管T4的栅电极可以连接到第i-1扫描线SLi-1。因此,当扫描信号被供应到第i-1扫描线SLi-1时,第四晶体管T4被导通,使得初始化电源VINT的电压可以被施加到第一节点N1。
第二晶体管T2可以连接在第m数据线DLm和第一晶体管T1的第一电极之间。在这样的实施例中,第二晶体管T2的栅电极可以连接到第i扫描线SLi。因此,当扫描信号被供应到第i扫描线SLi时,第二晶体管T2被导通,使得第m数据线DLm和第一晶体管T1的第一电极可以彼此电连接。
存储电容器CST可以连接在驱动电源电压ELVDD的线和第一节点N1之间。因此,存储电容器CST可以存储数据信号以及与第一晶体管T1的阈值电压相对应的电压。
返回参考图2,扫描驱动部件SDV可以响应于来自时序控制部件TC的第一栅控制信号GCS1将扫描信号供应到扫描线SL。当将扫描信号顺序地供应到扫描线SL时,可以以水平线为单位顺序地选择像素PX。
发光驱动部件EDV可以响应于来自时序控制部件TC的第二栅控制信号GCS2将发光控制信号供应到发光控制线EL。发光驱动部件EDV可以将发光控制信号顺序地供应到发光控制线EL。在这样的实施例中,发光控制信号可以设置为栅截止电压(例如,高电压),使得在像素PX中包括的晶体管被截止,并且扫描信号可以设置为栅导通电压(例如,低电压),使得在像素PX中包括的晶体管被导通。
数据驱动部件DD可以响应于数据控制信号DCS将数据信号供应到数据线DL1、…、DLn-1、DLn和DLn+1。供应到数据线DL1、…、DLn-1、DLn和DLn+1的数据信号被供应到由扫描信号选择的像素PX。
时序控制部件TC将基于从外部装置提供的时序信号产生的第一栅控制信号GCS1和第二栅控制信号GCS2分别提供给扫描驱动部件SDV和发光驱动部件EDV,并且将数据控制信号DCS提供给数据驱动部件DD。
第一栅控制信号GCS1和第二栅控制信号GCS2中的每一个可以包括起始脉冲和时钟信号。起始脉冲可以控制第一扫描信号或第一发光控制信号的时序。时钟信号可以用于移位起始脉冲。
数据控制信号DCS可以包括源起始脉冲和时钟信号。源起始脉冲控制数据的采样起始点。时钟信号可以用于控制采样操作。
在实施例中,如上所述,扫描驱动部件SDV设置在与显示区AA的左侧邻近的外围区PA中,并且发光驱动部件EDV设置在与显示区AA的右侧邻近的外围区PA中,但不限于此。在一个可替代实施例中,例如,通过扫描线SL彼此连接的至少两个扫描驱动部件SDV和通过发光控制线EL彼此连接的至少两个发光驱动部件EDV可以设置在左外围区和右外围区两者中,使得可以将在左侧和右侧彼此同步的信号供应到像素PX。
图4是示出在图2中示出的显示装置的下显示区中排布的信号线的平面图。图5是沿图4的线I-I’截取的显示装置的截面图。图6是沿图4的线II-II’截取的显示装置的截面图。
参考图4、图5和图6,显示装置的实施例包括基底基板100、缓冲层110、有源图案ACT、栅绝缘层120、栅图案、层间绝缘层130、第一源/漏图案、第一通孔绝缘层140、第二源/漏图案、第二通孔绝缘层150、发光结构180、像素限定层PDL和薄膜封装层TFE。
基底基板100可以包括透明或不透明材料。在一个实施例中,例如,基底基板100可以包括从石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟掺杂(“F掺杂”)石英基板、钠钙玻璃基板和无碱玻璃基板等中选择的至少一种。基底基板100可以包括具有柔性的透明树脂基板或者由具有柔性的透明树脂基板形成。在一个实施例中,例如,用于基底基板100的透明树脂基板可以包括聚酰亚胺基板。在这样的实施例中,聚酰亚胺基板可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层等,或者由第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层等组成。在一个实施例中,例如,聚酰亚胺基板可以具有其中第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层被层叠在硬玻璃基板上的结构。
缓冲层110可以防止金属原子或杂质扩散,并且可以在用于形成有源图案ACT的结晶工艺中调整热传递速率,以获得基本上均匀的有源图案ACT。在基底基板100表面不均匀的实施例中,缓冲层110可以用于改善基底基板100的表面的平坦度。缓冲层110可以包括从氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)和碳氮化硅(SiCxNy)等中选择的至少一种。
有源图案ACT可以设置在缓冲层110上。在实施例中,有源图案ACT可以包括非晶硅或多晶硅。在可替代实施例中,有源图案ACT可以包括从铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中选择的至少一种材料的氧化物半导体。
