WO2008096768A1 - 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板及び画像表示装置と、画像表示装置と、半導体デバイス - Google Patents

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板及び画像表示装置と、画像表示装置と、半導体デバイス Download PDF

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Abstract

　安定性、均一性、再現性、耐熱性、耐久性などに優れた、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板及び画像表示装置と、画像表示装置と、半導体デバイスを提供することを目的とする。 　半導体デバイスは、結晶質酸化物がＮ型半導体として用いられており、結晶質酸化物の電子キャリア濃度が２×１０１７／ｃｍ３未満であり、さらに、結晶酸化物を、Ｉｎと、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣａから選ばれた一つ以上の正二価元素とを含む多結晶酸化物とし、かつ、Ｉｎ［Ｉｎ］と正二価元素［Ｘ］の原子比を、［Ｘ］／（［Ｘ］＋［Ｉｎ］）＝０．０００１～０．１３としてある。
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