JP5397795B1 - 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5397795B1 JP5397795B1 JP2013131172A JP2013131172A JP5397795B1 JP 5397795 B1 JP5397795 B1 JP 5397795B1 JP 2013131172 A JP2013131172 A JP 2013131172A JP 2013131172 A JP2013131172 A JP 2013131172A JP 5397795 B1 JP5397795 B1 JP 5397795B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- semiconductor layer
- crystal
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 17
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 170
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K (z)-4-bis[[(z)-4-oxopent-2-en-2-yl]oxy]gallanyloxypent-3-en-2-one Chemical compound [Ga+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N cobalt(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Co+3].[Co+3] KAGOZRSGIYZEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KFAFTZQGYMGWLU-UHFFFAOYSA-N oxo(oxovanadiooxy)vanadium Chemical compound O=[V]O[V]=O KFAFTZQGYMGWLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明によれば、コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置が提供される。コランダム型の結晶構造を持つ材料のなかには酸化膜が多く含まれ、絶縁膜としての機能を果たすことができることのみならず、下地基板、半導体層および絶縁膜がすべてコランダム型の結晶構造を有していることにより下地基板上に良質な半導体層、絶縁膜を実現することができる。
【選択図】図2
Description
特にSiCを材料とする高耐圧半導体デバイスにおいては、シリコンと同様、基板表面にMOS構造を形成するSiCMOSFETの開発が進められてきた。
しかし、SiC半導体装置やGaN半導体装置では、多くの解決すべき課題が残されている。なかでも重大な課題は、ノーマリーオフ型の素子構造が困難である問題である。
特にSiCMOSFETのMOS構造においては、良質な絶縁膜の形成が困難であることに起因することが明らかになってきた。これは、結晶性の良い半導体層を形成することに注視するあまり、結晶性が良く良好なデバイス特性が期待されるSiC等の半導体が選択され、そのうえで、熱酸化等の手法による実現可能な絶縁膜の選択、成膜プロセスの検討が行われてきてきたことに因る。
たとえば、図2に示すように、下地基板6にα型サファイアAl2O3、半導体層5に不純物ドープされたα型InX1AlY1GaZ1O3(0≦X1≦2、0≦Y1≦2、0≦Z1≦2、X1+Y1+Z1=1.5〜2.5)、絶縁膜4にα型AlX2GaY2O3(0≦X2≦2、0≦Y2≦2、X2+Y2=1.5〜2.5)を形成することができる。X1、Y1、Z1、X2、Y2は、それぞれ、具体的には例えば、0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2であり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。X1+Y1+Z1、X2+Y2は、それぞれ、具体的には例えば、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5であり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよいし、下地基板と半導体層、絶縁膜の3層のうち、1層のみ異なる材料、異なる組成で形成してもよい。
ここで結晶性応力緩和層の異種材料総数は1以上であれば良い。X1、Y1、X2、Y2、Z2、X3、Y3は、それぞれ、具体的には例えば、0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2であり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。X1+Y1、X2+Y2+Z2、X3+Y3は、それぞれ、具体的には例えば、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5であり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。
半導体装置の製造方法およびコランダム型結晶を成膜する際に使用する成膜装置10Aについて説明する。
[コランダム型結晶材料および組成]
[取り出し]
[膜構造]
2 半導体層
3 下地基板
4 絶縁膜
5 半導体層
6 下地基板
7 絶縁膜
8 半導体層
9 結晶性応力緩和層
10 下地基板
11 絶縁膜
12 キャップ層
13 半導体層
14 結晶性応力緩和層
15 下地基板
16 絶縁膜
17 構造相転移防止層
18 半導体層
19 成膜装置
20 被成膜試料
21 試料台
22 窒素源
23 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 溶液
25 ミスト発生源
25a 水
26 超音波振動子
27 成膜室
28 ヒータ
Claims (18)
- コランダム型結晶構造を有する下地基板上に、コランダム型結晶構造を有する半導体層と、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とをこの順序で又はこの逆の順序で備え、前記下地基板がα型サファイア、前記半導体層がα型In X1 Al Y1 Ga Z1 O 3 (0≦X1≦2、0≦Y1≦2、0≦Z1≦2、X1+Y1+Z1=1.5〜2.5であり、かつX1≧0.1又はZ1≧0.1)、前記絶縁膜がα型Al Y2 Ga Z2 O 3 (0.1≦Y2≦2、0.1≦Z2≦2、Y2+Z2=1.5〜2.5である。)から形成される、半導体装置、又は結晶。
- Y2>Y1である、請求項1に記載の半導体装置、又は結晶。
- X1≧0.1である、請求項1又は請求項2に記載の半導体装置、又は結晶。
- Y1≧0.1である、請求項1〜請求項3の何れか1つに記載の半導体装置、又は結晶。
- Z1≧0.1である、請求項1〜請求項4の何れか1つに記載の半導体装置、又は結晶。
- コランダム型結晶構造を有する下地基板上に、コランダム型結晶構造を有する半導体層と、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とをこの順序で又はこの逆の順序で備え、