有源图案ACT可以设置在显示区DA中,以包括在像素结构的薄膜晶体管TFT中。有源图案ACT可以包括掺杂有杂质的漏区和源区以及在漏区和源区之间的沟道区。
栅绝缘层120可以设置在有源图案ACT上。栅绝缘层120可以包括无机绝缘材料。在一个实施例中,例如,栅绝缘层120包括硅化合物,诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)和碳氮化硅(SiCxNy)。
栅图案可以设置在栅绝缘层120上。栅图案可以包括薄膜晶体管TFT的栅电极GE以及诸如扫描线SL的信号线。扫描线SL可以在第二方向D2上延伸,并且可以沿第一方向D1顺序地排布。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等形成栅图案。在一个实施例中,例如,栅图案可以包括具有高导电性的金属,诸如铜(Cu)或铝(Al)。
层间绝缘层130可以设置在其上设置有栅图案的栅绝缘层120上。层间绝缘层130可以包括无机绝缘材料。在一个实施例中,例如,层间绝缘层130可以包括硅化合物,诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)和碳氮化硅(SiCxNy)。
第一源/漏图案可以设置在层间绝缘层130上。第一源/漏图案可以包括源电极SE、漏电极DE、数据线DL和垂直传输线ELV。
源电极SE和漏电极DE可以通过穿过层间绝缘层130和栅绝缘层120形成的接触孔而电连接到有源图案ACT的源区和漏区。
数据线DL可以包括第m-1数据线DLm-1(这里,“m”是自然数)、第m数据线DLm、第n数据线DLn(这里,“n”是自然数)和第n+1数据线DLn+1。第m-1数据线DLm-1、第m数据线DLm、第n数据线DLn和第n+1数据线DLn+1可以分别在第一方向D1上延伸,并且可以沿第二方向D2顺序地排布。
垂直传输线ELV可以设置在彼此相邻的两条数据线DL之间。垂直传输线ELV可以设置为平行于数据线DL。用于驱动是有机发光器件OLED的发光结构180的接地电源电压ELVSS可以被施加到垂直传输线ELV。
垂直传输线ELV可以包括第n垂直传输线ELVn、第n+1垂直传输线ELVn+1、第m垂直传输线ELVm和第m-1垂直传输线ELVm-1等。
在实施例中,垂直传输线ELV可以在显示区AA中的一点处断开,即,同一条假想垂直线中的垂直传输线ELV可以包括彼此分离或电断开的两部分。在实施例中,第n垂直传输线ELVn在显示装置的下显示区AAL中断开一次。接地电源电压ELVSS可以被施加到断开的第n垂直传输线ELVn的上线,并且数据信号可以被施加到断开的第n垂直传输线ELVn的下线。
第n+1垂直传输线ELVn+1在显示装置的下显示区AAL中断开一次。接地电源电压ELVSS可以被施加到断开的第n+1垂直传输线ELVn+1的上线,并且数据信号可以被施加到断开的第n+1垂直传输线ELVn+1的下线。
第m垂直传输线ELVm在显示装置的下显示区AAL中断开一次,虽然未示出。接地电源电压ELVSS可以被施加到断开的第m垂直传输线ELVm的上线,并且数据信号可以被施加到断开的第m垂直传输线ELVm的下线。
第m-1垂直传输线ELVm-1在显示装置的下显示区AAL中断开一次,虽然未示出。接地电源电压ELVSS可以被施加到断开的第m-1垂直传输线ELVm-1的上线,并且数据信号可以被施加到断开的第m-1垂直传输线ELVm-1的下线。
可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等形成第一源/漏图案。在一个实施例中,例如,第一源/漏图案可以包括具有高导电性的金属,诸如铜或铝。在实施例中,第一源/漏图案可以具有多个分层结构。在一个实施例中,例如,第一源/漏图案可以包括钛层、位于钛层上的铝层以及位于铝层上的钛层。
像素PX设置或形成在其中每条扫描线SL和每条数据线DL彼此交叉的点处。每个像素PX包括薄膜晶体管TFT和发光结构180。
第一通孔绝缘层140可以设置在其上设置有第一源/漏图案的层间绝缘层130上。第一通孔绝缘层140可以包括有机绝缘材料。在一个实施例中,例如,可以使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等形成第一通孔绝缘层140。
第二源/漏图案可以设置在第一通孔绝缘层140上。第二源/漏图案可以包括水平传输线ELH、设置在水平传输线ELH的假想延长线上的虚设水平传输线ELHm以及接触焊盘CP。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等形成第二源/漏图案。在一个实施例中,例如,第二源/漏图案可以包括具有高导电性的金属,诸如铜或铝。在实施例中,第二源/漏图案可以具有多个分层结构。在一个实施例中,例如,第二源/漏图案可以包括钛层、位于钛层上的铝层以及位于铝层上的钛层。
