JP6288292B2 - 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス - Google Patents
酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6288292B2 JP6288292B2 JP2016555369A JP2016555369A JP6288292B2 JP 6288292 B2 JP6288292 B2 JP 6288292B2 JP 2016555369 A JP2016555369 A JP 2016555369A JP 2016555369 A JP2016555369 A JP 2016555369A JP 6288292 B2 JP6288292 B2 JP 6288292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- sintered body
- semiconductor film
- crystal phase
- oxide sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 305
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 191
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 181
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 160
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 93
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 90
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 78
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 43
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 39
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 26
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 25
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- -1 zinc tungstate compound Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 290
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 description 64
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 48
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 46
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 46
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 20
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 17
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 10
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28238—Making the insulator with sacrificial oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/326—Tungstates, e.g. scheelite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/767—Hexagonal symmetry, e.g. beta-Si3N4, beta-Sialon, alpha-SiC or hexa-ferrites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
本発明のさらに別の態様に係る半導体デバイスは、上記態様のスパッタターゲットを用いてスパッタ法により形成した酸化物半導体膜を含む。
まず、本発明の実施態様を列記して説明する。
[実施形態1:酸化物焼結体]
本実施形態の酸化物焼結体は、In、WおよびZnを含有する酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.6g/cm3より大きく7.5g/cm3以下であるため、電界効果移動度および信頼性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するためのスパッタターゲットとして好適に用いられる。
本実施形態に係る酸化物焼結体の製造方法の1つは、実施形態1に係る酸化物焼結体の製造方法であって、亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末との1次混合物を調製する工程と、1次混合物を熱処理することにより仮焼粉末を形成する工程と、仮焼粉末を含む原料粉末の2次混合物を調製する工程と、2次混合物を成形することにより成形体を形成する工程と、成形体を焼結することにより酸化物焼結体を形成する工程とを含む。仮焼粉末を形成する工程は、酸素含有雰囲気下、550℃以上1200℃未満の温度で1次混合物を熱処理することにより、仮焼粉末としてZnとWとを含む複酸化物の粉末を形成することを含む。
酸化物焼結体の原料粉末として、インジウム酸化物粉末(たとえばIn2O3粉末)、タングステン酸化物粉末(たとえばWO3粉末、WO2.72粉末、WO2粉末)、亜鉛酸化物粉末(たとえばZnO粉末)等、酸化物焼結体を構成する金属元素の酸化物粉末を準備する。タングステン酸化物粉末としてはWO3粉末だけでなく、WO2.72粉末、WO2粉末のようなWO3粉末に比べて酸素が欠損した化学組成を有する粉末を原料として用いることが、電界効果移動度および信頼性を高める観点から好ましい。かかる観点から、WO2.72粉末およびWO2粉末の少なくとも1つをタングステン酸化物粉末の少なくとも一部として用いることがより好ましい。原料粉末の純度は、酸化物焼結体への意図しない金属元素およびSiの混入を防止し、安定した物性を得る観点から、99.9質量%以上の高純度であることが好ましい。
