JP2003342653A - 配線材料及びそれを用いた配線基板 - Google Patents
配線材料及びそれを用いた配線基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｃｕを主成分とする合金（Ｃｕ合金）であっ
て、ガラス基板やシリコン膜との密着性が改善された合
金を実現し、このＣｕ合金を用いた配線材料を提供する
ことである。 【解決手段】 Ａｕおよび／またはＣｏと、Ｃｕとから
なるＣｕ合金であって、Ｃｕの組成比率が８０〜９９．
５ｗｔ％であり、Ａｕの組成比率とＣｕの組成比率の和
が０．５〜２０ｗｔ％であることを特徴とするＣｕ合金
を、配線材料として提案する。このような構成の配線材
料をスパッタ法によってガラス基板やシリコンウェハ上
に成膜したところ、電気抵抗が十分に低く、かつ、基板
との強い密着強度が観察された。
て、ガラス基板やシリコン膜との密着性が改善された合
金を実現し、このＣｕ合金を用いた配線材料を提供する
ことである。 【解決手段】 Ａｕおよび／またはＣｏと、Ｃｕとから
なるＣｕ合金であって、Ｃｕの組成比率が８０〜９９．
５ｗｔ％であり、Ａｕの組成比率とＣｕの組成比率の和
が０．５〜２０ｗｔ％であることを特徴とするＣｕ合金
を、配線材料として提案する。このような構成の配線材
料をスパッタ法によってガラス基板やシリコンウェハ上
に成膜したところ、電気抵抗が十分に低く、かつ、基板
との強い密着強度が観察された。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴ型液晶表示
ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）又は有機ＥＬ用の配線
材料、反射電極及びその製造方法に関する。
ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）又は有機ＥＬ用の配線
材料、反射電極及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜ト
ランジスタ）型液晶ディスプレイ（以下、単にＴＦＴ−
ＬＣＤという）は、表示性能が高く、省エネルギー等の
特徴があるので、携帯用パソコンやラップトップパソコ
ン、テレビ等の表示機として主流を占めるに至ってい
る。このＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法は各社、各様の方法
があるが、ＴＦＴを製造する工程が複雑で、また、各種
の金属、金属酸化物を積層するため、工程の簡略化が求
められている。
ランジスタ）型液晶ディスプレイ（以下、単にＴＦＴ−
ＬＣＤという）は、表示性能が高く、省エネルギー等の
特徴があるので、携帯用パソコンやラップトップパソコ
ン、テレビ等の表示機として主流を占めるに至ってい
る。このＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法は各社、各様の方法
があるが、ＴＦＴを製造する工程が複雑で、また、各種
の金属、金属酸化物を積層するため、工程の簡略化が求
められている。
【０００３】また、表示装置の他の方式である有機ＥＬ
（有機Electroluminescence）においてもＴＦＴ駆動に
よる表示が試みられている。
（有機Electroluminescence）においてもＴＦＴ駆動に
よる表示が試みられている。
【０００４】ＴＦＴ−ＬＣＤの基本構造
従来のＴＦＴ−ＬＣＤの基本的な構造を説明する。図２
には、透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの断面を模式的に表した断
面模式図が示されている。この図に示すように、透過型
ＴＦＴ−ＬＣＤは、液晶１０をカラーフィルター基板１
２と、ＴＦＴ基板１４とで挟み込んだ構造を基本構造と
している。そして、ＴＦＴ基板１４の裏面にはバックラ
イト１６が設けられており、透過型ＴＦＴ−ＬＣＤを裏
面から照らしている。
には、透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの断面を模式的に表した断
面模式図が示されている。この図に示すように、透過型
ＴＦＴ−ＬＣＤは、液晶１０をカラーフィルター基板１
２と、ＴＦＴ基板１４とで挟み込んだ構造を基本構造と
している。そして、ＴＦＴ基板１４の裏面にはバックラ
イト１６が設けられており、透過型ＴＦＴ−ＬＣＤを裏
面から照らしている。
【０００５】カラーフィルター基板１２はガラス基板１
８ａと透明電極２０との間にカラーフィルター２２が挟
み込まれた構造をなしており、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）それぞれの色の光を透過させる。
８ａと透明電極２０との間にカラーフィルター２２が挟
み込まれた構造をなしており、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）それぞれの色の光を透過させる。
【０００６】ＴＦＴ基板１４は、ガラス基板１８ｂの上
に透明電極２０ｂが形成されており、この透明電極２０
ｂに対して、信号電圧がＴＦＴ２４を介して印加され
る。
に透明電極２０ｂが形成されており、この透明電極２０
ｂに対して、信号電圧がＴＦＴ２４を介して印加され
る。
【０００７】なお、図２では、省略しているが、カラー
フィルター基板１２側に１枚の偏光板が、ＴＦＴ基板１
４側にさらに１枚の偏光板が設けられている。これらの
構成はよく知られている構成である。
フィルター基板１２側に１枚の偏光板が、ＴＦＴ基板１
４側にさらに１枚の偏光板が設けられている。これらの
構成はよく知られている構成である。
【０００８】図２では、透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの構成を
示したが、反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの構成は、ＴＦＴ基板
１４側の電極が透明電極２０ｂではなく、外光を反射す
るようにアルミニウム等を用いた反射型の電極になって
いる。また、反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの場合は、外光を反
射させているのでバックライト１６は不要である。
示したが、反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの構成は、ＴＦＴ基板
１４側の電極が透明電極２０ｂではなく、外光を反射す
るようにアルミニウム等を用いた反射型の電極になって
いる。また、反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの場合は、外光を反
射させているのでバックライト１６は不要である。
【０００９】図３には、透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの上記Ｔ
ＦＴ基板１４上の１個の画素の基本的な構造を示す平面
模式図が示されている。この図に示すように、信号ライ
ン３０上のデータは、ＴＦＴ２４によるスイッチを介し
て透明電極２０ｂに印加される。ＴＦＴ２４は、ソース
電極３２、ゲート電極３４、ドレイン電極３６とを有し
ており、ゲート電極３４の部位にはアモルファスシリコ
ン３８等が積層されている。
ＦＴ基板１４上の１個の画素の基本的な構造を示す平面
模式図が示されている。この図に示すように、信号ライ
ン３０上のデータは、ＴＦＴ２４によるスイッチを介し
て透明電極２０ｂに印加される。ＴＦＴ２４は、ソース
電極３２、ゲート電極３４、ドレイン電極３６とを有し
ており、ゲート電極３４の部位にはアモルファスシリコ
ン３８等が積層されている。
【００１０】図４には、図３のＩＶ−ＩＶ´線における
断面模式図が示されている。ガラス基板１８ｂの上に、
ゲート電極３４が設けられ、その上にＳｉＮｘ膜３５が
積層されている。さらに、ゲート電極３４の上方にはア
モルファスシリコン３８の層が設けられている。
断面模式図が示されている。ガラス基板１８ｂの上に、
ゲート電極３４が設けられ、その上にＳｉＮｘ膜３５が
積層されている。さらに、ゲート電極３４の上方にはア
モルファスシリコン３８の層が設けられている。
【００１１】このアモルファスシリコン３８を挟んでゲ
ート電極と一部重畳するように、ソース電極３２と、ド
レイン電極３６とが配置されている。さらにその上に全
体的に絶縁膜４０が設けられている。そして、絶縁膜４
０上に透明電極２０ｂが設けられている。透明電極２０
ｂは、絶縁膜４０に開けられたスルーホール４０ｂを介
して、ドレイン電極３６と電気的に接続されている。
ート電極と一部重畳するように、ソース電極３２と、ド
レイン電極３６とが配置されている。さらにその上に全
体的に絶縁膜４０が設けられている。そして、絶縁膜４
０上に透明電極２０ｂが設けられている。透明電極２０
ｂは、絶縁膜４０に開けられたスルーホール４０ｂを介
して、ドレイン電極３６と電気的に接続されている。
【００１２】ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて利用される配線
従来のＴＦＴ−ＬＣＤを駆動するＴＦＴアレイの製造工
程では、ＴＦＴのゲート電極、ソース・ドレイン電極に
Ｃｒや、ＴａＷ、ＭｏＷ等の金属の使用が検討されてい
る。
程では、ＴＦＴのゲート電極、ソース・ドレイン電極に
Ｃｒや、ＴａＷ、ＭｏＷ等の金属の使用が検討されてい
る。
【００１３】この内、Ｃｒは加工しやすい反面、腐食さ
れやすい問題があり、ＴａＷ、ＭｏＷは腐食等には強い
が、電気抵抗が大きいなどの問題があった。
れやすい問題があり、ＴａＷ、ＭｏＷは腐食等には強い
が、電気抵抗が大きいなどの問題があった。
【００１４】そこで、加工しやすく、電気抵抗の低い金
属が広く使用されている。単純に、電気抵抗が低い金属
と言えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、等が挙げられる。そこ
で、従来から、アルミニウムを主体とする配線を用いる
ＴＦＴアレイ（トランジスタアレイ）が提案されてい
る。また、アルミニウムを用いる場合、ヒロックと呼ば
れる突起が電極表面に形成されるおそれがあることが知
られている。このヒロックがＴＦＴのソース等の電極に
生じると、その上層の絶縁層を突き破り、さらに上層の
透明電極と接触し不良品を形成してしまうおそれがあ
る。そこで、このヒロックを防止するために、アルミニ
ウムにＮｄを添加する構成が従来から採用されている。
属が広く使用されている。単純に、電気抵抗が低い金属
と言えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、等が挙げられる。そこ
で、従来から、アルミニウムを主体とする配線を用いる
ＴＦＴアレイ（トランジスタアレイ）が提案されてい
る。また、アルミニウムを用いる場合、ヒロックと呼ば
れる突起が電極表面に形成されるおそれがあることが知
られている。このヒロックがＴＦＴのソース等の電極に
生じると、その上層の絶縁層を突き破り、さらに上層の
透明電極と接触し不良品を形成してしまうおそれがあ
る。そこで、このヒロックを防止するために、アルミニ
ウムにＮｄを添加する構成が従来から採用されている。
【００１５】しかし、このようなアルミニウム電極とシ
リコン層及び透明電極を直接接触させると、アルミニウ
ムがシリコン層へ拡散し、素子性能を劣化させたり、ア
ルミニウムが酸化されアルミナに変換することにより、
透明電極との間の電気抵抗が大きくなるおそれが大であ
る。その結果、ＴＦＴアレイを構成する各素子が正常に
作動しない問題が知られている。
リコン層及び透明電極を直接接触させると、アルミニウ
ムがシリコン層へ拡散し、素子性能を劣化させたり、ア
ルミニウムが酸化されアルミナに変換することにより、
透明電極との間の電気抵抗が大きくなるおそれが大であ
る。その結果、ＴＦＴアレイを構成する各素子が正常に
作動しない問題が知られている。
【００１６】さらに、アルミニウムにＮｄを添加する
と、ＴａＷ、ＭｏＷと同様に電気抵抗が高くなってしま
うおそれがあった。
と、ＴａＷ、ＭｏＷと同様に電気抵抗が高くなってしま
うおそれがあった。
【００１７】そこで、従来の改良された手法において
は、アルミニウム電極をＭｏやＴｉでサンドイッチ（挟
む構造と）し、酸化物透明電極との接触抵抗を下げる構
造が現在利用されている。すなわち、アルミニウムがシ
リコン層へ拡散することを防止するためにＭｏをシリコ
ン層の上に成膜してからその上にアルミニウムの層をの
せるのである。そして、酸化されることにより、透明電
極との接触抵抗が増加してしまうことを防止するため
に、アルミニウムの上にさらにＭｏの層を設けている。
このように、従来は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の配
線が利用されている。同様の理由により、Ｔｉ／Ａｌ／
Ｔｉの３層構造も利用されている。
は、アルミニウム電極をＭｏやＴｉでサンドイッチ（挟
む構造と）し、酸化物透明電極との接触抵抗を下げる構
造が現在利用されている。すなわち、アルミニウムがシ
リコン層へ拡散することを防止するためにＭｏをシリコ
ン層の上に成膜してからその上にアルミニウムの層をの
せるのである。そして、酸化されることにより、透明電
極との接触抵抗が増加してしまうことを防止するため
に、アルミニウムの上にさらにＭｏの層を設けている。
このように、従来は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の配
線が利用されている。同様の理由により、Ｔｉ／Ａｌ／
Ｔｉの３層構造も利用されている。
【００１８】Ｃｕ合金の従来例
なお、Ｃｕを主成分とする合金で、半導体機器のリード
材用の銅合金が、特許第１５４９３７１号（特願昭５７
−６０６１）に記載されている。同号特許には、Ｎｉを
０．４〜４ｗｔ％、Ｓｉを０．１〜１ｗｔ％含むＣｕ合
金が示されている。また、副成分として、ＰやＡｓを含
むことが示されている。
材用の銅合金が、特許第１５４９３７１号（特願昭５７
−６０６１）に記載されている。同号特許には、Ｎｉを
０．４〜４ｗｔ％、Ｓｉを０．１〜１ｗｔ％含むＣｕ合
金が示されている。また、副成分として、ＰやＡｓを含
むことが示されている。
【００１９】また、特許第１９１４４８４号（特願昭５
８−６５２６５）には、Ｃｕを主成分とする合金が示さ
れている。同号特許には、Ｃｒを０．０１〜２．０ｗｔ
％含む銅合金、Ｚｒを０．００５〜１．０ｗｔ％含む銅
合金、これらＣｒとＺｒ双方を含む銅合金、が示されて
いる。
８−６５２６５）には、Ｃｕを主成分とする合金が示さ
れている。同号特許には、Ｃｒを０．０１〜２．０ｗｔ
％含む銅合金、Ｚｒを０．００５〜１．０ｗｔ％含む銅
合金、これらＣｒとＺｒ双方を含む銅合金、が示されて
いる。
【００２０】また、半導体用銅合金の例が特許第２１３
６０１７号（特願昭６２−１２４３６５号）に記載され
ている。同号特許には、Ｎｉを１．０〜４．０ｗｔ％、
Ｓｉを０．２〜１．０ｗｔ％、Ａｇを０．０００５〜
０．５％を含み、さらに、ＺｎやＭｎ、Ｃｏ等を２．０
ｗｔ％以下含む銅合金が示されている。
６０１７号（特願昭６２−１２４３６５号）に記載され
ている。同号特許には、Ｎｉを１．０〜４．０ｗｔ％、
Ｓｉを０．２〜１．０ｗｔ％、Ａｇを０．０００５〜
０．５％を含み、さらに、ＺｎやＭｎ、Ｃｏ等を２．０
ｗｔ％以下含む銅合金が示されている。
【００２１】表示装置に用いる電極で銅を利用した従来
例 また、特許第２５７９１０６号（特開平０５−１８８４
０１号公報）には、ＴＦＴ液晶パネルにおいて、ＴＦＴ
（薄膜）トランジスタのゲート電極がＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
の三層構造になっていることが示されている。さらに、
特開平１０−１５３７８８号公報には、液晶表示装置に
おいて、ゲート電極が、ＣｕとＺｒの合金と、この合金
を被覆するＺｒＯ酸化層とから、構成されることが記載
されている。また、特開２００１−１９６３７１には、
導電性金属が、銅薄膜パターンとＩＺＯ薄膜パターンと
の積層構造をなしていることが示されている。また、特
開２００１−２２３２１７号公報には、銅薄膜との接触
抵抗が１．０＊１０−６Ω・ｃｍ以下の金属酸化物導電
体薄膜が示されている。
例 また、特許第２５７９１０６号（特開平０５−１８８４
０１号公報）には、ＴＦＴ液晶パネルにおいて、ＴＦＴ
（薄膜）トランジスタのゲート電極がＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
の三層構造になっていることが示されている。さらに、
特開平１０−１５３７８８号公報には、液晶表示装置に
おいて、ゲート電極が、ＣｕとＺｒの合金と、この合金
を被覆するＺｒＯ酸化層とから、構成されることが記載
されている。また、特開２００１−１９６３７１には、
導電性金属が、銅薄膜パターンとＩＺＯ薄膜パターンと
の積層構造をなしていることが示されている。また、特
開２００１−２２３２１７号公報には、銅薄膜との接触
抵抗が１．０＊１０−６Ω・ｃｍ以下の金属酸化物導電
体薄膜が示されている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】上で述べた３層構造の
配線を採用する場合には、アルミニウム電極をサンドイ
ッチするために、最初にＭｏやＴｉを成膜し、その後ア
ルミニウムを主体とする金属を成膜し、再びＭｏやＴｉ
を成膜しなければならず、複雑な工程になってしまうと
いう欠点があった。
配線を採用する場合には、アルミニウム電極をサンドイ
ッチするために、最初にＭｏやＴｉを成膜し、その後ア
ルミニウムを主体とする金属を成膜し、再びＭｏやＴｉ
を成膜しなければならず、複雑な工程になってしまうと
いう欠点があった。
【００２３】また、上述したように、電気抵抗の低い金
属としては、アルミニウムの他、ＡｇやＣｕも知られて
いる。したがって、ＡｇやＣｕ電極により上記問題を解
決する試みもなさられているが、ＡｇやＣｕは基板であ
るガラスやシリコン膜との密着性が低く、製造工程中に
剥がれてしまう等の問題があった。
属としては、アルミニウムの他、ＡｇやＣｕも知られて
いる。したがって、ＡｇやＣｕ電極により上記問題を解
決する試みもなさられているが、ＡｇやＣｕは基板であ
るガラスやシリコン膜との密着性が低く、製造工程中に
剥がれてしまう等の問題があった。
【００２４】本発明は、このような問題にかんがみなさ
れたものであり、その目的は、Ｃｕを主成分とする合金
（Ｃｕ合金）であって、ガラス基板やシリコン膜との密
着性が改善された合金を実現し、このＣｕ合金を用いた
配線材料を提供することである。
れたものであり、その目的は、Ｃｕを主成分とする合金
（Ｃｕ合金）であって、ガラス基板やシリコン膜との密
着性が改善された合金を実現し、このＣｕ合金を用いた
配線材料を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記課題に対して、本発
明者らが鋭意研究した結果、Ｃｕを主成分とする電極
で、Ｃｕの組成比率が８０〜９９．５ｗｔ％、かつ、Ａ
ｕとＣｏの組成比率の総和が０．５〜２０ｗｔ％からな
るＣｕ合金を配線に用いれば上記課題を解決できること
が判明した。
明者らが鋭意研究した結果、Ｃｕを主成分とする電極
で、Ｃｕの組成比率が８０〜９９．５ｗｔ％、かつ、Ａ
ｕとＣｏの組成比率の総和が０．５〜２０ｗｔ％からな
るＣｕ合金を配線に用いれば上記課題を解決できること
が判明した。
【００２６】このＣｕ合金配線は、基板ガラスとの密着
性も良好で、抵抗が低く、しかもシリコン層と直接接触
しても、金属原子がシリコン層へほとんど拡散しないこ
とが判明した。その結果、ＴＦＴアレイを構成する各素
子の性能を劣化させるおそれがほとんどないことが判明
した。
性も良好で、抵抗が低く、しかもシリコン層と直接接触
しても、金属原子がシリコン層へほとんど拡散しないこ
とが判明した。その結果、ＴＦＴアレイを構成する各素
子の性能を劣化させるおそれがほとんどないことが判明
した。
【００２７】また、このＣｕ合金からなる金属電極に、
直接酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛を主成分とす
る液晶駆動用電極（透明電極）を形成しても、金属電極
とこの透明電極の間で接触抵抗が過度に大きくなること
もなく、素子が安定して作動することが判明した。
直接酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛を主成分とす
る液晶駆動用電極（透明電極）を形成しても、金属電極
とこの透明電極の間で接触抵抗が過度に大きくなること
もなく、素子が安定して作動することが判明した。
【００２８】このＣｕ合金の成膜に当たっては、スパッ
タリングによる成膜を行うことが好ましい。
タリングによる成膜を行うことが好ましい。
【００２９】用いるターゲットは、Ａｕおよび／または
Ｃｏを含み、Ｃｕを主成分とするものである。具体的に
は、Ｃｕが８０〜９９．５ｗｔ％、かつ、Ａｕ ａｎｄ
／ｏｒ Ｃｏが０．５〜２０ｗｔ％となるような薄膜を
形成できるように組成を調整されたターゲットである。
一般には、作成したい薄膜の組成と同様の組成のターゲ
ットをスパッタリングターゲットとして用いることによ
り、所望の組成の薄膜を生成することができる。
Ｃｏを含み、Ｃｕを主成分とするものである。具体的に
は、Ｃｕが８０〜９９．５ｗｔ％、かつ、Ａｕ ａｎｄ
／ｏｒ Ｃｏが０．５〜２０ｗｔ％となるような薄膜を
形成できるように組成を調整されたターゲットである。
一般には、作成したい薄膜の組成と同様の組成のターゲ
ットをスパッタリングターゲットとして用いることによ
り、所望の組成の薄膜を生成することができる。
【００３０】このように、ターゲットを、ＣｕＡｕ、Ｃ
ｕ３Ａｕなどの化合物とすることにより、Ｃｕ以外の成
分の分散も促進され、安定したスパッタが得られると考
えられる。
ｕ３Ａｕなどの化合物とすることにより、Ｃｕ以外の成
分の分散も促進され、安定したスパッタが得られると考
えられる。
【００３１】また、このＣｕ合金による金属電極は基板
であるガラスやシリコン膜への密着性も大きく、製造工
程で膜が剥がれることもなく、安定して製造することが
可能である。
であるガラスやシリコン膜への密着性も大きく、製造工
程で膜が剥がれることもなく、安定して製造することが
可能である。
【００３２】本発明の具体的な構成を以下説明する。ま
ず、配線材料に関する発明を説明する。
ず、配線材料に関する発明を説明する。
【００３３】本件発明は、上記課題を達成するために、
Ａｕおよび／またはＣｏと、ＣｕとからなるＣｕ合金で
あって、Ｃｕの組成比率が８０〜９９．５ｗｔ％であ
り、Ａｕの組成比率とＣｕの組成比率の和が０．５〜２
０ｗｔ％であることを特徴とするＣｕ合金からなる配線
材料である。
Ａｕおよび／またはＣｏと、ＣｕとからなるＣｕ合金で
あって、Ｃｕの組成比率が８０〜９９．５ｗｔ％であ
り、Ａｕの組成比率とＣｕの組成比率の和が０．５〜２
０ｗｔ％であることを特徴とするＣｕ合金からなる配線
材料である。
【００３４】このような構成によれば、ガラス基板やシ
リコンウェハーとの密着性を向上させることができる。
リコンウェハーとの密着性を向上させることができる。
【００３５】さらに、本発明においては、上記配線材料
において、Ａｕが０〜１０ｗｔ％の範囲にあることが寄
り望ましい。さらに本発明では、上記配線材料におい
て、Ｃｏが０〜１０ｗｔ％の範囲にあることがより望ま
しい。
において、Ａｕが０〜１０ｗｔ％の範囲にあることが寄
り望ましい。さらに本発明では、上記配線材料におい
て、Ｃｏが０〜１０ｗｔ％の範囲にあることがより望ま
しい。
【００３６】上記組成の内、Ａｕ及びＣｏの組成に関し
ては、本願発明者らの実験等により以下のことが判明し
た。まず、Ａｕ及びＣｏの総組成比率が０．５％以下で
は添加効果がなく、ガラスへの密着強度が低い状態が観
察された。
ては、本願発明者らの実験等により以下のことが判明し
た。まず、Ａｕ及びＣｏの総組成比率が０．５％以下で
は添加効果がなく、ガラスへの密着強度が低い状態が観
察された。
【００３７】一方、これらの総組成比率が２０ｗｔ％を
超えると、Ａｕの場合にはコストが増大してしまうとい
う問題が生じる。また、Ｃｏの場合には、その組成比率
が過大になると、抵抗値（比抵抗）が大きくなってしま
う場合や、スパッタリング中の異常放電が増える等の場
合も観察された。その結果、低抵抗配線材料としては、
好ましくない特性を示す可能性がある。
超えると、Ａｕの場合にはコストが増大してしまうとい
う問題が生じる。また、Ｃｏの場合には、その組成比率
が過大になると、抵抗値（比抵抗）が大きくなってしま
う場合や、スパッタリング中の異常放電が増える等の場
合も観察された。その結果、低抵抗配線材料としては、
好ましくない特性を示す可能性がある。
【００３８】これまで、Ａｕ、Ｃｏについて述べたが、
これら第三金属は、半導体層へ拡散しない金属、又は、
拡散しても半導体素子の性能に影響を及ぼさない金属あ
るいは影響を及ぼさない範囲の量に限定すべきであるこ
とは言うまでもない。
これら第三金属は、半導体層へ拡散しない金属、又は、
拡散しても半導体素子の性能に影響を及ぼさない金属あ
るいは影響を及ぼさない範囲の量に限定すべきであるこ
とは言うまでもない。
【００３９】さらに、本発明は、上記の配線材料におい
て、比抵抗が４μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とす
る。
て、比抵抗が４μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とす
る。
【００４０】半導体素子用の配線薄膜として上記材料を
利用する場合、その比抵抗が４μΩ・ｃｍ以上では、そ
の値が大きすぎ信号の遅延が無視できない程度になると
考えられる。したがって、比抵抗が４μΩ・ｃｍ以下の
配線材料を構成することによって、信号遅延の少ない半
導体素子用の配線薄膜が提供できる。
利用する場合、その比抵抗が４μΩ・ｃｍ以上では、そ
の値が大きすぎ信号の遅延が無視できない程度になると
考えられる。したがって、比抵抗が４μΩ・ｃｍ以下の
配線材料を構成することによって、信号遅延の少ない半
導体素子用の配線薄膜が提供できる。
【００４１】次に、これまで述べた配線材料を用いた配
線基板に関する発明を説明する。
線基板に関する発明を説明する。
【００４２】まず、本発明は、これまで述べた配線材料
からなる配線、金属酸化物導電膜、及び、基板からなる
配線基板である。また、本発明は、前記配線と前記金属
酸化物導電層膜とが、２層構造の積層配線を構成してい
ることを特徴とする配線基板である。
からなる配線、金属酸化物導電膜、及び、基板からなる
配線基板である。また、本発明は、前記配線と前記金属
酸化物導電層膜とが、２層構造の積層配線を構成してい
ることを特徴とする配線基板である。
【００４３】これらの発明における金属酸化物導電膜と
は、たとえばＩＺＯなどの透明電極である。なお、「Ｉ
ＺＯ／アイ・ゼット・オー」は登録商標である。
は、たとえばＩＺＯなどの透明電極である。なお、「Ｉ
ＺＯ／アイ・ゼット・オー」は登録商標である。
【００４４】このような構成によって、反射型のＬＣＤ
や、有機ＥＬを製造すれば、電極の抵抗を小さく抑える
ことができ、性能の向上した薄膜トランジスタ等を製造
することができる。その結果、反射型のＬＣＤや有機Ｅ
Ｌ等の性能を向上させることが可能である。
や、有機ＥＬを製造すれば、電極の抵抗を小さく抑える
ことができ、性能の向上した薄膜トランジスタ等を製造
することができる。その結果、反射型のＬＣＤや有機Ｅ
Ｌ等の性能を向上させることが可能である。
【００４５】また、本発明は、前記金属酸化物導電膜
が、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｉｒからなる群より選ばれた１
種又は２種以上の金属を０．０５原子％〜５原子％含む
ことを特徴とする配線基板である。
が、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｉｒからなる群より選ばれた１
種又は２種以上の金属を０．０５原子％〜５原子％含む
ことを特徴とする配線基板である。
【００４６】これらの金属が０．０５原子％未満の場合
は、添加効果が小さく仕事関数が５．４ｅＶ以上になら
ない場合がある。一方、これらの金属を５原子％を超え
て添加すると、エッチング性が低下するおそれがあり、
予期せぬ着色が生じる可能性がある。
は、添加効果が小さく仕事関数が５．４ｅＶ以上になら
ない場合がある。一方、これらの金属を５原子％を超え
て添加すると、エッチング性が低下するおそれがあり、
予期せぬ着色が生じる可能性がある。
【００４７】なお、本発明では０．０５〜５原子％とし
たが、３原子％程度がより好ましく、後述する実施例で
は３原子％の例を示している。
たが、３原子％程度がより好ましく、後述する実施例で
は３原子％の例を示している。
【００４８】また、本発明は、前記金属酸化物導電膜が
酸化インジウムと酸化亜鉛からなる非晶質透明導電膜
であり、この非晶質透明導電膜の原子構成がＩｎ／（Ｉ
ｎ+Ｚｎ）＝０．８０〜０．９５であることを特徴とす
る。この数式の値が０．８未満では金属酸化物薄膜の抵
抗が大きくなってしまい、一方、０．９５を越える場合
にはエッチング速度が低下するおそれがある。
酸化インジウムと酸化亜鉛からなる非晶質透明導電膜
であり、この非晶質透明導電膜の原子構成がＩｎ／（Ｉ
ｎ+Ｚｎ）＝０．８０〜０．９５であることを特徴とす
る。この数式の値が０．８未満では金属酸化物薄膜の抵
抗が大きくなってしまい、一方、０．９５を越える場合
にはエッチング速度が低下するおそれがある。
【００４９】また、本発明は、これまで述べた配線基板
において、表面が絶縁性である基板からなることを特徴
とする。また、本発明は、これまで述べた配線基板にお
いて、前記基板上に設けられた配線と、薄膜トランジス
タと、を具備してなる配線基板である。
において、表面が絶縁性である基板からなることを特徴
とする。また、本発明は、これまで述べた配線基板にお
いて、前記基板上に設けられた配線と、薄膜トランジス
タと、を具備してなる配線基板である。
【００５０】このような構成によって、薄膜トランジス
タの電極や配線の抵抗値を小さくすることができ、薄膜
トランジスタの性能の向上に寄与することができる。
タの電極や配線の抵抗値を小さくすることができ、薄膜
トランジスタの性能の向上に寄与することができる。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【００５２】本実施の形態では、Ｃｕを主成分とする合
金であって、ガラス基板やシリコンウェハーとの密着性
が良好な配線材料を提案する。
金であって、ガラス基板やシリコンウェハーとの密着性
が良好な配線材料を提案する。
【００５３】特に本実施の形態では、スパッタリング法
によって、かかる合金を形成する例を説明する。まず、
スパッタリングで用いるターゲットについて簡単に説明
する。Ｃｕに所定の比率でＡｕ及び／又はＣｏを真空溶
解炉により溶解し、冷却固化させた後、圧延を行い板状
に加工し、その後、切削、研削加工を行い４インチφの
ターゲットとする。このターゲットをスパッタ装置のバ
ッキングプレートに張り合わせて、スパッタリングを行
う。その結果、ガラス及びシリコンウェハー上にこのタ
ーゲットに基づく成膜が行われる。
によって、かかる合金を形成する例を説明する。まず、
スパッタリングで用いるターゲットについて簡単に説明
する。Ｃｕに所定の比率でＡｕ及び／又はＣｏを真空溶
解炉により溶解し、冷却固化させた後、圧延を行い板状
に加工し、その後、切削、研削加工を行い４インチφの
ターゲットとする。このターゲットをスパッタ装置のバ
ッキングプレートに張り合わせて、スパッタリングを行
う。その結果、ガラス及びシリコンウェハー上にこのタ
ーゲットに基づく成膜が行われる。
【００５４】成膜した薄膜の性能を計測する。計測結果
が図１の表に示されている。この表には、ターゲットの
組成、膜厚、測定抵抗、比抵抗、密着強度、てー部剥離
試験の結果等が示されている。なお、成膜温度はすべて
室温である。
が図１の表に示されている。この表には、ターゲットの
組成、膜厚、測定抵抗、比抵抗、密着強度、てー部剥離
試験の結果等が示されている。なお、成膜温度はすべて
室温である。
【００５５】この薄膜の組成はＸ線マイクロアナライザ
（ＥＰＭＡ：Electron Probe Micro-Analysis）により
測定した。また、導電率（測定抵抗、比抵抗）は、四端
針法で測定した。
（ＥＰＭＡ：Electron Probe Micro-Analysis）により
測定した。また、導電率（測定抵抗、比抵抗）は、四端
針法で測定した。
【００５６】さらに、剥離強度は、スクラッチ試験とテ
ープ剥離試験により測定した。スクラッチ試験を実行す
るスクラッチ試験機は、ＣＳＭＥ社製、Micro-Scratch-
Testerを用いた。ここで、剥離強度の測定条件は、以下
の通りである。
ープ剥離試験により測定した。スクラッチ試験を実行す
るスクラッチ試験機は、ＣＳＭＥ社製、Micro-Scratch-
Testerを用いた。ここで、剥離強度の測定条件は、以下
の通りである。
【００５７】スクラッチ距離：２０ｍｍ
スクラッチ荷重：０−１０Ｎ（ニュートン）
荷重レート：１０Ｎ／ｍｉｎ
スクラッチ速度：２０ｍｍ／ｍｉｎ
ダイヤモンドコーン形状：先端２００μｍφ
上記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡に
より観測し、下地のガラス（ウェハー）又はシリコンが
露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点から
の距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。
より観測し、下地のガラス（ウェハー）又はシリコンが
露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点から
の距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。
【００５８】次に、テープ剥離試験は、薄膜の上に１ｍ
ｍピッチで碁盤の目状にナイフで溝を付け、その上に粘
着テープを貼り、テープを剥がした際に、どの程度剥離
するかで密着の程度を検査する試験である。図１の表に
おいては、１辺が１ｍｍのテープ片が１００片中、何片
剥離したかについて数値を示してある。
ｍピッチで碁盤の目状にナイフで溝を付け、その上に粘
着テープを貼り、テープを剥がした際に、どの程度剥離
するかで密着の程度を検査する試験である。図１の表に
おいては、１辺が１ｍｍのテープ片が１００片中、何片
剥離したかについて数値を示してある。
【００５９】もちろん、スクラッチ試験も、テープ剥離
試験もＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）で規
定されている基準に従って測定を行った。
試験もＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）で規
定されている基準に従って測定を行った。
【００６０】［基本実施例］この図１の表には、Ｃｕに
Ａｕを添加した合金をターゲットとして利用した実施
例、ＣｕにＣｏを添加した合金をターゲットとして利用
した実施例、ＣｕにＡｕとＣｏを添加した合金をターゲ
ットとして利用した実施例、が６例示されている。各例
においてはは、上記合金をターゲットとして用い、スパ
ッタリングによってガラス基板やシリコンウェハー上に
成膜している。
Ａｕを添加した合金をターゲットとして利用した実施
例、ＣｕにＣｏを添加した合金をターゲットとして利用
した実施例、ＣｕにＡｕとＣｏを添加した合金をターゲ
ットとして利用した実施例、が６例示されている。各例
においてはは、上記合金をターゲットとして用い、スパ
ッタリングによってガラス基板やシリコンウェハー上に
成膜している。
【００６１】実施例１と実施例２は、ＣｕにＡｕを添加
したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の実施例で
ある。実施例１は、Ａｕの組成比率が４．０ｗｔ％の実
施例であり、実施例２はＡｕの組成比率が１．７％の実
施例である。
したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の実施例で
ある。実施例１は、Ａｕの組成比率が４．０ｗｔ％の実
施例であり、実施例２はＡｕの組成比率が１．７％の実
施例である。
【００６２】実施例１では、比抵抗が３．８μΩ・ｃｍ
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．７
２Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．４８Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合で１００片枚中わずかに
２片の剥離のみがみられた。
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．７
２Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．４８Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合で１００片枚中わずかに
２片の剥離のみがみられた。
【００６３】実施例２では、比抵抗が２．９μΩ・ｃｍ
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で４．３
７Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．１２Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離がな
く、シリコンウェハーの場合で１００片枚中わずかに５
片の剥離のみがみられた。
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で４．３
７Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．１２Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離がな
く、シリコンウェハーの場合で１００片枚中わずかに５
片の剥離のみがみられた。
【００６４】実施例３と実施例４は、ＣｕにＣｏを添加
したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の実施例で
ある。実施例３は、Ｃｏの組成比率が３．７ｗｔ％の実
施例であり、実施例４はＣｏの組成比率が４．８％の実
施例である。
したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の実施例で
ある。実施例３は、Ｃｏの組成比率が３．７ｗｔ％の実
施例であり、実施例４はＣｏの組成比率が４．８％の実
施例である。
【００６５】実施例３では、比抵抗が２．９μΩ・ｃｍ
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．５
４Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．６５Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合で１００片枚中１０片の
剥離がみられた。
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．５
４Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．６５Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合で１００片枚中１０片の
剥離がみられた。
【００６６】実施例４では、比抵抗が３．２μΩ・ｃｍ
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．６
８Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．６８Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離がな
く、シリコンウェハーの場合で１００片枚中１０片の剥
離がみられた。
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．６
８Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．６８Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離がな
く、シリコンウェハーの場合で１００片枚中１０片の剥
離がみられた。
【００６７】実施例５と実施例６は、ＣｕにＡｕ及びＣ
ｏを添加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の
実施例である。実施例５は、Ａｕの組成比率が２．３ｗ
ｔ％であり、Ｃｏの組成比率が２．７％の実施例であ
る。実施例６はＡｕの組成比率が１．２％であり、Ｃｏ
の組成比率が４．２％の実施例である。
ｏを添加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の
実施例である。実施例５は、Ａｕの組成比率が２．３ｗ
ｔ％であり、Ｃｏの組成比率が２．７％の実施例であ
る。実施例６はＡｕの組成比率が１．２％であり、Ｃｏ
の組成比率が４．２％の実施例である。
【００６８】実施例５では、比抵抗が３．９μΩ・ｃｍ
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．５
２Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．５４Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合でも剥離はみられなかっ
た。
