WO2008093741A1 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
ソース電極、ドレン電極及びゲート電極の3電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を具備してなる薄膜トランジスタにおいて、少なくともチャネル層がインジウムを含む金属酸化物膜で形成する。これにより、高温のプロセスを要することなく高分子基材への素子作製が可能であり、かつ低コストで高性能、高信頼性を達成することができる薄膜トランジスタを得ることができる。
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