(2−1)亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末との1次混合物を調製する工程
上記原料粉末の内、亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末とを混合(または粉砕混合)する。このとき、酸化物焼結体の結晶相としてZnWO4型相を得たい場合は、タングステン酸化物粉末と亜鉛酸化物粉末とをモル比で1:1の割合で、Zn2W3O8型相を得たい場合は、タングステン酸化物粉末と亜鉛酸化物粉末とをモル比で3:2の割合で混合する。上述のように、酸化物焼結体の見かけ密度をより効果的に高める観点、ならびに電界効果移動度および信頼性を高める観点からは、酸化物焼結体は、ZnWO4型相を含むことが好ましい。また、大気圧の空気雰囲気によって成形体を焼結することにより、酸化物焼結体の電気抵抗率を1Ωcm以下にすることができ、スパッタターゲットとして好適に用いることのできる酸化物焼結体が得られる。タングステン酸化物粉末と亜鉛酸化物粉末とを混合する方法に特に制限はなく、乾式および湿式のいずれの方式であってもよく、具体的には、ボールミル、遊星ボールミル、ビーズミル等を用いて粉砕混合される。このようにして、原料粉末の1次混合物が得られる。湿式の粉砕混合方式を用いて得られた混合物の乾燥には、自然乾燥やスプレードライヤのような乾燥方法を用いることができる。
上記原料粉末の内、インジウム酸化物粉末とタングステン酸化物粉末とを混合(または粉砕混合)する。このとき、酸化物焼結体の結晶相としてIn6WO12型結晶相を得たい場合は、タングステン酸化物粉末とインジウム酸化物粉末とをモル比で1:3の割合で混合する。タングステン酸化物粉末とインジウム酸化物粉末とを混合する方法に特に制限はなく、乾式および湿式のいずれの方式であってもよく、具体的には、ボールミル、遊星ボールミル、ビーズミル等を用いて粉砕混合される。このようにして、原料粉末の1次混合物が得られる。湿式の粉砕混合方式を用いて得られた混合物の乾燥には、自然乾燥やスプレードライヤのような乾燥方法を用いることができる。
(3−1)タングステン酸亜鉛酸化物の仮焼粉末を形成する工程
得られた1次混合物を熱処理(仮焼)して、仮焼粉末(ZnとWとを含む複酸化物粉末)を形成する。1次混合物の仮焼温度は、仮焼物の粒径が大きくなりすぎて焼結体の見かけ密度が低下することがないように1200℃未満であることが好ましく、仮焼生成物としてZnとWとを含む複酸化物粉末を得るために、また、ZnWO4型結晶相を得るためには550℃以上であることが好ましい。より好ましくは550℃以上1000℃未満であり、さらに好ましくは550℃以上900℃以下である。仮焼温度は結晶相が形成される温度である限り、仮焼粉の粒径をなるべく小さくできる点から低い方が好ましい。このようにして、ZnWO4型結晶相を含む仮焼粉末が得られる。仮焼雰囲気は、酸素を含む雰囲気であればよいが、大気圧もしくは大気よりも圧力の高い空気雰囲気、または大気圧もしくは大気よりも圧力の高い酸素を25体積%以上含む酸素−窒素混合雰囲気が好ましい。生産性が高いことから、大気圧またはその近傍下での空気雰囲気がより好ましい。
得られた1次混合物を熱処理(仮焼)して、仮焼粉末(InとWとを含む複酸化物粉末)を形成する。1次混合物の仮焼温度は、仮焼物の粒径が大きくなりすぎて焼結体の見かけ密度が低下することがないように1200℃未満であることが好ましく、仮焼生成物としてInとWとを含む複酸化物粉末を得るために、また、In6WO12型結晶相を得るためには700℃以上であることが好ましい。より好ましくは800℃以上1100℃未満である。仮焼温度は結晶相が形成される温度である限り、仮焼粉の粒径をなるべく小さくできる点から低い方が好ましい。このようにして、In6WO12型結晶相を含む仮焼粉末が得られる。仮焼雰囲気は、酸素を含む雰囲気であればよいが、大気圧もしくは大気よりも圧力の高い空気雰囲気、または大気圧もしくは大気よりも圧力の高い酸素を25体積%以上含む酸素−窒素混合雰囲気が好ましい。生産性が高いことから、大気圧またはその近傍下での空気雰囲気がより好ましい。
次に、得られた仮焼粉末と、上記原料粉末の内の残りの粉末〔インジウム酸化物粉末(たとえばIn2O3粉末)または亜鉛酸化物粉末(たとえばZnO粉末)〕とを、1次混合物の調製と同様にして、混合(または粉砕混合)する。このようにして、原料粉末の2次混合物が得られる。
次に、得られた2次混合物を成形する。2次混合物を成形する方法に特に制限はないが、焼結体の見かけ密度を高くする点から、一軸プレス法、CIP(冷間静水圧処理)法、キャスティング法等が好ましい。
次に、得られた成形体を焼結して、酸化物焼結体を形成する。この際、ホットプレス焼結法は用いないことが好ましい。成形体の焼結温度に特に制限はないが、形成される酸化物焼結体の見かけ密度を6.6g/cm3より大きくするために、900℃以上1200℃以下が好ましい。焼結雰囲気にも特に制限はないが、酸化物焼結体の構成結晶の粒径が大きくなることを防いでクラックの発生を防止する観点から、大気圧またはその近傍下での空気雰囲気が好ましい。酸化物焼結体は、スパッタターゲットして好適なものにするために、電気抵抗率を1Ωcm以下とすることが望まれている。見かけ密度を高めるためには、焼結温度を上げることが考えられるが、1200℃以上ではタングステン酸化物が昇華して、酸化物焼結体から消失してしまう問題がある。また、これまで、見かけ密度を高めるためには、焼結時に酸素ガスを流すことで、焼結時の酸素分圧を高めており、かつ焼結体の電気抵抗率1Ωcm以下を実現するためには、焼結の後に、真空雰囲気、もしくは窒素雰囲気などの還元雰囲気で熱処理を行うことが一般的であった。本発明では、大気圧の空気雰囲気で焼結を行うだけで、還元雰囲気での熱処理を行うことなく、見かけ密度が高く、電気抵抗率1Ωcm以下の酸化物焼結体を実現することができる。
本実施形態に係るスパッタターゲットは、実施形態1の酸化物焼結体を含む。したがって、本実施形態に係るスパッタターゲットは、電界効果移動度が高く、信頼性も高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するために好適に用いることができる。
