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  1. （ａ）基板の第１領域を囲む領域にマスクを形成する工程、
    （ｂ）前記基板の第１領域に、第１半導体層を成長させる工程、
    （ｃ）前記第１半導体層上に、第２半導体層を成長させる工程、
    を有し、
    前記基板は、（１００）面から［１−１−１］方向へ、０．５°〜１．０°の範囲で傾斜しており、
    前記基板、前記第１半導体層および前記第２半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる、半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、ＩＩＩ族元素の原料ガスおよびＶ族元素の原料ガスを用いたエピタキシャル成長により、前記第２半導体層を形成する工程であり、
    前記ＩＩＩ族元素の原料ガスの流量に対する前記Ｖ族元素の原料ガスの流量の比であるＶ／ＩＩＩ比が２０００以上である、半導体装置の製造方法。
  3. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
    前記基板および前記第２半導体層は、ＩｎＰよりなる、半導体装置の製造方法。
  4. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第２半導体層の側面は、（０−１１）面を有する、半導体装置の製造方法。
  5. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
    （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第２半導体層の上方に、第１電極を形成し、前記基板の裏面に、第２電極を形成する工程、
    を有する、半導体装置の製造方法。
  6. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層部は、第１方向に延在し、
    前記積層部の前記第１方向と交差する第２方向の断面形状は、略矩形状である、半導体装置の製造方法。
  7. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層部の側面は、前記（１００）面に対してほぼ垂直である、半導体装置の製造方法。
  8. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層は、第１方向に延在し、
    前記第２半導体層の上面の前記第１方向と交差する第２方向の幅は、前記第１半導体層の上面の前記第２方向の幅より大きい、半導体装置の製造方法。
  9. 請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程との間に、
    （ｅ）前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層部の両側に、前記積層部より絶縁性を有する半絶縁層を形成する工程、
    を有する、半導体装置の製造方法。
  10. 請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半絶縁層は、Ｆｅを含有するＩｎＰよりなる、半導体装置の製造方法。
  11. 基板、前記基板の第１領域に配置された第１半導体層および前記第１半導体層上に配置された第２半導体層を有し、
    前記基板は、（１００）面から［１−１−１］方向へ、０．５°〜１．０°の範囲で傾斜しており、
    前記基板、前記第１半導体層および前記第２半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる、半導体装置。
  12. 請求項１１記載の半導体装置において、
    前記基板および前記第２半導体層は、ＩｎＰよりなる、半導体装置。
  13. 請求項１２記載の半導体装置において、
    前記第２半導体層の側面は、（０−１１）面を有する、半導体装置。
  14. 請求項１１記載の半導体装置において、
    前記第２半導体層の上方に配置された第１電極および前記基板の裏面に配置された第２電極を有する、半導体装置。
  15. 請求項１３記載の半導体装置において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層部は、第１方向に延在し、
    前記積層部の前記第１方向と交差する第２方向の断面形状は、略矩形状である、半導体装置。
  16. 請求項１３記載の半導体装置において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層部の側面は、前記（１００）面に対してほぼ垂直である、半導体装置。
  17. 請求項１３記載の半導体装置において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層は、第１方向に延在し、
    前記第２半導体層の上面の前記第１方向と交差する第２方向の幅は、前記第１半導体層の上面の前記第２方向の幅より大きい、半導体装置。
  18. 請求項１３記載の半導体装置において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層部の両側に、Ｆｅを含有するＩｎＰよりなる層を有する、半導体装置。
  19. 請求項１３記載の半導体装置において、
    前記第１半導体層および前記第２半導体層の第１積層部と離間して配置された第２積層部を有し、
    前記第２積層部は、前記基板の第２領域に配置された第３半導体層および前記第３半導体層上に配置された第４半導体層を有し、
    前記第１半導体層の層厚は、前記第３半導体層の層厚より大きい、半導体装置。
  20. 請求項１９記載の半導体装置において、
    前記第２半導体層の層厚は、前記第４半導体層の層厚より大きい、半導体装置。
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