前記下地基板がα型サファイア、前記半導体層がα型In X1 Al Y1 Ga Z1 O 3 (0.1≦X1≦2、0≦Y1≦2、0.1≦Z1≦2、X1+Y1+Z1=1.5〜2.5)、前記絶縁膜がα型Al Y2 Ga Z2 O 3 (0≦Y2≦2、0≦Z2≦2、Y2+Z2=1.5〜2.5)から形成される、半導体装置、又は結晶。 - Y2>Y1である、請求項6に記載の半導体装置、又は結晶。
- Y2≧0.1である、請求項6又は請求項7に記載の半導体装置、又は結晶。
- 請求項1〜請求項8の何れか1つに記載の半導体装置の製造方法、又は結晶の製造方法であって、
前記半導体層及び前記絶縁膜の原料となる溶質が溶媒中に溶解されてなる原料溶液をミスト化して生成される原料ミストを成膜室に供給する工程を備える、半導体装置の製造方法、又は結晶の製造方法。 - 前記原料ミストを前記成膜室中で反応させて前記下地基板上に前記半導体層及び前記絶縁膜を形成する工程を備える、請求項9に記載の方法。
- 前記半導体層と前記絶縁膜の少なくとも一方が混晶膜からなり、
前記混晶膜は、2種類以上の溶質が溶媒中に溶解されてなる原料溶液を用いて形成される、請求項9又は請求項10に記載の方法。 - 前記半導体層と前記絶縁膜の少なくとも一方が混晶膜からなり、
前記混晶膜は、2種類以上の原料溶液を別々にミスト化して生成される原料ミストを同時に成膜室に導入することによって形成される、請求項9又は請求項10に記載の方法。 - コランダム型結晶構造を有する下地基板上に、コランダム型結晶構造を有する半導体層と、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とをこの順序で又はこの逆の順序で形成する結晶形成工程と、
前記下地基板ではない側の面に支持基板を貼り付ける貼り付け工程と、
前記下地基板を剥離する剥離工程を備え、
前記半導体層がα型In X1 Al Y1 Ga Z1 O 3 (0≦X1≦2、0≦Y1≦2、0≦Z1≦2、X1+Y1+Z1=1.5〜2.5であり、かつX1≧0.1又はZ1≧0.1)から形成される、半導体装置の製造方法、又は結晶の製造方法。 - 前記支持基板が、SiC基板、Si基板、金属基板、セラミック基板、ガラス基板のいずれかである請求項13に記載の方法。
- 前記貼り付け工程の前に、前記支持基板上に接合層を形成する工程を備え、
前記支持基板は、前記接合層を介して、前記下地基板でない側の面に貼り付ける、請求項13又は請求項14に記載の方法。 - 前記接合層が、酸化シリコン膜で形成される、請求項15に記載の方法。
- 前記絶縁膜がα型Al Y2 Ga Z2 O 3 (0.1≦Y2≦2、0.1≦Z2≦2、Y2+Z2=1.5〜2.5である。)から形成される、請求項13〜請求項16の何れか1つに記載の方法。
- 前記半導体層において、0.1≦X1であり、且つ0.1≦Z1であり、前記絶縁膜がα型Al Y2 Ga Z2 O 3 (0≦Y2≦2、0≦Z2≦2、Y2+Z2=1.5〜2.5)から形成される、請求項13〜請求項16の何れか1つに記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131172A JP5397795B1 (ja) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131172A JP5397795B1 (ja) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012218891A Division JP5343224B1 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 半導体装置および結晶 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013212623A Division JP6067532B2 (ja) | 2013-10-10 | 2013-10-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5397795B1 true JP5397795B1 (ja) | 2014-01-22 |
JP2014072517A JP2014072517A (ja) | 2014-04-21 |
Family
ID=50112356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013131172A Active JP5397795B1 (ja) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5397795B1 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108231910A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-06-29 | 沈阳工程学院 | 一种柔性基片衬底的异质结构薄膜及其制备方法 |
US10043664B2 (en) | 2014-09-02 | 2018-08-07 | Flosfia Inc. | Multilayer structure, method for manufacturing same, semiconductor device, and crystalline film |
CN108899359A (zh) * | 2014-07-22 | 2018-11-27 | Flosfia 株式会社 | 结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 |
CN110047907A (zh) * | 2014-05-08 | 2019-07-23 | Flosfia株式会社 | 结晶性层叠结构体、半导体装置 |
US10460934B2 (en) | 2017-08-21 | 2019-10-29 | Flosfia Inc. | Crystalline film, semiconductor device including crystalline film, and method for producing crystalline film |
WO2020004250A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物膜 |
EP3674449A1 (en) | 2018-12-26 | 2020-07-01 | Flosfia Inc. | Crystalline oxide film |
EP3674450A1 (en) | 2018-12-26 | 2020-07-01 | Flosfia Inc. | Crystalline oxide semiconductor |
WO2021153609A1 (ja) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN113243043A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-08-10 | 信越化学工业株式会社 | 层叠体、成膜方法及成膜装置 |
KR20220054668A (ko) | 2019-09-03 | 2022-05-03 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 결정막, 결정막을 포함하는 반도체 장치, 및 결정막의 제조 방법 |
KR20220070311A (ko) | 2019-09-30 | 2022-05-30 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 적층 구조체 및 반도체 장치 |
