JP6945119B2 - 結晶性積層構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献3には、ガリウム又はインジウムの臭化物又はヨウ化物を用いて、ミストCVD法により、酸化物結晶薄膜を製造する方法が記載されている。特許文献4〜6には、コランダム型結晶構造を有する下地基板上に、コランダム型結晶構造を有する半導体層と、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とが積層された多層構造体が記載されている。
なお、特許文献3〜6はいずれも本出願人による特許または特許出願に関する公報である。
[1] 結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、前記凹凸部上に、エピタキシャル層が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル層が、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むことを特徴とする結晶性積層構造体。
[2] 前記凹凸部が、周期的に形成されている前記[1]記載の結晶性積層構造体。
[3] 前記凹凸部が、ストライプ状またはドット状である前記[1]または[2]に記載の結晶性積層構造体。
[4] 前記結晶性半導体が酸化物半導体である前記[1]〜[3]のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
[5] 前記酸化物半導体が少なくともガリウムを含む前記[4]記載の結晶性積層構造体。
[6] 前記エピタキシャル層が、ミストCVD法により形成されている前記[1]〜[5]のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
[7] 前記結晶基板が、サファイア基板である前記[1]〜[6]のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
[8] 前記結晶基板上に、バッファ層または応力緩和層が形成されており、前記バッファ層または応力緩和層上に、前記凹凸部が形成されている前記[1]〜[7]のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
[9] 結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、エピタキシャル膜を成膜して結晶性積層構造体を製造する方法であって、
前記エピタキシャル膜の成膜を、ミストCVD法を用いて、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル膜を成膜することにより行うことを特徴とする結晶性積層構造体の製造方法。
[10] 前記凹凸部の形成を、ストライプ状またはドット状に凹部または凸部を形成することにより行う前記[9]記載の製造方法。
[11] 前記[1]〜[8]のいずれかに記載の結晶性積層構造体からなる半導体装置。
前記結晶基板は、結晶物を主成分として含む基板であれば特に限定されず、公知の基板であってよい。絶縁体基板であってもよいし、導電性基板であってもよいし、半導体基板であってもよい。単結晶基板であってもよいし、多結晶基板であってもよい。前記結晶基板としては、例えば、コランダム構造を有する結晶物を主成分として含む基板、またはβ−ガリア構造を有する結晶物を主成分として含む基板、六方晶構造を有する基板などが挙げられる。なお、前記「主成分」とは、基板中の組成比で、前記結晶物を50%以上含むものをいい、好ましくは70%以上含むものであり、より好ましくは90%以上含むものである。
なお、前記結晶基板の厚さは、特に限定されないが、好ましくは、50〜2000μmであり、より好ましくは200〜800μmである。
前記凹凸部は、凸部または凹部からなるものであれば特に限定されず、凸部からなる凹凸部であってもよいし、凹部からなる凹凸部であってもよいし、凸部および凹部からなる凹凸部であってもよい。また、前記凹凸部は、規則的な凸部または凹部から形成されていてもよいし、不規則な凸部または凹部から形成されていてもよい。本発明においては、前記凹凸部が周期的に形成されているのが好ましく、周期的かつ規則的にパターン化されているのがより好ましい。前記凹凸部の形状としては、特に限定されず、例えば、ストライプ状、ドット状、メッシュ状またはランダム状などが挙げられるが、本発明においては、ストライプ状またはドット状が好ましい。なお、ドット状に凹凸部を形成する場合には、例えば正方格子、斜方格子、三角格子、六角格子などの格子位置に、周期的かつ規則的に、三角形、四角形(例えば正方形、長方形若しくは台形等)、五角形若しくは六角形等の多角形状、円状、楕円状などの凹凸部を配置することができる。前記凹凸部の凹部または凸部の断面形状としては、特に限定されないが、例えば、コの字型、U字型、逆U字型、波型、または三角形、四角形(例えば正方形、長方形若しくは台形等)、五角形若しくは六角形等の多角形等が挙げられる。
図1は、本発明における結晶基板の結晶成長面上に設けられた凹凸部の一態様を示す。図1の凹凸部は、結晶基板1と、結晶成長面1a上の凸部2aとから形成されている。凸部2aはストライプ状であり、結晶基板1の結晶成長面1a上には、ストライプ状の凸部2aが周期的に配列されている。なお、凸部2aは、SiO2等のシリコン含有化合物からなり、フォトリソグラフィー等の公知の手段を用いて形成することができる。
前記結晶性酸化物薄膜は、コランダム構造を有する結晶性酸化物、またはβ−ガリア構造を有する結晶性酸化物を主成分として含んでいるのが好ましく、前記結晶性酸化物がα−Ga2O3またはβ−Ga2O3を主成分として含んでいるのがより好ましい。「主成分」とは、結晶性酸化物がα−Ga2O3である場合、前記薄膜の金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上の割合でα−Ga2O3が含まれていればそれでよい。本発明においては、前記薄膜中の金属元素中のガリウムの原子比が0.7以上であることが好ましく、0.8以上であるのがより好ましい。また、結晶性酸化物半導体薄膜の厚さは、特に限定されず、1μm以下であってもよいし、1μm以上であってもよいが、本発明においては、3μm以上であることが好ましく、5μm以上であることがより好ましく、10μm以上であることが最も好ましい。なお、前記結晶性酸化物薄膜は、通常、単結晶であるが、多結晶であってもよい。
本発明においては、前記結晶性積層構造体の結晶性酸化物薄膜上に、直接または別の層を介して、ショットキー電極を備え、前記結晶性積層構造体の下地基板上に、直接または別の層を介して、オーミック電極を備える半導体装置が好ましく、前記結晶性酸化物薄膜の半導体特性により、半導体装置そのものの信頼性を向上させることができる。
前記ショットキー電極やオーミック電極は、公知のものであってよく、公知の手段を用いて、これらを前記結晶性積層構造体に備えることができる。なお、別の層を介する場合の別の層としては、公知の半導体層、絶縁体層、導体層などが挙げられ、これらの層は、公知のものであってよく、本発明においては、公知の手段でもって、これらの層を積層することができる。
まず、図9を用いて、本実施例で用いたミストCVD装置19を説明する。ミストCVD装置19は、下地基板等の被成膜試料20を載置する試料台21と、キャリアガスを供給するキャリアガス源22と、キャリアガス源22から送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23と、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる成膜室27と、成膜室27の周辺部に設置されたヒータ28を備えている。試料台21は、石英からなり、被成膜試料20を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室27と試料台21をどちらも石英で作製することにより、被成膜試料20上に形成される薄膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
