JP2012004549A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層上に接して、前記酸化物半導体層と同形状の絶縁膜を有し、
   前記絶縁膜は、プラズマ化学気相成長法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
   前記酸化物半導体層上に接して、前記酸化物半導体層と同形状の第１の絶縁膜を有し、
   前記酸化物半導体層及び前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を有し、
   前記第１の絶縁膜は、プラズマ化学気相成長法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第２の絶縁膜は、プラズマ化学気相成長法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２又は請求項３において、
   前記第１の絶縁膜の膜厚は、前記第２の絶縁膜の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。