KR102528500B1 - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102528500B1 KR102528500B1 KR1020180083825A KR20180083825A KR102528500B1 KR 102528500 B1 KR102528500 B1 KR 102528500B1 KR 1020180083825 A KR1020180083825 A KR 1020180083825A KR 20180083825 A KR20180083825 A KR 20180083825A KR 102528500 B1 KR102528500 B1 KR 102528500B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- line
- disposed
- display area
- display device
- Prior art date
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 85
- 241000239290 Araneae Species 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 101001094079 Homo sapiens Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 2 Proteins 0.000 description 7
- 102100035242 Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 2 Human genes 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100268327 Solanum lycopersicum TFT6 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 4
- 102100024109 Cyclin-T1 Human genes 0.000 description 4
- 102100026620 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Human genes 0.000 description 4
- 101710140859 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Proteins 0.000 description 4
- 101000910488 Homo sapiens Cyclin-T1 Proteins 0.000 description 4
- 101000777470 Mus musculus C-C motif chemokine 4 Proteins 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 101100014264 Arabidopsis thaliana GCS2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101000577105 Homo sapiens Mannosyl-oligosaccharide glucosidase Proteins 0.000 description 3
- 102100025315 Mannosyl-oligosaccharide glucosidase Human genes 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함한다. 상기 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되는 제1 데이터 라인, 상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 연결 콘택홀을 통해 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 연결 라인, 상기 주변 영역에 배치되는 데이터 패드부, 및 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제1 연결 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제1 데이터 스파이더 라인을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비표시 영역인 주변 영역이 감소된 표시 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역과 상기 표시 영역 주변의 비표시 영역인 주변 영역을 포함한다. 여기서, 상기 주변 영역의 폭을 줄이기 위한 노력이 있어서 왔다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 비표시 영역인 주변 영역이 감소한 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함한다. 상기 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되는 제1 데이터 라인, 상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 연결 콘택홀을 통해 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 연결 라인, 상기 주변 영역에 배치되는 데이터 패드, 및 상기 데이터 패드와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제1 연결 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제1 데이터 스파이더 라인을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판은 가요성 기판일 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이에 배치되어 상기 표시 영역의 가장자리와 평행한 제1 방향으로 연장되고, 벤딩 영역을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 데이터 스파이더 라인은 상기 벤딩 영역과 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 일직선으로 연장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 벤딩 영역의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 표시 영역의 상기 제1 방향으로의 길이 보다 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되고 상기 제1 데이터 라인과 평행하게 연장되는 복수의 데이터 라인들, 및 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 각각의 상기 복수의 데이터 라인들과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 데이터 스파이더 라인과 평행하게 연장되는 복수의 데이터 스파이더 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 데이터 스파이더 라인 및 상기 복수의 데이터 스파이더 라인들은 모두 상기 제2 방향으로 연장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결 콘택홀은 상기 주변 영역에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 데이터 라인은 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 연결 라인은 상기 제2 방향으로 연장되는 제1 부분, 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 부분 및 상기 제1 부분과 평행한 제3 부분을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결 콘택홀은 상기 표시 영역 내에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되고 상기 제1 데이터 라인과 인접하여 배치되는 제2 데이터 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 데이터 라인은 상기 주변 영역에서 서로 연결되고, 상기 제1 연결라인과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 데이터 라인과 평행하고, 상기 표시 영역의 가장자리와 평행한 제1 방향을 따라 순차적으로 배열되는 제(n-1)번째 데이터 라인, 제(n) 번째 데이터 라인 및 제(n+1) 번째 데이터 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 데이터 패드에는 상기 제1 방향을 따라, 상기 제(n) 번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n) 패드, 상기 제(n-1) 번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n-1) 패드, 상기 제(n+1) 번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n+1) 패드, 및 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제n 패드가 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 연결 콘택홀을 통해 상기 제(n-1)번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n-1)번째 연결 라인, 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제(n-1)번째 연결 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제(n-1)번째 데이터 스파이더 라인, 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제(n)번째 데이터 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제(n)번째 데이터 스파이더 라인, 및 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제(n+1)번째 데이터 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제(n+1)번째 데이터 스파이더 라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 표시 영역의 좌측에 인접하는 좌측 주변 영역, 상기 표시 영역의 우측에 인접하는 우측 주변영역, 상기 표시 영역의 상측에 인접하는 상측 주변 영역 및 상기 표시 영역의 하측에 인접하는 하측 주변 영역을 포함할 수 있다. 상기 데이터 패드부는 하측 주변 영역에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 제2 전극, 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 연결 라인과 중첩하게 배치되는 쉴딩 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 쉴딩 전극에는 제1 전원(ELVDD) 또는 제2 전원(ELVSS)이 인가될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 연결 라인과 상기 제1 데이터 스파이더 라인은 상기 주변 영역에 형성되는 스파이더 콘택홀을 통해 서로 연결될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함할 수 있다. 상기 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 데이터 라인, 상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치될 수 있고, 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 연결 라인, 상기 제1 데이터 라인과 상기 제1 연결 라인 사이에 배치되고, 상기 제1 데이터 라인과 상기 제1 연결 라인이 서로 연결되는 제1 연결 콘택홀이 형성된 제1 절연층, 및 상기 제1 연결 라인과 중첩하는 쉴딩 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 상기 베이스 기판 상에 배치되는 액티브 패턴 및 상기 액티브 패턴과 중첩하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성되고, 상기 제1 연결 라인과 전기적으로 연결되는 제1 데이터 스파이더 라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 쉴딩 전극은 상기 박막 트랜지스터와 상기 제1 연결 라인 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 쉴딩 전극은 상기 제1 데이터 라인과 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 데이터 라인과 인접하여 평행하게 연장되는 제2 데이터 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 데이터 라인 및 상기 제2 데이터 라인은 상기 제1 연결 라인에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 쉴딩 전극은 상기 제1 데이터 라인 및 상기 제2 데이터 라인과 중첩할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함할 수 있다. 상기 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 데이터 라인 및 제2 데이터 라인, 상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치될 수 있고, 상기 제1 데이터 라인과 콘택홀을 통해 연결되는 제1 연결 라인, 상기 제1 연결라인과 콘택홀을 통해 연결되는 제1 스파이더 라인, 상기 제2 데이터 라인과 콘택홀을 통해 연결되는 제2 스파이더 라인, 및 상기 제1 스파이더 라인 및 상기 제2 스파이더 라인과 전기적으로 연결되고 데이터 구동칩이 연결되는 데이터 패드를 포함한다.
