JP2016100592A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、前記凹凸部上に、エピタキシャル層が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル層が、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むことを特徴とする結晶性積層構造体。
- 前記凹凸部が、周期的に形成されている請求項１記載の結晶性積層構造体。
- 前記凹凸部が、ストライプ状またはドット状である請求項１または２に記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶性半導体が酸化物半導体である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記酸化物半導体が少なくともガリウムを含む請求項４記載の結晶性積層構造体。
- 前記エピタキシャル層が、ＣＶＤ層、ＭＯＣＶＤ層、ＭＯＶＰＥ層、ミストＣＶＤ層、ミスト・エピタキシー層、ＭＢＥ層、ＨＶＰＥ層またはパルス成長層である請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶基板が、サファイア基板である請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶基板上に、バッファ層または応力緩和層が形成されている請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、エピタキシャル膜を成膜して結晶性積層構造体を製造する方法であって、
前記エピタキシャル膜の成膜を、エピタキシャル結晶成長法を用いて、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル膜を成膜することにより行うことを特徴とする結晶性積層構造体の製造方法。 - 前記凹凸部の形成を、ストライプ状またはドット状に凹部または凸部を形成することにより行う請求項９記載の製造方法。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の結晶性積層構造体を用いてなる半導体装置。
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