JP2013021310A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に結晶を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に対して酸素雰囲気でプラズマ処理を行い、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に結晶を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に対して酸素雰囲気でプラズマ処理を行い、
   前記プラズマ処理後、前記酸化物半導体膜に加熱処理を行い、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板を加熱しながら、前記基板上に結晶を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に対して酸素雰囲気でプラズマ処理を行い、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 基板上に結晶を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に対して酸素雰囲気でプラズマ処理を行い、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に概略垂直なｃ軸を有し、
   前記酸化物半導体膜の表面の平均面粗さは、０．６ｎｍ以下０．１ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 基板上に結晶を含む酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜に対して酸素雰囲気でプラズマ処理を行い、
   前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に概略垂直なｃ軸を有し、
   前記酸化物半導体膜の表面の平均面粗さは、０．６ｎｍ以下０．１ｎｍ以上であり、
   前記ゲート絶縁膜の膜厚は、５ｎｍ以上ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 基板上に結晶を含む酸化物半導体膜を形成し、
   イオン注入法、イオンドーピング法、又はプラズマ侵入イオン注入法を用いて、前記酸化物半導体膜に酸素イオンを添加し、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。