水平传输线ELH在第二方向D2上延伸,并且在第一方向D1上排布。水平传输线ELH可以包括第p+1水平传输线ELHp+1、第p水平传输线ELHp、第p-1水平传输线ELHp-1和第p-2水平传输线ELHp-2等。
第p水平传输线ELHp通过第一接触孔BC11连接到第n垂直传输线ELVn的下线,并且通过第二接触孔BC12连接到第m数据线DLm。相应地,当数据信号被施加到第n垂直传输线ELVn的下线时,数据信号经由第一接触孔BC11、第p水平传输线ELHp和第二接触孔BC12而被施加到第m数据线DLm。
第p-1水平传输线ELHp-1通过第三接触孔BC21连接到第n+1垂直传输线ELVn+1的下线,并且通过第四接触孔BC22连接到第m-1数据线DLm-1。相应地,当数据信号被施加到第n+1垂直传输线ELVn+1的下线时,数据信号通过第三接触孔BC21、第p-1水平传输线ELHp-1和第四接触孔BC22而被施加到第m-1数据线DLm-1。
在这样的实施例中,尽管图中未示出,但是第p-2水平传输线ELHp-2通过一个接触孔连接到垂直传输线ELV的下线,并且通过另一接触孔连接到数据线DL。
虚设水平传输线ELHm设置在水平传输线ELH的假想延长线上。虚设水平传输线ELHm包括第p虚设水平传输线ELHmp、第q虚设水平传输线ELHmq、第p-1虚设水平传输线ELHmp-1和第q-1虚设水平传输线ELHmq-1。
第p虚设水平传输线ELHmp设置在第p水平传输线ELHp的左延长线上,并且第q虚设水平传输线ELHmq设置在第p水平传输线ELHp的右延长线上。第p-1虚设水平传输线ELHmp-1设置在第p-1水平传输线ELHp-1的左延长线上,并且第q-1虚设水平传输线ELHmq-1设置在第p-1水平传输线ELHp-1的右延长线上。
接触焊盘CP可以通过穿过第一通孔绝缘层140限定或形成的接触孔而电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。
第二通孔绝缘层150可以设置在其上设置有第二源/漏图案的第一通孔绝缘层140上。第二通孔绝缘层150可以包括有机绝缘材料。在一个实施例中,例如,可以通过使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等形成第二通孔绝缘层150。
发光结构180可以包括下电极181、发光层182和上电极183。
下电极181可以设置在第二通孔绝缘层150上。在实施例中,基于显示装置的发光方法,下电极181可以由反射材料或透光材料形成。在实施例中,下电极181可以具有单层结构或者包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的多层结构。
像素限定层PDL可以设置在其上设置有下电极181的第二通孔绝缘层150上。可以使用有机材料或无机材料等形成像素限定层PDL。在一个实施例中,例如,可以使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或硅酮化合物等形成像素限定层PDL。根据实施例,可以通过蚀刻像素限定层PDL来形成部分地暴露下电极181的开口。可以由像素限定层PDL的开口来限定显示装置的发射区和非发射区。在一个实施例中,例如,像素限定层PDL的开口位于其中的部分可以对应于发射区,并且非发射区可以对应于与像素限定层PDL的开口邻近的部分。
发光层182可以设置在通过像素限定层PDL的开口暴露的下电极181上。在实施例中,发光层182可以在像素限定层PDL的开口的侧壁上延伸。在实施例中,发光层182可以具有包括有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等的多层结构。在可替代实施例中,可以公共地形成除了有机发光层之外的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层以对应于多个像素PX。可以使用能够根据显示装置的每个像素PX产生不同颜色的光(例如,红光、绿光和蓝光)的发光材料来形成发光层182的有机发光层。根据可替代实施例,发光层182的有机发光层可以具有其中能够实现不同颜色的光(诸如红光、绿光和蓝光)的多种发射材料被堆叠以发射白光的结构。在这样的实施例中,发光结构180公共地形成为对应于多个像素PX,并且可以通过滤色器层对像素PX中的每一个进行分类。
上电极183可以设置在像素限定层PDL和发光层182上。在实施例中,基于显示装置的发光方法,上电极183可以包括透光材料或反射材料。在实施例中,上电极183可以具有单层结构或者包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的多层结构。
薄膜封装层TFE可以设置在上电极183上。薄膜封装层TFE可以防止外部湿气和氧气的渗透。薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可以彼此交替地堆叠。例如,薄膜封装层TFE可以包括两个无机层以及位于两个无机层之间的有机层,但不限于此。在另一实施例中,代替薄膜封装层TFE,可以提供密封基板以阻挡外部空气和湿气渗透到显示装置中。
