KR20030066051A - 폴리 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 폴리 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이에 관한 것으로, 복수 개 액정 셀을 매트릭스 형태로 배열하고, 외부에서 입력되는 영상 신호를 입력받는 영상입력단자와 영상 신호를 상기 액정 셀에 전달하기 위한 복수 개 데이터 라인을 구비하고, 영상입력단자와 데이터 라인 사이에 구비되고 영상신호를 액정 셀에 인가여부를 제어하기 위한 제어 회로를 갖는 액정 디스플레이 장치에 있어서, 제어회로가 두 개의 게이트 전극을 갖는 적어도 하나의 트랜지스터로 구비되고, 두 개의 게이트 전극 중 데이터라인 쪽에 구비되는 게이트 전극의 임계전압이 영상입력단자에 가깝게 구비되는 게이트 전극의 임계전압보다 더 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 이용하여 데이터신호의 인가를 제어하는 스위치에서 발생하는 피드스루 전류가 액정디스플레이 영역으로 흘러 들어가는 것을 방지할 수 있어 액정 셀에 인가되는 신호에 피드스푸 전류에 의한 잡음이 없어지게 된다.

Description

폴리 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY FOR USING POLY TFT}

본 발명은 폴리 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면, 박막 트랜지스터에 잔류하고 있는 잔류전하의 영향을 줄이기 위하여 두 개의 게이트 전극을 갖는 트랜지스터를 이용하여 데이터 입력핀 방향과 화소가 배열된 데이터 라인 방향과의 전위차를 형성하여, 추가적인 회로의 구성없이 데이터 라인 방향으로 불필요한 전하의 유입을 최소화하여 잡음을 최소화하는 폴리 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이에 관한 것이다.

박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이는 최근에 평판 표시 장치로 각광을 받는 장치로, 복수개의 액정 셀을 매트릭스의 형태로 구성하고 각 액정 셀에 인가되는 전압을 제어하여 디스플레이를 하는 장치이다. 액정 셀의 제어는 각 액정 셀에 트랜지스터를 접합하여 트랜지스터의 스위칭 동작을 이용해서 제어한다.

도 1은 일반적인 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이를 나타내는 등가 회로도이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 액정 디스플레이는 액정 디스플레이에 인가되는 신호를 제어하는 스위칭부(100), 입력되는 데이터가 액정 셀(135)에 전달되도록 하는 데이터라인(110), 액정 디스플레이의 특정열에 신호가 인가될 수 있도록 하는 주사신호가 인가되는 주사선(120), 액정 디스플레이의 스위칭동작을 통하여 디스플레이를 할 수 있도록 하는 박막 트랜지스터(130) 및 박막 트랜지스터의 스위칭 동작을 통하여 빛을 통과시키거나 혹은 차단을 하여 디스플레이를 하는액정(135)으로 구성된다.

스위칭부(100)는 C-MOS 형태로 형성하며 p채널 트랜지스터(104)의 게이트와 n 채널 트랜지스터(103)의 게이트에는 서로 반전(complement)된 신호가 입력된다. 따라서, n 채널 트랜지스터(103)와 p채널 트랜지스터(104)는 동시에 온 또는 오프가 되어 데이터 신호의 입력을 제어한다.

박막 트랜지스터(130)는 액정(135)이 빛을 차단 또는 투과하는 것을 제어하는 수단으로, 박막 트랜지스터(130)의 소스전극에 데이터라인(110)이 연결되며, 드레인 전극에 액정(135)이 연결되어 드레인 전극의 신호가 액정(135)에 인가될 수 있도록 한다. 또한, 박막 트랜지스터(130)의 게이트 전극은 액정 디스플레이의 특정열이 선택될 수 있는 주사선과 연결되어 입력되는 데이터 신호가 특정열에 표시될 수 있도록 한다. 그리고, 액정(135)과 스토리지 캐패시터(미도시)는 병렬로 연결되어 공통 전위에 연결된다.

상기와 같이 구성되는 액정 디스플레이에서 스위칭부를 제어하기 위한 스위칭부(100)가 온(ON)상태에서 오프(OFF)상태로 전환될 때, 온상태시에 n 채널 트랜지스터와 p 채널 트랜지스터의 채널에 충전되었던 전하가 오프상태로 되면서 흩어지게 되는 데, 흩어지는 전하의 일부가 데이터라인으로 입력되어 스토리지 캐패시터(미도시)의 전위값을 왜곡하는 피드스루(Feedthrough)현상이 발생한다.

도 2는 종래 기술에 따른 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이를 나타내는 등가회로도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 상기 도 1에서와 같이 스위칭부(100)의 n 채널 트랜지스터(103)와 p 채널 트랜지스터(104)의 각 채널에 남아았는 전하가 데이터라인(110)으로 입력되는 것을 방지하기 위하여 스위칭부(100)와 데이터라인(110) 사이에 보호회로(200)를 직렬로 연결하는 구성을 지니고 있다.

보호회로(200)는 n 채널 트랜지스터(203)와 p 채널 트랜지스터(204)가 공통 소스, 공통 드레인을 갖도록 구성을 한다. 그리고, 스위칭부(100)의 드레인이 보호회로(200)의 공통 소스와 연결됨과 동시에 n 채널 트랜지스터(203)의 게이트와 p 채널 트랜지스터(204)의 게이트로 연결되도록 한다. 또한, 보호회로(200)를 구성하는 트랜지스터(203, 204)의 소스와 드레인이 전기적으로 연결되는 구성을 구비함으로써, 스위칭부(100)의 드레인이 데이터라인(110)과 직접적으로 연결되도록 한다. 따라서, 스위칭부(100)를 통과한 데이터는 데이터라인(110)으로 직접 전달되어 주사선(120)의 동작에 따라 특정한 액정 셀에 전달될 수 있게 된다. 이러한 보호회로(200)는 스위칭부(100)에서 전달된 데이터신호에 따라 n 채널 트랜지스터 (203)와 p 채널 트랜지스터(204) 중 하나의 트랜지스터가 온상태가 된다. 또한, 데이터라인(110)과 스위칭부(100)의 드레인이 직접적으로 연결되어 보호회로(200)의 n 채널 트랜지스터(203) 또는 p 채널 트랜지스터(204)의 온 또는 오프 상태와 상관없이 데이터신호가 데이터라인(110)으로 전달된다. 스위칭부(100)가 온 상태에서 오프 상태로 전환되면, 스위칭부(100)를 구성하는 트랜지스터(103, 104)의 채널 영역에 잔존하던 전하는 보호회로(200)를 구성하는 트랜지스터(203, 204) 중 오프 상태를 유지하던 트랜지스터로 충전됨으로써, 액정 셀의 스토리지 캐패시터로 전하가 흘러가는 것을 방지하는 효과가 나타난다. 따라서 보호회로(200)의 트랜지스터(203,204)를 구비함으로 해서, 데이터라인(110)에 인가되는 데이터신호에 스위칭부의 n 채널 트랜지스터(103) 또는 p 채널 트랜지스터 (104)의 채널영역에 남아있는 전하의 유입을 막아 피드스루전류를 줄일 수 있게 된다.

도 2에 제시된 바와 같이 보호회로(200)를 구성하여 스위칭부(100)의 채널에서 유입되는 전류의 영향을 방지하는 효과는 보호회로(200)를 구성하는 n 채널 트랜지스터(204)와 p 채널 트랜지스터(203)의 크기에 좌우되며, 보호 회로(200)를 구성하는 트랜지스터의 크기가 클수록 피드스루 전류를 보다 효율적으로 감소시킬 수 있다. 하지만 도 2에 도시된 종래 기술의 회로는 보호회로(200)를 부가적으로 더 구비하여야 하므로, 부가적인 하드웨어 오버헤드(overhead)를 증가시키는 문제점이 발생한다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 액정 디스플레이에 전달되는 데이터신호의 입력을 제어하는 스위칭부를 두 개의 폴리 실리콘 게이트가 형성되어 있는 트랜지스터로 형성하여 두 개이 게이트의 임계전압의 차이에 의해 피드스루 전류에 의한 데이터신호의 왜곡을 방지하며 트랜지스터의 특성변화에 민감하지 않도록 하며, 별도의 회로 구성이 없어 회로구성이 간단하며 트랜지스터의 크기를 줄일 수 있도록 하는 박막 트랜지스터를 이용한 액정디스플레이에 관한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이는, 복수 개 액정 셀을 매트릭스 형태로 배열하고, 외부에서 입력되는 영상 신호를 입력받는 영상입력단자와 영상 신호를 상기 액정 셀에 전달하기 위한 복수 개 데이터 라인을 구비하고, 영상입력단자와 데이터 라인 사이에 구비되고 영상신호를 액정 셀에 인가여부를 제어하기 위한 제어 회로를 갖는 액정 디스플레이 장치에 있어서, 제어회로가 두 개의 게이트 전극을 갖는 적어도 하나의 트랜지스터로 구비되고, 두 개의 게이트 전극 중 데이터라인 쪽에 구비되는 게이트 전극의 임계전압이 영상입력단자에 가깝게 구비되는 게이트 전극의 임계전압보다 더 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 상기 목적은 복수 개 액정 셀을 매트릭스 형태로 배열하고, 외부에서 입력되는 영상 신호를 입력받는 영상입력단자와 영상 신호를 액정 셀에 전달하기 위한 복수 개 데이터 라인을 구비하고, 영상입력단자와 데이터 라인 사이에 구비되고 영상신호를 액정 셀에 인가여부를 제어하기 위한 제어 회로를 갖는 액정 디스플레이 장치에 있어서, 제어회로가 두 개의 게이트 전극을 갖는 적어도 하나의 트랜지스터로 구비되고, 두 개의 게이트 전극 중 데이터라인 쪽에 구비되는 게이트 전극과 영상입력단자에 가깝게 구비되는 게이트 전극이 서로 다른 타이밍에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이 장치에 의해서도 달성할 수 있다.

보다 바람직하게는 트랜지스터에 구비된 두 개의 게이트 전극 중 데이터라인 쪽에 구비되는 게이트 전극을 제어하는 신호를 제 1 스위칭 신호라 하고 영상입력단자에 가깝게 구비되는 게이트 전극을 제어하는 신호를 제 2 스위칭 신호라고 정의할 때, 제 1 스위칭 신호가 온에서 오프 되는 타이밍이 제 2 스위칭 신호가 온에서 오프되는 타이밍보다 먼저 일어나도록 설계함으로써 제어 회로의 피드스루 전하가 액정 셀에 영향을 주는 것을 효율적으로 차단할 수 있다.

도 1은 일반적인 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이를 나타내는 등가 회로도이다.

도 2는 종래 기술에 따른 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이를 나타내는 등가회로도이다.

도 3a는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이를 나타내는 일실시례의 등가 회로도이다.

도 3b는 도 3a의 하나의 스위치 회로를 확대한 도면이다.

도 3c는 도 3a의 실시례의 스위칭 신호의 타이밍도이다.

도 4a는 본 발명의 또 다른 실시례의 등가 회로도를 도시한 것이다.

도 4b의 도 4a의 실시례의 스위칭 회로의 타이밍도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*

300:스위칭부303: n 채널 폴리실리콘 트랜지스터

304: p 채널 폴리실리콘 트랜지스터310: 데이터라인

330: 박막트랜지스터335: 액정 셀

본 발명은 첨부한 도면을 참조하면서, 종래의 기술과 비교하여, 하기에 설명으로부터 좀더 명확하게 이해될 것이다.

도 3a와 도 4a는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이를 나타내는 일실시례의 등가 회로도이다. 도 3a 및 도 4a를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 폴리 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이는 데이터 신호를 이용한 전계의 변화를 이용하여 빛을 투과 또는 차단하여 디스플레이를 하도록 하는 액정(335)과 액정에 전달되는 데이터 신호를 제어하는 스위칭부(300)와 스위칭부(300)를 통과한 신호와 액정 디스플레이의 주사선과 연결되어 주사선(320)에 따라 액정(335)에 신호를 전달하는 박막 트랜지스터(330) 및 데이터신호가 액정에 전달되는 경로인 데이터라인(310)으로 구비된다.