US11488821B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-11-01 | Flosfia Inc. | Film forming method and crystalline multilayer structure |
WO2023047895A1 (ja) | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び結晶性酸化物膜 |
US11694894B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-07-04 | Flosfia Inc. | Crystalline film containing a crystalline metal oxide and method for manufacturing the same under partial pressure |
US11804519B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-10-31 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure, semiconductor device, and method of manufacturing crystalline structure |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6876895B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2021-05-26 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置 |
JP6876893B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2021-05-26 | 株式会社Flosfia | 酸化イットリウム膜の製造方法 |
JP7159449B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-10-24 | 日本碍子株式会社 | 下地基板及びその製造方法 |
CN113614293B (zh) * | 2019-03-28 | 2024-08-02 | 日本碍子株式会社 | 基底基板 |
WO2021064817A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 日本碍子株式会社 | 下地基板及びその製造方法 |
JP7016489B2 (ja) * | 2019-12-16 | 2022-02-07 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物半導体膜、半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3079509B2 (ja) * | 1992-03-11 | 2000-08-21 | 日立建機株式会社 | 薄膜積層結晶体およびその製造方法 |
JP5301418B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2013-09-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
KR101932576B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP5948581B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2016-07-06 | 株式会社Flosfia | Ga2O3系半導体素子 |
JP6142358B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2017-06-07 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系半導体素子 |
-
2013
- 2013-06-21 JP JP2013131172A patent/JP5397795B1/ja active Active
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110047907A (zh) * | 2014-05-08 | 2019-07-23 | Flosfia株式会社 | 结晶性层叠结构体、半导体装置 |
CN110047907B (zh) * | 2014-05-08 | 2024-03-15 | 株式会社Flosfia | 结晶性层叠结构体、半导体装置 |
CN108899359A (zh) * | 2014-07-22 | 2018-11-27 | Flosfia 株式会社 | 结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 |
KR20190103496A (ko) | 2014-07-22 | 2019-09-04 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 결정성 반도체막 및 판상체 및 반도체장치 |
US10439028B2 (en) | 2014-07-22 | 2019-10-08 | Flosfia, Inc. | Crystalline semiconductor film, plate-like body and semiconductor device |
US11069781B2 (en) | 2014-07-22 | 2021-07-20 | Flosfia Inc. | Crystalline semiconductor film, plate-like body and semiconductor device |
KR20200074277A (ko) | 2014-07-22 | 2020-06-24 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 결정성 반도체막 및 판상체 및 반도체장치 |
EP3783666A1 (en) | 2014-07-22 | 2021-02-24 | Flosfia Inc. | Crystalline semiconductor film, sheet like object, and semiconductor device |
EP3783662A1 (en) | 2014-09-02 | 2021-02-24 | Flosfia Inc. | Laminated structure and method for manufacturing same, semiconductor device, and crystalline film |
US10043664B2 (en) | 2014-09-02 | 2018-08-07 | Flosfia Inc. | Multilayer structure, method for manufacturing same, semiconductor device, and crystalline film |