본 실시예에 따르면, 상기 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함한다. 상기 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되는 제1 데이터 라인, 상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 연결 콘택홀을 통해 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 연결 라인, 상기 주변 영역에 배치되는 데이터 패드부, 및 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제1 연결 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제1 데이터 스파이더 라인을 포함한다. 상기 제1 연결 라인이 상기 주변 영역이 아닌 상기 표시 영역 내에 배치되므로, 상기 주변부의 폭을 줄여 비표시 영역인 베젤 부분을 줄인 표시 장치를 구현할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른 화소들 및 구동부의 실시예를 나타낸 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 표시 장치의 좌측 하단 부분의 확대도이다.
도 5는 도 4의 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 4의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 도 4의 II-II'선을 따라 절단한 표시 장치의 일부 층에 대한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 좌측 하단 부분의 확대도이다.
도 10은 도 9의 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 17a는 도 16의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 17b는 도 16의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른 화소들 및 구동부의 실시예를 나타낸 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 표시 장치의 좌측 하단 부분의 확대도이다.
도 5는 도 4의 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 4의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 도 4의 II-II'선을 따라 절단한 표시 장치의 일부 층에 대한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 좌측 하단 부분의 확대도이다.
도 10은 도 9의 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 17a는 도 16의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 17b는 도 16의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역(AA) 및 상기 표시 영역(AA)에 인접하고 상기 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역인 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역(AA)은 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)이 이루는 평면 상에 사각형 형상을 이룰 수 있으며, 상기 표시 영역(AA)의 모서리는 라운드 형상일 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역(AA)은 라운드된 모서리를 갖는 사각형 형상이나, 이에 한정되지 않는다.
상기 주변 영역(PA)은 상기 표시 영역(AA)의 좌측에 인접하는 좌측 주변 영역, 상기 표시 영역(AA)의 우측에 인접하는 우측 주변영역, 상기 표시 영역(AA)의 상측에 인접하는 상측 주변 영역 및 상기 표시 영역(AA)의 하측에 인접하는 하측 주변 영역을 포함할 수 있다.
이때, 상기 하측 주변 영역에 구동부를 연결하기 위한 데이터 패드(COP) 및 게이트 패드(FOP)가 배치되므로, 상기 하측 주변 영역은 상기 상측, 좌측 및 우측 주변 영역 보다 큰 폭으로 형성될 수 있다. 상기 하측 주변 영역은 상기 표시 영역(AA)에 바로 인접하는 제1 주변 영역(PAa), 벤딩 영역(BA) 및 제2 주변 영역(PAb)을 포함할 수 있다. 상기 데이터 패드(COP) 및 상기 게이트 패드(FOP)는 상기 제2 주변 영역(PAb)에 배치될 수 있다.
상기 벤딩 영역(BA)은 상기 제2 주변 영역(PAb)을 상기 표시 장치의 후면에 배치시키기 위해 접히는 부분으로, 상기 제1 주변 영역(PAa)과 상기 제2 주변 영역(PAb) 사이에 배치될 수 있다.
이때, 상기 벤딩 영역(BA)의 상기 제1 방향(D1)으로의 길이는 상기 표시 영역(AA)의 상기 제1 방향(D1)으로의 길이 보다 작을 수 있다. 이에 따라, 하측 주변 영역에 배치되는 데이터 스파이더 라인(DSPL) 보다 상기 제1 방향(D1)으로 바깥쪽에 위치하는 데이터 라인들은 연결 라인(CL)을 통해 상기 데이터 스파이더 라인(DSPL)과 연결될 수 있다.
상기 데이터 스파이더 라인(DSPL)은 상기 표시 영역(AA) 내의 데이터 라인 및 상기 데이터 패드(COP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 상기 하측 주변 영역의 상기 데이터 스파이더 라인(DSPL)과 인접하는 부분에는 스캔 구동부 또는 데이터 구동부와 연결되고, 게이트 패드(COP)와 연결되는 게이트 스파이더 라인(GSPL)이 배치될 수 있다.
상기 데이터 패드(COP)에는 데이터 구동부를 포함하는 칩(chip)이 연결될 수 있다. 상기 게이트 패드(COP)에는 타이밍 제어부를 포함하는 구동 기판이 연결될 수 있다.
도 2는 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른 화소들 및 구동부의 실시예를 나타낸 블록도이다. 도 4는 도 1의 표시 장치의 좌측 하단 부분의 확대도이다. 도 5는 도 4의 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 5를 참조하면, 상기 표시 장치는 복수의 화소들(PX), 구동부, 및 배선부를 포함한다.
