JP2011035387A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上方に第１の電極層を形成する工程と、
   前記第１の電極層上方に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上方に、第２の電極層及び第３の電極層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上方に酸化物絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層を脱水化又は脱水素化するための処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上方に第１の電極層を形成する工程と、
   前記第１の電極層上方に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上の第２の電極層及び第３の電極層と、第４の電極層と、を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上方に酸化物絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層を脱水化又は脱水素化するための処理を行う工程と、
   前記酸化物絶縁層上方に、第１の配線、第２の配線、及び第３の配線を形成する工程と、を有し、
   前記第１の配線は、前記第１の電極層と電気的に接続され、
   前記第１の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続され、
   前記第２の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続され、
   前記第３の配線は、前記第２の電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上方に第１の電極層を形成する工程と、
   前記第１の電極層上方に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上の第２の電極層及び第３の電極層と、第４の電極層と、を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層上方に酸化物絶縁層を形成する工程と、
   前記酸化物半導体層を脱水化又は脱水素化するための処理を行う工程と、
   前記酸化物絶縁層上方に、第１の配線、第２の配線、及び第３の配線を形成する工程と、を有し、
   前記第１の配線は、前記第１の電極層と電気的に接続され、
   前記第２の配線は、前記第２の電極層と電気的に接続され、
   前記第２の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続され、
   前記第３の配線は、前記第４の電極層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記処理は、酸素若しくは不活性ガスを含む雰囲気下、又は減圧下での加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記処理の後、酸素を含む雰囲気下で冷却を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。