JP2010135773A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上にゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層の表面近傍において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に覆われていない領域に金属元素を添加する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上にゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層の表面近傍に金属元素を添加する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上にゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
   前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層の表面近傍に金属元素を添加する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   イオン注入法によって前記金属元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記金属元素として、鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。