상기 구동부는 스캔 구동부(SDV), 발광 구동부(EDV), 데이터 구동부(DD), 및 타이밍 제어부(TC)를 포함한다. 도 2에 있어서, 상기 스캔 구동부(SDV), 상기 발광 구동부(EDV), 상기 데이터 구동부(DDV), 및 상기 타이밍 제어부(TC)의 위치는 설명의 편의를 위해 설정된 것으로서, 실제 표시 장치를 구현할 때는 표시 장치 내에서의 다른 위치에 배치될 수 있다.
상기 배선부는 상기 구동부의 신호를 각 화소(PX)에 제공하며, 스캔 라인들(SL), 데이터 라인들(DL1,, DLn-1, DLn, DLn+1,) 및 발광 제어 라인들(EL), 제1 및 제2 전원 라인들(미도시), 및 초기화 전원 라인(미도시)을 포함한다.
상기 스캔 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 발광 제어 라인은 각각의 화소(PX)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 화소들(PX)은 상기 스캔 라인들(SL)로부터 스캔 신호가 공급될 때 데이터 라인들(DL1,, DLn-1, DLn, DLn+1,)로부터 데이터 신호를 공급받는다. 상기 데이터 신호를 공급받은 상기 화소들(PX)은 제1 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 소자(미도시)를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
상기 스캔 구동부(SDV)는 상기 타이밍 제어부(TC)로부터의 제1 게이트 제어 신호(GCS1)에 대응하여 상기 스캔 라인들(SL)로 스캔 신호를 공급할 수 있다. 상기 스캔 라인들(SL)로 스캔 신호가 순차적으로 공급되면 상기 화소들(PX)이 수평라인 단위로 순차적으로 선택될 수 있다.
상기 발광 구동부(EDV)는 상기 타이밍 제어부(TC)로부터의 제2 게이트 제어 신호(GCS2)에 대응하여 상기 발광 제어 라인들(EL)로 발광 제어 신호를 공급할 수 있다. 상기 발광 구동부(EDV)는 상기 발광 제어 라인들(EL)로 발광 제어 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
추가적으로, 상기 발광 제어 신호는 상기 화소들(PX)에 포함되는 트랜지스터가 턴-오프될 수 있도록 게이트 오프 전압(예를 들면, 하이 전압)으로 설정되고, 스캔 신호는 화소들(PXL)에 포함되는 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압(예를 들면, 로우 전압)으로 설정될 수 있다.
상기 데이터 구동부(DDV)는 데이터 제어 신호(DCS)에 대응하여 상기 데이터 라인들(DL1,, DLn-1, DLn, DLn+1,)로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 상기 데이터 라인들(DL1,, DLn-1, DLn, DLn+1,)로 공급된 상기 데이터 신호는 상기 스캔 신호에 의하여 선택된 화소들(PX)로 공급된다.
상기 타이밍 제어부(TC)는 외부로부터 공급되는 타이밍 신호들에 기초하여 생성된 상기 제1 및 제2 게이트 제어 신호들(GCS1, GCS2)을 상기 스캔 구동부(SDV) 및 상기 발광 구동부들(EDV)로 공급하고, 데이터 제어 신호(DCS)를 상기 데이터 구동부(DD)로 공급한다.
상기 제1 및 제2 게이트 제어 신호들(GCS1, GCS2) 각각에는 스타트 펄스 및 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 상기 스타트 펄스는 첫번째 스캔 신호 또는 첫번째 발광 제어 신호의 타이밍을 제어할 수 있다. 상기 클럭 신호들은 상기 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용될 수 있다.
상기 데이터 제어 신호(DCS)에는 상기 소스 스타트 펄스 및 상기 클럭 신호들이 포함될 수 있다. 상기 소스 스타트 펄스는 데이터의 샘플링 시작 시점을 제어한다. 상기 클럭 신호들은 샘플링 동작을 제어하기 위하여 사용될 수 있다.
여기서, 상기 데이터 라인은 제1 데이터 라인(DL1), 제(n-1)번째 데이터 라인(DLn-1), 제(n)번째 데이터 라인(DLn) 및 제(n+1)번째 데이터 라인(DLn+1)을 포함할 수 있다.
상기 제1 데이터 라인(DL1), 상기 제(n-1)번째 데이터 라인(DLn-1), 상기 제(n)번째 데이터 라인(DLn) 및 상기 제(n+1)번째 데이터 라인(DLn+1)은 제1 방향(D1)을 따라 배열되고, 상기 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있다.
상기 데이터 라인은 연결 콘택홀(CCNT)을 통해 연결 라인(CL)과 연결되고, 상기 연결 라인(CL)은 스파이더 콘택홀(SCNT)을 통해 스파이더 라인(SPDL)과 연결되거나, 상기 데이터 라인은 스파이더 콘택홀(SCNT)을 통해 스파이더 라인(SPDL)과 직접 연결될 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 데이터 라인(DL1)은 제1 연결 콘택홀(CCNT1)을 통해 제1 연결 라인(CL)과 연결될 수 있다. 상기 연결 콘택홀은 상기 주변 영역(PA)내에서 형성될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(CL)은 상기 표시 영역(AA)을 지나, 상기 주변 영역(PA)에서 제1 데이터 스파이더 라인(DSPL1)과 제1 스파이더 콘택홀(SCNT1)을 통해 연결될 수 있다. 이때, 상기 제1 연결 라인(CL)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되는 제1 부분(CL1a), 상기 제1 부분(CL1a)과 연결되고 상기 제1 방향(D2)으로 연장되는 제2 부분(CL1b) 및 상기 제1 부분(CL1a)과 평행한 제3 부분(CL1c)을 포함할 수 있다.
