JP2012049516A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、を有し、
   前記基板及び前記絶縁層の界面における水素濃度が１．１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記絶縁層は、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素原子に換算しての酸素の放出量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記絶縁層は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含む酸化シリコンであることを特徴とする半導体装置。
4. 基板に第１の熱処理を行い、
   前記基板上に絶縁層を成膜し、
   前記絶縁層上に酸化物半導体層を成膜し、
   前記第１の熱処理から前記酸化物半導体層の成膜まで大気に暴露せずに行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記第１の熱処理の温度は、１００℃以上６００℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記第１の熱処理から前記酸化物半導体層の成膜まで真空にて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項４乃至６のいずれか一において
   前記絶縁層は、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素原子に換算しての酸素の放出量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項４乃至７のいずれか一において、
   前記絶縁層は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含む酸化シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。