JP2010199566A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. ゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上の、複数のクラスターと、
   前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の、ソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
   前記クラスターは、チタンを含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記クラスターは、前記酸化物半導体層よりも高い導電率を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記クラスターは、ニオブ、タンタルから選ばれる少なくとも１種の元素をさらに含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記クラスターは、前記ゲート絶縁層と接する面を基準として３ｎｍ以上５ｎｍ以下の高さを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、または亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なる領域よりも膜厚の薄い領域を有することを特徴とする半導体装置。