JP6233447B2 - 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 250
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 175
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 131
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 121
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 121
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 121
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 94
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 67
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 62
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 38
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 35
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 34
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 21
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
本発明のさらに別の態様に係る半導体デバイスは、上記態様のスパッタターゲットを用いてスパッタ法により形成した酸化物半導体膜を含む。
[1]本発明のある実施形態である酸化物焼結体は、インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下である。本実施形態の酸化物焼結体は、ビックスバイト型結晶相を含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であるため、特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するためのスパッタターゲットとして好適に用いられる。
[実施形態1:酸化物焼結体]
本実施形態の酸化物焼結体は、インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下である。本実施形態の酸化物焼結体は、ビックスバイト型結晶相を主成分として含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であるため、特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するためのスパッタターゲットとして好適に用いられる。
本実施形態の酸化物焼結体の製造方法は、実施形態1の酸化物焼結体の製造方法であって、亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末との1次混合物を調製する工程と、1次混合物を熱処理することにより仮焼粉末を形成する工程と、仮焼粉末を含む原料粉末の2次混合物を調製する工程と、2次混合物を成形することにより成形体を形成する工程と、成形体を焼結することにより酸化物焼結体を形成する工程とを含む。仮焼粉末を形成する工程は、酸素含有雰囲気下、550℃以上1200℃未満の温度で1次混合物を熱処理することにより、仮焼粉末として亜鉛とタングステンとを含む複酸化物の粉末を形成することを含む。
酸化物焼結体の原料粉末として、インジウム酸化物粉末(たとえばIn2O3粉末)、タングステン酸化物粉末(たとえばWO3粉末、WO2.72粉末、WO2粉末)、亜鉛酸化物粉末(たとえばZnO粉末)など、酸化物焼結体を構成する金属元素またはSiの酸化物粉末を準備する。なお、タングステン酸化物粉末としてはWO3粉末だけでなく、WO2.72粉末、WO2粉末などのようなWO3粉末に比べて酸素が欠損した化学組成を有する粉末を原料として用いることが、酸化物焼結体中のタングステンの原子価を6価および4価の少なくとも1つにする観点から、好ましい。かかる観点から、WO2.72粉末およびWO2粉末の少なくとも1つをタングステン酸化物粉末の少なくとも一部として用いることがより好ましい。原料粉末の純度は、酸化物焼結体への意図しない金属元素およびSiの混入を防止し安定した物性を得る観点から、99.9質量%以上の高純度であることが好ましい。
上記原料粉末の内、タングステン酸化物粉末(WO3粉末、WO2.72粉末および/またはWO2粉末)と、亜鉛酸化物粉末(ZnO粉末)と、を粉砕混合する。このとき、酸化物焼結体の結晶相として、ZnWO4型相を得たい場合は原料粉末としてタングステン酸化物粉末と亜鉛酸化物粉末とをモル比で1:1の割合で、Zn2W3O8型相を得たい場合は原料粉末としてタングステン酸化物粉末と亜鉛酸化物粉末とをモル比で3:2の割合で混合する。ZnWO4型相を用いる方が酸化物焼結体の見かけ密度を高める観点から好ましい。原料粉末を粉砕混合する方法には、特に制限はなく、乾式および湿式のいずれの方式であってもよく、具体的には、ボールミル、遊星ボールミル、ビーズミルなどを用いて粉砕混合される。このようにして、原料粉末の1次混合物が得られる。ここで、湿式の粉砕混合方式を用いて得られた混合物の乾燥には、自然乾燥やスプレードライヤなどの乾燥方怯が好ましく用いられ得る。