図1を参照して、本実施形態に係る半導体デバイス10は、実施形態1の酸化物焼結体をスパッタターゲットとして用いるスパッタ法により形成した酸化物半導体膜14を含む。かかる酸化物半導体膜14を含むため、本実施形態に係る半導体デバイス10は、電界効果移動度が高く、信頼性も高いという特性を有することができる。
測定方法:In−plane法(スリットコリメーション法)、
X線発生部:対陰極Cu、出力50kV 300mA、
検出部:シンチレーションカウンタ、
入射部:スリットコリメーション、
ソーラースリット:入射側 縦発散角0.48°
受光側 縦発散角0.41°、
スリット:入射側 S1=1mm*10mm
受光側 S2=0.2mm*10mm、
走査条件:走査軸 2θχ/φ、
走査モード:ステップ測定、走査範囲 10〜80°、ステップ幅0.1°、
ステップ時間 8sec.。
測定方法:極微電子線回折法、
加速電圧:200kV、
ビーム径:測定対象である酸化物半導体膜の膜厚と同じか、または同等。
図4(A)を参照して、基板11上にゲート電極12を形成する。基板11は、特に制限されないが、透明性、価格安定性、および表面平滑性を高くする観点から、石英ガラス基板、無アルカリガラス基板、アルカリガラス基板等であることが好ましい。ゲート電極12は、特に制限されないが、耐酸化性が高くかつ電気抵抗が低い点から、Mo電極、Ti電極、W電極、Al電極、Cu電極等であることが好ましい。ゲート電極12の形成方法は、特に制限されないが、基板11の主面上に大面積で均一に形成できる点から、真空蒸着法、スパッタリング法等であることが好ましい。
図4(B)を参照して、ゲート電極12上に絶縁層としてゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の形成方法は、特に制限はないが、大面積で均一に形成できる点および絶縁性を確保する点から、プラズマCVD(化学気相堆積)法等であることが好ましい。
図4(C)を参照して、ゲート絶縁膜13上にチャネル層として酸化物半導体膜14を形成する。上述のように、酸化物半導体膜14は、スパッタリング法により成膜する工程を含んで形成されることが好ましく、たとえばスパッタリング法による成膜後に加熱処理するか、またはスパッタリング法により成膜を行いながら加熱処理することによって形成されることが好ましい。スパッタリング法の原料ターゲットとしては、上記実施形態1の酸化物焼結体を用いる。
図4(D)を参照して、酸化物半導体膜14上にソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する。ソース電極15およびドレイン電極16は、特に制限はないが、耐酸化性が高く、電気抵抗が低く、かつ酸化物半導体膜14との接触電気抵抗が低いことから、Mo電極、Ti電極、W電極、Al電極、Cu電極等であることが好ましい。ソース電極15およびドレイン電極16を形成する方法は、特に制限はないが、酸化物半導体膜14が形成された基板11の主面上に大面積で均一に形成できる点から、真空蒸着法、スパッタリング法等であることが好ましい。ソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する方法は、特に制限はないが、大面積で均一なソース電極15とドレイン電極16のパターンを形成できる点から、フォトレジストを使ったエッチング法による形成であることが好ましい。
(1)酸化物焼結体の作製
(1−1)粉末原料の準備
表1に示す組成とメジアン粒径d50(表1において「W粒径」と表記した。)を有し、純度が99.99質量%のタングステン酸化物粉末(表1において「W」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のZnO粉末(表1において「Z」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のIn2O3粉末(表1において「I」と表記した。)と、を準備した。
まず、ボールミルに、準備した原料粉末の内、タングステン酸化物粉末とZnO粉末、またはタングステン酸化物粉末とインジウム酸化物粉末とを入れて、18時間粉砕混合することにより原料粉末の1次混合物を調製した。タングステン酸化物粉末とZnO粉末とのモル混合比率は、およそタングステン酸化物粉末:ZnO粉末=1:1とした。タングステン酸化物粉末とインジウム酸化物粉末とのモル混合比率は、およそタングステン酸化物粉末:In2O3粉末=1:3とした。粉砕混合の際、分散媒としてエタノールを用いた。得られた原料粉末の1次混合物は大気中で乾燥させた。
次に、得られた原料粉末の1次混合物をアルミナ製坩堝に入れて、空気雰囲気中、表1に示す仮焼温度で8時間仮焼し、ZnWO4型結晶相で構成された仮焼粉末またはIn6WO12型結晶相で構成された仮焼粉末を得た。表1に、得られた仮焼粉末を構成する結晶相の組成を示す。
次に、得られた仮焼粉末を、準備した残りの原料粉末であるIn2O3粉末またはZnO粉末とともにポットへ投入し、さらに粉砕混合ボールミルに入れて12時間粉砕混合することにより原料粉末の2次混合物を調製した。これらの粉末の混合比は、混合物中のW、ZnおよびInのモル比が表1に示されるとおりとなるようにした。粉砕混合の際、分散媒としてエタノールを用いた。得られた混合粉末はスプレードライで乾燥させた。
次に、得られた2次混合物をプレスにより成形し、さらにCIPにより室温(5℃〜30℃)の静水中、190MPaの圧力で加圧成形して、直径100mmで厚み約9mmの円板状の成形体を得た。
次に、得られた成形体を大気圧下、空気雰囲気中にて表1に示す焼結温度で8時間焼結して、タングステン(亜鉛も固溶している場合がある。)が固溶したビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を得た。
得られた酸化物焼結体の結晶相の同定は、酸化物焼結体の一部からサンプルを採取して、粉末X線回折法よる結晶解析により行った。X線回折の測定条件は以下のとおりとした。酸化物焼結体に存在する結晶相を表1にまとめた。
θ−2θ法、
X線源:Cu Kα線、
X線管球電圧:45kV、
X線管球電流:40mA、
ステップ幅:0.03deg、
ステップ時間:1秒/ステップ、
測定範囲2θ:10deg〜90deg。
(2−1)酸化物半導体膜を備える半導体デバイス(TFT)の作製
次の手順で図3に示される半導体デバイス30と類似の構成を有するTFTを作製した。図4(A)を参照して、まず、基板11として合成石英ガラス基板を準備し、その基板11上にスパッタリング法によりゲート電極12として厚み100nmのMo電極を形成した。
作製したTFTが備える酸化物半導体膜14の結晶性を上述の測定方法および定義に従って評価した。表2における「結晶性」の欄には、ナノ結晶である場合には「ナノ結晶」と、アモルファスである場合には、「アモルファス」と記載している。また、酸化物半導体膜14中のIn、WおよびZnの含有量を、RBS(ラザフォード後方散乱分析)により測定した。これらの含有量に基づいて酸化物半導体膜14のW含有率(原子%、表1において「Zn含有率」と表記した。)、Zn含有率(原子%、表2において「Zn含有率」と表記した。)、およびZn/W比(原子数比、表2において「Zn/W比」と表記した。)をそれぞれ求めた。結果を表2に示す。
ソース電極15とドレイン電極13に測定針を接触させた。次に、ソース−ドレイン電極間に電圧を1Vから20Vに変化させて印加しながら、ソース−ドレイン間電流Idsを測定した。Ids−Vgsのグラフを描いたときの傾きが抵抗Rである。この抵抗Rと、チャネル長さCL(30μm)、チャネル幅CW(40μm)、膜厚tから、電気抵抗率は、R×CW×t/CLとして求めることができる。本実施例の酸化物半導体膜は全て10−1Ωcm以上であることを確認した。
半導体デバイス10であるTFTの特性を次のようにして評価した。まず、ゲート電極12、ソース電極15およびドレイン電極16に測定針を接触させた。ソース電極15とドレイン電極16との間に0.2Vのソース−ドレイン間電圧Vdsを印加し、ソース電極15とゲート電極12との間に印加するソース−ゲート間電圧Vgsを−30Vから20Vに変化させて、そのときのソース−ドレイン間電流Idsを測定した。そして、ソース−ゲート間電圧Vgsとソース−ドレイン間電流Idsの平方根〔(Ids)1/2〕との関係をグラフ化した(以下、このグラフを「Vgs−(Ids)1/2曲線」ともいう。)。Vgs−(Ids)1/2曲線に接線を引き、その接線の傾きが最大となる点を接点とする接線がx軸(Vgs)と交わる点(x切片)を閾値電圧Vthとした。閾値電圧Vthは、窒素雰囲気中280℃30分間のアニール処理を実施した後(Vth(280℃))と、窒素雰囲気中350℃30分間のアニール処理を実施した後(Vth(350℃))のTFTについて測定した。
gm=dIds/dVgs 〔a〕
に従って、ソース−ドレイン間電流Idsをソース−ゲート間電圧Vgsについて微分することによりgmを導出した。そしてVgs=15.0Vにおけるgmの値を用いて、下記式〔b〕:
μfe=gm・CL/(CW・Ci・Vds) 〔b〕
に基づいて、電界効果移動度μfeを算出した。上記式〔b〕におけるチャネル長さCLは30μmであり、チャネル幅CWは40μmである。また、ゲート絶縁膜13のキャパシタンスCiは3.4×10-8F/cm2とし、ソース−ドレイン間電圧Vdsは0.3Vとした。
Claims (14)
- インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、
ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、
見かけ密度が6.6g/cm3より大きく7.5g/cm3以下であり、
前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が0.5原子%より大きく5.0原子%以下であり、
前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%以上19原子%以下であり、
タングステンに対する亜鉛の原子比が1.0より大きく60より小さく、
タングステン酸亜鉛化合物結晶相をさらに含む、酸化物焼結体。 - 前記ビックスバイト型結晶相は、インジウム酸化物を主成分として含み、前記ビックスバイト型結晶相の少なくとも一部に固溶しているタングステンおよび亜鉛の少なくとも1つを含有する、請求項1に記載の酸化物焼結体。
- 六方晶ウルツ型結晶相をさらに含む、請求項1または請求項2に記載の酸化物焼結体。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の酸化物焼結体を含む、スパッタターゲット。
- 酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであって、
前記酸化物半導体膜は、金属元素としてインジウム、タングステンおよび亜鉛を含み、
前記酸化物半導体膜中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するインジウムの含有率が67原子%以上であり、
前記酸化物半導体膜中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が0.5原子%より大きく5.0原子%以下であり、
前記酸化物半導体膜中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が10原子%以上19原子%以下であり、
タングステンに対する亜鉛の原子比が1.0より大きく60より小さい、半導体デバイス。 - 前記酸化物半導体膜は、電気抵抗率が10-1Ωcm以上である、請求項5に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜は、ナノ結晶酸化物またはアモルファス酸化物で構成される、請求項5または請求項6に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜は、膜厚が2nm以上25nm以下である、請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜の少なくとも一部と接して配置される層をさらに含み、
前記層は、ナノ結晶層およびアモルファス層の少なくともいずれか1つである、請求項7または請求項8に記載の半導体デバイス。 - 前記層は、シリコンおよびアルミニウムの少なくともいずれか1つを含む酸化物層である、請求項9に記載の半導体デバイス。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の酸化物焼結体の製造方法であって、
亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末との1次混合物を調製する工程と、
前記1次混合物を熱処理することにより仮焼粉末を形成する工程と、
前記仮焼粉末を含む原料粉末の2次混合物を調製する工程と、
前記2次混合物を成形することにより成形体を形成する工程と、
前記成形体を焼結することにより酸化物焼結体を形成する工程と、
を含み、
前記仮焼粉末を形成する工程は、酸素含有雰囲気下、550℃以上1200℃未満の温度で前記1次混合物を熱処理することにより、前記仮焼粉末として亜鉛とタングステンとを含む複酸化物の粉末を形成することを含む、酸化物焼結体の製造方法。 - 前記タングステン酸化物粉末は、WO3結晶相、WO2結晶相、およびWO2.72結晶相からなる群より選ばれる少なくとも1種の結晶相を含む、請求項11に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記タングステン酸化物粉末は、メジアン粒径d50が0.1μm以上4μm以下である、請求項11または請求項12に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記複酸化物がZnWO4型結晶相を含む、請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の酸化物焼結体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015026251 | 2015-02-13 | ||
JP2015026251 | 2015-02-13 | ||
PCT/JP2015/079160 WO2016129146A1 (ja) | 2015-02-13 | 2015-10-15 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017234349A Division JP6493502B2 (ja) | 2015-02-13 | 2017-12-06 | 酸化物焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016129146A1 JPWO2016129146A1 (ja) | 2017-11-24 |
JP6288292B2 true JP6288292B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=56615608
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016555369A Active JP6288292B2 (ja) | 2015-02-13 | 2015-10-15 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス |
JP2017234349A Active JP6493502B2 (ja) | 2015-02-13 | 2017-12-06 | 酸化物焼結体の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017234349A Active JP6493502B2 (ja) | 2015-02-13 | 2017-12-06 | 酸化物焼結体の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10475631B2 (ja) |
EP (1) | EP3257827A4 (ja) |
JP (2) | JP6288292B2 (ja) |
KR (1) | KR101853575B1 (ja) |
CN (1) | CN106164016B (ja) |
TW (1) | TWI687389B (ja) |
WO (1) | WO2016129146A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6119773B2 (ja) | 2014-03-25 | 2017-04-26 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス |
KR101816468B1 (ko) * | 2014-10-22 | 2018-01-08 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 반도체 디바이스 |
EP3257827A4 (en) | 2015-02-13 | 2018-10-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oxide sintered body and method for producing same, sputter target, and semiconductor device |
CN109906211B (zh) * | 2016-11-04 | 2022-04-01 | 住友电气工业株式会社 | 氧化物烧结材料及其制造方法、溅射靶和制造半导体器件的方法 |
WO2018109970A1 (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
KR102401708B1 (ko) * | 2017-02-20 | 2022-05-26 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 그의 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 |
CN110300738B (zh) * | 2017-02-20 | 2022-03-22 | 住友电气工业株式会社 | 氧化物烧结材料、制造氧化物烧结材料的方法、溅射靶和制造半导体器件的方法 |
BE1029172B1 (nl) * | 2021-03-04 | 2022-10-03 | Soleras Advanced Coatings Bv | Keramisch suboxidisch wolfraam sputterdoel |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002275623A (ja) | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット、その製造方法、及びそれより得られる透明導電性薄膜 |
JP3906766B2 (ja) | 2002-08-30 | 2007-04-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体 |
US8038857B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes |
JP4269986B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2009-05-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電性薄膜製造用酸化物焼結体ターゲット、透明導電性薄膜、透明導電性基板、表示デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4826066B2 (ja) | 2004-04-27 | 2011-11-30 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質の透明導電性薄膜およびその製造方法、並びに、該非晶質の透明導電性薄膜を得るためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2006022373A (ja) | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006160535A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 |
JP2006188392A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、透明導電性薄膜およびその実装素子 |
JP2006193363A (ja) | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 |
JP4760154B2 (ja) | 2005-06-15 | 2011-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、およびこれらの製造方法 |
JP2007153702A (ja) | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Canon Inc | 亜鉛とタングステンからなる三斜晶系構造の複合酸化物および発光体 |
JP4662075B2 (ja) | 2007-02-02 | 2011-03-30 | 株式会社ブリヂストン | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR101312259B1 (ko) | 2007-02-09 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5372776B2 (ja) | 2007-12-25 | 2013-12-18 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
KR20130080063A (ko) | 2008-06-06 | 2013-07-11 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 박막용 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 |
JPWO2010070832A1 (ja) | 2008-12-15 | 2012-05-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
CN102460712A (zh) | 2009-04-17 | 2012-05-16 | 株式会社普利司通 | 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 |
JP2010251604A (ja) | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Bridgestone Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US20120023188A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Martin Galaxia L | Private Profile Radio Channel |
EP2671855B1 (en) | 2011-02-04 | 2016-05-25 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and tablets obtained by processing same |
JP2013001590A (ja) | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物およびその製造方法、ならびに酸化物半導体膜 |
WO2013058379A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | 昭和電工株式会社 | マイクロ波加熱装置及びマイクロ波加熱方法 |
JP2013173658A (ja) | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化錫系焼結体およびその製造方法 |
JP5772667B2 (ja) | 2012-03-06 | 2015-09-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 蒸着用タブレットとその製造方法 |
JP5966840B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2016-08-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ |
JP6137111B2 (ja) | 2013-10-23 | 2017-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物焼結体および半導体デバイスの製造方法 |
KR20150105527A (ko) | 2014-03-06 | 2015-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 스퍼터링 타겟 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 |
JP6119773B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2017-04-26 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス |
US20160251264A1 (en) | 2014-08-12 | 2016-09-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device |
KR101816468B1 (ko) | 2014-10-22 | 2018-01-08 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 반도체 디바이스 |
JP6551414B2 (ja) | 2015-01-26 | 2019-07-31 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物半導体膜および半導体デバイス |
EP3257827A4 (en) | 2015-02-13 | 2018-10-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oxide sintered body and method for producing same, sputter target, and semiconductor device |
WO2017037564A1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device |
-
2015
- 2015-10-15 EP EP15882020.9A patent/EP3257827A4/en not_active Withdrawn
- 2015-10-15 JP JP2016555369A patent/JP6288292B2/ja active Active
- 2015-10-15 KR KR1020167025886A patent/KR101853575B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-15 WO PCT/JP2015/079160 patent/WO2016129146A1/ja active Application Filing
- 2015-10-15 US US15/122,448 patent/US10475631B2/en active Active
- 2015-10-15 CN CN201580019472.4A patent/CN106164016B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-07 TW TW105100433A patent/TWI687389B/zh active
-
2017
- 2017-12-06 JP JP2017234349A patent/JP6493502B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-21 US US16/282,104 patent/US10811238B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018076227A (ja) | 2018-05-17 |
CN106164016B (zh) | 2019-08-09 |
KR20160121577A (ko) | 2016-10-19 |
CN106164016A (zh) | 2016-11-23 |
EP3257827A1 (en) | 2017-12-20 |
US10811238B2 (en) | 2020-10-20 |
WO2016129146A1 (ja) | 2016-08-18 |
US10475631B2 (en) | 2019-11-12 |
JP6493502B2 (ja) | 2019-04-03 |
KR101853575B1 (ko) | 2018-04-30 |
TWI687389B (zh) | 2020-03-11 |
JPWO2016129146A1 (ja) | 2017-11-24 |
TW201636314A (zh) | 2016-10-16 |
EP3257827A4 (en) | 2018-10-17 |
US20190259588A1 (en) | 2019-08-22 |
US20170069474A1 (en) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6493502B2 (ja) | 酸化物焼結体の製造方法 | |
JP6308191B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 | |
JP6119773B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス | |
JP6593268B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 | |
KR102401708B1 (ko) | 산화물 소결체 및 그의 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JP6350466B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 | |
KR102401709B1 (ko) | 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JP6458883B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 | |
JP6493601B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 | |
JP6233447B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス | |
WO2018083837A1 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 | |
JP2016060686A (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリング用ターゲット、ならびに半導体デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171005 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171005 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20171005 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20171026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6288292 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |