JP2014208571A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 結晶中に酸素原子と水素原子とを含み、酸素濃度に対する水素濃度の比が０．５〜４．５である、窒化ガリウム結晶。
- 水素濃度が１．０×１０17〜１．０×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である、請求項１に記載の窒化ガリウム結晶。
- 酸素濃度が１．０×１０17〜５．０×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である、請求項１または２に記載の窒化ガリウム結晶。
- 陽電子消滅法により測定されるＳパラメーターが０．４４８以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化ガリウム結晶。
- 陽電子拡散距離が１５〜５０ｎｍである、請求項４に記載の窒化ガリウム結晶。
- 転位密度が５×１０5ｃｍ-2以下であり、積層欠陥密度が８×１０ｃｍ-1以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の窒化ガリウム結晶。
- 請求項１〜６のいずれか一項に記載の窒化ガリウム結晶から形成される、窒化ガリウム基板。
- 種結晶として、ライン状の開口部が形成されるように窒素面の一部を成長阻害部材で被覆したＣ面ＧａＮ基板を準備する準備工程と、
前記窒素面のうち前記開口部から、前記窒素面に対して垂直に立った板状の窒化ガリウム結晶をアモノサーマル法によって成長させる成長工程とを有する、窒化ガリウム結晶の製造方法。 - 前記開口部の幅Ｗ1と、前記板状の窒化ガリウム結晶における、前記窒素面に対して平行な方向の最小幅Ｗ2とが、Ｗ2＞Ｗ1の関係を満たす、請求項８に記載の製造方法。
- 前記開口部の長さＬ1に対する、前記板状の窒化ガリウム結晶における、前記窒素面に対して平行な方向の最小長さＬ2の比が０．５以上である、請求項８または９に記載の製造方法。
- 前記開口部の長さＬ1に対する、前記板状の窒化ガリウム結晶における、前記窒素面に対して垂直な方向の最大高さＨの比が０．１以上である、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
- 前記開口部の長手方向が、前記Ｃ面ＧａＮ基板の＜１１−２０＞方向である、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記開口部の長手方向が、前記Ｃ面ＧａＮ基板の＜１０−１０＞方向である、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記Ｃ面ＧａＮ基板において、前記窒素面は、複数の前記開口部が互いに平行に形成されるように、前記成長阻害部材で部分的に被覆されている、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記成長工程において、複数の前記開口部のそれぞれから、前記板状の窒化ガリウム結晶を成長させる、請求項１４に記載の製造方法。
- 前記成長工程において、異なる前記開口部から成長する前記板状の窒化ガリウム結晶同士が、前記Ｃ面ＧａＮ基板の側面から成長する窒化ガリウム結晶を介して、互いに結合される、請求項１５に記載の製造方法。
- 前記成長工程において、塩素、臭素およびヨウ素から選ばれる少なくともひとつのハロゲン元素と、フッ素とを含む鉱化剤を用いる、請求項８〜１６のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項８〜１７のいずれか一項に記載の製造方法を用いて第一窒化ガリウム結晶を製造する第一ステップと、該第一ステップで製造した該第一窒化ガリウム結晶を種結晶に用いてアモノサーマル法で第二窒化ガリウム結晶を成長させる第二ステップと、を有する窒化ガリウム結晶の製造方法。
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