<実施例1>
結晶基板として、c面サファイア基板を用いた。SOGをスピンコーターで塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて、c面サファイア基板上に、SiO2のストライプ(m軸と平行)を形成した。
結晶基板として、凹凸部を形成していないc面サファイア基板を用いた。
臭化ガリウム0.1mol/Lの水溶液を調整し、この際、さらに48%臭化水素酸溶液を体積比で10%となるように含有させ、これを原料溶液とした。
上記3.で得られた原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、被成膜試料20として、1辺が10mmの正方形の結晶成長用基板を試料台21上に設置させ、ヒータ28を作動させて成膜室27内の温度を580℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23を開いてキャリアガス源22からキャリアガスを成膜室27内に供給し、成膜室27の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5L/minに調節した。なお、キャリアガスとして酸素を用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを微粒子化させて原料微粒子を生成した。この原料微粒子が、キャリアガスによって成膜室27内に導入され、580℃にて、成膜室27内で反応して、被成膜試料20上に薄膜を形成した。なお、成膜時間は4時間であった。
上記5.にて得られたα−Ga2O3薄膜の相の同定をした。同定は、薄膜用XRD回折装置を用いて、15度から95度の角度で2θ/ωスキャンを行うことによって行った。測定は、CuKα線を用いて行った。その結果、実施例1および比較例1のいずれの膜もα−Ga2O3であった。
ストライプの幅を1μmよりも広くしたこと以外は、実施例1と同様にして、結晶性積層構造体を得た。得られた結晶性積層構造体のエピタキシャル膜につき、TEMを用いて断面を観察した。結果を図12に示す。図12から、縦方向に成長したコランダム構造の結晶と、横方向に成長したコランダム構造の結晶とが、全く異なるものであることがわかり、さらに、横方向に成長させたコランダム構造の結晶が、結晶品質において優れていることがわかる。
1a 結晶成長面
2a 凸部
2b 凹部
3 エピタキシャル層
4 マスク層
5 バッファ層
19 ミストCVD装置
20 被成膜試料
21 試料台
22 キャリアガス源
23 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 成膜室
28 ヒータ
Claims (12)
- コランダム構造を有する結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、前記凹凸部上に、エピタキシャル層が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル層が、コランダム構造を有している酸化物半導体を主成分として含むエピタキシャル膜であって、前記酸化物半導体が少なくともガリウムを含み、横方向に結晶成長しているコランダム構造を有する厚さ1μm以上の結晶を含むエピタキシャル膜からなることを特徴とする結晶性積層構造体。
- 前記凹凸部が、周期的に形成されている請求項1に記載の結晶性積層構造体。
- 前記凹凸部が、ストライプ状またはドット状である請求項1または2に記載の結晶性積層構造体。
- 前記エピタキシャル膜の金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上の割合でα−Ga2O3が含まれている請求項1〜3のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記膜厚が3μm以上である請求項1〜4のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶成長面が、サファイア基板の結晶成長面である請求項1〜5のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶成長面が、c面サファイア基板の結晶成長面であり、
前記凹凸部が、m軸と並行な方向に沿って延びるストライプ状である請求項1〜6のいずれかに記載の結晶性積層構造体。 - 前記結晶成長面上に、バッファ層または応力緩和層が形成されている請求項1〜7のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の結晶性積層構造体を用いてなる半導体装置。
- 前記エピタキシャル膜の表面粗さが0.1μm以下である、請求項1〜8のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記エピタキシャル膜が、Br、I、FおよびClのうち少なくとも1種を含む請求項1〜8、10のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- ガリウム並びにBr、I、FおよびClのうち少なくとも1種を含む原料微粒子をキャリアガスによって成膜室に供給する工程と、
前記原料微粒子を前記成膜室内にて酸素含有雰囲気下で反応させることにより、前記成膜室内に配置されたコランダム構造を有する結晶基板上にエピタキシャル層を形成する工程と、を備え、
前記結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、
前記エピタキシャル層は、前記凹凸部上に、エピタキシャル結晶成長により形成されることを特徴とする結晶性積層構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239389A JP6945119B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶性積層構造体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239389A JP6945119B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶性積層構造体およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100592A JP2016100592A (ja) | 2016-05-30 |
JP2016100592A5 JP2016100592A5 (ja) | 2018-02-15 |
JP6945119B2 true JP6945119B2 (ja) | 2021-10-06 |
Family
ID=56077569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014239389A Active JP6945119B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 結晶性積層構造体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6945119B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI764930B (zh) * | 2016-09-22 | 2022-05-21 | 英商Iqe有限公司 | 集成外延金屬電極 |
CN114836833A (zh) * | 2017-08-21 | 2022-08-02 | 株式会社Flosfia | 用于制造结晶膜的方法 |
