WO2008126492A1 - 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents

電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 Download PDF

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Masashi Kasami
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Abstract

　透明性や電気的特性、安定性、均一性、再現性、耐熱性、耐久性などに優れ、さらに、電極間の重なり容量を低減した電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 　電界効果型薄膜トランジスタ１００１は、活性層として、インジウムを含有し、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の結晶質酸化物１０２１が用いられ、さらに、ゲート電極１０２５と、ソース電極１０２２及びドレイン電極１０２３とが自己整合しており、結晶質酸化物１０２１が、正二価元素やインジウムとは異なる正三価元素を含む構成としてある。
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