在实施例中,可以在形成第二源/漏图案时形成水平传输线ELH,但不限于此。可替代地,可以在形成发光结构180的下电极181时形成水平传输线ELH。在实施例中,如图5和图6中所示,在第二通孔绝缘层150和第一通孔绝缘层140中限定或形成附加的通孔,以对应于第n垂直传输线ELVn和第m垂直传输线ELVm。然后,形成发光结构180的下电极181的导电层可以被图案化以形成水平传输线ELH,以接触在下面形成的第n垂直传输线ELVn和第m垂直传输线ELVm。
图7是根据本发明的可替代实施例的显示装置的平面图。
参考图7,根据本发明的显示装置的实施例可以包括其中显示图像的显示区AA以及与显示区AA邻近并且围绕显示区AA的外围区PA。
除了在下显示区AAL中在第二方向D2上形成的至少一条水平传输线ELH之外,图7中所示的显示装置可以与上面参考图1描述的显示装置基本上相同。因此,在图7中使用相同或相似的附图标记来表示与图1中所示的组件相同或相似的组件,并且因此,将省略或简化它们的任何重复的详细描述。
在实施例中,下显示区AAL可以被分成左角区、右角区以及在左角区和右角区之间的中间区。
在下显示区AAL的左角区和右角区中的每一个中,水平传输线ELH通过第一接触孔BC1和第二接触孔BC2中的每一个连接到垂直传输线ELV和数据线DL,使得水平传输线ELH将数据电压传输到数据线DL。在这样的实施例中,在下显示区AAL的左角区和右角区中的每一个,虚设水平传输线ELHm可以进一步设置或形成在水平传输线ELH的假想延长线上。在下显示区AAL中,设置或形成在左角区和右角区中的每一个中的虚设水平传输线ELHm可以具有与水平传输线ELH物理分离的一端以及连接到承载接地电源电压ELVSS的外围线ELP的另一端。在实施例中,与左角区和右角区中的每一个相对应的虚设水平传输线ELHm与垂直传输线ELV和数据线DL电绝缘。相应地,虚设水平传输线ELHm可以用作低压电源线(EOA)。
在是下显示区AAL的剩余区的中间区中,水平传输线ELH不连接到数据线DL。在实施例中,水平传输线ELH可以通过接触孔连接到垂直传输线ELV。可替代地,水平传输线ELH可以与垂直传输线ELV电绝缘。
相应地,在这样的实施例中,在显示区AA下面的左角区和右角区中的每一个中,由于水平传输线ELH的两端分别连接到垂直传输线ELV和数据线DL,因此可以实现其中扇出线设置在显示区AA中的边界减小结构(BRS)。
在这样的实施例中,在显示区AA的剩余区中,水平传输线ELH可以连接到用于输送低压电力的垂直传输线ELV,使得可以实现显示区AA中的低压电源线(EOA)的结构。
如上所述,根据本发明的实施例,可以通过结合是用于减小显示装置的下端处的死区的技术的BRS和是用于在显示区中形成低压电源线的技术的EOA来减少显示装置中可能产生的红外线。在这样的实施例中,即使在显示装置中产生红外线,由于水平传输线用于阻挡红外线,因此也可以减少发射到外部的红外线。
通常,当显示装置的下端的面积减小时,电源线单元的设计空间不足,使得可能产生热量并且功耗可能增加。然而,根据本发明的实施例,通过由水平传输线实现BRS而在显示区中形成扇出线,可以降低产生热量和功耗的风险。在这样的实施例中,由于电源线单元的设计空间可以被保证,因此使得可以显著降低产生热量的风险并且可以有效防止功耗的增加。
在根据本发明的这样的实施例中,由于可以在不使用附加的掩模的情况下制造显示装置,因此不会导致任何附加的制造成本。
本发明不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反,提供这些实施例是为了使本公开彻底和完整,并且将本发明的概念充分传达给本领域技术人员。
尽管已经参考本发明的实施例具体示出和描述了本发明,但是本领域普通技术人员将理解,在不偏离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (17)

1.一种显示装置,包括:
数据线,在显示区中在第一方向上延伸并且在第二方向上排布,并且连接到多个像素,其中所述显示区被分成上显示区和下显示区;
垂直传输线,在所述显示区中在所述第一方向上延伸,其中所述垂直传输线从所述显示区的上侧接收接地电源电压以将所述接地电源电压传送到所述像素,并且从所述显示区的下侧接收数据电压;以及
水平传输线,在所述显示区中在所述第二方向上延伸并且在所述显示区中在所述第一方向上排布,并且在所述下显示区中连接到所述垂直传输线和所述数据线中的每一条以将所述数据电压传送到所述数据线。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,一条假想水平线上的所述水平传输线被分成彼此电断开的两部分。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