次に、得られた1次混合物を熱処理(仮焼)する。1次混合物の仮焼温度は、仮焼物の粒径が大きくなりすぎて焼結体の見かけ密度が低下することがないように1200℃未満であることが好ましく、仮焼生成物としてZnWO4型結晶相、Zn2W3O8型結晶相を得るためには550℃以上であることが好ましい。より好ましくは550℃以上1000℃未満であり、さらに好ましくは550℃以上800℃以下である。このようにして、ZnWO4型結晶相またはZn2W3O8型結晶相を含む仮焼粉末が得られる。仮焼雰囲気は、酸素を含む雰囲気であればよいが、大気圧もしくは大気よりも加圧された大気雰囲気もしくは酸素を25体積%以上含む酸素−窒素混合雰囲気が好ましい。また、生産性が高い観点から大気圧−大気雰囲気がより好ましい。
次に、得られた仮焼粉末と、上記原料粉末の内のIn2O3粉末とを、上記と同様の粉砕混合する方法により、粉砕混合する。このようにして、原料粉末の2次混合物が得られる。
次に、得られた2次混合物を成形する。2次混合物を成形する方法は、特に制限はないが、焼結体の見かけ密度を高くする点から、一軸プレス法、CIP(冷間静水圧処理)法、キャスティング法などが好ましい。このようにして、成形体が得られる。
次に、得られた成形体を焼結する。ホットプレス焼結法は用いないことが好ましい。成形体の焼結温度は、特に制限はないが、形成する酸化物焼結体の見かけ密度を6.5g/cm3より大きくする点から、900℃以上1200℃以下が好ましい。また、焼結雰囲気は、特に制限はないが、酸化物焼結体の構成結晶の粒径が大きくなることを防いでクラックの発生を防止する観点から、大気圧−大気雰囲気が好ましい。このようにして、本実施形態の酸化物焼結体が得られる。
本実施形態のスパッタターゲットは、実施形態1の酸化物焼結体を含む。本実施形態のスパッタターゲットは、実施形態1の酸化物焼結体を含むため、特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するために好適に用いることができる。
図1を参照して、本実施形態の半導体デバイス10は、実施形態1の酸化物焼結体をスパッタターゲットとして用いるスパッタ法により形成した酸化物半導体膜14を含む。本実施形態の半導体デバイスは、実施形態1の酸化物焼結体をスパッタターゲットとして用いるスパッタ法により形成した酸化物半導体膜を含むため、高い特性を有する。
図2を参照して、本実施形態の半導体デバイス10の製造方法は、特に制限はないが、効率よく高特性の半導体デバイス10を製造する観点から、基板11上にゲート電極12を形成する工程(図2(A))、ゲート電極12上に絶縁層としてゲート絶縁膜13を形成する工程(図2(B))と、ゲート絶縁膜13上にチャネル層として酸化物半導体膜14を形成する工程(図2(C))と、酸化物半導体膜14上にソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する工程(図2(D))と、を含むことが好ましい。
図2(A)を参照して、基板11上にゲート電極12を形成する。基板11は、特に制限はないが、透明性、価格安定性、および表面平滑性を高くする点から、石英ガラス基板、無アルカリガラス基板、アルカリガラス基板などが好ましい。ゲート電極12は、特に制限はないが、耐酸化性が高くかつ電気抵抗が低い点から、Mo電極、Ti電極、W電極、Al電極、Cu電極などが好ましい。ゲート電極12の形成方法は、特に制限はないが、基板の主面上に大面積で均一に形成できる点から、真空蒸着法、スパッタ法などが好ましい。
図2(B)を参照して、ゲート電極12上に絶縁層としてゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13は、特に制限はないが、絶縁性が高い点から、SiOx膜、SiNy膜などが好ましい。ゲート絶縁膜13の形成方法は、特に制限はないが、ゲート電極が形成された基板11の主面上に大面積で均一に形成できる点および絶縁性を確保する点から、プラズマCVD(化学気相堆積)法などが好ましい。
図2(C)を参照して、ゲート絶縁膜13上にチャネル層として酸化物半導体膜14を形成する。酸化物半導体膜14は、特性の高い半導体デバイス10を製造する観点から、実施形態1の酸化物焼結体をスパッタターゲットとして用いてスパッタ法により形成する。ここで、スパッタ法とは、成膜室内に、ターゲットと基板とを対向させて配置し、ターゲットに電圧を印加して、希ガスイオンでターゲットの表面をスパッタリングすることにより、ターゲットからターゲットを構成する原子を放出させて基板(上記のゲート電極およびゲート絶縁膜が形成された基板も含む。)上に堆積させることによりターゲットを構成する原子で構成される膜を形成する方法をいう。
図2(D)を参照して、酸化物半導体膜14上にソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する。ソース電極15およびドレイン電極16は、特に制限はないが、耐酸化性が高く、電気抵抗が低く、かつ酸化物半導体膜14との接触電気抵抗が低いことから、Mo電極、Ti電極、W電極、Al電極、Cu電極などが好ましい。ソース電極15およびドレイン電極16を形成する方法は、特に制限はないが、酸化物半導体膜14が形成された基板11の主面上に大面積で均一に形成できる点から、真空蒸着法、スパッタ法などが好ましい。ソース電極15およびドレイン電極16を互いに接触しないように形成する方法は、特に制限はないが、酸化物半導体膜14が形成された基板11の主面上に大面積で均一なソース電極15とドレイン電極16のパターンを形成できる点から、フォトレジストを使ったエッチング法による形成が好ましい。
1.粉末原料の準備
表1に示す種類とメジアン粒径d50を有し純度が99.99質量%のタングステン酸化物粉末(表1において「W」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のZnO粉末(表1において「Z」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のIn2O3粉末(表1において「I」と表記した。)と、を準備した。
まず、ボールミルに、準備した原料粉末の内、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とを入れて、18時間粉砕混合することにより原料粉末の1次混合物を調製した。タングステン酸化物粉末とZnO粉末とのモル混合比はタングステン酸化物粉末:ZnO粉末=1:1とした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた原料粉末の1次混合物は大気中で乾燥させた。
次に、得られた原料粉末の1次混合物をアルミナ製坩堝に入れて、大気雰囲気中、650℃の温度で8時間仮焼した。仮焼温度は結晶相が形成される温度であれば仮焼粉の粒径をなるべく小さくできる点から低い方が好ましい。このようにして、結晶相としてZnWO4型相を含む仮焼粉末が得られた。
次に、得られた仮焼粉末を、準備した原料粉末であるIn2O3粉末とともにポットへ投入し、さらに粉砕混合ボールミルに入れて、12時間粉砕混合することにより原料粉末の2次混合物を調製した。In2O3粉末の混合量は、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とIn2O3粉末とのモル混合比率が表1に示されるとおりとなるようにした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた混合粉末はスプレードライで乾燥させた。
次に、得られた2次混合物をプレスにより成形し、さらにCIPにより室温(5℃〜30℃)の静水中で190MPaの圧力で加圧成形して、直径100mmで厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。
次に、得られた成形体を大気圧−大気雰囲気中にて表1の実施例1〜実施例8に示す焼成温度で8時間焼成して、タングステンおよび亜鉛が固溶したビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を得た。
得られた酸化物焼結体の結晶相の同定は、酸化物焼結体の一部からサンプルを採取して、粉末X線回折法よる結晶解析により行った。X線にはCuのKα線を用いた。酸化物焼結体に存在する結晶相を表1にまとめた。
得られた酸化物焼結体、スパッタターゲットに含まれるタングステンの原子価を測定する方法として、X線光電子分光法(XPS)を用いた。タングステンが6価となるWO3のタングステン4d5/2の結合エネルギーのピークは247eV以上249eV以下の範囲に現れ、タングステン金属およびタングステンが4価となるWO2のタングステン4d5/2の結合エネルギーのピークは243eVから244eVの範囲に現れる。XPSから同定されたタングステンの原子価(表2において「W原子価」と表記した。)および結合エネルギーのピーク位置(表2において「W結合エネルギー」と表記した。)を表2にまとめた。
得られた酸化物焼結体を、直径3インチ(76.2mm)で厚さ5.0mmのターゲットに加工した。
(1)ゲート電極の形成
図2(A)を参照して、まず、基板11として50mm×50mm×厚さ0.6mmの合成石英ガラス基板を準備し、その基板11上にスパッタ法によりゲート電極12として厚さ100nmのMo電極を形成した。
図2(B)を参照して、次に、ゲート電極12上にプラズマCVD法によりゲート絶縁膜13として厚さ200nmの非晶質のSiOx膜を形成した。
図2(C)を参照して、次に、ゲート絶縁膜13上に、実施例1〜実施例8のそれぞれの酸化物焼結体から加工されたターゲットを用いたDC(直流)マグネトロンスパッタ法により、厚さ35nmの酸化物半導体膜14を形成した。ここで、ターゲットの直径3インチ(76.2mm)の平面がスパッタ面であった。
図2(D)を参照して、次に、酸化物半導体膜14上にソース電極15およびドレイン電極16を互いに分離して形成した。
半導体デバイス10であるTFTの特性を以下のようにして評価した。まず、ゲート電極12、ソース電極15およびドレイン電極16に測定針を接触させた。ソース電極15とドレイン電極16との間に7Vのソース−ドレイン間電圧Vdsを印加し、ソース電極15とゲート電極12との間に印加するソース−ゲート間電圧Vgsを−10Vから15Vに変化させて、そのときのソース−ドレイン間電流Idsを測定した。ソース−ゲート間電圧Vgsが−5Vのときのソース−ドレイン間電流IdsをOFF電流と定義した。各実施例におけるOFF電流の値を表2にまとめた。表2における「OFF電流」の欄において、たとえば「E−12」とは、「10-12」を意味する。ソース−ゲート間電圧Vgsが15Vのときのソース−ドレイン間電流IdsをON電流と定義して、OFF電流の値に対するON電流の値の比(ON電流/OFF電流比)を求め、これを表2にまとめた。表2における「ON電流/OFF電流比」の欄において、9桁とは1×109以上1×1010未満を意味し、8桁とは1×108以上1×109未満を意味し、7桁とは1×107以上1×108未満を意味し、6桁とは1×106以上1×107未満を意味し、4桁とは1×104以上1×105未満を意味する。
1.粉末原料の準備
表1に示す種類とメジアン粒径d50を有し純度が99.99質量%のタングステン酸化物粉末(表1において「W」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のZnO粉末(表1において「Z」と表記した。)と、メジアン粒径d50が1.0μmで純度が99.99質量%のIn2O3粉末(表1において「I」と表記した。)と、を準備した。
まず、ボールミルに、準備した原料粉末の内、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とを入れて、18時間粉砕混合することにより原料粉末の1次混合物を調製した。タングステン酸化物粉末とZnO粉末とのモル混合比はタングステン酸化物粉末:ZnO粉末=3:2とした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた原料粉末の1次混合物は大気中で乾燥させた。
次に、得られた原料粉末の1次混合物をアルミナ製坩堝に入れて、大気雰囲気中、950℃の温度で5時間仮焼した。このようにして、結晶相としてZn2W3O8型相を含む仮焼粉末が得られた。
次に、得られた仮焼粉末を、準備した原料粉末であるIn2O3粉末とともにポットへ投入し、さらに粉砕混合ボールミルに入れて、12時間粉砕混合することにより原料粉末の2次混合物を調製した。In2O3粉末の混合量は、タングステン酸化物粉末とZnO粉末とIn2O3粉末とのモル混合比率が表1に示されるとおりとなるようにした。上記の粉砕混合の際の分散媒としてエタノールを用いた。得られた混合粉末はスプレードライで乾燥させた。
次に、得られた2次混合物を用い、実施例1〜実施例8の場合と同様にして、直径100mmで厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。
次に、得られた成形体を大気雰囲気中にて表1の実施例9〜実施例12に示す焼成温度で8時間焼成して、タングステンおよび亜鉛が固溶したビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を得た。
実施例1〜実施例8と同様にして、粉末X線回折法よる結晶解析により結晶相の同定を行った。酸化物焼結体に存在する結晶相を表1にまとめた。また、実施例1〜実施例8と同様の方法によって、実施例9〜実施例12の酸化物焼結体はいずれも、ビックスバイト型結晶相であるIn2O3型結晶相が主成分であることを確認した。
得られた酸化物焼結体を、実施例1〜実施例8の場合と同様に、直径3インチ(76.2mm)で厚さ5.0mmのターゲットに加工した。
実施例1〜実施例8の場合と同様にして、半導体デバイスであるTFTを作製した。
実施例1〜実施例8の場合と同様にして、OFF電流、およびOFF電流の値に対するON電流の値の比を測定した。結果を表2にまとめた。
原料粉末の2次混合物の調製の際に、原料粉末として、仮焼粉末およびIn2O3粉末の他に、表1に示す元素Mを含む酸化物粉末(Al2O3、TiO2、Cr2O3、Ga2O3、HfO2、SiO2、V2O5、Nb2O3、ZrO2、MoO2、Ta2O3、Bi2O3)を添加したこと以外は、実施例1〜実施例12と同様にして、タングステンおよび亜鉛が固溶し、元素Mをさらに含有するビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を作製した。酸化物焼結体中のM含有率を表2に示した。実施例13〜実施例24の酸化物焼結体はいずれも、ビックスバイト型結晶相であるIn2O3型結晶相が主成分であった。得られた酸化物焼結体をターゲットに加工して、かかるターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により形成された酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであるTFTを実施例1〜実施例12と同様にして作製した。
酸化物焼結体の作製の際、原料粉末の混合物を調製した後、仮焼をすることなく、原料粉末の混合物を成形し焼結したこと以外は、実施例1〜実施例8または実施例9〜実施例12と同様にして、酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体をターゲットに加工して、かかるターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により形成された酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであるTFTを実施例と同様にして作製した。仮焼をすることなく、原料粉末の混合物を成形し焼結したことにより、複酸化物結晶相の生成がないことを確認した。比較例1〜比較例3の酸化物焼結体は、見かけ密度が6.5g/cm3以下である。比較例1〜比較例3の間では、WO2.72粉末もしくはWO2粉末、ZnO粉末もしくはSnO2粉末、およびIn2O3粉末のモル混合比率が異なっている。
原料粉末の2次混合物の調製の際に、原料粉末として、仮焼粉末およびIn2O3粉末の他に、表3に示す元素Mを含む酸化物粉末(TiO2、SiO2)を添加したこと以外は、実施例1〜実施例12と同様にして、タングステンおよび亜鉛が固溶し、元素Mをさらに含有するビックスバイト型結晶相(In2O3型相)を含む酸化物焼結体を作製した。酸化物焼結体中のM含有率、及びInに対する元素Mの原子比(M/In比)を表3に示した。実施例25〜実施例28の酸化物焼結体はいずれも、ビックスバイト型結晶相であるIn2O3型結晶相が主成分であった。得られた酸化物焼結体をターゲットに加工して、かかるターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により形成された酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであるTFTを実施例1〜実施例12と同様にして作製した。
11 基板
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁膜
14 酸化物半導体膜
14c チャネル部
14d ドレイン電極形成用部
14s ソース電極形成用部
15 ソース電極
16 ドレイン電極
Claims (17)
- インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、
ビックスバイト型結晶相を含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であり、
前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、
前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、
6価および4価の少なくとも1つの原子価を有するタングステンを含む酸化物焼結体。 - 前記ビックスバイト型結晶相は、インジウム酸化物を主成分として含み、前記ビックスバイト型結晶相の少なくとも一部に固溶しているタングステンおよび亜鉛を含む請求項1に記載の酸化物焼結体。
- アルミニウム、チタン、クロム、ガリウム、ハフニウム、ジルコニウム、シリコン、モリブデン、バナジウム、ニオブ、タンタル、およびビスマスからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素をさらに含み、
前記酸化物焼結体中におけるインジウム、タングステン、亜鉛および前記元素の合計に対する前記元素の含有率が0.1原子以上10原子%以下である請求項1または請求項2に記載の酸化物焼結体。 - 前記酸化物焼結体中における、インジウムに対するシリコンの原子比が0.007より小さい、請求項3に記載の酸化物焼結体。
- 前記酸化物焼結体中における、インジウムに対するチタンの原子比が0.004より小さい、請求項3または請求項4に記載の酸化物焼結体。
- X線光電子分光法により測定される結合エネルギーが245eV以上250eV以下のタングステンを含む請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の酸化物焼結体。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の酸化物焼結体を含むスパッタターゲット。
- 酸化物半導体膜を含む半導体デバイスの製造方法であって、
前記酸化物半導体膜は、請求項7に記載のスパッタターゲットを用いてスパッタ法により形成される半導体デバイスの製造方法。 - インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物半導体膜を含む半導体デバイスであって、
前記酸化物半導体膜中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、
前記酸化物半導体膜中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、
前記酸化物半導体膜は、6価および4価の少なくとも1つの原子価を有するタングステンを含む半導体デバイス。 - 前記酸化物半導体膜中における、亜鉛に対するタングステンの原子比が0.5より大きく3.0より小さい請求項9に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜中における、インジウムに対するシリコンの原子比が0.007より小さく、かつ前記酸化物半導体膜の電気抵抗率が1×102Ωcm以上である請求項9または請求項10に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜中における、インジウムに対するチタンの原子比が0.004より小さく、かつ前記酸化物半導体膜の電気抵抗率が1×102Ωcm以上である請求項9から請求項11のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記酸化物半導体膜は、X線光電子分光法により測定される結合エネルギーが245eV以上250eV以下のタングステンを含む請求項9から請求項12のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の酸化物焼結体の製造方法であって、
亜鉛酸化物粉末とタングステン酸化物粉末との1次混合物を調製する工程と、
前記1次混合物を熱処理することにより仮焼粉末を形成する工程と、
前記仮焼粉末を含む原料粉末の2次混合物を調製する工程と、
前記2次混合物を成形することにより成形体を形成する工程と、
前記成形体を焼結することにより酸化物焼結体を形成する工程と、
を含み、
前記仮焼粉末を形成する工程は、酸素含有雰囲気下、550℃以上1200℃未満の温度で前記1次混合物を熱処理することにより、前記仮焼粉末として亜鉛とタングステンとを含む複酸化物の粉末を形成することを含む酸化物焼結体の製造方法。 - 前記タングステン酸化物粉末は、WO3結晶相、WO2結晶相、およびWO2.72結晶相からなる群より選ばれる少なくとも1種の結晶相を含む請求項14に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記タングステン酸化物粉末のメジアン粒径d50が、0.1μm以上4μm以下である請求項14または請求項15に記載の酸化物焼結体の製造方法。
- 前記複酸化物がZnWO4型結晶相を含む請求項14から請求項16のいずれか1項に記載の酸化物焼結体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014061493 | 2014-03-25 | ||
JP2014061493 | 2014-03-25 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015016695A Division JP6119773B2 (ja) | 2014-03-25 | 2015-01-30 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016216346A JP2016216346A (ja) | 2016-12-22 |
JP6233447B2 true JP6233447B2 (ja) | 2017-11-22 |
Family
ID=57578503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016094750A Active JP6233447B2 (ja) | 2014-03-25 | 2016-05-10 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6233447B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018084228A1 (ja) | 2016-11-04 | 2018-05-11 | 国立大学法人東京大学 | 動物細胞又は動物組織の凍結保存用溶液、凍結物、及び凍結保存方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3906766B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-04-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体 |
JP4826066B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2011-11-30 | 住友金属鉱山株式会社 | 非晶質の透明導電性薄膜およびその製造方法、並びに、該非晶質の透明導電性薄膜を得るためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2006160535A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 |
JP2006188392A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、透明導電性薄膜およびその実装素子 |
JP2006193363A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 |
JP2010251604A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Bridgestone Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5526904B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-06-18 | 住友電気工業株式会社 | 導電性酸化物焼結体とその製造方法 |
-
2016
- 2016-05-10 JP JP2016094750A patent/JP6233447B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016216346A (ja) | 2016-12-22 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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