상기 제(n-1)번째 데이터 라인(DL1)은 상기 표시 영역(AA)의 하측의 상기 주변 영역(PA)내에서 연결 콘택홀(CCNT)을 통해 제(n-1)번째 연결 라인(CLn-1)과 연결될 수 있다. 상기 제(n-1)번째 연결 라인(CLn-1)은 상기 표시 영역(AA)을 지나, 상기 주변 영역(PA)에서 데이터 스파이더 라인(DSPL)과 스파이더 콘택홀(SCNT)을 통해 연결될 수 있다.
한편, 상기 제(n)번째 데이터 라인(DLn) 및 상기 제(n+1)번째 데이터 라인(DLn+1)은 연결 라인을 통하지 않고, 상기 주변 영역(PA)에서 데이터 스파이더 라인(DSPL)과 스파이더 콘택홀(SCNT)을 통해 직접 연결될 수 있다. 도 5에서는 n이 589인 경우가 개념적으로 도시되어 있다.
여기서, 상기 데이터 스파이더 라인들(DSPL1, DSPL)은 상기 벤딩 영역(BA)과 상기 표시 영역(AA) 사이의 상기 주변 영역(PA)에서, 각각이 상기 제2 방향으로 연장되고 서로 평행하게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 데이터 스파이더 라인들(DSPL1, DSPL)이 상기 제2 방향(D2)에 소정각도 꺽인 형상인 종래 기술에 비해, 상기 데이터 스파이더 라인들(DSPL1, DSPL) 간의 거리를 충분히 확보 할 수 있으며, 이에 따라, 상기 데이터 스파이더 라인들(DSPL1, DSPL)의 배선 저항을 줄일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 표시 장치는 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함한다. 상기 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되는 제1 데이터 라인, 상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 연결 콘택홀을 통해 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 연결 라인, 상기 주변 영역에 배치되는 데이터 패드부, 및 상기 데이터 패드부와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제1 연결 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제1 데이터 스파이더 라인을 포함한다. 상기 제1 연결 라인이 상기 주변 영역이 아닌 상기 표시 영역 내에 배치되므로, 상기 주변부의 폭을 줄여 비표시 영역인 베젤 부분을 줄인 표시 장치를 구현할 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 상기 스캔 구동부(SDV)는 표시 영역(AA)의 좌측에 인접하는 주변 영역(PA)에 배치되고, 상기 발광 구동부(EDV)는 상기 표시 영역(AA)의 우측에 인접하는 주변 영역(PA)에 배치되는 것으로 설명되었으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 좌측 및 우측 주변 영역 모두에 스캔 라인 및 발광 제어 라인으로 서로 연결되는 스캔 구동부 및 발광 구동부가 배치되어, 화소들에 좌측 및 우측에서 서로 동기화된 신호를 공급하도록 할 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 설명의 편의성을 위하여 제m 데이터 라인(Dm) 및 i번째 제1 스캔 라인(S1i)에 접속된 화소를 도시하기로 한다.
본 발명의 실시예에 의한 화소(PX)는 유기 발광 소자(OLED), 제1 트랜지스터(T1) 내지 제7 트랜지스터(T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비할 수 있다.
상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드는 상기 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 상기 제1 트랜지스터(T1)에 접속되고, 캐소드는 제2 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 이와 같은 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
상기 유기 발광 소자(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록 제1 전원(ELVDD)은 제2 전원(ELVSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
상기 제7 트랜지스터(T7)는 초기화 전원(Vint)과 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 i+1 번째 제1 스캔 라인(S1i+1) 또는 i-1 번째 제1 스캔 라인(S1i-1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제7 트랜지스터(T7)는 i번째 제1스캔 라인(S1i)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드로 공급할 수 있다. 여기서, 초기화 전원(Vint)은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
상기 제6 트랜지스터(T6)는 상기 제1 트랜지스터(T1)와 상기 유기 발광 소자(OLED) 사이에 접속된다. 그리고, 상기 제6 트랜지스터(T6) 게이트 전극은 i번째 제1 발광 제어 라인(E1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(T6)는 i번째 제1 발광 제어 라인(E1i)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
상기 제5 트랜지스터(T5)는 상기 제1 전원(ELVDD)과 상기 제1 트랜지스터(T1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 i번째 제1 발광 제어 라인(E1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제5 트랜지스터(T5)는 i번째 제1 발광 제어 라인(E1i)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 상기 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 상기 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 상기 유기 발광 소자(OLED)의 애노드에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 상기 제1 전원(ELVDD)으로부터 상기 유기 발광 소자(OLED)를 경유하여 상기 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 상기 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 i번째 제1 스캔 라인(S1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제3 트랜지스터(T3)는 i번째 제1 스캔 라인(S1i)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 제1 노드(N1)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 상기 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온 될 때 제1 트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.
상기 제4 트랜지스터(T4)는 제1 노드(N1)와 초기화 전원(Vint) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 i-1번째 제1 스캔 라인(S1i-1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제4 트랜지스터(T4)는 i-1번째 제1 스캔 라인(S1i-1)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 상기 제1 노드(N1)로 초기화 전원(Vint)의 전압을 공급할 수 있다.
상기 제2 트랜지스터(T2)는 제m 데이터 라인(Dm)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 상기 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 i번째 제1 스캔 라인(S1i)에 접속될 수 있다. 이와 같은 상기 제2 트랜지스터(T2)는 i번째 제1 스캔 라인(S1i)으로 스캔 신호가 공급될 때 턴-온되어 제m 데이터 라인(Dm)과 상기 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 제1 전원(ELVDD)과 상기 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 상기 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장할 수 있다.
도 6은 도 4의 I-I'선을 따라 절단한 표시 장치의 단면도이다. 도 7은 도 4의 II-II'선을 따라 절단한 표시 장치의 일부 층에 대한 단면도이다.
도 4 내지 7을 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 액티브 패턴(ACT), 제1 게이트 절연층(120), 제1 게이트 패턴, 제2 게이트 절연층(130), 제2 게이트 패턴(GAT2), 층간 절연층(140), 제1 데이터 패턴, 제1 절연층(160), 연결 라인 패턴, 제2 절연층(170), 화소 정의막(PDL), 발광 구조물(180), 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 가요성(flexible)이 있는 상기 투명 수지 기판일 수 있다. 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 베이스 기판(100)은 폴리 이미드(PI) 수지 필름 일 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 후술할 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브 패턴(ACT)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(100)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등 의 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 주변 영역(PA)의 벤딩 영역(BA)에 대해서는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 상기 버퍼층(110)은 상기 벤딩 영역(FA)에는 형성되지 않거나, 제거될 수 있다. 이는, 상기 벤딩 영역(BA)은 최종 제품에 있어서, 접혀지는 부분이므로, 무기막인 상기 버퍼층(110)이 상기 벤딩 영역(BA)에 형성되면, 상기 버퍼층(110)에 크랙(crack) 등의 손상이 발생될 수 있기 때문이다. 이와 마찬가지로, 무기막으로 형성되는 절연층들(120, 130, 등)은 상기 벤딩 영역(BA)에 대해서는 형성되지 않을 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT1, ACT2)이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT1, ACT2)은 상기 표시 영역(DA) 내에 배치되어 화소 구조를 이루는 박막 트랜지스터(TFT2, TFT6) 및 상기 주변 영역(PA) 내에 배치되어, 구동 회로를 이루는 액티브 패턴(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 구동 회로는 ASG(아몰퍼스 실리콘 게이트) 회로 일 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT2, TFT6)의 각각의 상기 액티브 패턴(ACT1, ACT2)은 불순물이 도핑(doping)된 드레인 영역(D2, D6)과 소스 영역(S2, S6) 및 상기 드레인 영역(D2, D6)과 상기 소스 영역(S2, S6) 사이의 채널 영역(C2, C6)을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT2, TFT6)는 각각 도 3의 제2 트랜지스터 및 제6 트랜지스터일 수 있다.
상기 제1 게이트 절연층(120)은 상기 액티브 패턴(ACT1, ACT2)이 배치된 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 절연층(120)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 게이트 패턴은 상기 게이트 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 게이트 패턴은 상기 박막 트랜지스터(TFT2, TFT6)의 게이트 전극(GE) 및 상기 화소를 구동하기 위한 신호를 전달하는 게이트 라인과 같은 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 게이트 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 게이트 패턴은 구리, 알루미늄, 몰리브덴 등의 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 게이트 패턴은 복수의 층상 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 도전 패턴은 구리 층 및 상기 구리 층 상의 몰리브덴 층을 포함할 수 있다.
상기 제2 게이트 절연층(130) 상기 제1 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 게이트 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등 의 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 게이트 패턴(GAT2)이 상기 제2 게이트 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 게이트 패턴(GAT2)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 게이트 패턴(GAT2)은 구리, 알루미늄, 몰리브덴 등의 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 게이트 패턴(GAT2)은 복수의 층상 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 게이트 패턴(GAT2)은 구리 층 및 상기 구리 층 상의 몰리브덴 층을 포함할 수 있다.
여기서, 데이터 스파이더 라인(DSPL)은 상기 제1 게이트 패턴 및 상기 제2 게이트 패턴으로 번갈아 가며 형성될 수 있다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이 인접하는 두개의 데이터 스파이더 라인(DSPL)은 서로 다른 층에 형성되어, 각각의 데이터 스파이더 라인(DSPL)의 선폭을 최대화 할 수 있으며, 이에 따라 하나의 데이터 스파이더 라인(DSPL)을 배치시키기 위한 폭(W)가 최소화 될 수 있다.
상기 층간 절연층(140)은 상기 제2 게이트 패턴(GAT2)이 배치된 상기 제2 게이트 절연층(130) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 데이터 패턴이 상기 층간 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 데이터 패턴은 데이터 라인(DL), 쉴딩 전극(SH) 및 제1 콘택 패드(CP1)를 포함할 수 있다. 상기 제1 데이터 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 데이터 패턴은 전도성이 높은 구리, 알루미늄 등의 금속으로 형성될 수 있다. 상기 제1 데이터 패턴은 복수의 층상 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 데이터 패턴은 티타늄 층, 상기 티타늄 층 상의 알루미늄 층 및 상기 알루미늄 층 상의 티타늄을 포함할 수 있다.
상기 쉴딩 전극(SH)에는 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가되어, 상기 제1 연결 라인(CL)과 다른 화소 구조 간의 커플링 커패시터 형성을 방지할 수 있다. 상기 쉴드 전극(SH)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 상기 제1 연결 라인(CL1) 사이에 배치될 수 있다. 상기 쉴딩 전극(SH)은 상기 데이터 라인(DL)과 평행하게 연장되는 제1 전원 배선의 일부 일 수 있다.
한편, 자세히 도시하지 않았으나, 상기 제1 데이터 패턴은 상기 벤딩 영역(BA)에 있어서, 스파이더 라인(DSPL)을 구성하는 배선을 포함할 수 있다. 즉, 상기 스파이더 라인(DSPL)은 상기 벤딩 영역(BA)에서 상기 제1 데이터 패턴으로 형성되고, 상기 연결 라인(CL)과 연결되는 부분에서는 상기 제1 또는 제2 게이트 패턴으로 형성되고, 이들이 서로 콘택홀을 통해 연결될 수 있다.