虚设水平传输线,在所述显示区中在所述第二方向上延伸,
其中,所述虚设水平传输线位于所述水平传输线的假想延长线上。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述虚设水平传输线与所述垂直传输线和所述数据线电绝缘。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置,
其中,所述下显示区包括左角区、右角区和中间区,并且
其中,所述水平传输线位于所述左角区和所述右角区中的每一个中。
6.根据权利要求5所述的显示装置,进一步包括:
虚设水平传输线,在所述显示区中在所述第二方向上延伸,
其中,所述虚设水平传输线位于所述水平传输线的假想延长线上。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,与所述中间区相对应的水平传输线电连接到所述垂直传输线。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,与所述左角区和所述右角区中的每一个相对应的所述虚设水平传输线与所述垂直传输线和所述数据线电绝缘。
9.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述水平传输线进一步在所述上显示区中连接到所述垂直传输线以将所述接地电源电压传送到所述垂直传输线。
10.根据权利要求1或2所述的显示装置,进一步包括:
外围线,设置在围绕所述显示区的外围区中,并且连接到所述垂直传输线以将所述接地电源电压传送到所述垂直传输线。
11.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,一条假想垂直线上的所述垂直传输线被分成彼此电断开的至少两部分。
12.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述垂直传输线包括与所述数据线的材料相同的材料。
13.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述垂直传输线与所述数据线设置在同一层中。
14.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述水平传输线包括与将薄膜晶体管的漏电极和发光结构的下电极彼此电连接的接触焊盘的材料相同的材料。
15.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述水平传输线与将薄膜晶体管的漏电极和发光结构的下电极彼此电连接的接触焊盘设置在同一层中。
16.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述水平传输线包括与发光结构的下电极的材料相同的材料。
17.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中,所述水平传输线与发光结构的下电极设置在同一层中。
CN202111367574.9A 2020-12-01 2021-11-18 显示装置 Pending CN114582931A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0166121 2020-12-01
KR1020200166121A KR20220077323A (ko) 2020-12-01 2020-12-01 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114582931A true CN114582931A (zh) 2022-06-03

Family

ID=81751654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111367574.9A Pending CN114582931A (zh) 2020-12-01 2021-11-18 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20220173197A1 (zh)
KR (1) KR20220077323A (zh)
CN (1) CN114582931A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220077323A (ko) 2020-12-01 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101473839B1 (ko) * 2007-10-17 2014-12-18 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20140097887A (ko) * 2013-01-30 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102082409B1 (ko) * 2013-08-28 2020-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102137897B1 (ko) * 2016-01-21 2020-08-13 애플 인크. 유기 발광 다이오드 디스플레이들을 위한 전력 및 데이터 라우팅 구조들
KR102547079B1 (ko) * 2016-12-13 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
EP3477705B1 (en) * 2017-10-30 2021-04-07 LG Display Co., Ltd. Display device
KR102617812B1 (ko) * 2018-05-10 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치
US10763323B2 (en) * 2018-06-22 2020-09-01 Apple Inc. Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays
KR102528500B1 (ko) * 2018-07-19 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102562837B1 (ko) * 2018-09-13 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20210008201A (ko) 2019-07-10 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210037786A (ko) * 2019-09-27 2021-04-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210113538A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220061335A (ko) * 2020-11-05 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220077323A (ko) 2020-12-01 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20230422564A1 (en) 2023-12-28
US12101978B2 (en) 2024-09-24
US20220173197A1 (en) 2022-06-02
KR20220077323A (ko) 2022-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102571354B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR102612734B1 (ko) 표시장치
CN111354304B (zh) 显示装置
US10629125B2 (en) Display device
US11437439B2 (en) Display device
US10916613B1 (en) Array substrate and OLED display device
KR102632130B1 (ko) 표시 장치
CN110010658B (zh) 显示装置
CN118430448A (zh) 有机发光显示装置
CN111326673B (zh) 显示装置
CN112703606A (zh) 有机发光显示装置
CN114694586A (zh) 显示装置
KR102302661B1 (ko) 표시장치
KR20240148299A (ko) 표시장치
US12101978B2 (en) Display device with fan-out line and low-voltage power supply line in display area
KR102674308B1 (ko) 표시장치
WO2024046040A1 (zh) 显示面板和显示装置
US20210098560A1 (en) Display device
KR102608778B1 (ko) 표시장치
KR102344142B1 (ko) 표시장치
US20240179955A1 (en) Display device
US20240373699A1 (en) Display device
CN115224078A (zh) 显示装置
KR20200077322A (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination