JP2010251731A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 絶縁表面上にゲート電極と、
   絶縁層を介して前記ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、
   ソース領域を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層と、
   ドレイン領域を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は酸化シリコンを含み、
   前記ソース領域は、縮退した酸化物半導体材料又は酸窒化物材料を含み、
   前記ドレイン領域は、縮退した酸化物半導体材料又は酸窒化物材料を含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記縮退した酸化物半導体材料は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記酸化物半導体層は、亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体層は、酸化シリコンを２．５重量％以上２０重量％以下含む酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で形成されることを特徴とする半導体装置。
5. 絶縁表面上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に、第１の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸化シリコンを含む酸化物半導体層を成膜し、
   前記酸化シリコンを含む酸化物半導体層上に、窒素を含む雰囲気下で第２の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸窒化物層を形成し、
   前記酸窒化物層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記第１の酸化物半導体ターゲットは、酸化シリコンを２．５重量％以上２０重量％以下含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 絶縁表面上に、第１の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸化物半導体層を成膜し、
   前記酸化シリコンを含む酸化物半導体層上に、窒素を含む雰囲気下で第２の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸窒化物層を形成し、
   前記酸窒化物層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記酸窒化物層、前記ソース電極層、及びドレイン電極層上に、絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上にゲート電極を形成し、
   前記第１の酸化物半導体ターゲットは、酸化シリコンを２．５重量％以上２０重量％以下含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。