상기 제1 절연층(160)은 상기 제1 데이터 패턴이 배치된 상기 층간 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제1 데이터 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 제1 절연층(160) 상에 상기 연결 라인 패턴이 배치될 수 있다. 상기 연결 라인 패턴은 제1 연결 라인(CL1) 및 제2 콘택 패드(CP2)를 포함할 수 있다. 상기 연결 라인 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 절연층(170)은 상기 연결 라인 패턴이 배치된 상기 제1 절연층(160) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(170)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 연결 라인 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 발광 구조물(180)은 제1 전극(181), 발광층(182) 및 제2 전극(183)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(181)은 상기 제2 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(181)은 상기 제2 절연층(170)을 통해 형성되는 콘택홀들을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT6)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를들면, 상기 제1 전극(181)은 상기 제2 콘택 패드(CP2) 및 상기 제1 콘택 패드(CP1)를 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT6)에 연결될 수 있다.
상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제1 전극(181)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면,상기 제1 전극(181)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(181)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(181)이 배치된 상기 제2 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막(PDL)을 식각하여 상기 제1 전극(181)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 이러한 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 의해 상기 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)의 개구가 위치하는 부분이 상기 표시 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비표시 영역은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(181)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층(182)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 유기 발광층을 제외하고, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 등은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다. 이때, 상기 발광 구조물들은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성되고, 상기 컬러 필터층에 의해 각각의 화소들이 구분될 수 있다.
상기 제2 전극(183)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광층(182) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(183)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(183)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(183)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층(TFE)이 상기 제2 전극(183) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층(TFE)은 두 개의 무기층과 이들 사이의 한개의 유기층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층 대신 외기 및 수분이 상기 표시 장치 내부로 침투하는 것을 차단하기 위한 밀봉기판이 제공될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 표시 장치는 무기 절연층(150)을 더 포함하고, 쉴딩 전극(SH)이 데이터 라인(DL)과 중첩하는 것을 제외하고 도 6의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 층간 절연층(140)과 제1 절연층(160) 사이에 배치되는 무기 절연층(150)을 더 포함할 수 있다. 상기 무기 절연층(150)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 쉴딩 전극(SH)은 제1 연결 라인(CL1) 및 데이터 라인(DL)과 중첩할 수 있다. 이에 따라, 상기 쉴딩 전극(SH)이 상기 제1 연결 라인(CL1)뿐 아니라 상기 데이터 라인(DL)도 쉴딩(shielding)하여 다른 화소 구조 간의 커플링 커패시터 형성을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 좌측 하단 부분의 확대도이다. 도 10은 도 9의 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 1, 9 및 도 10을 참조하면, 상기 표시 장치는 연결 라인과 데이터 라인이 연결되는 연결 콘택홀이 주변 영역이 아닌 표시 영역에 배치되는 점과, 이에 따라 데이터 스파이더 라인에 전기적으로 연결되는 데이터 라인들이 순차적으로 배치된다는 점을 제외하면, 도 4 및 5의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
제1 연결 라인(CL1)은 표시 영역(AA) 내에 배치되는 제1 연결 콘택홀(CCNT1)을 통해 제1 데이터 라인(DL1)과 연결될 수 있다. 상기 제1 연결 라인(CL1)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 부분(CL1b) 및 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)으로 연장되는 부분(CL1c)을 포함할 수 있다.
도 10을 다시 참조하면, 상기 데이터 라인들(DATA LINE)은 상기 데이터 스파이더 라인(DATA SPIDER LINE)의 배열 순서와 동일한 순서로 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 도 4 및 5의 표시 장치와 달리, 상기 데이터 스파이더 라인에 연결되는 데이터 구동 칩의 출력 신호 순서를 변경할 필요가 없으며, 일반적으로 설계된 데이터 구동 칩을 그대로 사용할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 데이터 라인 및 연결 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참조하면, 상기 표시 장치는 2개 데이터 라인(DATA LINE)당 하나의 연결 라인(CONNECTING LINE)이 연결되는 것을 제외하고, 도 4 및 5의 표시 장치와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 2개의 데이터 라인 당 하나의 연결 라인 및 하나의 데이터 스파이더 라인(DATA SPIDER LINE)이 대응하므로, 예를 들면, 디멀티플렉서 (demultiplexer, demux) 구조가 적용된 표시 장치 등이 해당될 수 있다. 이에 따라 표시 영역에 배치되는 연결 라인의 개수를 줄일 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12 내지 15에는 연결 라인(CL), 데이터 라인(DL_E,DL_0), 및 쉴딩 전극(SH)의 위치가 다양하게 변경된 표시 장치의 실시예들이 도시되어 있다. 여기서, 상기 데이터 라인은 짝수번째 데이터 라인(DL_E) 및 홀수 번째 데이터 라인(DL_0)를 포함하고 있으며, 하나의 화소에 두개의 데이터 라인이 대응되는 TDL(two data line) 구조, 디멀티플렉서 (demultiplexer, demux) 구조 등이 적용된 표시 장치 등이 해당될 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 17a는 도 16의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 17b는 도 16의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 16 내지 도 17b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 표시 장치(560)는 도 1의 표시 장치에 상응할 수 있다. 상기 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 11a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 상기 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
상기 프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 상기 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 상기 메모리 장치(520)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(550)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
상기 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 표시 장치(560)는 상기 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상기 표시 장치(560)는 표시 영역의 가장자리 일부에 대한 데이터 스파이더 라인이 연결라인을 통해 데이터 라인과 연결되는 구조를 가짐으로써, 표시 장치의 가장자리 L-cut 부(도 4등 참조)의 비표시 영역인 베젤 폭을 줄일 수 있다. 또한 쉴딩 전극에 의해, 상기 연결 라인이 다른 신호 배선들로부터 차폐될 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 버퍼층
120: 제1 게이트 절연층 130: 제2 게이트 절연층
140: 층간 절연층 160: 제1 절연층
170: 제2 절연층 180: 발광 구조물
TFT: 박막 트랜지스터 CL: 연결라인
DL: 데이터 라인
120: 제1 게이트 절연층 130: 제2 게이트 절연층
140: 층간 절연층 160: 제1 절연층
170: 제2 절연층 180: 발광 구조물
TFT: 박막 트랜지스터 CL: 연결라인
DL: 데이터 라인
Claims (20)
- 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되는 제1 데이터 라인;
상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 연결 콘택홀을 통해 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 연결 라인;
상기 주변 영역에 배치되는 데이터 패드; 및
상기 데이터 패드와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제1 연결 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제1 데이터 스파이더 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 가요성 기판이고,
상기 표시 장치는 상기 데이터 패드와 상기 표시 영역 사이에 배치되어 상기 표시 영역의 가장자리와 평행한 제1 방향으로 연장되고, 벤딩 영역을 더 포함하고,
상기 제1 데이터 스파이더 라인은 상기 벤딩 영역과 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 일직선으로 연장되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 벤딩 영역의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 표시 영역의 상기 제1 방향으로의 길이 보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되고 상기 제1 데이터 라인과 평행하게 연장되는 복수의 데이터 라인들; 및
상기 데이터 패드와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 각각의 상기 복수의 데이터 라인들과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 데이터 스파이더 라인과 평행하게 연장되는 복수의 데이터 스파이더 라인을 더 포함하고,
상기 제1 데이터 스파이더 라인 및 상기 복수의 데이터 스파이더 라인들은 모두 상기 제2 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 연결 콘택홀은 상기 주변 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 데이터 라인은 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장되고,
상기 제1 연결 라인은 상기 제2 방향으로 연장되는 제1 부분, 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 부분 및 상기 제1 부분과 평행한 제3 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 연결 콘택홀은 상기 표시 영역 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 상기 표시 영역에 배치되고 상기 제1 데이터 라인과 인접하여 배치되는 제2 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 제1 및 제2 데이터 라인은 상기 주변 영역에서 서로 연결되고, 상기 제1 연결라인과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 데이터 라인과 평행하고, 상기 표시 영역의 가장자리와 평행한 제1 방향을 따라 순차적으로 배열되는 제(n-1)번째 데이터 라인, 제(n) 번째 데이터 라인 및 제(n+1) 번째 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 데이터 패드에는 상기 제1 방향을 따라, 상기 제(n) 번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n) 패드, 상기 제(n-1) 번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n-1) 패드, 상기 제(n+1) 번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n+1) 패드, 및 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제n 패드가 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 연결 콘택홀을 통해 상기 제(n-1)번째 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제(n-1)번째 연결 라인;
상기 데이터 패드와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제(n-1)번째 연결 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제(n-1)번째 데이터 스파이더 라인;
상기 데이터 패드와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제(n)번째 데이터 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제(n)번째 데이터 스파이더 라인; 및
상기 데이터 패드와 상기 표시 영역 사이의 상기 주변 영역에 배치되어, 상기 제(n+1)번째 데이터 라인 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 제(n+1)번째 데이터 스파이더 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 주변 영역은 상기 표시 영역의 좌측에 인접하는 좌측 주변 영역, 상기 표시 영역의 우측에 인접하는 우측 주변영역, 상기 표시 영역의 상측에 인접하는 상측 주변 영역 및 상기 표시 영역의 하측에 인접하는 하측 주변 영역을 포함하고,
상기 데이터 패드는 하측 주변 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치되는 제2 전극; 및
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인과 중첩하게 배치되는 쉴딩 전극을 더 포함하고,
상기 쉴딩 전극에는 제1 전원(ELVDD) 또는 제2 전원(ELVSS)이 인가되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인과 상기 제1 데이터 스파이더 라인은 상기 주변 영역에 형성되는 스파이더 콘택홀을 통해 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 데이터 라인;
상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 상기 제1 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 제1 연결 라인;
상기 제1 데이터 라인과 상기 제1 연결 라인 사이에 배치되고, 상기 제1 데이터 라인과 상기 제1 연결 라인이 서로 연결되는 제1 연결 콘택홀이 형성된 제1 절연층; 및
상기 제1 연결 라인과 중첩하는 쉴딩 전극을 포함하는 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 상기 베이스 기판 상에 배치되는 액티브 패턴 및 상기 액티브 패턴과 중첩하는 게이트 전극을 포함하고,
상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성되고, 상기 제1 연결 라인과 전기적으로 연결되는 제1 데이터 스파이더 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 쉴딩 전극은 상기 박막 트랜지스터와 상기 제1 연결 라인 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 쉴딩 전극은 상기 제1 데이터 라인과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 데이터 라인과 인접하여 평행하게 연장되는 제2 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 제1 데이터 라인 및 상기 제2 데이터 라인은 상기 제1 연결 라인에 전기적으로 연결되고,
상기 쉴딩 전극은 상기 제1 데이터 라인 및 상기 제2 데이터 라인과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 영상이 표시 되는 표시 영역 및 비표시 영역인 주변 영역을 포함하는 표시 장치에 있어서,
베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 데이터 라인 및 제2 데이터 라인;
상기 베이스 기판 상에 적어도 일부가 상기 표시 영역에 배치되고, 상기 제1 데이터 라인과 콘택홀을 통해 연결되는 제1 연결 라인;
제1 연결라인과 콘택홀을 통해 연결되는 제1 스파이더 라인;
상기 제2 데이터 라인과 콘택홀을 통해 연결되는 제2 스파이더 라인; 및
상기 제1 스파이더 라인 및 상기 제2 스파이더 라인과 전기적으로 연결되고 데이터 구동칩이 연결되는 데이터 패드를 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180083825A KR102528500B1 (ko) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 표시 장치 |
| CN201980048341.7A CN112840475A (zh) | 2018-07-19 | 2019-07-12 | 显示设备 |
| PCT/KR2019/008669 WO2020017835A1 (ko) | 2018-07-19 | 2019-07-12 | 표시 장치 |
| US17/261,527 US12035595B2 (en) | 2018-07-19 | 2019-07-12 | Display apparatus |
| JP2021502997A JP7553428B2 (ja) | 2018-07-19 | 2019-07-12 | 表示装置 |
| EP19837592.5A EP3813137A4 (en) | 2018-07-19 | 2019-07-12 | DISPLAY DEVICE |
| KR1020230055638A KR102632740B1 (ko) | 2018-07-19 | 2023-04-27 | 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180083825A KR102528500B1 (ko) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 표시 장치 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230055638A Division KR102632740B1 (ko) | 2018-07-19 | 2023-04-27 | 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200010697A KR20200010697A (ko) | 2020-01-31 |
| KR102528500B1 true KR102528500B1 (ko) | 2023-05-04 |
Family
ID=69164613
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180083825A KR102528500B1 (ko) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 표시 장치 |
| KR1020230055638A KR102632740B1 (ko) | 2018-07-19 | 2023-04-27 | 표시 장치 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230055638A KR102632740B1 (ko) | 2018-07-19 | 2023-04-27 | 표시 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12035595B2 (ko) |
| EP (1) | EP3813137A4 (ko) |
| JP (1) | JP7553428B2 (ko) |
| KR (2) | KR102528500B1 (ko) |
| CN (1) | CN112840475A (ko) |
| WO (1) | WO2020017835A1 (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200116583A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
| KR20210018646A (ko) | 2019-08-07 | 2021-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR20210029339A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210032615A (ko) | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210037786A (ko) | 2019-09-27 | 2021-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN113906568B (zh) * | 2020-05-07 | 2022-08-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| KR20210148547A (ko) * | 2020-05-29 | 2021-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20220077323A (ko) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| GB2610957A (en) * | 2021-01-29 | 2023-03-22 | Boe Technology Group Co Ltd | Display substrate and display device |
| KR20220144451A (ko) | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20230016764A (ko) * | 2021-07-26 | 2023-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| US20230351934A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-02 | E Ink Holdings Inc. | Narrow border reflective display device |
| TWI822016B (zh) * | 2022-04-28 | 2023-11-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置 |
| US20230397462A1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003288044A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Tdk Corp | ディスプレイ装置 |
| KR20060001702A (ko) * | 2004-06-30 | 2006-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 부식방지를 위한 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100603836B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100721949B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
| KR101433109B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2014-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| KR20100075058A (ko) * | 2008-12-24 | 2010-07-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101602332B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2016-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| CN108807708B (zh) * | 2013-03-07 | 2021-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 手表型便携式信息终端 |
| US9430180B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Display panel and electronic device |
| WO2016140281A1 (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-09 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、及びそれを備えた表示装置 |
| KR102481377B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2022-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 |
| KR102427312B1 (ko) | 2015-11-27 | 2022-08-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 유기발광표시장치 |
| KR20180030325A (ko) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN109791745A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-05-21 | 夏普株式会社 | 显示面板 |
| KR20180051739A (ko) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102594020B1 (ko) | 2016-12-07 | 2023-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20180078672A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그의 제조방법 |
-
2018
- 2018-07-19 KR KR1020180083825A patent/KR102528500B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-07-12 WO PCT/KR2019/008669 patent/WO2020017835A1/ko unknown
- 2019-07-12 CN CN201980048341.7A patent/CN112840475A/zh active Pending
- 2019-07-12 US US17/261,527 patent/US12035595B2/en active Active
- 2019-07-12 EP EP19837592.5A patent/EP3813137A4/en active Pending
- 2019-07-12 JP JP2021502997A patent/JP7553428B2/ja active Active
-
2023
- 2023-04-27 KR KR1020230055638A patent/KR102632740B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3813137A4 (en) | 2021-08-11 |
| KR20200010697A (ko) | 2020-01-31 |
| KR102632740B1 (ko) | 2024-02-05 |
| WO2020017835A1 (ko) | 2020-01-23 |
| EP3813137A1 (en) | 2021-04-28 |
| KR20230062521A (ko) | 2023-05-09 |
| JP2021530746A (ja) | 2021-11-11 |
| US20210273035A1 (en) | 2021-09-02 |
| CN112840475A (zh) | 2021-05-25 |
| JP7553428B2 (ja) | 2024-09-18 |
| US12035595B2 (en) | 2024-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102528500B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US11238794B2 (en) | Display apparatus having a notch | |
| US10591753B2 (en) | Electroluminescent display | |
| KR102555841B1 (ko) | 표시 장치 | |
| JP7537880B2 (ja) | 表示装置 | |
| US11276743B2 (en) | Display apparatus | |
| KR102568920B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US10355063B2 (en) | Organic light emitting display panel and organic light emitting diode display device including the same | |
| US11665938B2 (en) | Display apparatus | |
| US20230141982A1 (en) | Display apparatus | |
| US11024697B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR102560268B1 (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 | |
| US20220199750A1 (en) | Display device | |
| US20240233653A1 (en) | Display device | |
| KR102577415B1 (ko) | 터치전극을 구비한 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20240144020A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| GRNT | Written decision to grant |