JP2019034883A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
JP2020001997A (ja) | 2017-08-21 | 2020-01-09 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
JP7404593B2 (ja) * | 2018-06-26 | 2023-12-26 | 株式会社Flosfia | 成膜方法および結晶性積層構造体 |
US20210226002A1 (en) * | 2018-06-26 | 2021-07-22 | Flosfia Inc. | Crystalline oxide film |
JP6909191B2 (ja) | 2018-09-27 | 2021-07-28 | 信越化学工業株式会社 | 積層体、半導体装置及び積層体の製造方法 |
JP7315137B2 (ja) | 2018-12-26 | 2023-07-26 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物膜 |
JP7315136B2 (ja) | 2018-12-26 | 2023-07-26 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物半導体 |
JP2020186153A (ja) | 2019-05-15 | 2020-11-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、及び、バルク結晶の製造方法 |
JPWO2021044845A1 (ja) | 2019-09-03 | 2021-03-11 | ||
TW202129095A (zh) | 2019-09-30 | 2021-08-01 | 日商Flosfia股份有限公司 | 積層結構體及半導體裝置 |
JP7453609B2 (ja) | 2019-11-19 | 2024-03-21 | 株式会社Flosfia | 剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法 |
TW202147455A (zh) | 2020-01-27 | 2021-12-16 | 日商Flosfia股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US11804519B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-10-31 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure, semiconductor device, and method of manufacturing crystalline structure |
US11694894B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-07-04 | Flosfia Inc. | Crystalline film containing a crystalline metal oxide and method for manufacturing the same under partial pressure |
JPWO2023047895A1 (ja) | 2021-09-22 | 2023-03-30 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000231122A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Sony Corp | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 |
KR101038069B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2011-06-01 | 내셔널 유니버시티 오브 싱가포르 | 에피택셜 측방향 과도성장 질화갈륨 템플릿 상에 성장된 산화아연막의 방법 |
DE102010011895B4 (de) * | 2010-03-18 | 2013-07-25 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines semipolaren Gruppe III-Nitrid-Kristalls, Substrat, freistehendes semipolares Substrat und Verwendung der Substrate |
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US8569754B2 (en) * | 2010-11-05 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8809852B2 (en) * | 2010-11-30 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US20140217471A1 (en) * | 2011-09-08 | 2014-08-07 | National Institute of Information and Communicatio ns Technology | Ga2O3 SEMICONDUCTOR ELEMENT |
JP5343224B1 (ja) * | 2012-09-28 | 2013-11-13 | Roca株式会社 | 半導体装置および結晶 |
-
2014
- 2014-11-26 JP JP2014239389A patent/JP6945119B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016100592A (ja) | 2016-05-30 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190918 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200303 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20200602 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20201104 |
|
C13 | Notice of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C13 Effective date: 20210106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210303 |
|
C302 | Record of communication |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C302 Effective date: 20210303 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20210622 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20210727 |
|
C30A | Notification sent |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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