스위칭부(300)는 두 개의 게이트 전극을 갖는 p 채널 폴리실리콘 트랜지스터(304)와 두 개의 게이트 전극을 갖는 n 채널 폴리실리콘 트랜지스터(303)가 공통 소스, 공통 드레인을 갖도록 접합되어 있다. 또한 n 채널 폴리실리콘 트랜지스터 (303)의 게이트 전극에는 데이터입력을 제어하는 스위칭 신호인 SW가 연결되며 p 채널 폴리 실리콘 트랜지스터(304)의 게이트 전극에는 스위칭 신호의 부신호가 연결되어 스위칭 동작을 제어하도록 하였다. n 채널 폴리실리콘 트랜지스터(303)와 p 채널 폴리실리콘 트랜지스터(304)에는 각각 두 개의 게이트 전극이 구비되고, 두 개의 게이트 전극 중 액정 셀에 가깝게 위치한 게이트 전극의 임계전압(threshold voltage) Vth2를 데이터 신호(data1, data2)가 입력되는 쪽에 위치한 게이트 전극의 임계전압 Vth1 보다 더 높게 형성되도록 한다.

도 3a에 도시된 바와 같이 두 개의 게이트 전극에 동일한 입력신호가 인가되도록 구성할 경우에는 본 발명에서 의도하는 임계 전압의 차이가 발생되도록 하기 위하여 게이트전극 제작 과정에서 각 게이트전극의 두께를 다르게 하거나 또는 각 게이트 전극에 도핑되는 이온 농도를 조절하여 서로 다른 양의 케리어를 갖도록 게이트 전극을 구성한다. 따라서, 두 개의 게이트 전극 중 액정 셀과 더 가까운 곳에 형성되는 게이트 전극의 두께를 더 두껍게 하거나 또는 이온의 농도를 적게 함으로써 액정 셀과 가깝게 위치한 게이트 전극의 임계전압 Vth2를 데이터 신호(data1, data2)가 입력되는 쪽에 위치한 게이트 전극의 임계전압 Vth1 보다 더 높게 할 수 있다.

도 3b는 스위칭부(300)를 구성하는 하나의 스위치 회로를 확대한 도면이다.스위치 회로는 C-MOS로 구성되었으며, 각각의 P 채널 트랜지스터와 N 채널 트랜지스터는 두 개의 게이트 전극을 가지고 있음을 도시하고 있다. 본 발명에서는 스위치 회로가 C-MOS로 구성된 상태를 제시하였지만, 통상의 회로 지식을 가진 자라면 이를 N 채널 트랜지스터만으로 또는 P 채널 트랜지스터만으로 구성되는 등의 여러가지 회로로 용이하게 변형할 수 있을 것이다. 도 3b에 도시한 바와 같이 스위치 회로의 두 개의 게이트 전극 중에서 영상신호가 외부로부터 인가되는 데이터신호 입력 단자(data 1, data 2)에 가깝게 위치한 게이트 전극의 임계전압을 Vth1이라 정의하고, 액정 셀에 가깝게 위치한 게이트의 임계전압을 Vth2라고 정의하기로 한다.

도 3a의 회로의 동작을 도 3c에 제시된 스위치 신호의 전압 타이밍도를 이용하여 설명하기로 한다. 스위칭 신호 SW가 온(On) 상태에서 오프(Off)상태로 전환될 때, 폴링(falling) 시간으로 인하여 도 3c 에 도시된 바와 같이 사선 형태로 완만하게 전압이 Vmax 에서 Vmin 으로 강하된다. 도 3c에서는 설명의 편의상 사선의 기울기가 완만한 것으로 도시하였지만, 실질적으로는 가파른 기울기를 가지는 것이다. 이러한 폴링 전압이 Vth2보다 큰 값을 갖는 경우에는 두 개의 게이트가 모두 온 상태를 유지한다. 그런 다음 스위칭 신호 SW 값이 Vth2 보다 작고 Vth1 사이의 값으로 떨어지면 액정 셀과 가깝게 위치한 게이트 전극에 의한 채널은 오프 상태로 변환되고, 데이터 신호(data1, data2)가 입력되는 쪽에 위치한 게이트 전극에 의한 채널은 온 상태를 유지하게 된다. 따라서 액정 셀과 가깝게 위치한 게이트 전극에의한 채널에 잔존하던 전하는 액정 셀과 반대 방향인 데이터 신호가 인가되는 부분으로 빠져 나가게 된다. 이후 스위칭 신호 SW가 Vth1 보다도 적은 값을 가지게 되면 이때 남아있던 데이터 신호(data1, data2)에 가깝게 위치한 게이트 전극에 의한 채널에 남아 있던 대부분의 전하가 데이터 신호가 인가되는 부분으로 빠져 나오게 됨으로써 액정 셀은 피드스루의 영향을 최소화 할 수 있게 된다.

도 4a는 본 발명의 또 다른 실시예의 등가 회로도를 도시한 것이다. 본 발명의 상기 목적은 도 4a에 제시된 바와 같이 두 개의 게이트 전극에 다른 타이밍을 갖는 스위칭 신호(SW,SW')를 인가함으로써 달성되었다.

도 3a에 도시된 회로와의 차이점은 두 개의 게이트 전극을 갖는 스위칭 소자에 각각 타이밍이 다른 스위치 신호 SW와 SW'을 인가되는 것이다. 도 3a와 같이 각 스위칭 소자(300)는 공통 소스와 공통 드레인을 갖는 P 채널 트랜지스터와 N 채널 트랜지스터으로 구성되는 C-MOS 형태로 이루어지며, 각 채널의 트랜지스터는 두 개의 게이트 전극이 구비되어 있다. 각 게이트 전극 중 데이터 신호(data1, data2)에 가깝게 위치한 게이트 전극에는 SW' 또는 이의 반전된 신호가 입력되고, 액정 셀과 가깝게 위치한 게이트 전극에는 SW 또는 이의 반전된 신호가 입력된다.

도 4b에 도시된 타이밍도에 따라 도 4a에 제시된 회로의 동작을 설명하기로 한다. 도 4b의 타이밍도는 스위칭 신호 SW가 온에서 오프 상태로 되는 타이밍이 스위칭 신호 SW'이 온에서 오프 상태로 되는 타이밍보다 빠르다는 것을 보여준다.이때, SW와 SW'이 오프 상태에서 온 상태로 변환하는 타이밍은 어느 쪽이 먼저 진행하여도 무방하며, 동시에 진행이 되어도 무방하다. 도 4b에 도시된 시간 간격동안, 즉 스위칭 신호 SW 는 오프 상태이고 스위칭 신호 SW'는 온 신호 상태 동안에는 액정 셀과 가깝게 위치한 게이트 전극에 의한 채널에 잔존하던 전하는 액정 셀과 반대 방향인 데이터 신호가 인가되는 부분으로 빠져 나가게 된다. 이후 스위칭 신호 SW'도 오프 상태가 되면, 이때 남아있던 데이터 신호(data1, data2)에 가깝게 위치한 게이트 전극의 채널에 남아 있던 대부분의 전하가 데이터 신호가 인가되는 부분으로 빠져 나오게 됨으로써 액정 셀은 피드스루의 영향을 최소화 할 수 있게 된다.

상기와 같이 구성된 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이에서 데이터신호를 입력을 제어하는 스위칭부(300)의 스위칭 신호에 의해 온 상태에서 오프 상태로 전환될 때 발생하는 피드스루 전류는, 스위칭부(300)의 n 채널 폴리실리콘 트랜지스터(303)와 p 채널 폴리실리콘 트랜지스터(304)의 채널부분의 전하가 두개의 게이트 전극에 의한 임계전압의 차이에 의하여 데이터 라인(310)으로 인가되지 못하도록 하여 피드스루 전류가 데이터라인으로 인가되지 못하도록 하여 피드스루 전류에 의한 잡음이 줄어들게 한다.

본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이는 액정 디스플레이에 두개의 게이트 전극에 의해 트랜지스터의 임계전압에 차이가 발생하여 데이터신호의 인가를 제어하는 스위치에서 발생하는 피드스루 전류가 액정디스플레이 영역으로 흘러 들어가는 것을 방지할 수 있어 액정 셀에 인가되는 신호에 피드스루 전류에 의한 잡음이 없어지게 된다. 또한, 이러한 피드스루 전류를 차단하는 부가적인 회로가 불필요하므로 액정 디스플레이의 회로의 구성이 간단해지며, 고장의 위험이 줄어들게 된다. 그리고, 액정 디스플레이를 폴리실리콘 트랜지스터의 특성 변화에 덜 민감하게 만들수 있다.

또한 본 발명에 제시된 두 개의 게이트 전극을 구비하는 스위칭 소자는 화소 스토리지 캐패시터의 정전용량을 증가시키기 위한 더블 폴리-실리콘을 공정을 사용하는 경우에는 추가 공정 없이도 구현이 가능하므로 제작공정을 간단히 할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시례가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 오로지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해 되어져야 한다.

Claims (6)

1. 복수 개 액정 셀을 매트릭스 형태로 배열하고, 외부에서 입력되는 영상 신호를 입력받는 영상입력단자와 상기 영상 신호를 상기 액정 셀에 전달하기 위한 복수 개 데이터 라인을 구비하고, 상기 영상입력단자와 상기 데이터 라인 사이에 구비되고 상기 영상신호를 액정 셀에 인가여부를 제어하기 위한 제어 회로를 갖는 액정 디스플레이 장치에 있어서,

   상기 제어회로가 두 개의 게이트 전극을 갖는 적어도 하나의 트랜지스터로 구비되고, 상기 두 개의 게이트 전극 중 데이터라인 쪽에 구비되는 게이트 전극의 임계전압이 상기 영상입력단자에 가깝게 구비되는 게이트 전극의 임계전압보다 더 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제어회로에 구비되는 상기 트랜지스터의 상기 두 개의 게이트 전극의 임계전압이 게이트 산화막의 두께 차이로 구비되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 제어회로에 구비되는 상기 트랜지스터의 상기 두 개의 게이트 전극 하부에 형성되는 활성층의 이온 도핑 농도에 의해 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
4. 복수 개 액정 셀을 매트릭스 형태로 배열하고, 외부에서 입력되는 영상 신호를 입력받는 영상입력단자와 상기 영상 신호를 상기 액정 셀에 전달하기 위한 복수 개 데이터 라인을 구비하고, 상기 영상입력단자와 상기 데이터 라인 사이에 구비되고 상기 영상신호를 액정 셀에 인가여부를 제어하기 위한 제어 회로를 갖는 액정 디스플레이 장치에 있어서,

   상기 제어회로가 두 개의 게이트 전극을 갖는 적어도 하나의 트랜지스터로 구비되고, 상기 두 개의 게이트 전극 중 데이터라인 쪽에 구비되는 게이트 전극과 상기 영상입력단자에 가깝게 구비되는 게이트 전극이 서로 다른 타이밍에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 이용한 액정 디스플레이 장치.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 서로 다른 타이밍이 상기 게이트 전극이 온에서 오프되는 신호의 타이밍 차이에 의해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.
6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서,

   상기 트랜지스터에 구비된 두 개의 게이트 전극 중 데이터라인 쪽에 구비되는 게이트 전극을 제어하는 신호를 제 1 스위칭 신호라 하고 상기 영상입력단자에 가깝게 구비되는 게이트 전극을 제어하는 신호를 제 2 스위칭 신호라고 정의할 때, 상기 제 1 스위칭 신호가 온에서 오프 되는 타이밍이 상기 제 2 스위칭 신호가 온에서 오프되는 타이밍보다 먼저 일어나는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 장치.