JP2011181722A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】In元素及びCu元素を含み、さらにZn元素を含んでいてもよい金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、
前記金属酸化物焼結体中の全金属元素に対するCu元素の原子比Cu/全金属元素が0.001〜0.09の範囲内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【選択図】図1
Description
1.In元素及びCu元素を含み、さらにZn元素を含んでいてもよい金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、
前記金属酸化物焼結体中の全金属元素に対するCu元素の原子比Cu/全金属元素が0.001〜0.09の範囲内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2.前記金属酸化物焼結体を構成する金属元素が、実質的にCu元素及びIn元素からなることを特徴とする上記1に記載のスパッタリングターゲット。
3.前記金属酸化物焼結体を構成する金属元素が、実質的にIn元素、Cu元素及びZn元素からなることを特徴とする上記1に記載のスパッタリングターゲット。
4.前記金属酸化物焼結体が、In2O3及びCu2In2O5のいずれか一方又は両方の金属酸化物を含有することを特徴とする上記1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
5.前記金属酸化物焼結体中の全金属元素に対するZn元素の原子比Zn/(Cu+In+Zn)が0.001〜0.9の範囲内であることを特徴とする上記1又は3に記載のスパッタリングターゲット。
6.前記金属酸化物焼結体が、In2O3、Cu2In2O5、ZnO及びZn5In2O8からなる群から選択される1種又は2種以上の金属酸化物を含有することを特徴とする上記5に記載のスパッタリングターゲット。
7.前記金属酸化物焼結体の下記式(1)で定義される単斜晶構造を取るCu2In2O5相の(0 1 2)のX線回折ピークの面積比が11%以下であることを特徴とする上記1〜6のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
I1/(I1+I2+I3+I4)×100・・・(1)
I1:単斜晶構造を取るCu2In2O5相の(0 1 2)ピーク面積
I2:ビックスバイト型構造を取るIn2O3相の(2 2 2)ピーク面積
I3:六方晶構造を取るZn5In2O8相の(1 0 11)ピーク面積
I4:六方晶構造を示すZnO相の(1 0 1)ピーク面積
前記金属酸化物焼結体中の全金属元素に対するCu元素の原子比Cu/全金属元素が0.001〜0.09の範囲内であることを特徴とする。
本発明において「実質的に」とは、スパッタリングターゲットとしての効果が上記金属酸化物焼結体を構成する金属元素の組成に起因すること、又は金属酸化物焼結体を構成する金属酸化物の95重量%以上100重量%以下(好ましくは98重量%以上100重量%以下)が上記金属元素の酸化物であることを意味する。従って、本発明のスパッタリングターゲットを構成する金属酸化物焼結体は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記元素からなる金属酸化物の他に不可避不純物を含んでいてもよい。
例えばICP−AESを用いた分析の場合、溶液試料をネブライザーで霧状にし、アルゴンプラズマ(約6000〜8000℃)に導入すると、試料中の元素は熱エネルギーを吸収して励起され、軌道電子が基底状態から高いエネルギー準位の軌道に移る。この軌道電子は10−7〜10−8秒程度で、より低いエネルギー準位の軌道に移る。この際にエネルギー差を光として放射し発光する。この光は元素固有の波長(スペクトル線)を示すため、スペクトル線の有無により元素の存在を確認できる(定性分析)。また、それぞれのスペクトル線の大きさ(発光強度)は試料中の元素数に比例するため、既知濃度の標準液と比較することで試料濃度を求めることができる(定量分析)。
このように、定性分析で含有されている元素を特定し、定量分析で含有量を求めることで、各元素の原子比を求めることができる。
原子が規則的に並んだ結晶にX線が入射すると、特定の方向で強いX線が観察される、回折現象を生じる。それは、それぞれの位置で散乱されるX線の光路差が、X線の波長の整数倍になっていると、波の位相が一致するため、波の振幅が大きくなることで説明される。物質はそれぞれに特有な規則性を持つ結晶をつくることから、X線回折で化合物の種類を調べることができる。また、結晶の大きさ(結晶の秩序性)、材料中に存在する結晶の方位の分布状態(結晶配向)、結晶に掛かる残留応力の評価を行うこともできる。
I1/(I1+I2+I3+I4)×100・・・(1)
I1:単斜晶構造を取るCu2In2O5相の(0 1 2)ピーク面積
I2:ビックスバイト型構造を取るIn2O3相の(2 2 2)ピーク面積
I3:六方晶構造を取るZn5In2O8相の(1 0 11)ピーク面積
I4:六方晶構造を示すZnO相の(1 0 1)ピーク面積
単斜晶構造を取るCu2In2O5相は、JCPDSカードNo.30−0479で確認することができ、(0 1 2)の面を表すピークが該相の最大のピークである。ビックスバイト構造を取るIn2O3相は、JCPDSカードNo.06−0416で確認することができ、(2 2 2)の面を表すピークが該相の最大のピークである。六方晶構造を取るZn5In2O8相は、JCPDSカードNo.20−1440で確認することができ、(1 0 11)の面を表すピークが該相の最大のピークである。六方晶構造を取るZnO相は、JCPDSカードNo.75−0576で確認することができ、(1 0 1)の面を表すピークが該相の最大のピークである。
得られる金属酸化物焼結体中のCu元素の原子比Cu/全金属元素を0.001〜0.09範囲内とするためには、例えば、平均粒径が1.2μm以下のIn2O3粉末及び平均粒径が1.2μm以下のCuO粉末を原料粉末とし、In2O3粉末とCuO粉末を、Cu/(In+Cu)で示される原子比の値が0.001〜0.09となる割合で調合すればよい。
原料粉末の平均粒径はレーザー回折式粒度分布装置等で測定することができる。
酸化ガス雰囲気は、好ましくは酸素ガス雰囲気である。酸素ガス雰囲気は、酸素濃度が、例えば10〜100vol%の雰囲気であるとよい。本発明のスパッタリングターゲットを構成する金属酸化物焼結体の作製においては、昇温過程にて酸素ガス雰囲気を導入することで、酸化物焼結体密度をより高くすることができる。
本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。
還元性ガスによる還元処理の場合、水素、メタン、一酸化炭素、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
不活性ガス中での焼成による還元処理の場合、窒素、アルゴン、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
還元処理時の温度は、通常100〜800℃、好ましくは200〜800℃である。また、還元処理の時間は、通常0.01〜10時間、好ましくは0.05〜5時間である。
実施例1−8
平均粒径0.98μmのIn2O3粉、平均粒径0.96μmのCuO粉及び平均粒径0.98μmのZnO粉を、表1に示すターゲット組成となるように秤量し、均一に微粉砕混合後、成形用バインダーを加えて造粒した。次に、この原料混合粉を金型へ均一に充填しコールドプレス機にてプレス圧140MPaで加圧成形した。このようにして得た成形体を焼結炉により表1に示す焼成温度及び焼成時間で焼成して、焼結体を製造した。
焼成雰囲気は昇温中は酸素雰囲気で、その他は大気中(雰囲気)であり、焼成は、昇温速度1℃/min、降温速度15℃/minで実施した。
尚、用いた原料酸化物粉末の平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置SALD−300V(島津製作所製)で測定した値であり、平均粒径はメジアン径D50を採用した。
チャートを分析した結果、実施例1−8の焼結体ではIn2O3のビックスバイト構造、Zn5In2O8の六方晶構造及びCu2In2O5の単斜晶構造が観測された。当該結晶構造は、JCPDS(Joint Committee of Powder Diffraction Standards)カードで確認した。In2O3のビックスバイト構造は、JCPDSカードNo.06−0416、Zn5In2O8の六方晶構造はJCPDSカードNo.20−1440、Cu2In2O5の単斜晶構造はJCPDSカードNo.30−0479である。
I1/(I1+I2+I3+I4)×100・・・(1)
I1:単斜晶構造を取るCu2In2O5相の(0 1 2)ピーク面積
I2:ビックスバイト型構造を取るIn2O3相の(2 2 2)ピーク面積
I3:六方晶構造を取るZn5In2O8相の(1 0 11)ピーク面積
I4:六方晶構造を示すZnO相の(1 0 1)ピーク面積
装置:(株)リガク製Ultima−III
X線:Cu−Kα線(波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化)
2θ−θ反射法、連続スキャン(1.0°/分)
サンプリング間隔:0.02°
スリット DS、SS:2/3°、RS:0.6mm
EPMAの測定条件は以下の通りである。
装置名:JXA−8200(日本電子株式会社製)
加速電圧:15kV
照射電流:50nA
照射時間(1点当り):50mS
尚、上記異常放電の有無は、電圧変動をモニターし異常放電を検出することにより行った。具体的には、5分間の測定時間中に発生する電圧変動がスパッタ運転中の定常電圧の10%以上あった場合を異常放電とした。特にスパッタ運転中の定常電圧が0.1秒間に±10%変動する場合は、スパッタ放電の異常放電であるマイクロアークが発生しており、素子の歩留まりが低下し、量産化に適さないおそれがある。
尚、スパッタ条件は、スパッタ圧0.4Pa、DC出力100W、基板温度:室温であり、雰囲気ガスに添加した水素ガスは、ノジュールの発生を促進するためである。
ノジュールは、スパッタリング後のターゲット表面の変化を実体顕微鏡により50倍に拡大して観察し、視野3mm2中に発生した20μm以上のノジュールについて数平均を計測する方法を採用した。発生したノジュール数を表1に示す。
平均粒径0.98μmのIn2O3粉、平均粒径0.96μmのCuO粉及び平均粒径0.98μmのZnO粉を表1に示すターゲット組成となるように秤量し、表1に示す焼成温度及び焼成時間で焼成した他は実施例1−8と同様にしてターゲットを製造し、評価した。結果を表1に示す。
表1から分かるように、比較例1−3のターゲットおいて異常放電が発生し、ターゲット表面にはノジュールが観測された。
比較例1のターゲットでは、X線回折チャートにおいてIn2O3のビックスバイト構造、Zn5In2O8の六方晶構造、ZnOの六方晶構造、Cu2In2O5の単斜晶構造が観測された。
当該結晶構造は、JCPDSカードで確認した。In2O3のビックスバイト構造は、JCPDSカードNo.06−0416、Zn5In2O8の六方晶構造はJCPDSカードNo.20−1440、ZnOの六方晶構造は、JCPDSカードNo.75−0576、Cu2In2O5の単斜晶構造はJCPDSカードNo.30−0479である。
実施例1−8と同様に、比較例1−3についてXRDのピーク面積比を求めた結果を表1に示す。
実施例9
ガラス基板上及び厚み100nmの熱酸化膜(SiO2)付きシリコン基板上にそれぞれ実施例4で得られたターゲット(Cu/全金属元素=0.051)を用いてDCマグネトロンスパッタリング法により膜厚50nmの薄膜をそれぞれ成膜した。
上記スパッタリングは、背圧が5×10−4Paとなるまで真空排気した後、アルゴンを9sccm、酸素を1sccmで流しながら、圧力を0.4Paに調整し、スパッタ出力100Wにて室温で行った。
尚、ホール測定装置、及びその測定条件は下記の通りであった、
・ホール測定装置
東陽テクニカ製:Resi Test8310
・測定条件
測定温度:室温(25℃)
測定磁場:0.45T
測定電流:10−12〜10−4A
測定モード:AC磁場ホール測定
ガラス基板上及び厚み100nmの熱酸化膜(SiO2)付きシリコン基板上にそれぞれ実施例5で得られたターゲット(Cu/全金属元素=0.084)を用いた以外は実施例9と同様な条件で薄膜を作製した。
ガラス基板上及び厚み100nmの熱酸化膜(SiO2)付きシリコン基板上にそれぞれ実施例8で得られたターゲット(Cu/全金属元素=0.079)を用いた以外は実施例9と同様な条件で薄膜を作製した。
ガラス基板上及び厚み100nmの熱酸化膜(SiO2)付きシリコン基板上にそれぞれ比較例1で得られたターゲット(Cu/全金属元素=0.13)を用いた以外は実施例9と同様な条件で薄膜を作製した。
ガラス基板上にIn2O3のスパッタリングターゲットを用いた以外は実施例9と同様な条件で薄膜を作製した。
作製した薄膜は、キャリア濃度が1018cm−3を超えるため、薄膜トランジスタを構成したときに漏れ電流が発生してしまうとともに、ノーマリーオンになってしまったり、on−off比が小さくなってしまったりすることにより、良好なトランジスタ性能が発揮できないおそれがある。
ガラス基板上にターゲット組成比(重量比)In2O3:ZnO=90:10のスパッタリングターゲットを用いた以外は実施例9と同様な条件で薄膜を作製した。
作製した薄膜は、キャリア濃度が1018cm−3オーダーを超えるため、薄膜トランジスタを構成したときに漏れ電流が発生してしまうとともに、ノーマリーオンになってしまったり、on−off比が小さくなってしまったりすることにより、良好なトランジスタ性能が発揮できないおそれがある。
本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜された薄膜トランジスタは、半導体メモリ集積回路の単位電子素子、高周波信号増幅素子、液晶駆動用素子等として有用である。
Claims (7)
- In元素及びCu元素を含み、さらにZn元素を含んでいてもよい金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、
前記金属酸化物焼結体中の全金属元素に対するCu元素の原子比Cu/全金属元素が0.001〜0.09の範囲内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 前記金属酸化物焼結体を構成する金属元素が、実質的にCu元素及びIn元素からなることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記金属酸化物焼結体を構成する金属元素が、実質的にIn元素、Cu元素及びZn元素からなることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記金属酸化物焼結体が、In2O3及びCu2In2O5のいずれか一方又は両方の金属酸化物を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記金属酸化物焼結体中の全金属元素に対するZn元素の原子比Zn/(Cu+In+Zn)が0.001〜0.9の範囲内であることを特徴とする請求項1又は3に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記金属酸化物焼結体が、In2O3、Cu2In2O5、ZnO及びZn5In2O8からなる群から選択される1種又は2種以上の金属酸化物を含有することを特徴とする請求項5に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記金属酸化物焼結体の下記式(1)で定義される単斜晶構造を取るCu2In2O5相の(0 1 2)のX線回折ピークの面積比が11%以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。
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I3:六方晶構造を取るZn5In2O8相の(1 0 11)ピーク面積
I4:六方晶構造を示すZnO相の(1 0 1)ピーク面積
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