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．５
２Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．５４Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合でも剥離はみられなかっ
た。
【００６９】実施例６では、比抵抗が４．０μΩ・ｃｍ
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．３
１Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．０７Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合でも剥離はみられなかっ
た。
であった。また、密着強度はガラス基板の場合で５．３
１Ｎ、シリコンウェハーの場合で３．０７Ｎである。テ
ープ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合で剥離は見ら
れず、シリコンウェハーの場合でも剥離はみられなかっ
た。
【００７０】［比較例］図１に示す表においては、上記
各基本実施例との比較のために、比較例１〜比較例９を
記載している。
各基本実施例との比較のために、比較例１〜比較例９を
記載している。
【００７１】比較例１は、Ｃｕそのものである。この比
較例１は、比抵抗が４．０μΩ・ｃｍであった。また、
密着強度はガラス基板の場合もシリコンウェハーの場合
も０．１Ｎ以下であった。さらに、テープ剥離試験の結
果では、１００片中１００片すべて剥離してしまった。
較例１は、比抵抗が４．０μΩ・ｃｍであった。また、
密着強度はガラス基板の場合もシリコンウェハーの場合
も０．１Ｎ以下であった。さらに、テープ剥離試験の結
果では、１００片中１００片すべて剥離してしまった。
【００７２】比較例２は、ＣｕにＺｒを３．０ｗｔ％添
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例２では、比抵抗が１０．１μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．６５
Ｎ、シリコンウェハーの場合で１．６４Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１２片が剥離
し、シリコンウェハーの場合は４０片が剥離してしまっ
た。
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例２では、比抵抗が１０．１μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．６５
Ｎ、シリコンウェハーの場合で１．６４Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１２片が剥離
し、シリコンウェハーの場合は４０片が剥離してしまっ
た。
【００７３】比較例３は、ＣｕにＮｉを１．９ｗｔ％添
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例３では、比抵抗が８．９μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．２４
Ｎ、シリコンウェハーの場合で１．４１Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合は３０片が剥離し
てしまった。
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例３では、比抵抗が８．９μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．２４
Ｎ、シリコンウェハーの場合で１．４１Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合は３０片が剥離し
てしまった。
【００７４】比較例４は、ＣｕにＡｌを５．４ｗｔ％添
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例４では、比抵抗が１１．１μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．１３
Ｎ、シリコンウェハーの場合で１．７１Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合は５０片が剥離し
てしまった。
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例４では、比抵抗が１１．１μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．１３
Ｎ、シリコンウェハーの場合で１．７１Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合は５０片が剥離し
てしまった。
【００７５】比較例５は、ＣｕにＩｎを６．５ｗｔ％添
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例５では、比抵抗が９．０μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．７３
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．８２Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は２０片剥離
し、シリコンウェハーの場合は３０片が剥離してしまっ
た。
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例５では、比抵抗が９．０μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．７３
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．８２Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は２０片剥離
し、シリコンウェハーの場合は３０片が剥離してしまっ
た。
【００７６】比較例６は、ＣｕにＢｉを２．８ｗｔ％添
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例６では、比抵抗が１０．２μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．６２
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．９４Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例６では、比抵抗が１０．２μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．６２
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．９４Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
【００７７】比較例７は、ＣｕにＳｎを１．７ｗｔ％添
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例７では、比抵抗が４６．６μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．５３
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．６４Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例７では、比抵抗が４６．６μΩ・ｃｍで
あった。また、密着強度はガラス基板の場合で０．５３
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．６４Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
【００７８】比較例８は、ＣｕにＴｉを１．２ｗｔ％添
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例８では、比抵抗が４．５μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．４７
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．７８Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
加したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例
である。比較例８では、比抵抗が４．５μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．４７
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．７８Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
【００７９】比較例９は、ＣｕにＷを１．６ｗｔ％添加
したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例で
ある。比較例９では、比抵抗が２１．５μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．４７
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．７８Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
したターゲットを用いて薄膜を作成した場合の比較例で
ある。比較例９では、比抵抗が２１．５μΩ・ｃｍであ
った。また、密着強度はガラス基板の場合で０．４７
Ｎ、シリコンウェハーの場合で０．７８Ｎである。テー
プ剥離試験の結果は、ガラス基板の場合は１００片すべ
てが剥離し、シリコンウェハーの場合も１００片すべて
が剥離してしまった。
【００８０】［応用実施例］
［応用実施例１］ 透過型ＴＦＴ−ＬＣＤに、本発明の
Ｃｕ合金の一例を配線として利用した参考例を説明す
る。透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの基本的な構造に関しては図
２〜図４で既に説明しているが、実際の製造に当たって
は、図２〜図４には現れていないが、種々の保護膜・層
が適宜成膜されている。
Ｃｕ合金の一例を配線として利用した参考例を説明す
る。透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの基本的な構造に関しては図
２〜図４で既に説明しているが、実際の製造に当たって
は、図２〜図４には現れていないが、種々の保護膜・層
が適宜成膜されている。
【００８１】まず、透光性のガラス基板１８ｂに、Ａｕ
を２．３ｗｔ％、Ｃｏを２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金
（抵抗率：３．９μΩ・ｃｍ）を高周波スパッタリング
法により、膜厚１５００オングストロームに堆積する。
これを過硫酸アンモニウム系水溶液ををエッチング液と
して用いたホトエッチング法により所望の形状のゲート
電極３４及びゲート電極配線とする。
を２．３ｗｔ％、Ｃｏを２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金
（抵抗率：３．９μΩ・ｃｍ）を高周波スパッタリング
法により、膜厚１５００オングストロームに堆積する。
これを過硫酸アンモニウム系水溶液ををエッチング液と
して用いたホトエッチング法により所望の形状のゲート
電極３４及びゲート電極配線とする。
【００８２】次にグロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）膜となるゲート絶縁膜を膜厚３０００
オングストローム堆積する。続いて、α−Ｓｉ：Ｈ
（ｉ）膜３８を膜厚３５００オングストローム堆積す
る。この時、放電ガスとして、ＳｉＮｘ膜３５はＳｉＨ
４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用い、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
３８は、ＳｉＨ４−Ｎ２系の混合ガスをそれぞれ用い
る。このＳｉＮｘ膜３５は、ＣＦ４ガスを用いたドライ
エッチングにより所望のチャンネル保護層を形成する。
コン（ＳｉＮｘ）膜となるゲート絶縁膜を膜厚３０００
オングストローム堆積する。続いて、α−Ｓｉ：Ｈ
（ｉ）膜３８を膜厚３５００オングストローム堆積す
る。この時、放電ガスとして、ＳｉＮｘ膜３５はＳｉＨ
４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用い、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
３８は、ＳｉＨ４−Ｎ２系の混合ガスをそれぞれ用い
る。このＳｉＮｘ膜３５は、ＣＦ４ガスを用いたドライ
エッチングにより所望のチャンネル保護層を形成する。
【００８３】続いてα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜をＳｉＨ４−
Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて膜厚３０００オング
ストローム堆積する。次にこの上に、Ａｕを１．２ｗｔ
％、Ｃｏを４．２ｗｔ％含有するＣｕ合金層膜を膜厚
０．３μｍ（抵抗率：４．０μΩ・ｃｍ）をスパッタリ
ング法により室温で堆積する。
Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて膜厚３０００オング
ストローム堆積する。次にこの上に、Ａｕを１．２ｗｔ
％、Ｃｏを４．２ｗｔ％含有するＣｕ合金層膜を膜厚
０．３μｍ（抵抗率：４．０μΩ・ｃｍ）をスパッタリ
ング法により室温で堆積する。
【００８４】この層を塩酸、ペルオキソ硫酸水素カリウ
ム、フッ酸系水溶液系エッチング液を用いて、ホトエッ
チング法で所望のソース電極３２及びドレイン電極３６
のパターンとする。さらにα−Ｓｉ：Ｈ膜をＣＦ４ガス
を用いたドライエッチング及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ
２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウエットエッチングを併用
することにより、所望のパターンのα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）
膜３８のパターン、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜のパターンと
する。この上に、グロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）膜となる絶縁膜を膜厚３０００オング
ストローム堆積する。この時、放電ガスとして、ＳｉＮ
ｘ膜はＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用いる。さら
に、ＣＦ４ガスを用いたドライエッチング法を用いたホ
トエッチング法により、ゲート電極３４取出し口と、ソ
ース電極３２取出し口と、ドレイン電極３６と透明電極
２０ｂの電気的接続点として所望のスルーホール４０ｂ
と、を形成する。その後、Ｃｕ合金電極表面にアルゴン
プラズマを作用させ、表面を洗浄化する。
ム、フッ酸系水溶液系エッチング液を用いて、ホトエッ
チング法で所望のソース電極３２及びドレイン電極３６
のパターンとする。さらにα−Ｓｉ：Ｈ膜をＣＦ４ガス
を用いたドライエッチング及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ
２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウエットエッチングを併用
することにより、所望のパターンのα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）
膜３８のパターン、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜のパターンと
する。この上に、グロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）膜となる絶縁膜を膜厚３０００オング
ストローム堆積する。この時、放電ガスとして、ＳｉＮ
ｘ膜はＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用いる。さら
に、ＣＦ４ガスを用いたドライエッチング法を用いたホ
トエッチング法により、ゲート電極３４取出し口と、ソ
ース電極３２取出し口と、ドレイン電極３６と透明電極
２０ｂの電気的接続点として所望のスルーホール４０ｂ
と、を形成する。その後、Ｃｕ合金電極表面にアルゴン
プラズマを作用させ、表面を洗浄化する。
【００８５】そして、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成
分とする非晶質透明導電膜をスパッタリング法で堆積す
る。この際用いられるターゲットは、ＩｎとＺｎの原子
比[Ｉｎ／（Ｉｎ+Ｚｎ）]が０．８３に調整されている
Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ焼結体である。この焼結体をプレー
ナマグネトロン型スパッタ装置のカソードに設置してタ
ーゲットとして用いる。放電ガスは純アルゴン又は１Ｖ
ｏｌ％程度の微量の酸素ガスを混入させたアルゴンガス
を用いる方法で透明電極２０ｂ膜を膜厚１２００オング
ストロームで堆積した。このＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯ膜はＸ
線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質であっ
た。
分とする非晶質透明導電膜をスパッタリング法で堆積す
る。この際用いられるターゲットは、ＩｎとＺｎの原子
比[Ｉｎ／（Ｉｎ+Ｚｎ）]が０．８３に調整されている
Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ焼結体である。この焼結体をプレー
ナマグネトロン型スパッタ装置のカソードに設置してタ
ーゲットとして用いる。放電ガスは純アルゴン又は１Ｖ
ｏｌ％程度の微量の酸素ガスを混入させたアルゴンガス
を用いる方法で透明電極２０ｂ膜を膜厚１２００オング
ストロームで堆積した。このＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯ膜はＸ
線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質であっ
た。
【００８６】この透明電極２０ｂ膜を蓚酸３．４ｗｔ％
の水溶液でホトエッチング法により所望の画素電極、及
び取出し電極をパターンニングした。遮光膜パターンを
形成して、α−ＳｉＴＦＴ基板１４が完成する。このＴ
ＦＴ基板１４を用いてＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプ
レイを製造した。その後、ビデオ信号を入力し、良好な
表示性能を示すことを確認できた。
の水溶液でホトエッチング法により所望の画素電極、及
び取出し電極をパターンニングした。遮光膜パターンを
形成して、α−ＳｉＴＦＴ基板１４が完成する。このＴ
ＦＴ基板１４を用いてＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプ
レイを製造した。その後、ビデオ信号を入力し、良好な
表示性能を示すことを確認できた。
【００８７】［応用実施例２］ 反射型ＴＦＴ−ＬＣＤ
に、本発明のＣｕ合金の一例を配線として利用した実施
例を説明する。反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの基本的な構造に
関しては透過型ＴＦＴ−ＬＣＤのＴＦＴ基板１４側の透
明電極２０ｂが光を反射する反射電極になった点が原理
的に異なる点である。実際の製造に当たっては、図２〜
図４には現れていない種々の保護膜・層が適宜成膜さ
れ、また、電極以外にも透過型ＴＦＴ−ＬＣＤと異なる
点が多々あることはよく知られている。
に、本発明のＣｕ合金の一例を配線として利用した実施
例を説明する。反射型ＴＦＴ−ＬＣＤの基本的な構造に
関しては透過型ＴＦＴ−ＬＣＤのＴＦＴ基板１４側の透
明電極２０ｂが光を反射する反射電極になった点が原理
的に異なる点である。実際の製造に当たっては、図２〜
図４には現れていない種々の保護膜・層が適宜成膜さ
れ、また、電極以外にも透過型ＴＦＴ−ＬＣＤと異なる
