JP2011100990A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (8)

1. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第１の導電層および第２の導電層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第１の導電層と接する第１のインジウムを有し、
   前記酸化物半導体層と前記第２の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第２の導電層と接する第２のインジウムを有することを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第１の導電層および第２の導電層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第１の導電層と接する第１のインジウム合金を有し、
   前記酸化物半導体層と前記第２の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第２の導電層と接する第２のインジウム合金を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物半導体層は、酸化インジウムを有することを特徴とする半導体装置。
4. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第１の導電層および第２の導電層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第１の導電層と接する第１の亜鉛を有し、
   前記酸化物半導体層と前記第２の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第２の導電層と接する第２の亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
5. 酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第１の導電層および第２の導電層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第１の導電層と接する第１の亜鉛合金を有し、
   前記酸化物半導体層と前記第２の導電層との間に、前記酸化物半導体層および前記第２の導電層と接する第２の亜鉛合金を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の導電層および前記第２の導電層は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、またはこれらを含む合金を有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の導電層および前記第２の導電層は、タングステン酸化物を含むインジウム酸化物、タングステン酸化物を含むインジウム亜鉛酸化物、チタン酸化物を含むインジウム酸化物、チタン酸化物を含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素が添加されたインジウム錫酸化物のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。