JP2012253293A5 - - Google Patents
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- 炭化珪素からなる基板と、
前記基板上に形成され、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である表面を有し、導電型が第１導電型である炭化珪素からなる半導体層と、
前記半導体層の前記表面上に接触して形成された絶縁膜とを備え、
前記半導体層は、前記絶縁膜と接触する領域を含むように形成され、導電型が前記第１導電型とは異なる第２導電型であるボディ領域を含み、
前記ボディ領域における不純物密度は５×１０１７ ｃｍ−３以上であり、
前記ボディ領域と前記基板とに挟まれた前記半導体層の領域には、前記半導体層の厚み方向に垂直な方向において互いに分離して配置された導電型が前記第２導電型である領域が複数並ぶように形成されている、半導体装置。 - 前記表面のオフ方位と＜０１−１０＞方向とのなす角は５°以下となっている、請求項１に記載の半導体装置。
- 前記表面の、＜０１−１０＞方向における｛０３−３８｝面に対するオフ角は−３°以上５°以下である、請求項２に記載の半導体装置。
- 前記表面のオフ方位と＜−２１１０＞方向とのなす角は５°以下となっている、請求項１に記載の半導体装置。
- 前記表面は、炭化珪素のカーボン面側の面である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記ボディ領域における不純物密度は１×１０２０ｃｍ−３以下である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
- ノーマリーオフ型となっている、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜の厚みは２５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記第１導電型はｎ型であり、前記第２導電型はｐ型である、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記ボディ領域における不純物密度は８×１０１６ｃｍ−３以上３×１０１８ｃｍ−３以下である、請求項９に記載の半導体装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011126917A JP2012253293A (ja) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | 半導体装置 |
| PCT/JP2012/052709 WO2012169224A1 (ja) | 2011-06-07 | 2012-02-07 | 半導体装置 |
| KR1020137027182A KR20140012139A (ko) | 2011-06-07 | 2012-02-07 | 반도체 장치 |
| EP12796108.4A EP2720269A1 (en) | 2011-06-07 | 2012-02-07 | Semiconductor device |
| CN201280021088.4A CN103503146A (zh) | 2011-06-07 | 2012-02-07 | 半导体器件 |
| TW101110439A TW201251023A (en) | 2011-06-07 | 2012-03-26 | Semiconductor device |
| US13/490,208 US20120313112A1 (en) | 2011-06-07 | 2012-06-06 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011126917A JP2012253293A (ja) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012253293A JP2012253293A (ja) | 2012-12-20 |
| JP2012253293A5 true JP2012253293A5 (ja) | 2014-07-24 |
Family
ID=47292396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011126917A Pending JP2012253293A (ja) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | 半導体装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120313112A1 (ja) |
| EP (1) | EP2720269A1 (ja) |
| JP (1) | JP2012253293A (ja) |
| KR (1) | KR20140012139A (ja) |
| CN (1) | CN103503146A (ja) |
| TW (1) | TW201251023A (ja) |
| WO (1) | WO2012169224A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5751146B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2015-07-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5818099B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-11-18 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
| JP2014003253A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置 |
| JP5772842B2 (ja) | 2013-01-31 | 2015-09-02 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP5955452B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9142668B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with buried well protection regions |
| US9240476B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with buried well regions and epitaxial layers |
| US9306061B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-04-05 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with protective regions |
| US9012984B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Field effect transistor devices with regrown p-layers |
| US11721547B2 (en) * | 2013-03-14 | 2023-08-08 | Infineon Technologies Ag | Method for manufacturing a silicon carbide substrate for an electrical silicon carbide device, a silicon carbide substrate and an electrical silicon carbide device |
| JP6284140B2 (ja) * | 2013-06-17 | 2018-02-28 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 |
| US9748341B2 (en) * | 2013-07-02 | 2017-08-29 | General Electric Company | Metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with increased channel periphery |
| US9024328B2 (en) * | 2013-07-02 | 2015-05-05 | General Electric Company | Metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with increased channel periphery and methods of manufacture |
| JP5928429B2 (ja) | 2013-09-30 | 2016-06-01 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2015070192A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| JP6098474B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2017-03-22 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP6256148B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| CN106298926A (zh) * | 2015-06-05 | 2017-01-04 | 北大方正集团有限公司 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 |
| JP2017059600A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN107994074B (zh) * | 2016-10-26 | 2021-06-08 | 深圳尚阳通科技有限公司 | 沟槽栅超结器件及其制造方法 |
| CN113097305B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-11-08 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 | 一种场效应管及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4843854B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2011-12-21 | 住友電気工業株式会社 | Ｍｏｓデバイス |
| TWI278090B (en) * | 2004-10-21 | 2007-04-01 | Int Rectifier Corp | Solderable top metal for SiC device |
| JP4604241B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-01-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素ｍｏｓ電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2006351744A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP4564509B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 電力用半導体素子 |
| JP2009033036A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びこれを用いた電気回路装置 |
| US7989882B2 (en) * | 2007-12-07 | 2011-08-02 | Cree, Inc. | Transistor with A-face conductive channel and trench protecting well region |
| JP5564781B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2014-08-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
| JP5298691B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-09-25 | 住友電気工業株式会社 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
| EP2413364A4 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-08 | Sumitomo Electric Industries | MOS TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| CA2739576A1 (en) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Insulated gate field effect transistor |
| JP5531787B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-06-25 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-06-07 JP JP2011126917A patent/JP2012253293A/ja active Pending
-
2012
- 2012-02-07 CN CN201280021088.4A patent/CN103503146A/zh active Pending
- 2012-02-07 EP EP12796108.4A patent/EP2720269A1/en not_active Withdrawn
- 2012-02-07 KR KR1020137027182A patent/KR20140012139A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-02-07 WO PCT/JP2012/052709 patent/WO2012169224A1/ja active Application Filing
- 2012-03-26 TW TW101110439A patent/TW201251023A/zh unknown
- 2012-06-06 US US13/490,208 patent/US20120313112A1/en not_active Abandoned
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