点が多々あることはよく知られている。
【００８８】まず、透光性のガラス基板１８ｂに、Ａｕ
を２．３ｗｔ％、Ｃｏを２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金
を高周波スパッタリング法により膜厚１５００オングス
トローム（抵抗率：３．９μΩ・ｃｍ）に堆積する。こ
れを過硫酸アンモニウム系水溶液をエッチング液として
用いたホトエッチング法により所望の形状のゲート電極
３４及びゲート電極配線とする。
を２．３ｗｔ％、Ｃｏを２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金
を高周波スパッタリング法により膜厚１５００オングス
トローム（抵抗率：３．９μΩ・ｃｍ）に堆積する。こ
れを過硫酸アンモニウム系水溶液をエッチング液として
用いたホトエッチング法により所望の形状のゲート電極
３４及びゲート電極配線とする。
【００８９】次にグロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）膜となるゲート絶縁膜を膜厚３０００
オングストローム堆積する。続いて、α−Ｓｉ：Ｈ
（ｉ）膜３８を膜厚３５００オングストローム堆積す
る。この時、放電ガスとして、ＳｉＮｘ膜３５はＳｉＨ
４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用い、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
３８は、ＳｉＨ４−Ｎ２系の混合ガスをそれぞれ用い
る。このＳｉＮｘ膜３５は、ＣＦ４ガスを用いたドライ
エッチングにより所望のチャンネル保護層を形成する。
コン（ＳｉＮｘ）膜となるゲート絶縁膜を膜厚３０００
オングストローム堆積する。続いて、α−Ｓｉ：Ｈ
（ｉ）膜３８を膜厚３５００オングストローム堆積す
る。この時、放電ガスとして、ＳｉＮｘ膜３５はＳｉＨ
４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用い、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
３８は、ＳｉＨ４−Ｎ２系の混合ガスをそれぞれ用い
る。このＳｉＮｘ膜３５は、ＣＦ４ガスを用いたドライ
エッチングにより所望のチャンネル保護層を形成する。
【００９０】続いてα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜をＳｉＨ４−
Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて膜厚３０００オング
ストローム堆積する。次にこの上に、Ａｕを１．２ｗｔ
％、Ｃｏを４．２ｗｔ％含有するＣｕ合金層膜を膜厚
０．３μｍ（抵抗率：４．０μΩ・ｃｍ）をスパッタリ
ング法により室温で堆積する。
Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて膜厚３０００オング
ストローム堆積する。次にこの上に、Ａｕを１．２ｗｔ
％、Ｃｏを４．２ｗｔ％含有するＣｕ合金層膜を膜厚
０．３μｍ（抵抗率：４．０μΩ・ｃｍ）をスパッタリ
ング法により室温で堆積する。
【００９１】この層を塩酸、ペルオキソ硫酸水素カリウ
ム、フッ酸系水溶液系エッチング液を用いて、ホトエッ
チング法で所望のソース電極３２及びドレイン電極３６
のパターンとする。さらにα−Ｓｉ：Ｈ膜をＣＦ４ガス
を用いたドライエッチング及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ
２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウエットエッチングを併用
することにより、所望のパターンのα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）
膜３８のパターン、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜のパターンと
する。この上に、グロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）膜となる絶縁膜を膜厚３０００オング
ストローム堆積する。この時、放電ガスとして、ＳｉＮ
ｘ膜はＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用いる。さら
に、ＣＦ４ガスを利用するドライエッチング法を用いた
ホトエッチング法により、ゲート電極３４取出し口と、
ソース電極３２取出し口と、ドレイン電極３６と透明電
極２０ｂの電気的接続点として所望のスルーホール４０
ｂと、を形成する。その後、Ｃｕ合金電極表面にアルゴ
ンプラズマを作用させ、表面を洗浄化する。
ム、フッ酸系水溶液系エッチング液を用いて、ホトエッ
チング法で所望のソース電極３２及びドレイン電極３６
のパターンとする。さらにα−Ｓｉ：Ｈ膜をＣＦ４ガス
を用いたドライエッチング及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ
２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウエットエッチングを併用
することにより、所望のパターンのα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）
膜３８のパターン、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜のパターンと
する。この上に、グロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリ
コン（ＳｉＮｘ）膜となる絶縁膜を膜厚３０００オング
ストローム堆積する。この時、放電ガスとして、ＳｉＮ
ｘ膜はＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系ガスを用いる。さら
に、ＣＦ４ガスを利用するドライエッチング法を用いた
ホトエッチング法により、ゲート電極３４取出し口と、
ソース電極３２取出し口と、ドレイン電極３６と透明電
極２０ｂの電気的接続点として所望のスルーホール４０
ｂと、を形成する。その後、Ｃｕ合金電極表面にアルゴ
ンプラズマを作用させ、表面を洗浄化する。
【００９２】次にこの上にＡｕを２．３ｗｔ％、Ｃｏを
２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金層膜を膜厚０．２μｍ
（抵抗率：３．９μΩ・ｃｍ）をスパッタリング法によ
り室温で堆積する。
２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金層膜を膜厚０．２μｍ
（抵抗率：３．９μΩ・ｃｍ）をスパッタリング法によ
り室温で堆積する。
【００９３】そして、酸化インジウムと酸化亜鉛の主成
分とする非晶質透明導電膜をスパッタリング法で堆積す
る。この際用いられるターゲットは、ＩｎとＺｎの原子
比[Ｉｎ／（Ｉｎ+Ｚｎ）]が０．８３に調整されている
Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ焼結体である。この焼結体をプレー
ナマグネトロン型スパッタ装置のカソードに設置してタ
ーゲットとして用いる。放電ガスは純アルゴン又は１Ｖ
ｏｌ％程度の微量の酸素ガスを混入させたアルゴンガス
を用いる方法で透明電極２０ｂ膜を膜厚３００オングス
トロームで堆積した。このＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯ膜はＸ線
回折法で分析するとピークは観察されず非晶質であっ
た。
分とする非晶質透明導電膜をスパッタリング法で堆積す
る。この際用いられるターゲットは、ＩｎとＺｎの原子
比[Ｉｎ／（Ｉｎ+Ｚｎ）]が０．８３に調整されている
Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ焼結体である。この焼結体をプレー
ナマグネトロン型スパッタ装置のカソードに設置してタ
ーゲットとして用いる。放電ガスは純アルゴン又は１Ｖ
ｏｌ％程度の微量の酸素ガスを混入させたアルゴンガス
を用いる方法で透明電極２０ｂ膜を膜厚３００オングス
トロームで堆積した。このＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯ膜はＸ線
回折法で分析するとピークは観察されず非晶質であっ
た。
【００９４】この透明電極２０ｂ膜をＣｕ合金層及び酸
化インジウム−酸化亜鉛層を同時にエッチングできるよ
う濃度を調節した過硫酸アンモニウム系水溶液系エッチ
ング液でホトエッチング法により所望の反射型画素電
極、及び取出し電極をパターンニングした。
化インジウム−酸化亜鉛層を同時にエッチングできるよ
う濃度を調節した過硫酸アンモニウム系水溶液系エッチ
ング液でホトエッチング法により所望の反射型画素電
極、及び取出し電極をパターンニングした。
【００９５】遮光膜パターンを形成して、α−ＳｉＴＦ
Ｔ基板１４が完成する。このＴＦＴ基板１４を用いてＴ
ＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。その
後、ビデオ信号を入力し、良好な表示性能を示すことを
確認できた。
Ｔ基板１４が完成する。このＴＦＴ基板１４を用いてＴ
ＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。その
後、ビデオ信号を入力し、良好な表示性能を示すことを
確認できた。
【００９６】［応用実施例３］ 有機ＥＬ用基板に発明
のＣｕ合金の一例を配線として利用した参考例を説明す
る。
のＣｕ合金の一例を配線として利用した参考例を説明す
る。
【００９７】まず、ガラス基板上に、Ａｕを２．３ｗｔ
％、Ｃｏを２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金（抵抗率：
３．９μΩ・ｃｍ）を１５００オングストローム成膜し
た。
％、Ｃｏを２．７ｗｔ％含有するＣｕ合金（抵抗率：
３．９μΩ・ｃｍ）を１５００オングストローム成膜し
た。
【００９８】次に、このＣｕ合金の膜上に、金属酸化物
導電膜を成膜する。この成膜ＩｎとＺｎの原子比［Ｉｎ
／（Ｉｎ+Ｚｎ）］が０．８３に調整されたＩｎ２Ｏ３
−ＺｎＯをターゲットとして利用したスパッタリング法
で行い、３００オングストロームの厚さで成膜した。す
なわち、この金属酸化物導電膜は、実施例１や２で言及
した透明電極である。
導電膜を成膜する。この成膜ＩｎとＺｎの原子比［Ｉｎ
／（Ｉｎ+Ｚｎ）］が０．８３に調整されたＩｎ２Ｏ３
−ＺｎＯをターゲットとして利用したスパッタリング法
で行い、３００オングストロームの厚さで成膜した。す
なわち、この金属酸化物導電膜は、実施例１や２で言及
した透明電極である。
【００９９】本実施例３において特徴的なことは、この
金属酸化物導電膜の組成成分としてＰｄを全金属量に対
し３原子％含むことである。
金属酸化物導電膜の組成成分としてＰｄを全金属量に対
し３原子％含むことである。
【０１００】この導電膜の仕事関数を大気中紫外線電子
分析装置（理研計器（株）製：ＡＣ−１）にて測定した
値は５．６５ｅＶであり、有機ＥＬ用陽極として好まし
い性質を有していることが判明した。
分析装置（理研計器（株）製：ＡＣ−１）にて測定した
値は５．６５ｅＶであり、有機ＥＬ用陽極として好まし
い性質を有していることが判明した。
【０１０１】なお、この例では、Ｐｄを用いる例を説明
したが、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒを用いることも好ましい。そ
れぞれの物質を添加した場合、仕事関数は、それぞれ
５．５１ｅＶ、５．６３ｅＶ、５．６１ｅＶであった。
その結果、いずれも有機ＥＬ用陽極として好ましい性質
を有している。
したが、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒを用いることも好ましい。そ
れぞれの物質を添加した場合、仕事関数は、それぞれ
５．５１ｅＶ、５．６３ｅＶ、５．６１ｅＶであった。
その結果、いずれも有機ＥＬ用陽極として好ましい性質
を有している。
【０１０２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、抵
抗値を低く抑えたまま、ガラス基板やシリコンウェハー
との密着強度が向上した配線材料が得られる。その結
果、ＴＦＴ−ＬＣＤや有機ＥＬ装置その他の電子装置に
応用した場合にも、剥離が生じることがなく、かつ、低
抵抗であるため、素子の特性を向上させることが可能で
ある。
抗値を低く抑えたまま、ガラス基板やシリコンウェハー
との密着強度が向上した配線材料が得られる。その結
果、ＴＦＴ−ＬＣＤや有機ＥＬ装置その他の電子装置に
応用した場合にも、剥離が生じることがなく、かつ、低
抵抗であるため、素子の特性を向上させることが可能で
ある。
【０１０３】また、本発明によれば、上記のようなＣｕ
合金をスパッタリングにより成膜し、金属電極を構成す
る工程を採用することにより、製造工程を簡略化でき、
ＴＦＴアレイを効率よく生産可能である。その結果、Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤやＴＦＴ駆動有機ＥＬを低コストで供給可
能である。特に、本発明のような組成を採用することに
より、スパッタリング工程における異常放電の可能性を
小さく抑えることができ、効率のよい生産を実行するこ
とができる。
合金をスパッタリングにより成膜し、金属電極を構成す
る工程を採用することにより、製造工程を簡略化でき、
ＴＦＴアレイを効率よく生産可能である。その結果、Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤやＴＦＴ駆動有機ＥＬを低コストで供給可
能である。特に、本発明のような組成を採用することに
より、スパッタリング工程における異常放電の可能性を
小さく抑えることができ、効率のよい生産を実行するこ
とができる。
【図１】本実施の形態の配線材料の特性を表す表を示し
た図である。
た図である。
【図２】透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの断面模式図である。
【図３】透過型ＴＦＴ−ＬＣＤの１個の画素の基本的な
構造を示す平面模式図である。
構造を示す平面模式図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ´線における断面模式図であ
る。
る。
１０ 液晶
１２ カラーフィルター基板
１４ ＴＦＴ基板
１６ バックライト
１８ａ、１８ｂ ガラス基板
２０ａ、２０ｂ 透明電極
２２ カラーフィルター
２４ ＴＦＴ
３０ 信号ライン
３２ ソース電極
３４ ゲート電極
３５ ＳｉＮｘ
３６ ドレイン電極
３８ アモルファスシリコン
４０ 絶縁膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｓ
21/3205 29/50 Ｍ
29/417 29/78 ６１２Ｃ
29/786 21/88 Ｍ
29/78 ６１７Ｍ
６１６Ｖ
Ｆターム(参考） 2H092 GA11 GA31 HA03 HA06 JA24
JA37 JA41 JA47 JB22 JB31
KA18 KB04 KB13 MA05 MA13
MA18 NA27 NA28 NA29 PA01
4M104 AA01 BB04 BB36 CC01 CC05
DD08 DD17 DD22 DD37 DD64
GG04 GG09 GG10 GG14 GG20
HH08 HH16
5F033 HH12 HH38 JJ01 JJ12 JJ38
KK05 KK12 LL02 MM05 NN06
PP15 QQ08 QQ09 QQ10 QQ11
QQ19 QQ37 QQ92 RR06 SS11
VV00 VV15 WW00 WW04 XX10
XX13 XX14 XX34
5F110 AA03 AA16 AA26 BB01 CC07
DD02 EE06 EE44 FF03 FF30
GG02 GG15 GG24 GG35 GG45
HK06 HK09 HK16 HK21 HK25
HK33 HK35 HL07 HL23 NN03
NN04 NN12 NN24 NN35 QQ03
QQ09
Claims (10)
- 【請求項１】 Ａｕおよび／またはＣｏと、Ｃｕとから
なるＣｕ合金であって、 Ｃｕの組成比率が８０〜９９．５ｗｔ％であり、 Ａｕの組成比率とＣｏの組成比率の和が０．５〜２０ｗ
ｔ％であることを特徴とするＣｕ合金からなる配線材
料。 - 【請求項２】 Ａｕの組成比率が０〜１０ｗｔ％である
ことを特徴とする請求項１記載の配線材料。 - 【請求項３】 Ｃｏの組成比率が０〜１０ｗｔ％である
ことを特徴とする請求項１記載の配線材料。 - 【請求項４】 比抵抗が４μΩ・ｃｍ以下であることを
特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＣｕ
合金からなる配線材料。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれか１項に記載の
配線材料からなる配線、金属酸化物導電膜、及び、基板
からなる配線基板。 - 【請求項６】 前記配線と前記金属酸化物導電層膜と
が、２層構造の積層配線を構成していることを特徴とす
る請求項５記載の配線基板。 - 【請求項７】 前記金属酸化物導電膜が、Ｒｕ、Ｐｄ、
Ｒｅ、Ｉｒからなる群より選ばれた１種又は２種以上の
金属を０．０５原子％〜５原子％含むことを特徴とする
請求項５又は請求項６に記載の配線基板。 - 【請求項８】 前記金属酸化物導電膜が 酸化インジウ
ムと酸化亜鉛からなる非晶質透明導電膜であり、この非
晶質透明導電膜の原子構成がＩｎ／（Ｉｎ+Ｚｎ）＝
０．８０〜０．９５であることを特徴とする請求項５か
ら７のいずれか１項に記載の配線基板。 - 【請求項９】 表面が絶縁性である基板からなることを
特徴とする請求項５から８のいずれか１項に記載の配線
基板。 - 【請求項１０】 基板と、 前記基板上に設けられた配線であって、請求項１〜４の
いずれかに記載の配線材料からなる配線と、 薄膜トランジスタと、 を具備してなる配線基板。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143318A JP2003342653A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 配線材料及びそれを用いた配線基板 |
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| EP08163123A EP2161726A1 (en) | 2002-05-17 | 2003-04-14 | Wiring material and wiring board using the same |
| CNB038110857A CN100365737C (zh) | 2002-05-17 | 2003-04-14 | 布线材料和使用该材料的布线板 |
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| DE60324553T DE60324553D1 (ja) | 2002-05-17 | 2003-04-14 | |
| KR10-2004-7018512A KR20050014822A (ko) | 2002-05-17 | 2003-04-14 | 배선 재료 및 이를 이용한 배선 기판 |
| EP03752892A EP1507267B1 (en) | 2002-05-17 | 2003-04-14 | Wiring material and wiring board using the same |
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| TW098134369A TW201009849A (en) | 2002-05-17 | 2003-05-06 | Wiring material and wiring board using the same |
| TW092112341A TW200406789A (en) | 2002-05-17 | 2003-05-06 | Wiring material and wiring board using the same |
| US11/758,279 US20070228575A1 (en) | 2002-05-17 | 2007-06-05 | Wiring material and wiring board using the same |
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|---|---|
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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