US10460934B2 (en) | 2017-08-21 | 2019-10-29 | Flosfia Inc. | Crystalline film, semiconductor device including crystalline film, and method for producing crystalline film |
CN108231910A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-06-29 | 沈阳工程学院 | 一种柔性基片衬底的异质结构薄膜及其制备方法 |
US11488821B2 (en) | 2018-06-26 | 2022-11-01 | Flosfia Inc. | Film forming method and crystalline multilayer structure |
WO2020004250A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物膜 |
US12074078B2 (en) | 2018-12-19 | 2024-08-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Laminate, film forming method, and film forming apparatus |
CN113243043A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-08-10 | 信越化学工业株式会社 | 层叠体、成膜方法及成膜装置 |
EP3674449A1 (en) | 2018-12-26 | 2020-07-01 | Flosfia Inc. | Crystalline oxide film |
US11152472B2 (en) | 2018-12-26 | 2021-10-19 | Flosfia Inc. | Crystalline oxide semiconductor |
EP3674450A1 (en) | 2018-12-26 | 2020-07-01 | Flosfia Inc. | Crystalline oxide semiconductor |
KR20220054668A (ko) | 2019-09-03 | 2022-05-03 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 결정막, 결정막을 포함하는 반도체 장치, 및 결정막의 제조 방법 |
KR20220070311A (ko) | 2019-09-30 | 2022-05-30 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 적층 구조체 및 반도체 장치 |
KR20220127301A (ko) | 2020-01-27 | 2022-09-19 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2021153609A1 (ja) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11694894B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-07-04 | Flosfia Inc. | Crystalline film containing a crystalline metal oxide and method for manufacturing the same under partial pressure |
US11804519B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-10-31 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure, semiconductor device, and method of manufacturing crystalline structure |
WO2023047895A1 (ja) | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び結晶性酸化物膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014072517A (ja) | 2014-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5343224B1 (ja) | 半導体装置および結晶 | |
JP6067532B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5397795B1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法 | |
JP5528612B1 (ja) | 半導体装置 | |
US9752255B2 (en) | Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material | |
US20100178234A1 (en) | Multilayer substrate and method for producing the same, diamond film and method for producing the same | |
JP7078947B2 (ja) | ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP2008098603A (ja) | 半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法 | |
JP2016081946A (ja) | 半導体構造および半導体装置 | |
WO2020194803A1 (ja) | 下地基板及びその製造方法 | |
TWI308365B (ja) | ||
JP6281145B2 (ja) | 半導体装置 | |
EP4187576A1 (en) | Heteroepitaxial structure with a diamond heat sink | |
JP7176099B2 (ja) | 半導体膜 | |
Shin et al. | Effects of different annealing atmospheres on the surface and microstructural properties of ZnO thin films grown on p-Si (1 0 0) substrates | |
WO2022181163A1 (ja) | 窒化物半導体基板およびその製造方法 | |
JP4595592B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
JP7556401B2 (ja) | トランジスタの製造方法 | |
EP4431634A1 (en) | Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate | |
TW202421820A (zh) | 形成石墨烯層結構的方法及石墨烯基板 | |
CN118660994A (zh) | 衬底基板及单晶金刚石层叠基板以及它们的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5397795 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |